RU2004073C1 - Преобразователь уровн напр жени - Google Patents
Преобразователь уровн напр жениInfo
- Publication number
- RU2004073C1 RU2004073C1 SU5016344A RU2004073C1 RU 2004073 C1 RU2004073 C1 RU 2004073C1 SU 5016344 A SU5016344 A SU 5016344A RU 2004073 C1 RU2004073 C1 RU 2004073C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mos transistor
- gate
- source
- channel mos
- output
- Prior art date
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к интегральным микросхемам , построенным на базе комплементарных МОП-транзисторов (КМОП), а более конкретно к КМОП-преобразовател м уровн напр жени Сущность изобретени преобразователь уровн напр жени содержит р-канальный МОП-транзистор 1 и n-канальный МОП-транзистор 2. стоки которых соединены с-выходом 3 преобразовател n-канальный МОП-транзистор 4, исток которого св зан с входом 5 преобразовател и с затвором МОП-транзистора 2, сток подключен к затвору МОП-транзистора 1, подложка соединена с отрицательной клеммой 6 источника питани , а затвор св зан с источником 7 опорного напр жени р-ка- напьмыи МОП-транзистор 8. затвор которого соединен с выходом 3 преобразовател сток - с затвором МОП-транзистора 1, а исток - с положительной клеммой 9 источника питани при этом затвор р-канального МОП-транзистора 10 соединен с затвором МОП-транзистора 1. исток - с положительной клеммой 9 источника питани , а сток подключен к стоку n-канального МОП-транзистора 11 и к выходу 3 преобразовател , затвор МОП -транзистора 11 соединен с входом 5 преобразовател а исток - с отрицательной клеммой б источника питани , к которой также подключен исток л-каналь- ного МОП-транзистора 12, сток которого соединен с истоком МОЛ-трзЛзистора 2, а затвор - с выходом схемы 13 задержки и с затвором р-канального МОП-транзистора 14, сток которого св зан с истоком МОП-транзистора 1, а исток- с положительной клеммой 9 источника питани , причем вход схемы 13 задержки соединен с выходом 3 преобразовател 4 ил.
Description
ъ
О
2
О
И
о
Изобретение относитс к интегральным микросхемам, построенным на базе комплементарных МОП-транзисторов (КМОП), а более конкретно к КМОП-преобрззовате- л м уровн напр жени .
Схемы преобразователей уровн напр жени предназначенные дл формировани выходного сигнала с напр жени ми высокого UOH и низкого UOL уровней, отличных от соответствующих значений дл входного напр жени (UiH и UIL), при этом амплитуда сигнала на выходе преобразовател уровн напр жени может существенно превышать амплитуду входного сигнала. Один из наиболее распространенных случаев применени КМОП-преобразователей уровн напр жени - это схемы согласовани ТТЛ- схем и КМОП ИМС (в этом случае UIL Ј +0,8 В; UiH5: + 2,4 В; UOL з, OB; Vcc, где +Vcc - напр жение питани КМОП ИМС, Vcc-+5,+9,+12 В...).
Известна наиболее проста схема преобразовател уровн напр жени , реализуема на двух ШОП-транзисторах - схема КМОП-инвертора (фиг. 1), у которой крутизна n-канального МОП-транзистора (Vi2) значительно превышает крутизну р-канального МОП-транзистора (Vn). Отношение значений крутизны этих транзисторов выбирают таким, чтобы при входном напр жении высокого уровн UiH открытый п-канальный транзистор Vi2 полностью шунтировал частично открытый р-ханальный транзистор VTI, т.е. выходное напр жение при этом было близко к нулю (VSs)l. Така схема преобразовател уровн напр жени , облада предельной простотой, имеет недостатки, а именно большой статический ток потреблени при сходном напр жении высокого уровн и низкое быстродействие, так как допускает работу только при низких частотах входного напр жени . Первый недостаток св зан с тем, что входное напр жение высокого уровн UiH может отличатьс от напр жени питани КМОП ИМС -i-VCc на величину, превышающую абсолютное значение порогового напр жени р-канального МОП-транзистора (иртн). В этом случае р-канзльный МОП-транзистор (Vn) не будет полностью закрыт и через него и через полностью открытый n-канальный транзистор N/T2 протекает большой статический ток потреблени t«. Дл случа согласовани ТТЛ - КМОП величина Сс тем больше, чем больше напр жение питани +VccНаиболее близким по технической сущности к изобретению вл етс преобразователь уровн напр жени , содержащий первый р-канальный МОП-транзистор и второй n-канальный МОП-транзистор, стоки которых соединены между собой и с выходом устройства, третий n-канальный МОП-транзистор , исток которого св зан с входом устройства и с затвором второго МОП-транзистора, сток подключен к затвору первого МОП-транзистора, подложка соединена с отрицательной клеммой источника питани и с истоком второго
0 МОП-транзистора, а затвор св зан с источником опорного напр жени , четвертый р- канальный МОП транзистор, затвор которого соединен с выходом устройства, сток - с затвором первого МОП-транзисто5 ра, а исток - с положительной клеммой источника питани и с истоком первого МОП-транзистора 2.
