SU830563A1 - Устройство записи и считывани информациидл НАКОпиТЕлЕй HA МНОп ТРАНзиСТОРАХ - Google Patents

Устройство записи и считывани информациидл НАКОпиТЕлЕй HA МНОп ТРАНзиСТОРАХ Download PDF

Info

Publication number
SU830563A1
SU830563A1 SU792791177A SU2791177A SU830563A1 SU 830563 A1 SU830563 A1 SU 830563A1 SU 792791177 A SU792791177 A SU 792791177A SU 2791177 A SU2791177 A SU 2791177A SU 830563 A1 SU830563 A1 SU 830563A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
power source
reading
inputs
recording
read
Prior art date
Application number
SU792791177A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Алексеевич Ваняшев
Юрий Алексеевич Мякиньков
Ипполит Петрович Тищенко
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4812
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4812 filed Critical Предприятие П/Я Г-4812
Priority to SU792791177A priority Critical patent/SU830563A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU830563A1 publication Critical patent/SU830563A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к вычислительной технике, в частности может быть использовано дл  построени  блоков пам ти, в которых в качестве запоминающих элементов используютс  МНОП-транзисторы.
Известно устройство, которое содержит дешифратор адреса, два источника питани , формирователи записи и считывани  1.
Недостатком этого устройства записи и считывани   вл етс  то, чт на выбранную строку накопител  (на затворы МНОП-транзисторов) при записи подаетс  импульс напр жени  записи (,) амплитудой - 48 В, а при считывании - импульс напр жени  считывани  ( амплитудой - 5,5 что из-за большой разницы амплитуд импульсов требует применени  отдельных формирователей импульсов записи и считывани .
Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  устройство записи и считывани , содержащее блок управлени , первый и второй выходы которого соединены с соответствующими входами дешифратора адреса, выходы которого подключены к первым входам соответствующих адресных формирователей считывани , формирователи записи и два источника п-итани  2 .
К недостаткам данного устройства относ тс  сравнительно большие габариты и невысока  надежность, вызванные громоздкостью и большим количеством формирователей записи и считывани . Подтверждением этого
0  вл етс  и тот факт, что элементы пам ти на МНОП-транзисторах в насто щее врем  выпускаютс  промышленностью в интегральном исполнении (микросхемы 519РЕ1, 519РЕ2), а фор5 миро.ватели стро тс  на навесных дискретных элементах (резисторах, транзисторах и т.п.), в св зи с чем имеют габариты несравнимо большие , чем накопитель.
0
Цель изобретени  - повышение надежности устройства.
Указанна  цель достигаетс  тем, что устройство записи и считывани  информации дл  накопителей на МНОП5 транзисторах, содержащее блок управлени , первый и второй выходы которого соединены с соответствующими входами дешифратора адреса, выходы которого подключены к первым
0 входам соответствующих адресных формирователей считывани , формирователь записи, первый вход которого соединен с первым источником питани , и второй источник питани , содержит разделительный элемент, например диод, анод которого подключен ко вторым входам адресных формирователей считывани , а катод ко второму источнику питани , второй вход формировател  записи соединен с первым выходом блока управл ни , а выход - с анодом диода. На фиг, 1 схемати есди показано устройство; на фиг, 2 - формирователь записи на фиг,. 3 - формирователь считывани . Устройство содержит адресные формирователи 1 считывани , накопитель 2 , дешифратор 3 адреса, блок 4 управлени , формирователь 5 записи, разделительный элемент - диод б, первый 7 и второй 8 источники питани . Работа устройства заключаетс  в следующем. В режиме .Запись блок 4 управ лени  вьвдает сигнал Запись, поступающий на вход дешифратора 3 адреса и на второй управл ющий вход формировател  5 записи. При этом на выходе формировател  5 образуетс  импульс напр жени  записи Uj, , близкий по амплитуде к напр жению первого источника 7 питани . По Запись на одном из выхо сигналу дов дешифратора 3 адреса возникает сигнал, запуска ощий соответствующий адресный формирователь 1 считывани в результате чего на вход накопите л  2 через формирователь 5 записи и выбранный формирователь, 1 считывани  поступает импульс напр жени  амплитуда которого задаетс  первым источником 7 питани , В этом режи ме второй источник 8 питани  не участвует, так как изолируетс  разделигельным диодом 6 за счет ег запирани  отрицательным напр жение записи , возникающим на выходе открытого формировател  5 записи. В режиме Считывание на вход дешифратора 3 адреса из блока 4 уп равлени  поступает сигнал Считывание , по которому дешифратор 3 адреса обеспечивает запуск соответствуюд1его формировател  1 считывани . При этом на вход накопите л  2 поступает импульс считывани  счит амплитуда которого задаетс  вторым источником 8 питани  (импул поступает через диод 6 и выбранный формирователь 1 считывани ), В данн режиме не участвует первый источни 7 питани , так как при этом формирователь 5 записи находитс  в закрытом состо нии. В предлагаемом устройстве каж ,дый формирователь 1 считывани  раЗапись ботает как в режиме так и в режиме Считывание, обеспечива  на выходе в соответствии с режимом либо импульс напр жени  записи, либо импульс напр жени  считывани . Формирование импульсов происходит следующим образом. В формирователе записи (фиг, 2) транзисторы Т1 и Т2 включены по схеме с общим эмиттером, запускаютс  по базе и работают в режиме насыщени . Ток коллектора транзистора Т2 .(ток запуска транзистора Т1) определ етс  коллекторным сопротивлением Р2. При по.ступлении сигнала запуска на вход формировател  на его выходе обеспечиваетс  импульс напр жени , по амплитуде близкий напр жению записи (за вычетом остаточного напр жени  на транзисторе Т1) . . В формирователе считывани  (фиг. 3) запуск транзистора Т2 осуществл етс  по эмиттеру, так как он включен по схеме с общей базой. При этом ГОК эмиттера задаетс  сопротивлением Р2, включенны в цепь эмиттера, а ток -коллектора определ етс  током эмиттера и по величине близок ему (в схеме с общей базой коэффициент усилени  близок к 1). При этом ток коллектора не зависит от напр жени  на коллекторе, так как транзистор работает в активной области (в линейном режиме). Транзистор Т1 включен по схеме с общим эмиттером, работает в режиме насыщени  (как и в схеме формировател  записи), причем режим работы транзистора Т1 не мен етс  как при на его эмиттере напр жени  записи -48 В, так и напр же -5,5 В (пони  считывани  CJ скольку ток-коллектора запускающего транзистора Т2, а значит, и ток запуска транзистора Т1 от напр жени  на коллекторе не зависит), Поэ- , тому благодар  сочетанию двух различных режимов работы (линейного, режима транзистора Т2 и режима насышени  транзистора Т1) при запуске формировател  наего выходе возникает импульс напр жени , соот тствующий напр жению -48 В в режиме Запись и -5,5 В в режиме Считывание . В предлагаемом устройстве записи и считывани  используетс  лишь один формирователь записи, в то врем  как в известных устройствах их число определ етс  количеством адресных входов накопител . За счет сокращени  числа формирователей записи габариты устройства существенно уменьшаютс . Так, уже при количестве входов накопител  больше дес ти (что, как правило, имеет место в практике) габариты уменьшаютс  почти в 2 раза, сокращение
числа фчЭрми1;)ОН;|тнлей приводит в конечном итоге к повышению надежности устройства.

