SU422043A1 - - Google Patents
Info
- Publication number
- SU422043A1 SU422043A1 SU1809642A SU1809642A SU422043A1 SU 422043 A1 SU422043 A1 SU 422043A1 SU 1809642 A SU1809642 A SU 1809642A SU 1809642 A SU1809642 A SU 1809642A SU 422043 A1 SU422043 A1 SU 422043A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistors
- transistor
- base
- cell
- load
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области вычислительной техники и может бЫТь применено в запоминающих устройствах с малой потребл емой мощностью со считыванием без разрущени информации, а также в системах автоматики и теле.механики.
Известны триггерные чейки пам ти, содержащие в каждом плече транзистор нагрузки м усилительный траизистор, база которого соедииена с базой адресного транзистора и с коллектором нагрузочного траизистора протпвоиоложпого и.чеча.
Цель изобрете1И1и - спижепие потребл емой мощпости.
Это достигаетс тем, что коллектор усил1г тельного транзистора подключен к базе адресного транзистора того же плеча и к базе транзистора иагр}зки иротивоположного плеча , причем эмиттеры трапзисторов нагрузок через дополмительпый диод, включеппый з обратном нан1)авлепии, соединены с коллекторами адресп151Х транзисторов и через второй дополиптельпый диод с эмиттерами усилительных транзисторов п клеммой выбора чейки.
Схема предложенной триггерной чейки пам ти показана на чертеже.
Триггерпа чейка пам ти включает в себ транзисторы , 2 нагрузки, усилительные
транзисторы 3, 4, адресные транзисторы 5, 6. два дополнительных диода 7. 8.
База адресного TpaH3Hctopa 5 (6) соединена в противоположном пЛече с базой трапзистора 2(1) нагрузки, с базой уснлнтельногс) транзистора 4{3) и в том же нлече с коллекторами транзисторов /, 3. Эмиттеры усилительных транзисторов 3, 4 соединены между собой п подключены к клемме выбора чейки и через дополнительиый диод 8 к эмиттерам транзисторов /, 2 нагрузок, которые через RTO1 )ой допол1Н1телыН) диод 7 иодсоедииеП1 1 ; коллекторам лдресиых трапзпсторов ,, 6 и к источнику питани . Эмиттеры адресиых Tjiaiiзисторов 5, 6 св заиы с выходами схемы.
Работает предложеииое устройство следуюHUIM образом.
В любом из ДВ X СОСТОЯИПГ ТрИГГСрИОЙ ЯЧС|1ки пам ти в каждом илече один из трапзисторов закрыт (одно плечо - - транзпсторы /, ,, второе - транзпсторы 2, 4).
Пусть в псходпом состо нии траизистор 2 нагрузки п усилительный транзистор 3 закрыты , а аналогичные транзнсторы /. 4 в других плечах открыты, что соответствует хранепню логической «1. В этом состо нии ток проходит только через открытые транзисторы /, 4 и донолнительный днод 7, включенный в обратном направленпн, поэтому общий ток через чейк очень м .1.
Дли записи информации логической «1 на П1,|.оды чейки подают напр жени , соответствующие этой информации, а именно на выход .9 - высокий уровень нанр жени , а на выход 10 - низкий уровень напр жени . После этого на клемму // выбора чейки иостуиает напр жение выборки (0,5 в).
Если в чейке до записи хранилась информаци логической «1, то чейка не измен ет своего состо ни , а если информаци логического «О, что соответствует закрытым транзисторам /, 4, то ири нодаче на клемму выбора чейки наир жени выборки (0,5 в транзисторы /, 4 открываютс , и чейка переходит в состо ние логической «1.
Запись информации, соответствующей логическому «С, происходит аналогично. При этом на выход 9 подают низкий уровень ианр жени , а на выход 10 - высокий уровень нанр жени .
В режиме хранени информации на клемме выбора чейки потенциал равен нулю, в результате чего адресные транзисторы 5, 6 закрыты и любое г омеховое воздействие иа выходы схемы не может изменить состо ни чейки.
При считываиии информации на клемму выоора чейки подают положительное напр жение , вследствие чего напр жение на базах адресных транзисторов 5, 6 увеличиваетс и открываетс тот транзистор, база которого и исходном состо нии имеет более высокий нотенциал . На нагрузке, подключенной к эмиттеру этого транзистора, формируетс напр жение , соответствующее логической «1.
Предмет изобретени
Триггерна чейка пам ти, содержаща в каждом плече транзистор нагрузки н усилительный транзистор, база которого соединена с базой адресного транзистора и с коллектором нагрузочного транзистора противоиоложного плеча, отличающа с тем, что, с целью снижени потребл емой мощности, коллектор усилительного транзистора иодключен к базе адресного транзистора того же плеча и к базе транзистора нагрузки противоноложиого плеча, причем эмиттеры транзисторов нагрузок через дополнительный диод, включенный в обратном нанравлении, соединены с коллекторами адресных транзисторов и через второй
дополнительный диод с эмиттерами усили тельных транзисторов и клеммой выбора чейки.
W
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1809642A SU422043A1 (ru) | 1972-07-12 | 1972-07-12 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1809642A SU422043A1 (ru) | 1972-07-12 | 1972-07-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU422043A1 true SU422043A1 (ru) | 1974-03-30 |
Family
ID=20521625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1809642A SU422043A1 (ru) | 1972-07-12 | 1972-07-12 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU422043A1 (ru) |
-
1972
- 1972-07-12 SU SU1809642A patent/SU422043A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR860000658A (ko) | 기억 장치 | |
JPS5564686A (en) | Memory unit | |
US3564300A (en) | Pulse power data storage cell | |
US3959782A (en) | MOS circuit recovery time | |
KR850002636A (ko) | 전하전송형 전압증폭부를 가진 반도체 메모리 | |
KR920010624A (ko) | 반도체기억장치 | |
US4091460A (en) | Quasi static, virtually nonvolatile random access memory cell | |
KR920017115A (ko) | 반도체기억장치 | |
KR880006698A (ko) | 씨모오스 반도체 메모리장치의 입출력 회로 | |
SU422043A1 (ru) | ||
US3705390A (en) | Content addressed memory cell with selective bit writing | |
JPS6396799A (ja) | 連想メモリ | |
KR930015015A (ko) | 강유전성 캐패시터를 갖는 메모리 셀 | |
KR870007511A (ko) | 데이타 판독회로 | |
GB1412435A (en) | Electronic memory storage element | |
GB1429846A (en) | Memory apparatus | |
JPS6252792A (ja) | スタテイツクram | |
KR850008238A (ko) | 반도체 기억장치 | |
JPS58114B2 (ja) | メモリ装置 | |
SU538425A1 (ru) | Ассоциативна чейка пам ти | |
KR900010778A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
SU395900A1 (ru) | Динамическая ячейка памяти на мдп-транзисторах | |
JPS5512576A (en) | Integrated memory cell | |
SU942150A1 (ru) | Полупроводниковый элемент пам ти | |
SU381098A1 (ru) | Симметричный тиристорный элемент намяти |