В этом преобразователе устранен первый недостаток схемы, показанной на фиг.
0 1. В схему добавлени ещеодна пара КМОП- транзисторов. Кроме того, требуетс специальный формирователь опорного напр жени VREF. В основе схемы имеетс все тот же КМОП-инвертор с соотношением,
5 составленным транзисторами VTS и VTG, причем n-канальный МОП-транзистор (Vie) по-прежнему значительно мощнее р-ка- налышго (Vis). Такое же отношение имеют величины крутизны транзисторов V™ и Утз
0 (Vj4 много мощнее VTS). Напр жение VmmREF необходимо выбирать таким, чтобы при минимальном входном напр жении высокого уровн Uiii n-канальный МОП-транзистор VT-I был бы полностью закрыты, а при
5 максимальном входном напр жении низкого уровн UmaxiL этот же транзистор был бы полностью открыт. В последнем случае VTI должен шунтировать открытый р-канальный транзистор VTS, обеспечива формирование
0 на затпоре транзистора VTS низкого напр жени . При подаче на вход схемы напр жени высокого уровн UiH открываетс n-канальный МОП-транзистор VTG, что обеспечивает переход выходного напр жени
5 на уровень, близкий к VSs. При этом р-канальный МОП-транзистор Утз оказываетс открытым, и через него затвор р-канального МОП-транзистора VTS зар жаетс до напр жени VDD (входной n-канальный МОП0 транзистор VT4 в этом случае закрыт). Таким образом, транзистор VTS оказываетс полностью закрытым при входном напр жении высокого уровн Um независимо от того, какова величина этого напр жени , т.е. эта
5 схема имеет низкий статический ток потреблени , характерный дл КМОП-схем.
Недостатком этой схемы преобразовател уровн напр жени также вл етс низкое быстродействие, которое, как и в случае схемы, представленной на фиг. 1,
обусловлено несимметрией составл ющих их р- и n-канальных МОП-транзисторов (Vn и Vi2 - на фиг. 1; VTS и VT6 - на фиг. 2). Неравенство значений крутизны этих транзисторов приводит к искажению формы им- пульса выходного напр жени по сравнению с входным напр жением (см. временные диаграммы на фиг. 3). Это искажение про вл етс в виде двух признаков: неравенство времени задержки включени IOLH и времени задержки выключени toHL выходного напр жени (IDLH tot-ii); врем нарастани выходного напр жени t0v много больше времени его спада tof (tov tot). Первый признак (IDLH tom) св зан с тем, что выходное напр жение не начинает нарастать до тех пор, пока полностью не закроетс n-канальный МОП-транзистор (VT2 или VTG). Таким образом, врем спада входного напр жени tif полностью пходит во врем задержки toiH. В то же врем , когда входное напр жение не намного превышает пороговое напр жение п-канального МОП-транзистора (/т2, Vie), выходное напр жение начинает спадать. Следователь- но, только незначительна часть времени нарастани входного напр жени дает вклад во врем задержки выключени IDHL и, как итог, . Второй признак обусловлен просто большим сопротивлени- ем открытого р-кзнального МОП-транзистора (VTI, VTS) по сравнению с сопротивлением открытого п-каиальнэго МОП-транзистора. Зар дка емкости нагрузки CL до напр жени VDD (нарастание вы- ходного напр жени ) происходит через р-канальный МОП-транзистор, а разр дка до Vss (спад выходного напр жени ) - через n-канальный транзистор. Большее сопротивление дает большее врем перехода. От- сюда tov tof, что приводит к еще большему искажению формы импульса напр жени в последующих узлах КМОП ИМС.
