SU1538246A1 - Преобразователь уровней сигналов на МДП-транзисторах - Google Patents

Преобразователь уровней сигналов на МДП-транзисторах Download PDF

Info

Publication number
SU1538246A1
SU1538246A1 SU884414175A SU4414175A SU1538246A1 SU 1538246 A1 SU1538246 A1 SU 1538246A1 SU 884414175 A SU884414175 A SU 884414175A SU 4414175 A SU4414175 A SU 4414175A SU 1538246 A1 SU1538246 A1 SU 1538246A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
transistor
complementary
drain
level converter
Prior art date
Application number
SU884414175A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Алексеевич Максимов
Алексей Ефимович Заболотный
Ярослав Ярославович Петричкович
Original Assignee
Организация П/Я В-8466
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я В-8466 filed Critical Организация П/Я В-8466
Priority to SU884414175A priority Critical patent/SU1538246A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1538246A1 publication Critical patent/SU1538246A1/ru

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в цифровых интегральных схемах в качестве преобразовател  уровн  напр жени  при сопр жении элементов, например, ТТЛ-и КМДП-логики. Цель изобретени  - повышение надежности в работе преобразовател  уровней сигналов при расширении диапазона входных воздействий и разброса параметров компонентов. Дл  этого в преобразователь уровней сигналов, содержащий транзисторы 1-6 и дополн ющие транзисторы 9, 10, дополнительно введены транзисторы 7, 8, 11, 12. Повышение надежности благодар  завершенности регенеративного процесса переключени  достигаетс  путем использовани  цепочек транзисторов 1, 5 и 7, 5 (а также 2, 6 и 8, 6) с различной проводимостью, причем переключение транзисторов 1 и 2 происходит с задержкой относительно изменени  потенциалов на выходных клеммах преобразовател . 1 ил.

Description

JL
Изобретение относитс  к импульсной Технике и может быть использовано в цифровых импульсных схемах на МДП- транзисторах в качестве преобразова- гел  уровн  напр жени  сигнала, например , при сокращении ТТЛ- и КМДП-ло гических элементов.
Целью изобретени   вл етс  повыше ние надежности работы устройства за рчет введени  двух транзисторов одного типа проводимости и двух дополн ющих транзисторов.
Благодар  использованию цепочек Транзисторов, обладающих различной проводимостью, и осуществлению переключени  провод щих цепей с задержкой Относительно изменени  потенциалов фыходных узлов устройства достигавг-   завершенность регенеративного Процесса переключени  устройства с формированием высокого значени  выходного напр жени  КМДП-уровн  в проком диапазоне входных напр жений и при значительном допустимом разбро- Се технологических параметров МДП- Транзисторов.
На чертеже представлена принципиальна  схема преобразовател  уровней Ыгналов на МДП-транзисторах.
Преобразователь уровней сигналов содержит восемь транзисторов 1-8 и четыре дополн ющих транзистора 9-12. Истоки дополн ющих транзисторов 9-12 Подключены к общей шине 13. Истоки первого 1, второго 2, седьмого 7 и восьмого 8 транзисторов подключены к шине 14 питани . Затворы первого 9 и второго Ю дополн ющих транзисто ров подключены к входным шинам 15 и 16.
П тый 5 и седьмой 7, а также шестой 6 и восьмой 8 транзисторы соединены последовательно и совместно с первым 9 и вторым 10 дополн ющими транзисторами и образуют схему КМДП- триггера, причем затворы последовательно соединенных транзисторов подключены соответственно к противопо- ложным узлам 17 и 18 указанного триггера .
Третьи 3 и 11 и четвертые А и 12 транзисторы попарно включены по схеме КМДП-инверторов, входы котооых подключены к соответствующим узлам 17 и 18 триггера, а узлы 19 и 20 соединены перекрестно с затворами соответственно второго 2 и первого
0
5 0
Q
5 0
5 0
5
1транзисторов. Клеммы 21 и 22 питани  указанных КМДП-инверторов соединены со стоками первого 1 и второго
2транзисторов соответственно, а также с точками соединени  п того 5 и седьмого 7, шестого 6 и восьмого 8 транзисторов соответственно.
Преобразователь работает следующим образом.
На шину 14 питани  относительно общей шины 13 подаетс  положительное напр жение КМДП-уровн , например 9В. На входные шины 15 и 16 в противофа- зе подаютс  сигналы, которые требуетс  преобразовать по величине напр жени  верхнего уровн , например сигналы от ТТЛ-логической схемы, т.е. соответственно величиной 2,4 и 0,4 В, также относительно общей шины 13. Выходные сигналы снимаютс  с узлов 17 и 18 триггера, или в дополнительном коде с выходов 19 и 20 КМДП-инверторов.
В исходном состо нии узлы 17 и 20 имеют высокий потенциал, а узлы 18 и 19 - низкий. Соответственно открыты п тый 5, седьмой 7, а также второй 2 и четвертый 4 транзисторы.
Входного напр жени , подаваемого на входную шину 15, достаточно дл  отпускани  первого 9 дополн ющего транзистора. Второй 10 дополн ющий транзистор при этом надежно заперт. Потенциал узла 17 начинает уменьшатьс , что ведет в дальнейшем к отпиранию третьего 3, шестого 6 и восьмого 8 транзисторов. Поскольку второй 2 транзистор на этом этапе хорошо открыт, отпирание шестого 6 транзистора к повышению потенциала узла 18. Далее четвертый 4 транзистор закрываетс , а четвертый дополн ющий 12 транзистор отпираетс . Также происходит изменение состо ни  проводимости третьих транзисторов 3 и 11, и как следствие - закрывание второго транзистора 2 и отпирание первого 1 транзистора. Таким образом осуществл етс  регенеративный процесс переключени  транзисторов и изменени  потенциалов узлов схемы устройства.
При этом обеспечиваетс  надежность переключени  в широком диапазоне напр жений входных сигналов и при значительных допусках на технологический разброс параметров МЦП-транзис- торов. Так проводимость седьмого 7
и восьмого 8 транзисторов выбираетс  минимальной, исход  только из услови  компенсации токов утечек узлов триггера. Поэтому токи через эти транзисторы не оказывают противодействующего вли ни  на разр д узла 17 до низкого потенциала. В цел х сохранени  высокой скорости переключени  формирование высокого уровн  напр жени  в узле 18 происходит током через транзисторы 2 и 6 (или 1 и 7 дл  узла 17), имеющий большую проводимость . Задержка переключени  второго 2 или первого 1 транзисторов, осуществл ема  благодар  наличию инверторов на третьих 3, 11 или четвертых , 12 транзисторах, обеспечивает завершенность регенеративного процесса переключени  и формирование в узле 18 высокого напр жени , близкого к напр жению на шине И питани  Реакци  транзисторов 1 и 2 происходит позже, чем измен ютс  потенциалы в узлах 17 и 18 и блокировки процесса переключени  не происходит.
Технологический разброс параметров МДП-транзисторов или изменение таких параметров во времени не ведет к нарушению функционировани  устройства . По сравнению с известным устройством предлагаемый преобразователь требует меньших аппаратурных затрат, что ведет к повышению надежнсти .

