SU422043A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU422043A1
SU422043A1 SU1809642A SU1809642A SU422043A1 SU 422043 A1 SU422043 A1 SU 422043A1 SU 1809642 A SU1809642 A SU 1809642A SU 1809642 A SU1809642 A SU 1809642A SU 422043 A1 SU422043 A1 SU 422043A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
transistor
base
cell
load
Prior art date
Application number
SU1809642A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1809642A priority Critical patent/SU422043A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU422043A1 publication Critical patent/SU422043A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к области вычислительной техники и может бЫТь применено в запоминающих устройствах с малой потребл емой мощностью со считыванием без разрущени  информации, а также в системах автоматики и теле.механики.
Известны триггерные  чейки пам ти, содержащие в каждом плече транзистор нагрузки м усилительный траизистор, база которого соедииена с базой адресного транзистора и с коллектором нагрузочного траизистора протпвоиоложпого и.чеча.
Цель изобрете1И1и - спижепие потребл емой мощпости.
Это достигаетс  тем, что коллектор усил1г тельного транзистора подключен к базе адресного транзистора того же плеча и к базе транзистора иагр}зки иротивоположного плеча , причем эмиттеры трапзисторов нагрузок через дополмительпый диод, включеппый з обратном нан1)авлепии, соединены с коллекторами адресп151Х транзисторов и через второй дополиптельпый диод с эмиттерами усилительных транзисторов п клеммой выбора  чейки.
Схема предложенной триггерной  чейки пам ти показана на чертеже.
Триггерпа   чейка пам ти включает в себ  транзисторы , 2 нагрузки, усилительные
транзисторы 3, 4, адресные транзисторы 5, 6. два дополнительных диода 7. 8.
База адресного TpaH3Hctopa 5 (6) соединена в противоположном пЛече с базой трапзистора 2(1) нагрузки, с базой уснлнтельногс) транзистора 4{3) и в том же нлече с коллекторами транзисторов /, 3. Эмиттеры усилительных транзисторов 3, 4 соединены между собой п подключены к клемме выбора  чейки и через дополнительиый диод 8 к эмиттерам транзисторов /, 2 нагрузок, которые через RTO1 )ой допол1Н1телыН) диод 7 иодсоедииеП1 1 ; коллекторам лдресиых трапзпсторов ,, 6 и к источнику питани . Эмиттеры адресиых Tjiaiiзисторов 5, 6 св заиы с выходами схемы.
Работает предложеииое устройство следуюHUIM образом.
В любом из ДВ X СОСТОЯИПГ ТрИГГСрИОЙ ЯЧС|1ки пам ти в каждом илече один из трапзисторов закрыт (одно плечо - - транзпсторы /, ,, второе - транзпсторы 2, 4).
Пусть в псходпом состо нии траизистор 2 нагрузки п усилительный транзистор 3 закрыты , а аналогичные транзнсторы /. 4 в других плечах открыты, что соответствует хранепню логической «1. В этом состо нии ток проходит только через открытые транзисторы /, 4 и донолнительный днод 7, включенный в обратном направленпн, поэтому общий ток через  чейк очень м .1.
Дли записи информации логической «1 на П1,|.оды  чейки подают напр жени , соответствующие этой информации, а именно на выход .9 - высокий уровень нанр жени , а на выход 10 - низкий уровень напр жени . После этого на клемму // выбора  чейки иостуиает напр жение выборки (0,5 в).
Если в  чейке до записи хранилась информаци  логической «1, то  чейка не измен ет своего состо ни , а если информаци  логического «О, что соответствует закрытым транзисторам /, 4, то ири нодаче на клемму выбора  чейки наир жени  выборки (0,5 в транзисторы /, 4 открываютс , и  чейка переходит в состо ние логической «1.
Запись информации, соответствующей логическому «С, происходит аналогично. При этом на выход 9 подают низкий уровень ианр жени , а на выход 10 - высокий уровень нанр жени .
В режиме хранени  информации на клемме выбора  чейки потенциал равен нулю, в результате чего адресные транзисторы 5, 6 закрыты и любое г омеховое воздействие иа выходы схемы не может изменить состо ни   чейки.
При считываиии информации на клемму выоора  чейки подают положительное напр жение , вследствие чего напр жение на базах адресных транзисторов 5, 6 увеличиваетс  и открываетс  тот транзистор, база которого и исходном состо нии имеет более высокий нотенциал . На нагрузке, подключенной к эмиттеру этого транзистора, формируетс  напр жение , соответствующее логической «1.
Предмет изобретени 
Триггерна   чейка пам ти, содержаща  в каждом плече транзистор нагрузки н усилительный транзистор, база которого соединена с базой адресного транзистора и с коллектором нагрузочного транзистора противоиоложного плеча, отличающа с  тем, что, с целью снижени  потребл емой мощности, коллектор усилительного транзистора иодключен к базе адресного транзистора того же плеча и к базе транзистора нагрузки противоноложиого плеча, причем эмиттеры транзисторов нагрузок через дополнительный диод, включенный в обратном нанравлении, соединены с коллекторами адресных транзисторов и через второй
дополнительный диод с эмиттерами усили тельных транзисторов и клеммой выбора  чейки.
W
SU1809642A 1972-07-12 1972-07-12 SU422043A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1809642A SU422043A1 (ru) 1972-07-12 1972-07-12

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1809642A SU422043A1 (ru) 1972-07-12 1972-07-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU422043A1 true SU422043A1 (ru) 1974-03-30

Family

ID=20521625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1809642A SU422043A1 (ru) 1972-07-12 1972-07-12

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU422043A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860000658A (ko) 기억 장치
JPS5564686A (en) Memory unit
US3564300A (en) Pulse power data storage cell
US3959782A (en) MOS circuit recovery time
KR850002636A (ko) 전하전송형 전압증폭부를 가진 반도체 메모리
KR920010624A (ko) 반도체기억장치
US4091460A (en) Quasi static, virtually nonvolatile random access memory cell
KR920017115A (ko) 반도체기억장치
KR880006698A (ko) 씨모오스 반도체 메모리장치의 입출력 회로
SU422043A1 (ru)
US3705390A (en) Content addressed memory cell with selective bit writing
JPS6396799A (ja) 連想メモリ
KR930015015A (ko) 강유전성 캐패시터를 갖는 메모리 셀
KR870007511A (ko) 데이타 판독회로
GB1412435A (en) Electronic memory storage element
GB1429846A (en) Memory apparatus
JPS6252792A (ja) スタテイツクram
KR850008238A (ko) 반도체 기억장치
JPS58114B2 (ja) メモリ装置
SU538425A1 (ru) Ассоциативна чейка пам ти
KR900010778A (ko) 반도체 메모리장치
SU395900A1 (ru) Динамическая ячейка памяти на мдп-транзисторах
JPS5512576A (en) Integrated memory cell
SU942150A1 (ru) Полупроводниковый элемент пам ти
SU381098A1 (ru) Симметричный тиристорный элемент намяти