JPS6010812A - ドライバ回路 - Google Patents
ドライバ回路Info
- Publication number
- JPS6010812A JPS6010812A JP59077665A JP7766584A JPS6010812A JP S6010812 A JPS6010812 A JP S6010812A JP 59077665 A JP59077665 A JP 59077665A JP 7766584 A JP7766584 A JP 7766584A JP S6010812 A JPS6010812 A JP S6010812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- pull
- circuit
- field effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
- H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
- H03K19/01721—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by means of a pull-up or down element
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
- H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
- H03K19/01714—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by bootstrapping, i.e. by positive feed-back
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路に関するものであり、さらに
詳細には、ドライバ回路やプルアップ回路として用いる
相補型酸化金属半導体(CMO8)または相補型電界効
果トランジスタに関するものである。
詳細には、ドライバ回路やプルアップ回路として用いる
相補型酸化金属半導体(CMO8)または相補型電界効
果トランジスタに関するものである。
本発明は、所定の導電型を有するプルアップ・トランジ
スタと、このプルアップ・トランジスタとは反対の導電
型を有する第2のトランジスタを通じて、プルアップ・
トランジスタの制御ゲートすなわち電極に完全に放電す
る、事前に充電したブーストラップ・キャパシタを有す
るCMOSドライバまたはプルアップ回路を提供するも
のである。このプルアップ・トランジスタの制御電極に
電源電圧を与えることにより、放電を開始させるために
、第3のトランジスタを使用することができる。
スタと、このプルアップ・トランジスタとは反対の導電
型を有する第2のトランジスタを通じて、プルアップ・
トランジスタの制御ゲートすなわち電極に完全に放電す
る、事前に充電したブーストラップ・キャパシタを有す
るCMOSドライバまたはプルアップ回路を提供するも
のである。このプルアップ・トランジスタの制御電極に
電源電圧を与えることにより、放電を開始させるために
、第3のトランジスタを使用することができる。
出力端子に全電源電圧を与えるため、プルアップ装置お
よび直接プートストラップ・キャパシタを含むNチャイ
ルミ界効果トランジスタを用いだ集積半導体ドライバ回
路が、たとえば1973年9月21日出願の米国特許3
872321号に示されている。本願と同一出願人によ
る1972年12月29日出願のW、B 、Chinお
よびT’、S。
よび直接プートストラップ・キャパシタを含むNチャイ
ルミ界効果トランジスタを用いだ集積半導体ドライバ回
路が、たとえば1973年9月21日出願の米国特許3
872321号に示されている。本願と同一出願人によ
る1972年12月29日出願のW、B 、Chinお
よびT’、S。
Jen による米国特許3806738号には、2個の
ブートストラップ・キャパシタを必要とするドライバ回
路が開示されている。本願と同一出願人による1974
年12月26日出願のC,A。
ブートストラップ・キャパシタを必要とするドライバ回
路が開示されている。本願と同一出願人による1974
年12月26日出願のC,A。
Pr1ceによる米国特許3988617号には、プー
トストラップ・バイアス電圧が出力端子から分離してい
るが、直流電力を消費する回路が開示されている。また
、本願と同一出願人による1976年11月19日出願
のR,W、Knepperによる他の米国特許4071
785号には、全電源電圧信号スウィングを与えること
ができるが、増大および減少装置の両方を必要とし、直
流電力を消費し、あまり高性能ではないドライバ回路が
開示されている。1976年7月28日出願の米国特許
4042838号には、2個のブートストラップ・キャ
パシタを有し、その1個けNチャネル装置を通じてプル
アップ装置の制御電極に放電し、出力端子を全電源電圧
に駆動するドライバ回路が記載されている。
トストラップ・バイアス電圧が出力端子から分離してい
るが、直流電力を消費する回路が開示されている。また
、本願と同一出願人による1976年11月19日出願
のR,W、Knepperによる他の米国特許4071
