SU668092A1 - Формирователь импульсов на мдптранзисторах - Google Patents

Формирователь импульсов на мдптранзисторах

Info

Publication number
SU668092A1
SU668092A1 SU741988721A SU1988721A SU668092A1 SU 668092 A1 SU668092 A1 SU 668092A1 SU 741988721 A SU741988721 A SU 741988721A SU 1988721 A SU1988721 A SU 1988721A SU 668092 A1 SU668092 A1 SU 668092A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
voltage
transistors
pulse shaper
mds
Prior art date
Application number
SU741988721A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Иванович Андреев
Евгений Анатольевич Жуков
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4783
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4783 filed Critical Предприятие П/Я Г-4783
Priority to SU741988721A priority Critical patent/SU668092A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU668092A1 publication Critical patent/SU668092A1/ru

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Изобретение относигс  к области импульсной техники и может быть использовано при построении усилителей на МДПграизисторах . Извесгны формирователи импульсов на МДП-транзисторах, содержащие трехгранзисторный инвертор и двухтактный усилитель , причем выход инвертора через конденсатор соединен с выходом усилител  fl Недостатком известного формировател   вл етс  низкое быстродействие. Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  формирователь импульсов на МДП-транзисторах, содержаший транзисторы и конденсатор, пр№ чем истоки первого и второго транзисторов подключены к общей шине, их стокисоответственно к истокам третьего и четвертого т-ранзисторов, стоки четвертого и п того транзисторов подключены к шине питани , затворы первого и второго транзисторов - к входной шине, затвор и сток третьего транзистора подключены к истоку п того транзистора и через конден сагор к точке соединени  стока второго и истока четвертого транзисторов.2 j. Недостатком данного формировател   вл етс  больша  длительность фронта нарастани  напр жени  на его выходе, тто обусловлено малой величиной напр жек т предварительного зар да конденсатора. Целью изобретени   вл етс  повыше ние быстродействи . Эго достигаетс  тем, что в формирователь импульсов на МДП-транзисторах введены три транзистора и конденсатор, причем исток шестого транзистора подключен к обшей шине, его сток - к истоку седьмого транзистора, а затвор - к точке соединени  стока первогс и истока третьего транзисторов, стоки седьмого и восьмого трензисгорОБ соединены с шгной питани  и с затвором восьмого гран- зистора, затвор седьмого транзнсгора соединен с затвором п того транзистор , истоком восьмого транзистора к черег до полкйтельный конденсатор.со стоком шссг го транзистора.
На фиг. 1 представлена принципшльна  электрическа  схема формировател  импульсов на МДП-транзисторах; на фиг. 2представпены эпюры напр жений в узлах схемы.
Формирователь импульсов содержит
МДП-транзисторы 1-8, конденсаторы 9. 10, входную шину 11 и выходную шину 12.
Устройство работает следующим обра зом.
Когда на входе 11 ус тройства имеете   высокий потенциал, транзисторы 1 и 2 открыты и на их стоках низкий потенциал. При этом транзистор 6 заперт и напр жение на его стоке равно напр жению питани  Е. Так как конденсатор 1О предвари-, тельно зар жен от источника питани  через транзистор 8, напр жение на его второй обкладке равно 2Е-ир,ор( )- и - пороговое напр жение МДП транзистора . Такое напр жение позвол ет полностью отпереть транзистор 5 и зар дить конденсатор 9 формировател  до напр жени  Е.
Когда на вход 11 формировател  поступает низкий уровейь напр жени , транзисторы 1 и 2 запираютс , напр жение на стоке транзистора 1 возрастает и при
напр жении равном УВОЙотпираютс  транзисторы 4 и 6, напр жение на затворе транзистора 5 уменьшаетс  до величины E-Uf,opH транзистор 5 запираетс , а конденсатор 9 подключаетс  через открытый транзистор 3 между истоком и затвором транзистора 4 усилител  и отпирает его. Напр жение на выходе устройства нарас тает от О до Е, а на истоке транзистора 5- от Е до 2Е.
Таким образом, в результате увеличени  напр жени  предварительного зар да
конденсатора уменьшаетс  длительность переднего фронта импульса формировател .

Claims (2)

1.Авторское свидетельство СССР № 333683, кл. Н 03 К 3/33, 1972.
2.Авторское свидетельство СССР
NO 420125, кл. Н 03 К.19/08, 1972.
SU741988721A 1974-01-23 1974-01-23 Формирователь импульсов на мдптранзисторах SU668092A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU741988721A SU668092A1 (ru) 1974-01-23 1974-01-23 Формирователь импульсов на мдптранзисторах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU741988721A SU668092A1 (ru) 1974-01-23 1974-01-23 Формирователь импульсов на мдптранзисторах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU668092A1 true SU668092A1 (ru) 1979-06-15

Family

ID=20573449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU741988721A SU668092A1 (ru) 1974-01-23 1974-01-23 Формирователь импульсов на мдптранзисторах

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU668092A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4644190A (en) * 1983-08-11 1987-02-17 Siemens Aktiengesellschaft Dynamic MOS circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4644190A (en) * 1983-08-11 1987-02-17 Siemens Aktiengesellschaft Dynamic MOS circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1081405A (en) Improvements in or relating to pulse sequence generators
GB1431504A (en) Fet threshold compensating bias circuit
GB1491846A (en) Monostable multivibrator circuit
SU668092A1 (ru) Формирователь импульсов на мдптранзисторах
ES396464A1 (es) Circuito de almacenamiento binario.
SU646441A1 (ru) Инвертор на мдп-транзисторах
GB1520078A (en) Integrated mis driver stage
JPS5570128A (en) Oscillator circuit
SU525247A1 (ru) Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах
GB1210439A (en) Improvements in or relating to d.c. voltage supply circuit arrangements
SU611298A1 (ru) Сдвиговый регистр
SU1211854A1 (ru) Интегральный формирователь импульсов
SU503353A1 (ru) Формирователь импульсов на мдп-транзисторах
SU481944A1 (ru) Аналоговое запоминающее устройство
SU997251A1 (ru) Логический элемент "Импликаци
SU473301A2 (ru) Диодно-транзисторный ключ
SU792568A1 (ru) Однотактный динамический инвертор
SU387502A1 (ru) Мультиви'братор на мдп транзисторах
SU1338024A1 (ru) Формирователь сигнала выборки на МДП-транзисторах
SU517992A1 (ru) Мультивибратор
SU921061A1 (ru) Управл емый генератор линейно-измен ющегос напр жени
SU493027A1 (ru) Ключ на моп-транзисторах дл коммутации разнопол рных напр жений
SU1018252A2 (ru) Усилитель-формирователь импульсов на МДП-транзисторах
SU662923A1 (ru) Генератор опорного напр жени
SU1003348A1 (ru) Формирователь импульсов