SU741470A1 - Дешифратор адреса - Google Patents

Дешифратор адреса Download PDF

Info

Publication number
SU741470A1
SU741470A1 SU782669099A SU2669099A SU741470A1 SU 741470 A1 SU741470 A1 SU 741470A1 SU 782669099 A SU782669099 A SU 782669099A SU 2669099 A SU2669099 A SU 2669099A SU 741470 A1 SU741470 A1 SU 741470A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
bus
transistors
source
input
Prior art date
Application number
SU782669099A
Other languages
English (en)
Inventor
Станислав Алексеевич Еремин
Анатолий Иванович Стоянов
Владимир Алексеевич Сухоруков
Василий Сергеевич Хорошунов
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6644
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6644 filed Critical Предприятие П/Я Р-6644
Priority to SU782669099A priority Critical patent/SU741470A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU741470A1 publication Critical patent/SU741470A1/ru

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)

Description

Устройство относится к импульсной и вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на МДП-транзисторах.
Известен дешифратор адреса, каждый каскад которого содержит входные МДП-транзисторы с индуцированным каналом и нагрузочный МДП-транзистор со встроенным каналом, причем затворы входных транзисторов и их истоки подключены к входным шинам и общей шине соответственно, стоки входных транзисторов объединены и соединены с истоком нагрузочного транзистора и входной шиной устройства., сток нагрузочного транзистора подключен к шинеисточника питания [ 1] .
К недостаткам известного устройства следует отнести значительную потребляемую мощность и низкую технологичность, обусловленную Наличием транзисторов как с индуцированным, так и со встроенным каналами ,
По технической сущности и схемной реализации наиболее близким к описываемому является дешифратор ад реса, содержащий в каждом каскаде входные МДП-транзисторы, нагрузочный МДП-транзистор и МДП-транзистор связи, причем затворы и истоки входных транзисторов подключены к входным шинам дёшифратора и общей шине соответственно, стоки входных транзисторов объединены и подключены к истоку нагрузочного транзистора и стоку транзистора связи, сток нагрузочного транзистора соединен с шиной источника питания [2].
К недостатку такого устройства следует отнести малую надежность функционирования., что 'обусловлено высокой сложностью управления его работой,
В целях повышения надежности функционирования в дешифратор адреса, содержащий в каждом каскаде входные МДП-транзисторы, нагрузочный МДП-транзистор и МДП-транзистор связи, причем затворы и истоки входных транзисторов подключены к входным шинам дешифратора и общей шине соответственно, стоки входных транзисторов объединены и подключены к истоку нагрузочного транзистора и стоку транзистора связи, сток на3 грузочного транзистора соединен с шиной источника питания, введены конденсатор, дополнительные первый и второй МДП-транэисторы и в каждый каскад третий дополнительный МДП-транзистор, Причем исток и затвор третьего дополнительного транзистора подключены к.общей шине и первой управляющей шине соответственно, сток третьего дополнительного тран. эистора соединен с истоком транзистора связи и выходной шиной соответствующего каскада,. исток первого дополнительного транзистора подклю.чен к общей шине, его затвор объединен со стоком и непосредственно подключен к истоку второго дополнительного транзистора и объединенным затворам транзистора связи и нагрузочного транзистора каждого каскада, а через конденсатор - к второй управляющей щине, затвор второго дополнительного транзистора и его сток объединены и подключены к шине источника питания.
На фиг, 1 изображена принципиальная схема описываемого дешифратора ад-25 реса; на' фиг. 2 приведены временные диаграммы егоработы.
Дешифратор адреса содержит в каж- . дом из N каскадов 1 N 2 входных транзисторов 2, стоки которых объединены с истоком нагрузочных транзисторов 3, Истоки транзисторов 2 подключены к общей шине 4, а затворы - к входным шинам 5. Сток нагрузочного транзистора подсоединен к шине источника питания 6, его затвор объединен с затвором транзистора 7 связи, с затвором и стоком первого дополнительного транзистора 8 и с истоком второго дополнительного транзистора 9( образующих делитель напряжения, а также с первым выводом конденсатора 10, Затвор и сток транзистора 9 присоединены к шине источника питания 6. Исток транзистора связи объединен со стоком третьего дополнительного транзистора 11 и присоединен к выходной шине 12. Затвор транзистора 11 подключен к первой управляющей шине 13,- а исток - к общей шине 4, к которой подключен также исток транзистора 8. Второй вывод ’конденсатора 10 подключен к второй управляющей шине 14. При использовании описываемого дешифратора для построения запоминающих устройств в качестве первой и второй управляющих шин ..используются шина выбора кристалла и инверсная шина выбора кристалла соответственно.
Дешифратор адреса работает следующим образом. Транзисторы 8 и 9 образуют делитель напряжения питания, формирующий в средней_точке напряжение ϋοηОпор- пороговое напряжение транзисторов. Если на управляющих шинах 14 и 13 присутствуют сигналы низкого и высоко- , го уровней соответственно (фиг. 2а й б), то транзисторы 3 и 7 заперты, Транзистор 11 открыт и на выходной шине 12 каскада - низкий уровень напряжения.· Потребление каскадом мощности от источника питания 6 отсутствует.
При поступлении на шины 14 и 13 высокого и низкого уровней напряжения соответственно транзистор 11 закрывается. Напряжение на затворах транзисторов 3 и 7 скачкообразно возрастает на величину амплитуды сигнала на шине 14 (фиг. 2в), и открываются транзисторы 3 и 7.
Когда все транзисторы 2 заперты на выходной шине 12 каскада формируется высокий уровень напряжения (фиг. 2 г - сплошная линия). Через промежуток времени (ц 7 длительность которого определяется 'значением емкости конденсатора 10 и значением крутизны транзистора 8, напряжение на затворах транзисторов 3 и 7 уменьшается до величины Unop, транзисторы запираются, что обеспечивает сохранение на выходной шине высокого уровня напряжения.
Когда хотя бы один из входных транзисторов открыт, на выходной шине 12 формируется и сохраняется низкий уровень напряжения (фиг. 2гпунктирная линия). Так же как и в первом случае через промежуток времени входную адресную информацию можно менять - напряжение на выходной шине сохраняется.
Через время -Ь после снятия сигнала высокого уровня с шины 14 дешифратор адреса готов к повторному циклу работы. .
Простота управления и незначительная мощность, потребляемая в статическом состоянии, обусловливают высокую надежность функционирования дешифратора.'