785号には、全電源電圧信号スウィングを与えること
ができるが、増大および減少装置の両方を必要とし、直
流電力を消費し、あまり高性能ではないドライバ回路が
開示されている。1976年7月28日出願の米国特許
4042838号には、2個のブートストラップ・キャ
パシタを有し、その1個けNチャネル装置を通じてプル
アップ装置の制御電極に放電し、出力端子を全電源電圧
に駆動するドライバ回路が記載されている。
従来のプートストラップ回路のドライバ回路は直流電力
を消費する。駆動動作が高速度でなく効率もよくなかっ
た。
を消費する。駆動動作が高速度でなく効率もよくなかっ
た。
本発明の目的は、従来のドライバ回路よりプートストラ
ップ動作が速く、効率の良い改良された 。
ップ動作が速く、効率の良い改良された 。
ドライバ回路を提供することにある。とのドライバ回路
は、プルアップ回路に全プートストラップ電圧を供給し
、直流電力の損失が無く、小型で、しかも工程の誤差に
影響を受けにくい特徴を有する。本発明の方法によれば
、所与の導電型を有するプルアップ−トランジスタと、
このプルアップ・トランジスタとは反対の導電型を有す
る第2のトランジスタを通じて、プルアップ・トランジ
スタの制御ゲートすなわち電極に放電するブートストラ
ップ・キャパシタを有する改良されたCMOSドライバ
すなわちプルアップ回路が提供される。
は、プルアップ回路に全プートストラップ電圧を供給し
、直流電力の損失が無く、小型で、しかも工程の誤差に
影響を受けにくい特徴を有する。本発明の方法によれば
、所与の導電型を有するプルアップ−トランジスタと、
このプルアップ・トランジスタとは反対の導電型を有す
る第2のトランジスタを通じて、プルアップ・トランジ
スタの制御ゲートすなわち電極に放電するブートストラ
ップ・キャパシタを有する改良されたCMOSドライバ
すなわちプルアップ回路が提供される。
さらに明確にのべれば、このプルアップ回路は出力端子
と、基準電位の1点との間に接続した所定の導電型の第
1の電界効果トランジスタと、この基準電位の1点と、
第1のトランジスタの制御ゲートの間に接続した、直列
に配置した第2および第3のトランジスタを含み、第6
のトランジスタは第1のトランジスタと反対の導電型を
有し、第2のトランジスタと第1のトランジスタの制御
ゲートとの間に配置されている。ブートストラップ・キ
ャパシタは、第2および第3のトランジスタの間の共通
点と、出力端子との間に接続されている。第4の電界効
果トランジスタは、直列に配置しだ第2および第3のト
ランジスタと並列に配置され、基準電位の第1の点から
電圧を第1のトランジスタの制御ゲートに供給する。第
5のトランジスタは、第1のトランジスタの制御ゲート
に放電するため、第1のトランジスタの制御ゲートを基
準電位の第2の点に選択的に接続するよう設けられてい
る。データおよびデータ端子は、これらのトランジスタ
の制御ゲートに制御パルスを供給するために設けられて
いる。また、本発明のドライバすなわちプルアップ回路
は、回路内で発生する相補信号、データにより、動作の
だめのデータ入力端子を1個だけ必要とするよう配置す
ることもできる。この回路はさらに、割込可能パルスの
使用により、出力端子にトライステート、すなわち高イ
ンピーダンス状態を与えることができる。
と、基準電位の1点との間に接続した所定の導電型の第
1の電界効果トランジスタと、この基準電位の1点と、
第1のトランジスタの制御ゲートの間に接続した、直列
に配置した第2および第3のトランジスタを含み、第6
のトランジスタは第1のトランジスタと反対の導電型を
有し、第2のトランジスタと第1のトランジスタの制御
ゲートとの間に配置されている。ブートストラップ・キ
ャパシタは、第2および第3のトランジスタの間の共通
点と、出力端子との間に接続されている。第4の電界効
果トランジスタは、直列に配置しだ第2および第3のト
ランジスタと並列に配置され、基準電位の第1の点から
電圧を第1のトランジスタの制御ゲートに供給する。第
5のトランジスタは、第1のトランジスタの制御ゲート
に放電するため、第1のトランジスタの制御ゲートを基
準電位の第2の点に選択的に接続するよう設けられてい
る。データおよびデータ端子は、これらのトランジスタ
の制御ゲートに制御パルスを供給するために設けられて
いる。また、本発明のドライバすなわちプルアップ回路
は、回路内で発生する相補信号、データにより、動作の
だめのデータ入力端子を1個だけ必要とするよう配置す
ることもできる。この回路はさらに、割込可能パルスの
使用により、出力端子にトライステート、すなわち高イ
ンピーダンス状態を与えることができる。
第1図は本発明の基本ドライバすなわちプルアップ回路
を示すもので、同回路にはデータ端子が接続された制御
ゲートを有する第1のトランジスタT1を含む。第2、
第3、第4のトランジスタ、T2.T3、T4を含む直
列の回路が基準電位の第1および第2の点の間に接続て
れておυ、基準電位の第1の点は、たとえば+5vの正
の電圧vHが印加されておシ、第2の点は、たとえば接
地されている。データ端子はトランジスタT2、T3、
T4の各制御ゲートに接続している。プルアップ装置と
して作動する第5のトランジスタT5は、基準電位の第
1の点V および出力端子V。UTの間に接続され、こ
