Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано дл создани запоминающих устройств на МДП-транзисторах. Наиболее близким к предлагаемому вл етс формирователь импульсов на МДП-транзисторах, содержащий выходные усилительные транзисторы, сток первого из которых вл етс выходом устройства, исток подключен к шине нулевого потенциала, затвор - к пер вой тактовой шине, сток второго выходного усилительного транзистора подключен к шине питающего напр жени , исток - к стоку первого выходно го усилительного транзистора, затвор подключен к затвору первого входного усилительного транзистора, к затвору МДП-конденсатора и истоку отсекающего транзистора, сток второго входного усилительного транзистора соединен с истоком первого входного усилительного транзистора и стоковой областью ЩЩ-конденсатора, затвор с первой тактовой шиной, затвор отсе кающего транзистора подключен к шине питающего напр жени , сток - ко второй тактовой шине, сток первого вход ного усилительного транзистора под .ключен к шине питающего напр жени СП Известный формирователь импульсов обладает высоким быстродействием и на. его выходе формируетс полный уровень логической единицы. Однако при работе формировател возникает обратное перераспределение зар да на затворе второго выходного транзистора по цепи: затвор транзистора ОДП-конденсатор - первый входной уси лител ьный транзистор - шина питающег напр жени . Это приводит к понижению напр жени на затворе второго выходного усилительного транзистора, а следовательно, к понижению быстродей стви такого формировател . Цель изобретени - повьппение быстродействи формировател импульсов на -МДП-транзисторах за счет устранени обратного перераспределени зар да на затворе второго выходного усилительного транзистора. Поставленна цель достигаетс Тем, что в формирователь импульсов на МДП-транзисторах,содержащий выходные усилительные транзисторы,сток первого из которых подключен к истоку второго и вл етс выходом устройства, исток первого выходного усилительного транзистора подключен к шине нулевого потенциала, а затвор соединен с затвором второго входного усилительного транзистора и вл етс одним входом устройства, сток вто- рого выходного усилительного транзистора подключен к пшне питани , а затвор соединен с затвором первого входного усилительного транзистора, затвором Г-ЩП-конденсатора и истоком отсекающего транзистора, сток второго входного усилительного транзистора соединен с истоком первого входного усилительного транзистора и стоковой область МДП-конденсатора, затвор отсекающего транзистора подключен к шине питани , а сток вл етс другим входом устройства, исток второго входного усилительного транзистора подключен к шине нулевого потенциала, введен диод, р-область которого подключена к шине питани , а п-область - к стоку первого входного усилительного транзистора . Введение диода позвол ет устранить протекание обратного тока через пер- i вый транзистор предварительного каскада к шине питающего напр жени и тем самым исключить обратное перераспределение зар да. Это приводит к повьшениЕО напр жени на затворе второго выходного транзистора, что увеличивает быстродействие формировател . На фиг:1 представлена принципиальна схема формировател импульсов на МДП-транзисторах; на фиг.2 - временна диаграмма работы формировател импульсов. Формирователь импульсов состоит из первого выходного усилительного транзистора 1,выходной шины 2, второго выходного усилительного транзистора 3, шины питани 4, первого входного усилительного транзистора 5, МДП-конденсатора б, отсекающего транзистора 7, второго входного усилительного транзистора 8, второй входной шины 9, первой входной шины 1 О, диода 11, Формирователь импульсов на МДПтранзисторах работает cлeдyюш iм образом , В исходном состо нии до момента времени t ф высокое, а Уф низкое . Транзисторы 8 и 1 открыты, а 5 и 3 - закрыты. На выходе - низкий уровень. С момента времени t