Целью изобретени вл етс повыше- ние быстродействи преобразовател уровн напр жени .
.Цель достигаетс , что в преобразователь уровн напр жени , содержащий первый р-канальный МОП-транзистор и вто- рой n-канальный МОП-транзистор, стоки которых соединены между собой и с выходом устройства, третий n-кэнальный МОП- транзистор, исток которого св зан с входом устройства и с затвором второго МОП-тран- зистора, сток подключен к затвору первого МОП-транзистора, подложка соединена с отрицательной клеммой источника питани , а затвор св зан с источником опорного напр жени , четвертый р-канальный МОП- транзистор, затвор которого соединен с выходом устройства, сток - с затвором первого МОП-транзистора, а исток - с положительной клеммой источника питани , введены четыре КМОП-транзистора и схема задержки , причем затвор п того р-канального МОП-транзистора соединен с затвором первого МОП-транзистора, исток - с положительной клеммой источника питани , а сток подключен к стоку шестого п-канального МОП-транзистора и к выходу устройства, затвор шестого МОП-транзистора соединен с входоТи устройства, а исток - с отрицательной клеммой источника питани , к которой также подключен исток седьмого п-канального МОП-транзистора, сток которого соединен с истоком второго МОП-транзистора, а затвор - с выходом схемы задержки и с затвором восьмого р-канального МОП-транзистора , сток которого св зан с истоком первого МОП-транзистора, а исток - с положительной клеммой источника питани , вход схемы задержки соединен с выходом устройства.
В результате сравнительного анализа в известных технических решени х не вы влены признаки, сходные с признаками, отличающими за вленное техническое решение от прототипа, поэтому свойства за вленного технического решени не совпадает со свойствами известных решений.
На фиг. А показана принципиальна схема одного из вариантов предлагаемого преобразовател уровн напр жени .
Преобразователь содержит р-канальный МОП-транзистор 1 и n-канальный МОП- транзистор 2, стоки которых соединены между собой и с выходом 3 преобразовател , n-канальный МОП-транзистор 4, исток которого св зан с входом 5 преобразовател и с затвором МОП-транзистора 2. сток подключен к затвору МОП-транзистора 1, подложка соединена с отрицательной клеммой 6 источника питани , а затвор св зан с источником 7 опорного напр жени , р-канальный МОП-транзистор 8, затвор которого соединен с выходом 3 преобразовател , сток - с затвором МОП-транзистора 1, а исток - с положительной клеммой 9 источника питани , при этом затвор р-канального МОП-транзистора 10 соединен с затвором МОП-транзистора 1, исток - с положительной клеммой 9 источника питани , а сток подключен к стоку п-канального МОП-транзистора 11 и к выходу 3 преобразовател , затвор МОП-транзистора 11 соединен с входом 5 преобразовател , а исток - с отрицательной клеммой б источника питани , к которой также подключен исток п-ктчэльного МОП-транзистора 12, сток которого соединен с истоком МОП-транзистора 2, а затвор - с выходом схемы 13 задержки и с затвором р-канального МОП-транзистора 14, сток которого св зан с истоком МОП- транзистора 1, а исток - с положительной клеммой 9 источника питани , причем вход схемы 13 задержки соединен с выходом 3 преобразовалс .
Преобразователь работает следующим образом.
