SU458035A1 - Блок управвлени выборкой информации из запоминающего устройства - Google Patents

Блок управвлени выборкой информации из запоминающего устройства

Info

Publication number
SU458035A1
SU458035A1 SU1662727A SU1662727A SU458035A1 SU 458035 A1 SU458035 A1 SU 458035A1 SU 1662727 A SU1662727 A SU 1662727A SU 1662727 A SU1662727 A SU 1662727A SU 458035 A1 SU458035 A1 SU 458035A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
information
control unit
transistor
collector
storage device
Prior art date
Application number
SU1662727A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Георгиевич Трайто
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4816
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4816 filed Critical Предприятие П/Я Г-4816
Priority to SU1662727A priority Critical patent/SU458035A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU458035A1 publication Critical patent/SU458035A1/ru

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

Изобретение относитс  к области вычислительной техники, в частности к запоминающим устройствам (ЗУ) электронных вычислительных машин.
Уже известны блоки управлени  выборкой информации из запоминающего устройства, состо щие из транзисторов, резисторов и источников питани .
Однако В известные блоки управлени  выборкой информации из ЗУ входит большое количество (6 транзисторов и 3 резистора) электрорадиоэлементов и они имеют два сигнальных входа.
Цель изобретени  - повысить надежность работы блока управлени .
Это достигаетс  тем, что в нем коллектор первого транзистора через первый резистор подключен к первому источнику питани , а эмиттер соединен с шиной нулевого потенциала , коллектор второго транзистора соединен со вторым источником питани , эмиттер через второй резистор подключен к шине нулевого потенциала, а база соединена с коллектором первого транзистора.
На чертеже представлен блок управлени  выборкой информации из ЗУ. Коллектор первого транзистора 1 через первый резистор 2 подключен к первому источнику питани  3, а эмиттер соединен с шиной нулевого потенциала 4, коллектор второго транзистора 5 соединен со вторым источником питани  6, эмиттер через второй резистор 7 подключен к шине нулевого потенциала 4, а база соединена с коллектором первого транзистора 1.
Блок управлени  выборкой информации из ЗУ работает следующим образом.
Возможны два режима работы: хранение информации (слово не выбрано) и обращение (запись или чтение информации в «акопителе ).
В режиме хранени  информации напр жение па входе блока управлени  равно нулю. Транзистор 1 закрыт, а транзистор 5 открыт. Источники питани  3 и 6 обеспечивают требуемое напр жение в линии слова, необходимое дл  храпени  информации в  чейках запоминающего устройства.
В режиме обращени  на входе транзистора 1 по вл етс  положительный сигнал, транзистор открываетс  и  ереходит в режим насыщени , напр жение на его коллекторе становитс  близким к нулю. Транзистор 5 закрываетс . Напр жение в линии слова падает до нул , что приводит к возникновению сигнала чтени  отрицательной пол рности.
В зависимости от длительности сигнала обращени  считывание будет разрушающим или неразрушающим. Если длительность сигнала обращени  больше посто нной времени ра р да коллекторных емкостей транзисторов в  чейках пам ти, то считывание разрушающее. При этом в момент заднего фронта импульса обращени  необходимо производить восстановление информации в  чейках пам ти выбранного слова.
Если длительность сигнала обращени  меньше посто нной времени разр да коллекторных емкостей транзисторов в  чейках пам ти , то считывание неразрущающее. При этом восстановление информации производить не нужно. После считывани  производитс  запись или восстановление информации .
Предмет изобретени 
Блок управлени  выборкой информации из запоминающего устройства, содержащий транзисторы, резисторы и источники питани , отличающийс  тем, что, с целью повыщени  надежности работы, в нем коллектор первого транзистора через первый резистор подключен к первому источнику питани , а эмиттер соединен с щиной нулевого потенциала , коллектор второго транзистора соединен со вторым источником питани , эмиттер через второй резистор подключен к щине нулевого потенциала, а база соединена с коллектором первого транзистора.
SU1662727A 1971-05-31 1971-05-31 Блок управвлени выборкой информации из запоминающего устройства SU458035A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1662727A SU458035A1 (ru) 1971-05-31 1971-05-31 Блок управвлени выборкой информации из запоминающего устройства

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1662727A SU458035A1 (ru) 1971-05-31 1971-05-31 Блок управвлени выборкой информации из запоминающего устройства

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU458035A1 true SU458035A1 (ru) 1975-01-25

Family

ID=20477082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1662727A SU458035A1 (ru) 1971-05-31 1971-05-31 Блок управвлени выборкой информации из запоминающего устройства

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU458035A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3678473A (en) Read-write circuit for capacitive memory arrays
KR930020467A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR950001776A (ko) 강유전체 메모리
KR940022571A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
GB1163789A (en) Driver-Sense Circuit Arrangements in Memory Systems
GB1297745A (ru)
JP2695102B2 (ja) 内容アドレス式メモリ
KR940016262A (ko) 반도체메모리장치
US3582909A (en) Ratioless memory circuit using conditionally switched capacitor
GB1516134A (en) Electrical information store
SU458035A1 (ru) Блок управвлени выборкой информации из запоминающего устройства
US3588848A (en) Input-output control circuit for memory circuit
US3765000A (en) Memory storage cell with single selection line and single input/output line
JPS56114199A (en) Nonvolatile semiconductor memory device
KR900005442A (ko) 반도체 기억장치
SU395900A1 (ru) Динамическая ячейка памяти на мдп-транзисторах
SU523454A1 (ru) Динамическа чейка пам ти
SU146774A1 (ru) Феррит-транзисторна чейка
US4016551A (en) Dynamic MOS memory with reduced propagation delay
SU486371A1 (ru) Устройство дл записи и считывани с накопител
SU422043A1 (ru)
US3533081A (en) Method and apparatus for reading information from a memory
SU570920A1 (ru) Запоминающее устройство с перезаписью информации
SU587510A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство с защитой информации
SU574773A1 (ru) Устройство дл записи-считывани