の出力端子■。UTには、負荷キャパシタCの一方の電
極すなわちプレートが接り 続されておシ、このキャパシタのもう一方の電極は接地
されている。プルダウン回路は、他のトランジスタ等、
適当なスイッチ手段であればどのようなものでも使用で
きるが、負荷キャパシタCLをッ選゛択j的に放電させ
るため、キャパシタCLにまたがって接続されている。
を示すもので、同回路にはデータ端子が接続された制御
ゲートを有する第1のトランジスタT1を含む。第2、
第3、第4のトランジスタ、T2.T3、T4を含む直
列の回路が基準電位の第1および第2の点の間に接続て
れておυ、基準電位の第1の点は、たとえば+5vの正
の電圧vHが印加されておシ、第2の点は、たとえば接
地されている。データ端子はトランジスタT2、T3、
T4の各制御ゲートに接続している。プルアップ装置と
して作動する第5のトランジスタT5は、基準電位の第
1の点V および出力端子V。UTの間に接続され、こ
の出力端子■。UTには、負荷キャパシタCの一方の電
極すなわちプレートが接り 続されておシ、このキャパシタのもう一方の電極は接地
されている。プルダウン回路は、他のトランジスタ等、
適当なスイッチ手段であればどのようなものでも使用で
きるが、負荷キャパシタCLをッ選゛択j的に放電させ
るため、キャパシタCLにまたがって接続されている。
ブートストラップ−キャパシタCは、出力端子■。UT
から、第2おより び第3のトランジスタT2およびT3の間にある共通の
接続点Aに接続している。第1のトランジスタT1は、
基準電位の第1の点vHと、第6および第4のトランジ
スタT3およびT4の間にめる共通の接続点Bの間に接
続している。第30トランジスタT3は、Pチャネルの
電界効果トランジスタであり、他のトランジスタ、TI
、T2、T4およびT5はNチャネルの電界効果トラン
ジスタである。プルアップ回路の動作では、データ端子
の電圧が高い状態、たとえば+5Vであり、データ端子
の電圧が低い状態であると、トランジスタT2およびT
4はオンとなシ、トランジスタT1、T3、およびT5
はオフになる。トランジスタT2がオンで、トランジス
タT6がオフであると、接続点Aには電源電圧VHから
トランジスタT2の立上り電圧VTを引いた電圧、すな
わち約十′4Vがプリチャージされ、端子V。UTの電
圧は、好ましくはプルダウン回路を経てアースの方向に
引下げられる。データ端子の電圧が低い状態、 )たと
えば接地された状態で、データ端子の電圧が高い状態で
あると、トランジスタTI、T3およびT5はオンにな
シ、トランジスタT2およびT4はオフになる。トラン
ジスタT1がオンであるため、接続点Bには電圧VHV
T (VT : )ランジスタT1の立上p電圧)がチ
ャージされ、プルアップ−トランジスタT5をオンにす
る。トランジスタT5がオンになると、出力端子V。U
Tの電圧、したがって負荷キャパシタCLKまたがる電
圧は上昇し始め、ブートストラップ動作がブートストラ
ップ・キャパシタCBを通じて接続点Aに生じ、接続点
Aの電圧を約9vに上昇させる。
から、第2おより び第3のトランジスタT2およびT3の間にある共通の
接続点Aに接続している。第1のトランジスタT1は、
基準電位の第1の点vHと、第6および第4のトランジ
スタT3およびT4の間にめる共通の接続点Bの間に接
続している。第30トランジスタT3は、Pチャネルの
電界効果トランジスタであり、他のトランジスタ、TI
、T2、T4およびT5はNチャネルの電界効果トラン
ジスタである。プルアップ回路の動作では、データ端子
の電圧が高い状態、たとえば+5Vであり、データ端子
の電圧が低い状態であると、トランジスタT2およびT
4はオンとなシ、トランジスタT1、T3、およびT5
はオフになる。トランジスタT2がオンで、トランジス
タT6がオフであると、接続点Aには電源電圧VHから
トランジスタT2の立上り電圧VTを引いた電圧、すな
わち約十′4Vがプリチャージされ、端子V。UTの電
圧は、好ましくはプルダウン回路を経てアースの方向に
引下げられる。データ端子の電圧が低い状態、 )たと
えば接地された状態で、データ端子の電圧が高い状態で
あると、トランジスタTI、T3およびT5はオンにな
シ、トランジスタT2およびT4はオフになる。トラン
ジスタT1がオンであるため、接続点Bには電圧VHV
T (VT : )ランジスタT1の立上p電圧)がチ
ャージされ、プルアップ−トランジスタT5をオンにす
る。トランジスタT5がオンになると、出力端子V。U
Tの電圧、したがって負荷キャパシタCLKまたがる電
圧は上昇し始め、ブートストラップ動作がブートストラ
ップ・キャパシタCBを通じて接続点Aに生じ、接続点
Aの電圧を約9vに上昇させる。
トランジスタT3はPチャネル・トランジスタであるた
め、接続点Aの全電圧はプルアップ・トランジスタT5
のゲート電極に通じ、トランジスタT5を直線的に導通
させ、出力端子”OUTの電圧を全電源電圧vHに上昇
させる。この動作の間直流電力は回路中で消費されるこ
とはない。必要があれば、逆の出力を得るためにデータ
端子とデータ端子を入れ替えでもよい。第2のトランジ
スタT2はNチャネルであれば、エンハンス型でも、ゼ
ロ・スレショルド型でも、ディプリーション型でもよい
。トランジスタT2を含むNウェルすなわちポケットが
、中に設けられたポケット・ダイオードへのソース/ド
レインが逆バイアス状態を保つようバイアスされていれ
ば、トランジスタT2はPチャネル・トランジスタであ
ってもよい。
め、接続点Aの全電圧はプルアップ・トランジスタT5
のゲート電極に通じ、トランジスタT5を直線的に導通
させ、出力端子”OUTの電圧を全電源電圧vHに上昇
させる。この動作の間直流電力は回路中で消費されるこ
とはない。必要があれば、逆の出力を得るためにデータ
端子とデータ端子を入れ替えでもよい。第2のトランジ
スタT2はNチャネルであれば、エンハンス型でも、ゼ
ロ・スレショルド型でも、ディプリーション型でもよい
。トランジスタT2を含むNウェルすなわちポケットが
、中に設けられたポケット・ダイオードへのソース/ド
レインが逆バイアス状態を保つようバイアスされていれ
ば、トランジスタT2はPチャネル・トランジスタであ
ってもよい。
トランジスタT2がPチャネル・トランジスタである場
合は、制御電極すなわちゲートはデータ端子ではなくデ
ータ端子に接続される。Pチャネル・トランジスタT2
は、接続点Aを全電源電圧vHにプリチャージするとい
う利点がある。逆バイアスされた接合を確実にするため
、Pチャネル・トランジスタT6が設けられたNウェル
すなわちポケットは、直接接続点Aに接続される。トラ
ンジスタT2がPチャネル装置であれば、このトランジ
スタが設けられ九Nウェルは、トランジスタT6が設け
られたNウェルと同じでよい。第2図は本発明のトライ
、ステートのドライバすなわちプルアップ回路を示すも
ので、この回路は自己のデータ信号を発生し、割込可能
パルスV。を使用するものである。端子V。における割
込可能パルスが低い状態、たとえば接地の状態のときは
、Nチャネル電界効果トランジスタT6およびT7はオ
フとなυ、Nチャネル・プルアップ拳トランジスタT5
およびNチャネル・プルダウン・トランジスタT8は、
データ端子に与えるデータ信号にょシ制御され、Pチャ
ネル・トランジスタT9はオンとなり、接続点Cを電圧
vHにチャージする。データ端子の電圧が低い状態の場
合は、Nチャネル・トランジスタT10およびPチャネ
ルトランジスタT11はインバータとして作動し、接続
点りにデータ信号を発生し、この信号はトランジスタT
2、T3およびT4の制御電極に与えられる。
合は、制御電極すなわちゲートはデータ端子ではなくデ
ータ端子に接続される。Pチャネル・トランジスタT2
は、接続点Aを全電源電圧vHにプリチャージするとい
う利点がある。逆バイアスされた接合を確実にするため
、Pチャネル・トランジスタT6が設けられたNウェル
すなわちポケットは、直接接続点Aに接続される。トラ
ンジスタT2がPチャネル装置であれば、このトランジ
スタが設けられ九Nウェルは、トランジスタT6が設け
られたNウェルと同じでよい。第2図は本発明のトライ
、ステートのドライバすなわちプルアップ回路を示すも
ので、この回路は自己のデータ信号を発生し、割込可能
パルスV。を使用するものである。端子V。における割
込可能パルスが低い状態、たとえば接地の状態のときは
、Nチャネル電界効果トランジスタT6およびT7はオ
フとなυ、Nチャネル・プルアップ拳トランジスタT5
およびNチャネル・プルダウン・トランジスタT8は、
データ端子に与えるデータ信号にょシ制御され、Pチャ
ネル・トランジスタT9はオンとなり、接続点Cを電圧
vHにチャージする。データ端子の電圧が低い状態の場
合は、Nチャネル・トランジスタT10およびPチャネ
ルトランジスタT11はインバータとして作動し、接続
点りにデータ信号を発生し、この信号はトランジスタT
2、T3およびT4の制御電極に与えられる。
接続点りにおけるデータ信号は高い状態であるため、接
続点Aは上記第1図のドライバ回路に関して説明したの
と同様にプリチャージされる。さらに、データ端子が低
い状態であれば、Nチャネル・トランジスタTI2はオ
フとなり、Pチャネル−トランジスタT13はオンとな
り、トランジスタT8の制御ゲートへの接続点Cに電圧
■ を印加し、実質的に出力端子V。UTを接地する。
続点Aは上記第1図のドライバ回路に関して説明したの
と同様にプリチャージされる。さらに、データ端子が低
い状態であれば、Nチャネル・トランジスタTI2はオ
フとなり、Pチャネル−トランジスタT13はオンとな
り、トランジスタT8の制御ゲートへの接続点Cに電圧
■ を印加し、実質的に出力端子V。UTを接地する。
データ端子の電圧が高い値になったときは、第1のトラ
ンジスタT1はオンとなQ、接続点Bに接続点Cの電圧
vHをチャージし、プルアップ番トランジスタT5をオ
ンにする。トランジスタT5がオンになると、出力端子
における電圧V 、したUT かって負荷キャパシタCLにまたがる電圧は上昇し始め
、接続点Aにおけるプートストラップ動作がプートスト
ラップ・キャパシタCBを通じて起り、接続点Aにおけ
る電圧が急速に電圧vHに立上り電圧VTを加えた値を
十分に超え、トランジスタV5をオーバードライブする
。とのオーバードライブ状態により、上記第1図のドラ
イバ回路に関して説明したのと同様に、出力端子V。U
Tに電源電圧V を発生させる。データ端子が高電圧に
なると、トランジスタTI2はオンとなり、とれにより
出力端子V。UTが電圧VHにチャージされるとプルダ
ウン−トランジスタT8がオフになる。第2図のドライ
バ回路をトライステートにセ 。