Claims (3)

  1. Формула изобретени 
    Устройство записи и считывани  информации дл  накопителей на МНОПтранзисторах , содержащее блок управлени , первый и второй выходы которого соединены с соответствующими входами дешифратора адреса, выходы которого подключены к первым входам, соответствующих адресных формирователей считывани , формирователь записи , первый вход которого соединен с первым источником питани , и второй источник питани , о т л и-ч а ющ е е с   .тем, что, с целью повышени  надежности устройства, оно
    содержит разделительный элемент, например диод, анод которого подключен ко вторым входам адресных Формирователей считывани , а катод ко второмуисточнику питани , второй , вход формировател  записи соединен с первым выходом блока управлени , а выход - с анодом .диода.
    Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе
    0 1. Старое Ф.Г., Крайзмер Л.П. Полупроводниковые интегральные запоминающие устройства. Л., Энерги , 1973, с. 93-100.
  2. 2. Микросхемы серий К519 и К527
    е В запоминающих устройствах вычислительной техники и автоматики.Микроэлектроника- , .сер.
  3. 3. Тезисы докладов , Изд-во ЦНИИ Электроника, 1977, с. 69, 72-74 (прототип).
    Вхов
    0-
    i/jan.(.)
    /f/
    ff2
    тг
    L
    Bfixoff
    vz
SU792791177A 1979-07-06 1979-07-06 Устройство записи и считывани информациидл НАКОпиТЕлЕй HA МНОп ТРАНзиСТОРАХ SU830563A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792791177A SU830563A1 (ru) 1979-07-06 1979-07-06 Устройство записи и считывани информациидл НАКОпиТЕлЕй HA МНОп ТРАНзиСТОРАХ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792791177A SU830563A1 (ru) 1979-07-06 1979-07-06 Устройство записи и считывани информациидл НАКОпиТЕлЕй HA МНОп ТРАНзиСТОРАХ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU830563A1 true SU830563A1 (ru) 1981-05-15

Family

ID=20838418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792791177A SU830563A1 (ru) 1979-07-06 1979-07-06 Устройство записи и считывани информациидл НАКОпиТЕлЕй HA МНОп ТРАНзиСТОРАХ

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU830563A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870000705A (ko) 반도체 기억 장치
KR930020467A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR900004171A (ko) 카메라 일체형 비디오 레코더
KR860002100A (ko) 반도체 기억장치
KR910015999A (ko) 반도체 메모리장치
SU830563A1 (ru) Устройство записи и считывани информациидл НАКОпиТЕлЕй HA МНОп ТРАНзиСТОРАХ
KR910005463A (ko) 정보를 일시적으로 유지할 수 있는 불휘발성 메모리 셀을 포함하는 집적회로
KR910014948A (ko) 반도체 기억 장치 및 데이타 처리장치
EP0377840A3 (en) Nonvolatile semiconductor memory device having reference potential generating circuit
JPH08221996A (ja) 半導体記憶装置
SU1275545A1 (ru) Ячейка пам ти
SU574773A1 (ru) Устройство дл записи-считывани
SU486371A1 (ru) Устройство дл записи и считывани с накопител
SU458035A1 (ru) Блок управвлени выборкой информации из запоминающего устройства
SU568079A1 (ru) Устройство дл записи информации в накопитель
SU1363305A1 (ru) Накопитель информации на цилиндрических магнитных доменах
SU446108A1 (ru) Запоминающее устройство
JPS592116B2 (ja) 半導体メモリ
SU930385A1 (ru) Устройство дл выборки элементов пам ти в накопителе
SU541197A1 (ru) Квазистатическа чейка пам ти
SU422043A1 (ru)
JP2507692B2 (ja) フレキシブルディスク装置
SU1210134A1 (ru) Устройство дл магнитной записи-воспроизведени цифровой информации
SU507675A2 (ru) Магнитный запоминающий элемент
SU347797A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство