SU387502A1 - Мультиви'братор на мдп транзисторах - Google Patents
Мультиви'братор на мдп транзисторахInfo
- Publication number
- SU387502A1 SU387502A1 SU1660270A SU1660270A SU387502A1 SU 387502 A1 SU387502 A1 SU 387502A1 SU 1660270 A SU1660270 A SU 1660270A SU 1660270 A SU1660270 A SU 1660270A SU 387502 A1 SU387502 A1 SU 387502A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistors
- transistor
- drain
- voltage
- multivi
- Prior art date
Links
Landscapes
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области вычислительной техники и может быть использовано дл создани генераторов тактовых импульсов и нормированных задержек сигнала в цеп х цифровых устройств на МДП структурах.
Известны мультивибратор на МДП транзисторах , содержащий два ключа с нагрузочными транзисторами в стоковой цепи и с перекрестной емкостной св зью между затвором одного ключевого транзистора и стоком другого, обладает нелинейной зависимостью длительности выходного импульса от входного напр жени .
Цель изобретени - линеаризаци зависимости длительности выходного импульса мультивибратора на МДП транзисторах от входного напр жени . Дл этого в каждую из врем задающих цепей мультивибратора включен транзистор, затвор которого подключен к средней точке делител напр жени пигани на двух транзисторах, у которых затворы соединены со стоками.
Ка чертеже изображена принципиальна электрическа схема предлагаемого мультивибратора на МДП транзисторах.
Он содержит МДП транзисторы 1 и 2, включенные по схеме с общим истоком с нелинейной стоковой нагрузкой в виде МДП транзисторов 3 и 4 соответственно.
и
К стокам транзисторов / и 2 подключены обкладки конденсаторов 5 и 6, другие обкладки которых подключены к стокам транзисторов 7 и 5 и к затворам транзисторов / и 2 соответственно . Транзисторы 7 и S включены по схеме с общим истоком, а их затворы подключены к делителю напр жени питани на транзисторах 9 и 10, у которых соединены затвор и сток. К клеммам // и 12 подключены
стоки и затворы транзисторов 9,3,4 и стоки транзисторов 10, 1,7,8 и 2.
Крутизна фронта, формируемого при запирании транзистора 1 (или 2), определ етс удельной крутизной нагрузочного транзистора
3 (или 4) и емкостью конденсатора 5 (или 6). Стабильность напр жени на стоке закрытого транзистора / (или 2) определ етс отиощением величин удельной крутизны транзисторов (3 и 5 (или 4 и 7) и напр жением на затворе
транзистора 7 (или 8), т. е. отнощением величин удельной крутизны транзисторов 9 и 10. Длительность квазиустойчивого состо ни определ етс эффективным значением емкости конденсатора 5 (или 6), удельной крутизной
транзистора 8 (или 7) и напр жением на затворе последнего.
Рассмотрим работу мультивибратора с момента , ко,гда транзистор / только что открыт, а транзистор 2 только что закрыт. Конделсатор 5 зар жен, конденсатор 6 имеет разность
потенциалов обкладок Uo6.UocT.-Од, где UOCT. - остаточное напр жение на выходе ключевого каскада, а Ид - напр жение отпирани диода образуемого стоковой диффузионной областью транзистора 7 (или 8) и материалом подложки. В следующий момент происходит формирование фронта импульса на стоках транзисторов 1 и 2. Длительность фронта на стоке транзистора / определ етс разр дом конденсатора 5 по цепи сток - исток транзистора и сток - подложка транзистора 8.
После разр да конденсатора 5 транзистор 2 остаетс запертым. Фронт импульса на стоке транзистора 2 определ етс зар дом паразитной емкости через нагрузочный транзистор 4. Транзистор 1 удерживаетс в открытом состо нии до тех пор, пока зар дитс конденсатор 6 по цепи сток-исток транзистора 7, источник питани (клеммы 12 и 11), сток - исток транзистора 4.
Параметры делител напр жени на транзисторах 9 и 10 должны быть выбраны таким образом, чтобы транзисторы 7 и S работали в
режиме насыщени по току. Отклонение параметров транзисторов 7 и S во врем задающих цеп х мультивибратора компенсируетс изменением напр жени на выходе делител 9 (10) в св зи с тем, что это напр жение определ етс в основном параметрами транзистора 10, а отклонение параметров всех элементов схемы на одной подложке происход т в одну сторону.
Предмет изобретени
Мультивибратор на МДП транзисторах, содержащий два ключа с нагрузочными транзисторами в стоковой цепи и с перекрестной емкостной св зью между затвором одного ключевого транзистора и стоком другого, отличающийс тем, что, с целью линеаризации зависимости длительности выходного импульса от входного напр жени , в каждую из
врем задающих цепей мультивибратора включен траизистор, затвор которого подключен к средней точке делител напр жени питани на двух транзисторах, у которых затворы соединены со стоками.
11
«г 12
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1660270A SU387502A1 (ru) | 1971-05-24 | 1971-05-24 | Мультиви'братор на мдп транзисторах |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1660270A SU387502A1 (ru) | 1971-05-24 | 1971-05-24 | Мультиви'братор на мдп транзисторах |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU387502A1 true SU387502A1 (ru) | 1973-06-21 |
Family
ID=20476350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1660270A SU387502A1 (ru) | 1971-05-24 | 1971-05-24 | Мультиви'братор на мдп транзисторах |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU387502A1 (ru) |
-
1971
- 1971-05-24 SU SU1660270A patent/SU387502A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3824447A (en) | Booster circuit | |
US4045686A (en) | Voltage comparator circuit | |
CH640693GA3 (ru) | ||
ES366284A1 (es) | Una disposicion de circuitos para transferir carga desde unprimer condensador o capacidad a un segundo condensador o capacidad. | |
GB1256950A (ru) | ||
JPS5567248A (en) | Frequency synthesizerrtype channel selection device | |
SU387502A1 (ru) | Мультиви'братор на мдп транзисторах | |
GB1364799A (en) | Field effect transistor circuits for driving capacitive loads | |
US3983411A (en) | Frequency divider | |
US3578989A (en) | Pulse width stabilized monostable multivibrator | |
JPS5461450A (en) | Flip flop circuit | |
SU792568A1 (ru) | Однотактный динамический инвертор | |
SU535010A1 (ru) | Устройство выхода мдп интегральных схем на индикатор | |
SU573884A1 (ru) | Логический элемент "не" | |
GB1210439A (en) | Improvements in or relating to d.c. voltage supply circuit arrangements | |
SU435585A1 (ru) | ||
SU1322374A1 (ru) | Формирователь напр жени смещени подложки дл интегральных схем | |
SU845284A1 (ru) | Транзисторный ключ | |
SU416877A1 (ru) | ||
SU440772A1 (ru) | Мультивибратор на мдп-транзисторах | |
SU1221740A1 (ru) | Усилитель-формирователь на МОП-транзисторах | |
SU868989A1 (ru) | Симметричный мультивибратор | |
SU680055A2 (ru) | Ячейка пам ти дл регистра сдвига | |
KR940000252Y1 (ko) | 씨모스 낸드게이트 | |
SU482012A1 (ru) | Импульсный усилитель мощности на мдп транзисторах |