ンジスタT1はオンとなQ、接続点Bに接続点Cの電圧
vHをチャージし、プルアップ番トランジスタT5をオ
ンにする。トランジスタT5がオンになると、出力端子
における電圧V 、したUT かって負荷キャパシタCLにまたがる電圧は上昇し始め
、接続点Aにおけるプートストラップ動作がプートスト
ラップ・キャパシタCBを通じて起り、接続点Aにおけ
る電圧が急速に電圧vHに立上り電圧VTを加えた値を
十分に超え、トランジスタV5をオーバードライブする
。とのオーバードライブ状態により、上記第1図のドラ
イバ回路に関して説明したのと同様に、出力端子V。U
Tに電源電圧V を発生させる。データ端子が高電圧に
なると、トランジスタTI2はオンとなり、とれにより
出力端子V。UTが電圧VHにチャージされるとプルダ
ウン−トランジスタT8がオフになる。第2図のドライ
バ回路をトライステートにセ 。
ットすなわち出力端子V。UTを高インピーダンスの状
態にするには、割込可能パルスV を高の状態としてP
チャネル学トランジスタT9をオフに、Nチャネル・ト
ランジスタT6およびT7をオンにすると、プルアップ
・トランジスタT5およびプルダウン・トランジスタT
8がそれぞれオフとなる。
態にするには、割込可能パルスV を高の状態としてP
チャネル学トランジスタT9をオフに、Nチャネル・ト
ランジスタT6およびT7をオンにすると、プルアップ
・トランジスタT5およびプルダウン・トランジスタT
8がそれぞれオフとなる。
上記のドライバ回路は、トライステート状態を作シ出す
CMOSプートストラップ・ドライバ、すなわちプルア
ップ回路であることがわかる。この回路は、Pチャイル
・プルアップ装置を用いたドライバ回路と比較して顕著
外利点を有する。ホールと電子の移動度の減少により、
Pチャネル・プルアップ装置、す橙わちトランジスタの
大きさは、大負荷業務では非常に大きくなる。プートス
トラップNチャネル・プルアップ装置は、一定面積車た
りの移動度およびドライブ能力が高く、そのだめ論理信
号を操作することにより遭遇するキャパシタンスが小さ
くなる。さらに、Pチャネル・プルアップ装置は、送信
線反射および電源のはね返りによシ、オフ・チップ・ド
ライノ(に好ましくないラッチアップ現象を生ずるおそ
れがある。
CMOSプートストラップ・ドライバ、すなわちプルア
ップ回路であることがわかる。この回路は、Pチャイル
・プルアップ装置を用いたドライバ回路と比較して顕著
外利点を有する。ホールと電子の移動度の減少により、
Pチャネル・プルアップ装置、す橙わちトランジスタの
大きさは、大負荷業務では非常に大きくなる。プートス
トラップNチャネル・プルアップ装置は、一定面積車た
りの移動度およびドライブ能力が高く、そのだめ論理信
号を操作することにより遭遇するキャパシタンスが小さ
くなる。さらに、Pチャネル・プルアップ装置は、送信
線反射および電源のはね返りによシ、オフ・チップ・ド
ライノ(に好ましくないラッチアップ現象を生ずるおそ
れがある。
また、本発明の回路は、たとえば負の電源電圧を使用し
、開示のトランジスタを逆の導電型のトランジスタに置
換することにより修正することかできることが容易に理
解できる。
、開示のトランジスタを逆の導電型のトランジスタに置
換することにより修正することかできることが容易に理
解できる。
第1図は本発明の基本回路を示す。
第2図はトライステート出力を得るための、本発明の基
本回路を示す。 T1、T2、T6、T4、T5、T6、T7、T8、T
9、T10、T11、TI2、T13・・・・トランジ
スタ、C・・・インピーダンス、C3b ・・・キャパシタ。 出願人インターカフ町ルレ・ビジネス・マシーンズ・コ
ーポレーション代理人 弁理士 山 本 仁 朗 (外1名)
本回路を示す。 T1、T2、T6、T4、T5、T6、T7、T8、T
9、T10、T11、TI2、T13・・・・トランジ
スタ、C・・・インピーダンス、C3b ・・・キャパシタ。 出願人インターカフ町ルレ・ビジネス・マシーンズ・コ
ーポレーション代理人 弁理士 山 本 仁 朗 (外1名)
Claims (1)
- 第1の基準電位と出力端子の間に接続された第1の電界
効果トランジスタと、上記出力端子と第2の基準電位の
間に接続されたインピーダンスと、1端が上記第1のト
ランジスタの制御電極に接続された第2の電界効果トラ
ンジスタと、上記第2のトランジスタの他端と上記第1
の基準電位との間に挿入された第3の電界効果トランジ
スタと、上記第2及び第6の電界効果トランジスタの間
の接続点と上記出力端子との間に挿入されたキャパシタ
と、上記の第1、第2及び第3の電界効果トランジスタ
の制御電極に電圧を選択的に与える入力手段とを有し、
上記の第2のトランジスタは上記第1及び第6のトラン
ジスタとは反対の型の導電性をもつことを特徴とするド
ライバ回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US508999 | 1983-06-29 | ||
US06/508,999 US4542310A (en) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | CMOS bootstrapped pull up circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6010812A true JPS6010812A (ja) | 1985-01-21 |
JPH0572771B2 JPH0572771B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=24024915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59077665A Granted JPS6010812A (ja) | 1983-06-29 | 1984-04-19 | ドライバ回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4542310A (ja) |
EP (1) | EP0130273B1 (ja) |
JP (1) | JPS6010812A (ja) |
DE (1) | DE3478175D1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4680488A (en) * | 1983-06-15 | 1987-07-14 | Nec Corporation | MOSFET-type driving circuit with capacitive bootstrapping for driving a large capacitive load at high speed |
JPS60177723A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | Hitachi Ltd | 出力回路 |
US4692638A (en) * | 1984-07-02 | 1987-09-08 | Texas Instruments Incorporated | CMOS/NMOS decoder and high-level driver circuit |
US4636657A (en) * | 1984-08-29 | 1987-01-13 | Texas Instruments Incorporated | High speed CMOS clock generator |
JPS6218112A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Toshiba Corp | フリツプフロツプ回路 |
IT1185851B (it) * | 1985-08-02 | 1987-11-18 | Sgs Microelettronica Spa | Circuito di pilotaggio con boctstrap in tecnologia n-mos per carichi capacitivi |
US4638187A (en) * | 1985-10-01 | 1987-01-20 | Vtc Incorporated | CMOS output buffer providing high drive current with minimum output signal distortion |
IT1185998B (it) * | 1985-10-07 | 1987-11-18 | Sgs Microelettronica Spa | Dispositivo mcs di potenza utilizzabile sia come transistore mos a canale n che come transistore mos a canale p |
JPS63112893A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
US4689505A (en) * | 1986-11-13 | 1987-08-25 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | High speed bootstrapped CMOS driver |
JP2652694B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1997-09-10 | 三菱電機株式会社 | 昇圧回路 |
US4954731A (en) * | 1989-04-26 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Wordline voltage boosting circuits for complementary MOSFET dynamic memories |
US4952818A (en) * | 1989-05-17 | 1990-08-28 | International Business Machines Corporation | Transmission line driver circuits |
EP0416154A1 (de) * | 1989-09-07 | 1991-03-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung zur Erhöhung der Ausgangsspannung einer elektronischen Schaltstufe |
DE69334054T2 (de) * | 1992-06-15 | 2006-12-07 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Integrierte Halbleiterschaltung mit Eingangs/Ausgangschnittstelle geeignet für niedrige Amplituden |
US5483179A (en) * | 1994-04-20 | 1996-01-09 | International Business Machines Corporation | Data output drivers with pull-up devices |
JPH0897706A (ja) * | 1994-09-26 | 1996-04-12 | Nec Corp | 出力バッファ回路 |
US5619153A (en) * | 1995-06-28 | 1997-04-08 | Hal Computer Systems, Inc. | Fast swing-limited pullup circuit |
US5872469A (en) * | 1996-04-05 | 1999-02-16 | Analog Devices, Inc. | Switched capacitor circuit adapted to store charge on a sampling capacitor related to a sample for an analog signal voltage and to subsequently transfer such stored charge |
FR2760151B1 (fr) * | 1997-02-25 | 1999-05-14 | Sgs Thomson Microelectronics | Amplificateur-tampon de commande de bus |
US5748019A (en) * | 1997-05-15 | 1998-05-05 | Vlsi Technology, Inc. | Output buffer driver with load compensation |
JP3922019B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2007-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 多相クロック処理回路およびクロック逓倍回路 |
US10394260B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-08-27 | Synaptics Incorporated | Gate boosting circuit and method for an integrated power stage |
KR101939569B1 (ko) | 2018-05-09 | 2019-01-17 | (주)인피니어 | 차폐 구조를 가지는 로고스키 코일 전류 센서 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4071783A (en) * | 1976-11-29 | 1978-01-31 | International Business Machines Corporation | Enhancement/depletion mode field effect transistor driver |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS532308B2 (ja) * | 1972-09-25 | 1978-01-26 | ||
US3806738A (en) * | 1972-12-29 | 1974-04-23 | Ibm | Field effect transistor push-pull driver |
US3898479A (en) * | 1973-03-01 | 1975-08-05 | Mostek Corp | Low power, high speed, high output voltage fet delay-inverter stage |
US3988617A (en) * | 1974-12-23 | 1976-10-26 | International Business Machines Corporation | Field effect transistor bias circuit |
US4042838A (en) * | 1976-07-28 | 1977-08-16 | Rockwell International Corporation | MOS inverting power driver circuit |
JPS55156427A (en) * | 1979-05-23 | 1980-12-05 | Sharp Corp | Bootstrap buffer circuit |
US4395644A (en) * | 1979-08-15 | 1983-07-26 | Nippon Electric Co., Ltd. | Drive circuit |