При входном напр жении низкого уровн UIL открыты транзисторы 4 и 1, на выходе по вл етс напр жение высокого уровн UDD. Схема 13 задержки передает это напр жение на затвор n-канального МОП- транзистора 12, вследствие чего этот транзистор открыт. Однако транзистор 2 закрыт , на его затворе присутствует напр жение UIL Если на вход 5 преобразовател поступает нал р жение высокого уроан UIH, открываетс транзистор 2 и выходной узел output разр жаетс до напр жени , близкого к Vss, через открытые м-канальные транзисторы 2 и 12 (они по-прежнему много мощнее р-канального транзистора 1). Когда процесс установлени напр жени VSs на выходе преобразовател заканчиваетс через врем t, схема 13 задержки передает напр жение VSs на затвор транзистора 12 и тем самым и закрывает этот транзистор. Цепь, св зывающа узел output с отрицательной клеммой 6 источника питани , оказываетс разорванной.
При подаче на вход 5 преобразовател напр жени низкого урорн п-канальные транзисторы не преп тствуют нарастанию выходного напр жени и времена задержки включени и выключени могут иметь близкие значени (T.DLH IDHL).
Последовательно с р-канальным МОП- транзистором 1 соединен транзистор 14, затвор которого так же, как и у п-канального транзистора 12, соединен с выходом схемы 13 задержки. Р-канальный МОП-транзистор 10, обладающий много меньшей крутизной,
чем последовательно соединенна пара транзисторов 2 и 12 и меньшей крутизной, чем отдельно вз тый т ранзистор 11, поддерживаетс в статическом состо нии иапр жение высокого уровн VDD на выходе 3 преобразовател . N-канальный МОП-тран- зистор 11, чь крутизна много меньше крутизны последовательно соединенной пары мощных р-канальных транзисторов 1 и 14,
поддерживает в статике выходное напр жение низкого уровн , равное Vss. Транзисторы 10 и 11 ввиду споей малой мощности не вли ют на процессы переключени выходного напр жени схемы. Когда это переключение заканчиваетс , что через врем t схема 13 задержки закрывает при включении мощный р-канальный МОП-транзистор 14, а при выключении мощный п-канальный МОП-транзистор 12. Таким образом, цель
мощных р-канальных МОП-транзисторов 14 и 1 не может помешать процессу разр дки емкости нагрузки иерез n-канальные транзисторы 2 и 12 при выключении выходного напр жени . Цепь мощных п-канэльных
МОП-транзисторов 2 и 12 не мешает процессу нарастани выходного напр жени при зар дке емкости нагрузки через мощные р-канальные МОП-транзисторы 1 и 14. Следовательно, предлагаема схема преобразовател уровн напр жени не влечет за собой никаких ограничений на величины крутизны выходные КМОП-траызисторов 1, 14 и 2, 12. Крутизна этих транзисторов может быть оптимизирована с точки зреми
максимального повышени быстродействи схемы преобразовател уровн напр жени . При отом как п-канальные (2 и 12), так и р-канальные (1 и 14) МОП-транзисторы могут быть сделаны одинаково мощными и,
таким образом, может быть обеспечена высока нагрузочна способность схемы преобразовател уровн напр жени .
(56) 1. Патент США № 4694202, кл. Н 03 К 19/092, 1984.
2. Патент США Nh 4490633, кл.Н 03 К 19/094, 1981.
задержки, причем затвор п того р-какаль иого МОП-транзистора соединен с затворомпервогор-канального МОП-транзистора, исток - с положительной клеммой источника питани , а сток - со стоком шестого п-канального МОП- транзистора и сыходной клеммой преобразовател , затвор шестого п-канального МОП-транзистора соединен с входной клеммой преобразовател , а исток - с отриФормула изобретени
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЯ НАПРЯЖЕНИЯ , содержащий первый р-канальный и второй п-кзнэльный МОП-транзисторы, стоки которых соединены с выходной клеммой преобразовател , третий п-ка- нальиый МОП-транзистор, исток которого соединен с входной клеммой преобразовател и с затвором второго п-канального
МОП-транзистора, а сток - с затвором пер-10 цзтельногГклеммой источника питани с вого р-канального МОП-транзистора, под- которой соединен исток седьмого п-ка- ложка соединена с отрицательной клеммой нального МОП-транзистора, сток которого источника питани , а затвор - с источни- соединдн с истоком второго п-канальиого ком опорного напр жени , четвертый р-ка- МОП-транзистора, а затвор - с выходом нальный МОП-транзистор, затвор которого 15 элемента задержки и затвором восьмого р- соединен с выходом преобразовател , сток канального МОП-транзистора, сток которо- - с затвором первого р-канзльного МОП- го соединен с истоком первого транзистора, а исток - с положительной р-канального МОП-транзистора, а исток - с клеммой источника питани , отличающий- положительной клеммой источника пита- с тем, что в него введены две пары комп- ини , вход элемента задержки соединен с лементарных МОП-транзисторов и элемент выходной клеммой преобразовател .
