SU591960A1 - Устройство выборки дл запоминающих устройств на мдп-транзисторах - Google Patents

Устройство выборки дл запоминающих устройств на мдп-транзисторах

Info

Publication number
SU591960A1
SU591960A1 SU762327013A SU2327013A SU591960A1 SU 591960 A1 SU591960 A1 SU 591960A1 SU 762327013 A SU762327013 A SU 762327013A SU 2327013 A SU2327013 A SU 2327013A SU 591960 A1 SU591960 A1 SU 591960A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
bus
transistors
sampling device
output
storages
Prior art date
Application number
SU762327013A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Яковлевич Сирота
Юрий Васильевич Таякин
Александр Максимович Копытов
Юрий Владимирович Прокофьев
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5737
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5737 filed Critical Предприятие П/Я Х-5737
Priority to SU762327013A priority Critical patent/SU591960A1/ru
Priority to GB22419/76A priority patent/GB1510588A/en
Priority to CA253,791A priority patent/CA1067620A/en
Priority to NL7605919A priority patent/NL7605919A/xx
Priority to FR7616672A priority patent/FR2313711A1/fr
Priority to DE19762624764 priority patent/DE2624764A1/de
Priority to IT23909A/76A priority patent/IT1063000B/it
Priority to DD19406576A priority patent/DD126261A1/xx
Application granted granted Critical
Publication of SU591960A1 publication Critical patent/SU591960A1/ru

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Description

(54) УСТРОЙСТВО ВЫБОРКИ ДЛЯ ЗАПОМИНГЛЩИХ УСТРОЙСТВ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ р дных транзисторов матрицы  чеек па м ти подключены к выходным шинам, затворы упом нутых транзисторов соед нены с первой шиной тактовых импульсов , а стоки - с шиной питани . На чертеже показана схема устройства выборки дл  матрицы на четыре входа и четыре выхода (16 бит), Устройство состоит из блока возбуждени  1 на транзисторах 2, 3 и ко денсаторе 4, блока возбуждени  5 на транзисторах 6-8 и управл емом конде саторе 9, инвертора 10, дешифратора на транзисторах 11-16, матрицы  чеек пам ти на транзисторах 17-22, разр д ных транзисторов 23-26, .зар дных тра зисторов 27-30, выходного дешифратора на транзисторах 31-34, адресных входов 35-37, выходов 38, 39, шин 40 42 тактовых иьтульсов, шины 43 питани . Работает устройство выборки следую щим образом. Во врем  действи  такто вого импульса на шине 41 транзистор открыва сь, пропускает информацию на затвор транзистора 3. Одновременно через транзистор 6 зар жаетс  переклю чаемый конденсатор 9, транзистор 8 открываетс , передава  низкий уровень напр жени  с блока 5 на затворы транзисторов 15 и 13. Если на адресный вход 37 подаетс  высокий уровень напр жени , конденсатор 4 за р жаетс  через открытые транзисторы 2 и 3 на шину 42 тактовых импульсов, имеющую в зто врем  низкий уровень напр жени . После окончани  действи  тактового импульса на шине 41 и до начала действи  тактового импульса на шине 42 переключаемый конденсатор 9 разр жаетс  через транзистор 7. Во врем  действи  тактового импульса на шин 42 тактовый импульс передаетс  на выход блока возбуждени  1 через открытый транзистор 3, и на выходе блока возбуждени  5 остаетс  низкий уровень напр жени . Если во врем  действи  тактового импульса на шине 41 тактовых импульсов на адресном входе 37 устанавливаетс  низкий уровень напр хсени , конденсатор 4 разр жаетс . Во врем  действи  тактовых импульсов,на шине 42 тактовых импульсов на выходе блока возбуждени  1 остаетс  низкий уровень напр жени , а на выход блока 5 через ОТКРЫТЫЙ транзистор 8 передаетс  тактовый импульс. Конденсаторы 4 и 9 положительной обратной св зи служат длп более полной передачи напр жени  тактовых импульсов, поданных на шину 42 тактовых импульсов, и.повышени  нагру зочной способности блоков возбуждени , так как «апр жение зар женного конденсатора положительной обратной св зь складываетс  на затворе с напр  жением стока транзистора, уаеличива  зффективность открывани  его во врем  действи  тактовых импульсов. Емкость управл емого конденсатора 9 в разр г енном состо нии минимальна, и поэтому во врем  действи  тактовых импульсов их напр жение на затвор транзистора 8 не передаетс . Аналогично работают и остальные блоки возбуждени  5 и 1 . Следовательно, информаци , подаваема  на адресные входы 35-37 схемы выборки во врем  действи  тактовых импульсов на шине 42 тактовых импульсов, передаетс  в пр мом виде на выходы блоков возбуждени  1 и в инверсном виде на выходы блоков возбуждени  5. В промежутках времени между соседними тактовыми импульсами, подайаемыми на шину 42 тактовых импульсов, выходы блоков возбуждени  1 и 5 имеют низкий уровень напр жени . Во врем  действи  тактового импульса , поданного на шину 40, устройство выборки подготавливаетс  к рабсте . На выходе инвертора 10, т.е. на общем входе дешифратора, устанавливаетс  низкий уровень напр жени . Внутренние емкости дешифратора, емсости выходов дешифратора, в том чис е и выбранного, разр жаютс  через выходное сопротивление инвертора 10 и через открытые разр дные транзисторы 23-26, так как на адресных входах дешифратора находитс  информаци , получаема  с блоков возбуждени  1 и 5 во врем  действи  тактового импульса на шине 42. Одновременно через от .крытые зар дные транзисторы 27-30 с шийы 43 питани  зар жаютс  емкости выходов матрицы  чеек пам ти и по цеп м проводимости - выходы выходного дешифратора, так как на адресных входах выходного дешифратора находитс  информаци  с блоков 5 и 1. После окончани  действи  тактового импульса на шине 40 во врем  действи  тактового импульса на шине 42 на выходе инвертора 10 устанавливаетс  высокий уровень напр жени , который передаетс  по выбранному пути проводимости на .один иЗ входов матрицы  чеек пам ти. В матрице происходит выбор записанной информации. Выходна  информации матрицы передаетс  по выбранным пут м проводимости на выходы выходного дешифратора. В интервале между тактовыми импульсами на шине 42.на затворы транзисторов дешифратора подаетс  низкий уровень напр жени , и информаци , переданна  на выходы устройства выборки, сохран етс  на выходной емкости зтих выходов.
SU762327013A 1975-06-02 1976-03-15 Устройство выборки дл запоминающих устройств на мдп-транзисторах SU591960A1 (ru)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762327013A SU591960A1 (ru) 1976-03-15 1976-03-15 Устройство выборки дл запоминающих устройств на мдп-транзисторах
GB22419/76A GB1510588A (en) 1975-06-02 1976-05-28 Sequential computing system
CA253,791A CA1067620A (en) 1975-06-02 1976-06-01 Sequential computing system
NL7605919A NL7605919A (nl) 1975-06-02 1976-06-02 Sequentieel computerstelsel.
FR7616672A FR2313711A1 (fr) 1975-06-02 1976-06-02 Systeme de calcul a fonctionnement sequentiel
DE19762624764 DE2624764A1 (de) 1975-06-02 1976-06-02 Serielles rechensystem
IT23909A/76A IT1063000B (it) 1975-06-02 1976-06-03 Gruppo di elaborazione dei dati ad azione in serie
DD19406576A DD126261A1 (ru) 1975-07-28 1976-07-26