JPS5687933A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-17 | Fujitsu Ltd | Bootstrap circuit |
US4443715A (en) * | 1982-03-25 | 1984-04-17 | Gte Laboratories Incorporated | Driver circuit |
-
1983
- 1983-06-29 US US06/508,999 patent/US4542310A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-02-20 DE DE8484101728T patent/DE3478175D1/de not_active Expired
- 1984-02-20 EP EP84101728A patent/EP0130273B1/en not_active Expired
- 1984-04-19 JP JP59077665A patent/JPS6010812A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4071783A (en) * | 1976-11-29 | 1978-01-31 | International Business Machines Corporation | Enhancement/depletion mode field effect transistor driver |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4542310A (en) | 1985-09-17 |
EP0130273B1 (en) | 1989-05-10 |
EP0130273A3 (en) | 1986-11-12 |
EP0130273A2 (en) | 1985-01-09 |
DE3478175D1 (de) | 1989-06-15 |
JPH0572771B2 (ja) | 1993-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6010812A (ja) | ドライバ回路 | |
US5329186A (en) | CMOS bootstrapped output driver method and circuit | |
JP2549141B2 (ja) | Bifet論理回路 | |
US3806738A (en) | Field effect transistor push-pull driver | |
US4443715A (en) | Driver circuit | |
US3906254A (en) | Complementary FET pulse level converter | |
US4291242A (en) | Driver circuit for use in an output buffer | |
JPH01815A (ja) | Bifet論理回路 | |
US4686396A (en) | Minimum delay high speed bus driver | |
US4219743A (en) | Buffer circuit | |
KR20000018327A (ko) | 부트스트랩 씨모스 구동장치 | |
EP0459422A2 (en) | Data output circuit of semiconductor device | |
US4894559A (en) | Buffer circuit operable with reduced power consumption | |
KR100518127B1 (ko) | 스탠바이 모드 동안 회로의 서브스레스홀드 누설을 감소시키는 방법 | |
KR100259070B1 (ko) | 데이터 출력 버퍼 회로 | |
US6060909A (en) | Compound domino logic circuit including an output driver section with a latch | |
GB2275840A (en) | Programmable pin for use in programmable logic devices | |
US5045722A (en) | Output buffer preconditioning circuit | |
US6456120B1 (en) | Capacitor-coupling differential logic circuit | |
US5894227A (en) | Level restoration circuit for pass logic devices | |
US4649300A (en) | Bootstrap buffer | |
GB1597777A (en) | True/complement driver | |
JPH0677804A (ja) | 出力回路 | |
EP0045751A4 (en) | BUFFER SWITCHING. | |
US5005156A (en) | Semiconductor device having output buffer circuit controlled by output control signal |