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    1
    Преобразователь уровней сигналов на МДП-транзисторах, содержащий первый , второй, третий, четвертый, п тый и шестой транзисторы, а также
    .
    10
    15
    У
    первый и второй дополн ющие транзисторы , истоки которых подключены к общей шине, а затворы - к входным шинам , сток первого дополн ющего транзистора соединен со стоком п того и затворами третьего и шестого транзисторов , а сток второго дополн ющего транзистора соединен со стоком шестого и затворами четвертого и п того транзисторов, первый и третий, второй и четвертый транзисторы включены попарно последовательно, а истоки первого и второго транзисторов подключены к шине питани , отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности, в него введены седьмой и восьмой транзисторы, истоки котооых подключены к шине питани , и третий и четвертый дополн ющие транзисторы , истоки которых подключены к общей шине, сток седьмого транзистора соединен с истоком п того транзистора и с точкой соединени  первого и третьего транзисторов, сток восьмого транзистора соединен с истоком шестого транзистора и с точкой соединени  второго и четвертого транзисторов , затвор седьмого транзистора соединен с затворами п того и четвертого дополн ющего транзисторов, а затвор восьмого - с затворами шестого и третьего дополн ющего транзисторов , свободный вывод третьего транзистора подключен к стоку третьего дополн ющего транзистора и к затвору второго транзистора, а свободный вывод четвертого транзистора подключен к стоку четвертого дополн ющего транзистора и к затвору первого транзистора .
    25
    30
    35
    40
SU884414175A 1988-04-20 1988-04-20 Преобразователь уровней сигналов на МДП-транзисторах SU1538246A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884414175A SU1538246A1 (ru) 1988-04-20 1988-04-20 Преобразователь уровней сигналов на МДП-транзисторах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884414175A SU1538246A1 (ru) 1988-04-20 1988-04-20 Преобразователь уровней сигналов на МДП-транзисторах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1538246A1 true SU1538246A1 (ru) 1990-01-23

