SU381098A1 - Симметричный тиристорный элемент намяти - Google Patents
Симметричный тиристорный элемент намятиInfo
- Publication number
- SU381098A1 SU381098A1 SU1742786A SU1742786A SU381098A1 SU 381098 A1 SU381098 A1 SU 381098A1 SU 1742786 A SU1742786 A SU 1742786A SU 1742786 A SU1742786 A SU 1742786A SU 381098 A1 SU381098 A1 SU 381098A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- thyristor
- name
- resistor
- symmetric
- thyristors
- Prior art date
Links
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области интегральных запоминающих устройств (ЗУ).
Известны симметричные элементы пам ти на бипол рных транзисторах. Основой схем такого рода вл ютс симметричные бипол рные триггеры с непосредственными св з ми. Однако эти схемы содержат большое число компонентов и рассеивают достаточно большую мош,ность.
Известна также чейка пам ти на тиристорном триггере, содержаща два тиристора, транзистор и резистор.
Предлагаемый симметричный тиристорный элемент пам ти имеет три компонента и потребл ет мощность в два раза меньшую (при прочих равных услови х), чем симметричный триггер на бипол рных транзисторах. Это достигаетс тем, что в нем использованы два перекрестно-св занных двухэмиттерных тирисгора , коллекторы которых непосредственно подключены к адресной шине, вторые (по топологии - внутренние) эмиттеры соединены между собой и через резистор подключены к общей точке, а первые (по топологии - внешние ) эмиттеры использованы как информационные входы.
На чертеже показана схема симметричного тиристорного элемента пам ти.
Предлагаемый элемент состоит из двух перекрестно гн занных двухэмиттерных четырехслойных р-п-р-п структур-тиристоров У и 2, вторые эмиттеры которых соединены между собой и через резистор 3 подключены к общей точке 4. Коллекторные области тиристоров ртипа присоединены к адресной шине 5, первые эмиттерные области п-типа - к информационным входам записи и считывани 6 и 7.
В режиме хранени на входах 5 и 7 находитс высокий потенциал, и ток хранени протекает через резистор 3. При записи на вход 6 или на вход 7 (в зависимости от вида записываемой информации («О или «1) подаетс низкий уровень. Считываемый сигнал снимаетс с одного из информационных входов при
подаче положительного импульса опроса по адресной шине 5.
Таким образом, предлагаемый элемеет при записи и считывании информации работает аналогично обычному симметричному транзисторному триггеру. Отличие состоит в том, что коллекторы и вторые эмиттеры тиристоров непосредственно соединены собой. При таком включении тиристор может оставатьс во включенном состо нии и при нулевом управл ющем токе, что обеспечивает устойчивую работу тирпсторного триггера. Несмотр на то, что ток через закрытый тиристор не течет , так как напр жение на открытом тиристоре составл ет 0,8 в, п-р-п транзистор включенного тиристора находитс в режиме н асыщени за счет тока дырок р-п-р составл ющего транзистора (четырехслойна р-п-р-п структура может быть представлена соединением двух составл ющих транзисторов п-р-п и р-п-р типа ).
Вследствие того, что одно плечо тиристорного триггера ток не потребл ет, мощность, рассеиваема элементом, примерно в два раза меньще мощности, рассеиваемой триггером на бипол рных транзисторах, где через закрытое плечо всегда протекает ток, обеспечивающий режим насыщени открытого транзистора.
Непосредственное соединение коллектора и эмиттера тиристоров позвол ет также использовать один резистор вместо двух, как в транзисторном триггере.
Включение резистора в эмиттерную цепь в предложенном элементе обеспечивает форсирование записи. При понижении напр жени на одном из информационных входов в базу р-типа отпирающегос тиристора втекает ток, превыщающий ток хранени , что приводит к его форсированному включению и при прочих равных услови х к повыщению быстродействи элемента пам ти.
Предмет изобретени
Симметричный тиристорный элемент пам ти, содержащий резистор и два перекрестно св занлых двухэмиттерных тиристора, первые эмиттеры которых соединены с информационныыи входами, отличающийс тем, что, с целью уменьщени рассеиваемой мощности и числа компонентов, а также повыщени быстродействи , коллекторы тиристоров подключены к адресной шине, а вторые эмиттеры соедингны и через резистор подключены к щине нулевого потенциала.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1742786A SU381098A1 (ru) | 1972-01-31 | 1972-01-31 | Симметричный тиристорный элемент намяти |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1742786A SU381098A1 (ru) | 1972-01-31 | 1972-01-31 | Симметричный тиристорный элемент намяти |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU381098A1 true SU381098A1 (ru) | 1973-05-15 |
Family
ID=20501634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1742786A SU381098A1 (ru) | 1972-01-31 | 1972-01-31 | Симметричный тиристорный элемент намяти |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU381098A1 (ru) |
-
1972
- 1972-01-31 SU SU1742786A patent/SU381098A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3564300A (en) | Pulse power data storage cell | |
US3745539A (en) | Latch type regenerative circuit for reading a dynamic memory cell | |
US4066915A (en) | Memory circuit | |
SU381098A1 (ru) | Симметричный тиристорный элемент намяти | |
US3510849A (en) | Memory devices of the semiconductor type having high-speed readout means | |
GB1118054A (en) | Computer memory circuits | |
US3821719A (en) | Semiconductor memory | |
US4456979A (en) | Static semiconductor memory device | |
KR900015345A (ko) | 반도체장치 | |
JPH0777075B2 (ja) | デコーダ−ドライバ回路 | |
KR910002502B1 (ko) | 복수개의 가변 클램프형 메모리 셀을 구비한 메모리 회로 | |
US4922411A (en) | Memory cell circuit with supplemental current | |
US4742253A (en) | Integrated insulated-gate field-effect transistor circuit for evaluating the voltage of a node to be sampled against a fixed reference voltage | |
SU377881A1 (ru) | ПАТЕ^Тй1М[Ш';=^^ГНД БсесонэзнАЯ | |
SU1180980A1 (ru) | Элемент пам ти | |
SU1547028A1 (ru) | DV-триггер | |
SU1180981A1 (ru) | Элемент пам ти | |
RU2006967C1 (ru) | Элемент памяти | |
SU1262693A1 (ru) | Логическое устройство | |
SU525160A1 (ru) | Элемент пам ти | |
SU422043A1 (ru) | ||
SU425331A1 (ru) | Адресный формирователь для накопителя на мдп-структурах | |
SU1130900A1 (ru) | Ассоциативный запоминающий элемент | |
SU1064318A1 (ru) | Элемент пам ти дл накопител с произвольной выборкой | |
SU512492A1 (ru) | Динамическа чейка пам ти |