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762327013A SU591960A1 (ru) 1976-03-15 1976-03-15 Устройство выборки дл запоминающих устройств на мдп-транзисторах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU591960A1 true SU591960A1 (ru) 1978-02-05

Family

ID=20649737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762327013A SU591960A1 (ru) 1975-06-02 1976-03-15 Устройство выборки дл запоминающих устройств на мдп-транзисторах

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU591960A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4628218A (en) Driving circuit suppressing peak value of charging current from power supply to capacitive load
JPS6010812A (ja) ドライバ回路
US4045686A (en) Voltage comparator circuit
JPS6122397B2 (ru)
JPH0456399B2 (ru)
US5293350A (en) Nonvolatile semiconductor memory device
US4063118A (en) MIS decoder providing non-floating outputs with short access time
SU1076001A3 (ru) Ячейка пам ти дл интегрального матричного накопител
JP4328390B2 (ja) 不揮発性レジスタおよびデ−タにアクセスする方法
SU591960A1 (ru) Устройство выборки дл запоминающих устройств на мдп-транзисторах
US5153467A (en) Bootstrap circuit for word line driver in semiconductor memory
US4034242A (en) Logic circuits and on-chip four phase FET clock generator made therefrom
US3982140A (en) High speed bistable multivibrator circuit
US6960951B2 (en) Circuit for detecting a logic transition with improved stability of the length of a detection signal pulse
JPH05234380A (ja) 半導体記憶装置
SU1429167A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство
JP2784632B2 (ja) メモリ
SU1285534A1 (ru) Запоминающее устройство на КМДП транзисторах
SU680055A2 (ru) Ячейка пам ти дл регистра сдвига
JPS5914832B2 (ja) 電圧センス回路
SU792568A1 (ru) Однотактный динамический инвертор
SU570920A1 (ru) Запоминающее устройство с перезаписью информации
JP2647290B2 (ja) ブートストラップ回路
SU641633A1 (ru) Триггер на мдп-транзисторах
SU1374417A1 (ru) Формирователь импульсов