Claims (2)

1.Обзор последних достижений техники iBHC на международной конференции по ин.тегралЬным схемам, Электроника , (пер. с англ.), 4,
1977,с. 27, рис. 2.
2.Solid -State Ciranits Conference 1978,IEEE International, Dagest of technical papers, February,
1978,pp. 104-105.
«j
tun
.i
SU782669099A 1978-10-02 1978-10-02 Дешифратор адреса SU741470A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782669099A SU741470A1 (ru) 1978-10-02 1978-10-02 Дешифратор адреса

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782669099A SU741470A1 (ru) 1978-10-02 1978-10-02 Дешифратор адреса

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU741470A1 true SU741470A1 (ru) 1980-06-15

Family

ID=20787293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782669099A SU741470A1 (ru) 1978-10-02 1978-10-02 Дешифратор адреса

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU741470A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5576645A (en) Sample and hold flip-flop for CMOS logic
US4692638A (en) CMOS/NMOS decoder and high-level driver circuit
US3835457A (en) Dynamic mos ttl compatible
US4038567A (en) Memory input signal buffer circuit
US4542306A (en) Buffer circuits for use with semiconductor memory devices
US4063118A (en) MIS decoder providing non-floating outputs with short access time
IE50902B1 (en) Circuit for maintaining the potential of a node of an mos dynamic circuit
JP3071312B2 (ja) データアウトバッファ回路
US3937984A (en) Shift registers
US4420695A (en) Synchronous priority circuit
SU741470A1 (ru) Дешифратор адреса
US4195238A (en) Address buffer circuit in semiconductor memory
JPS60217729A (ja) 論理デ−タ伝送バスの予負荷回路
JPH082016B2 (ja) 昇圧回路
US4617476A (en) High speed clocked, latched, and bootstrapped buffer
JP2563570B2 (ja) セット・リセット式フリップフロップ回路
US3950709A (en) Amplifier for random access computer memory
SU573884A1 (ru) Логический элемент "не"
US3859545A (en) Low power dynamic control circuitry
JP2822401B2 (ja) バス駆動回路
SU411643A1 (ru)
JP3235105B2 (ja) 演算回路
SU1015436A1 (ru) Выходной усилитель
JPH03179814A (ja) レベルシフト回路
JPH0318275B2 (ru)