Family

ID=21370305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884414175A SU1538246A1 (ru) 1988-04-20 1988-04-20 Преобразователь уровней сигналов на МДП-транзисторах

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1538246A1 (ru)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2604054C1 (ru) * 2016-01-22 2016-12-10 Владимир Владимирович Шубин Преобразователь уровня напряжения
RU2632567C1 (ru) * 2016-11-24 2017-10-05 Акционерное общество "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" Преобразователь уровня напряжения
RU2642416C1 (ru) * 2016-12-28 2018-01-24 Владимир Владимирович Шубин Преобразователь логического уровня напряжения
RU2667798C1 (ru) * 2017-11-20 2018-09-24 Владимир Владимирович Шубин Преобразователь уровня напряжения
RU2756445C1 (ru) * 2021-03-24 2021-09-30 Владимир Владимирович Шубин Преобразователь уровня напряжения
RU2761172C1 (ru) * 2020-11-25 2021-12-06 Акционерное общество "Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток" Трёхвходовой кмоп логический вентиль исключающее или/исключающее или-не
RU2784457C1 (ru) * 2022-06-23 2022-11-25 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (СибГУТИ) Четырёхвходовой кмоп логический вентиль исключающее-или/исключающее-или-не

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 919089, кл. Н 03 К 19/00, 04.06.80. Авторское свидетельство СССР IP 1473072, кл. Н 03 К 5/00, 04.Об.87 Г *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2604054C1 (ru) * 2016-01-22 2016-12-10 Владимир Владимирович Шубин Преобразователь уровня напряжения
RU2632567C1 (ru) * 2016-11-24 2017-10-05 Акционерное общество "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" Преобразователь уровня напряжения
RU2642416C1 (ru) * 2016-12-28 2018-01-24 Владимир Владимирович Шубин Преобразователь логического уровня напряжения
RU2667798C1 (ru) * 2017-11-20 2018-09-24 Владимир Владимирович Шубин Преобразователь уровня напряжения
RU2761172C1 (ru) * 2020-11-25 2021-12-06 Акционерное общество "Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток" Трёхвходовой кмоп логический вентиль исключающее или/исключающее или-не
RU2756445C1 (ru) * 2021-03-24 2021-09-30 Владимир Владимирович Шубин Преобразователь уровня напряжения
RU2784457C1 (ru) * 2022-06-23 2022-11-25 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (СибГУТИ) Четырёхвходовой кмоп логический вентиль исключающее-или/исключающее-или-не

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6271708B1 (en) Gate circuit
SU1538246A1 (ru) Преобразователь уровней сигналов на МДП-транзисторах
US4760281A (en) Clock signal generating circuit
SU1775853A1 (ru) Устройство преобразования уровней логических сигналов на кмоп-транзисторах
SU921052A1 (ru) Триггер на КМОП транзисторах
SU1385277A1 (ru) Магистральный формирователь импульсов
SU1688398A1 (ru) Компаратор напр жений
SU1465939A1 (ru) Триггер на дополн ющих МДП-транзисторах
SU1221740A1 (ru) Усилитель-формирователь на МОП-транзисторах
SU1615877A1 (ru) Логический элемент на бипол рных и МОП-транзисторах
SU1539994A1 (ru) Выходное устройство с трем состо ни ми на КМДП-транзисторах
SU919089A1 (ru) Устройство согласовани ТТЛ-элементов с МДП-элементами
SU1764046A1 (ru) Высокочастотный импульсный регул тор посто нного напр жени
SU1473072A1 (ru) Формирователь импульсов на МДП-транзисторах
SU1238204A2 (ru) @ -Триггер на МДП-транзисторах
SU1499435A1 (ru) Тактируемый триггер на комплементарных МДП-транзисторах
SU1476599A1 (ru) Формирователь импульсов
SU1149311A1 (ru) Формирователь сигнала напр жени смещени подложки дл интегральных схем
SU1309302A1 (ru) Управл емый формирователь импульсов
SU790330A1 (ru) Быстродействующий преобразователь уровней напр жени на дополн ющих мдп транзисторах
SU1097162A1 (ru) @ -Значный инвертор
SU1378047A1 (ru) Логическое устройство
SU1126943A1 (ru) Компаратор на МДП-транзисторах
SU1506543A1 (ru) Устройство преобразовани уровней сигналов на КМДП-транзисторах
RU2004073C1 (ru) Преобразователь уровн напр жени