407310
задержки, причем затвор п того р-какаль иого МОП-транзистора соединен с затворомпервогор-канального МОП-транзистора, исток - с положительной клеммой источника питани , а сток - со стоком шестого п-канального МОП- транзистора и сыходной клеммой преобразовател , затвор шестого п-канального МОП-транзистора соединен с входной клеммой преобразовател , а исток - с отри
0 цзтельногГклеммой источника питани с которой соединен исток седьмого п-ка- нального МОП-транзистора, сток которого соединдн с истоком второго п-канальиого МОП-транзистора, а затвор - с выходом 5 элемента задержки и затвором восьмого р- канального МОП-транзистора, сток которо- го соединен с истоком первого р-канального МОП-транзистора, а исток - с положительной клеммой источника пита- ини , вход элемента задержки соединен с выходной клеммой преобразовател .
Vrf
Ч
Vrz
Ih
а
fft/f/7/ t
Фи&г
Фиг.З
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5016344 RU2004073C1 (ru) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | Преобразователь уровн напр жени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5016344 RU2004073C1 (ru) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | Преобразователь уровн напр жени |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2004073C1 true RU2004073C1 (ru) | 1993-11-30 |
Family
ID=21591452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU5016344 RU2004073C1 (ru) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | Преобразователь уровн напр жени |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2004073C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2468509C2 (ru) * | 2007-05-31 | 2012-11-27 | Квэлкомм Инкорпорейтед | Регулируемое входное приемное устройство для высокоскоростного интерфейса с низким уровнем мощности |
-
1991
- 1991-10-28 RU SU5016344 patent/RU2004073C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2468509C2 (ru) * | 2007-05-31 | 2012-11-27 | Квэлкомм Инкорпорейтед | Регулируемое входное приемное устройство для высокоскоростного интерфейса с низким уровнем мощности |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4874971A (en) | Edge-sensitive dynamic switch | |
US5258666A (en) | CMOS clocked logic decoder | |
US20060202735A1 (en) | Bootstrapped switch with an input dynamic range greater than supply voltage | |
US6043699A (en) | Level shift circuit | |
US5115150A (en) | Low power CMOS bus receiver with small setup time | |
US20060202742A1 (en) | Bootstrapping ciruit capable of sampling inputs beyond supply voltage | |
WO2017205618A1 (en) | Enhancement mode fet gate driver ic | |
EP0086090B1 (en) | Drive circuit for capacitive loads | |
US4023122A (en) | Signal generating circuit | |
KR100535346B1 (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
US20030193348A1 (en) | Level shifting circuit | |
US5362995A (en) | Voltage comparing circuit | |
EP0330405A2 (en) | Delay circuit | |
US4542307A (en) | Double bootstrapped clock buffer circuit | |
EP0481698A2 (en) | Tri-state circuit | |
RU2004073C1 (ru) | Преобразователь уровн напр жени | |
US7068486B2 (en) | Half-bridge circuit and method for driving the half-bridge circuit | |
KR940003179A (ko) | 데이터 아웃 버퍼 회로 | |
EP0840454B1 (en) | Level shift circuit | |
US5250853A (en) | Circuit configuration for generating a rest signal | |
EP0468210A2 (en) | Circuit for driving a floating circuit in response to a digital signal | |
SU1538246A1 (ru) | Преобразователь уровней сигналов на МДП-транзисторах | |
EP0459457A2 (en) | Output driver | |
JP2539667Y2 (ja) | デューティ可変回路 | |
EP0227147A1 (en) | Integrated circuit containing a load capacitance and an integrated reference source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20061029 |