SU387502A1 - Мультиви'братор на мдп транзисторах - Google Patents

Мультиви'братор на мдп транзисторах

Info

Publication number
SU387502A1
SU387502A1 SU1660270A SU1660270A SU387502A1 SU 387502 A1 SU387502 A1 SU 387502A1 SU 1660270 A SU1660270 A SU 1660270A SU 1660270 A SU1660270 A SU 1660270A SU 387502 A1 SU387502 A1 SU 387502A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
transistor
drain
voltage
multivi
Prior art date
Application number
SU1660270A
Other languages
English (en)
Inventor
И. Андреев Е.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1660270A priority Critical patent/SU387502A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU387502A1 publication Critical patent/SU387502A1/ru

Links

Landscapes

  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к области вычислительной техники и может быть использовано дл  создани  генераторов тактовых импульсов и нормированных задержек сигнала в цеп х цифровых устройств на МДП структурах.
Известны мультивибратор на МДП транзисторах , содержащий два ключа с нагрузочными транзисторами в стоковой цепи и с перекрестной емкостной св зью между затвором одного ключевого транзистора и стоком другого, обладает нелинейной зависимостью длительности выходного импульса от входного напр жени .
Цель изобретени  - линеаризаци  зависимости длительности выходного импульса мультивибратора на МДП транзисторах от входного напр жени . Дл  этого в каждую из врем задающих цепей мультивибратора включен транзистор, затвор которого подключен к средней точке делител  напр жени  пигани  на двух транзисторах, у которых затворы соединены со стоками.
Ка чертеже изображена принципиальна  электрическа  схема предлагаемого мультивибратора на МДП транзисторах.
Он содержит МДП транзисторы 1 и 2, включенные по схеме с общим истоком с нелинейной стоковой нагрузкой в виде МДП транзисторов 3 и 4 соответственно.
и
К стокам транзисторов / и 2 подключены обкладки конденсаторов 5 и 6, другие обкладки которых подключены к стокам транзисторов 7 и 5 и к затворам транзисторов / и 2 соответственно . Транзисторы 7 и S включены по схеме с общим истоком, а их затворы подключены к делителю напр жени  питани  на транзисторах 9 и 10, у которых соединены затвор и сток. К клеммам // и 12 подключены
стоки и затворы транзисторов 9,3,4 и стоки транзисторов 10, 1,7,8 и 2.
Крутизна фронта, формируемого при запирании транзистора 1 (или 2), определ етс  удельной крутизной нагрузочного транзистора
3 (или 4) и емкостью конденсатора 5 (или 6). Стабильность напр жени  на стоке закрытого транзистора / (или 2) определ етс  отиощением величин удельной крутизны транзисторов (3 и 5 (или 4 и 7) и напр жением на затворе
транзистора 7 (или 8), т. е. отнощением величин удельной крутизны транзисторов 9 и 10. Длительность квазиустойчивого состо ни  определ етс  эффективным значением емкости конденсатора 5 (или 6), удельной крутизной
транзистора 8 (или 7) и напр жением на затворе последнего.
Рассмотрим работу мультивибратора с момента , ко,гда транзистор / только что открыт, а транзистор 2 только что закрыт. Конделсатор 5 зар жен, конденсатор 6 имеет разность
потенциалов обкладок Uo6.UocT.-Од, где UOCT. - остаточное напр жение на выходе ключевого каскада, а Ид - напр жение отпирани  диода образуемого стоковой диффузионной областью транзистора 7 (или 8) и материалом подложки. В следующий момент происходит формирование фронта импульса на стоках транзисторов 1 и 2. Длительность фронта на стоке транзистора / определ етс  разр дом конденсатора 5 по цепи сток - исток транзистора и сток - подложка транзистора 8.
После разр да конденсатора 5 транзистор 2 остаетс  запертым. Фронт импульса на стоке транзистора 2 определ етс  зар дом паразитной емкости через нагрузочный транзистор 4. Транзистор 1 удерживаетс  в открытом состо нии до тех пор, пока зар дитс  конденсатор 6 по цепи сток-исток транзистора 7, источник питани  (клеммы 12 и 11), сток - исток транзистора 4.
Параметры делител  напр жени  на транзисторах 9 и 10 должны быть выбраны таким образом, чтобы транзисторы 7 и S работали в
режиме насыщени  по току. Отклонение параметров транзисторов 7 и S во врем задающих цеп х мультивибратора компенсируетс  изменением напр жени  на выходе делител  9 (10) в св зи с тем, что это напр жение определ етс  в основном параметрами транзистора 10, а отклонение параметров всех элементов схемы на одной подложке происход т в одну сторону.
Предмет изобретени 
Мультивибратор на МДП транзисторах, содержащий два ключа с нагрузочными транзисторами в стоковой цепи и с перекрестной емкостной св зью между затвором одного ключевого транзистора и стоком другого, отличающийс  тем, что, с целью линеаризации зависимости длительности выходного импульса от входного напр жени , в каждую из
врем задающих цепей мультивибратора включен траизистор, затвор которого подключен к средней точке делител  напр жени  питани  на двух транзисторах, у которых затворы соединены со стоками.
11
«г 12
SU1660270A 1971-05-24 1971-05-24 Мультиви'братор на мдп транзисторах SU387502A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1660270A SU387502A1 (ru) 1971-05-24 1971-05-24 Мультиви'братор на мдп транзисторах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1660270A SU387502A1 (ru) 1971-05-24 1971-05-24 Мультиви'братор на мдп транзисторах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU387502A1 true SU387502A1 (ru) 1973-06-21

Family

ID=20476350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1660270A SU387502A1 (ru) 1971-05-24 1971-05-24 Мультиви'братор на мдп транзисторах

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU387502A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3824447A (en) Booster circuit
US4045686A (en) Voltage comparator circuit
CH640693GA3 (ru)
ES366284A1 (es) Una disposicion de circuitos para transferir carga desde unprimer condensador o capacidad a un segundo condensador o capacidad.
GB1256950A (ru)
JPS5567248A (en) Frequency synthesizerrtype channel selection device
SU387502A1 (ru) Мультиви'братор на мдп транзисторах
GB1364799A (en) Field effect transistor circuits for driving capacitive loads
US3983411A (en) Frequency divider
US3578989A (en) Pulse width stabilized monostable multivibrator
JPS5461450A (en) Flip flop circuit
SU792568A1 (ru) Однотактный динамический инвертор
SU535010A1 (ru) Устройство выхода мдп интегральных схем на индикатор
SU573884A1 (ru) Логический элемент "не"
GB1210439A (en) Improvements in or relating to d.c. voltage supply circuit arrangements
SU435585A1 (ru)
SU1322374A1 (ru) Формирователь напр жени смещени подложки дл интегральных схем
SU845284A1 (ru) Транзисторный ключ
SU416877A1 (ru)
SU440772A1 (ru) Мультивибратор на мдп-транзисторах
SU1221740A1 (ru) Усилитель-формирователь на МОП-транзисторах
SU868989A1 (ru) Симметричный мультивибратор
SU680055A2 (ru) Ячейка пам ти дл регистра сдвига
KR940000252Y1 (ko) 씨모스 낸드게이트
SU482012A1 (ru) Импульсный усилитель мощности на мдп транзисторах