SU381098A1 - Симметричный тиристорный элемент намяти - Google Patents

Симметричный тиристорный элемент намяти

Info

Publication number
SU381098A1
SU381098A1 SU1742786A SU1742786A SU381098A1 SU 381098 A1 SU381098 A1 SU 381098A1 SU 1742786 A SU1742786 A SU 1742786A SU 1742786 A SU1742786 A SU 1742786A SU 381098 A1 SU381098 A1 SU 381098A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
thyristor
name
resistor
symmetric
thyristors
Prior art date
Application number
SU1742786A
Other languages
English (en)
Inventor
В. С. Першенков О. А. Раисов витель Е. М. Онищенко
Original Assignee
Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно физический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно физический институт filed Critical Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно физический институт
Priority to SU1742786A priority Critical patent/SU381098A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU381098A1 publication Critical patent/SU381098A1/ru

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к области интегральных запоминающих устройств (ЗУ).
Известны симметричные элементы пам ти на бипол рных транзисторах. Основой схем такого рода  вл ютс  симметричные бипол рные триггеры с непосредственными св з ми. Однако эти схемы содержат большое число компонентов и рассеивают достаточно большую мош,ность.
Известна также  чейка пам ти на тиристорном триггере, содержаща  два тиристора, транзистор и резистор.
Предлагаемый симметричный тиристорный элемент пам ти имеет три компонента и потребл ет мощность в два раза меньшую (при прочих равных услови х), чем симметричный триггер на бипол рных транзисторах. Это достигаетс  тем, что в нем использованы два перекрестно-св занных двухэмиттерных тирисгора , коллекторы которых непосредственно подключены к адресной шине, вторые (по топологии - внутренние) эмиттеры соединены между собой и через резистор подключены к общей точке, а первые (по топологии - внешние ) эмиттеры использованы как информационные входы.
На чертеже показана схема симметричного тиристорного элемента пам ти.
Предлагаемый элемент состоит из двух перекрестно гн занных двухэмиттерных четырехслойных р-п-р-п структур-тиристоров У и 2, вторые эмиттеры которых соединены между собой и через резистор 3 подключены к общей точке 4. Коллекторные области тиристоров ртипа присоединены к адресной шине 5, первые эмиттерные области п-типа - к информационным входам записи и считывани  6 и 7.
В режиме хранени  на входах 5 и 7 находитс  высокий потенциал, и ток хранени  протекает через резистор 3. При записи на вход 6 или на вход 7 (в зависимости от вида записываемой информации («О или «1) подаетс  низкий уровень. Считываемый сигнал снимаетс  с одного из информационных входов при
подаче положительного импульса опроса по адресной шине 5.
Таким образом, предлагаемый элемеет при записи и считывании информации работает аналогично обычному симметричному транзисторному триггеру. Отличие состоит в том, что коллекторы и вторые эмиттеры тиристоров непосредственно соединены собой. При таком включении тиристор может оставатьс  во включенном состо нии и при нулевом управл ющем токе, что обеспечивает устойчивую работу тирпсторного триггера. Несмотр  на то, что ток через закрытый тиристор не течет , так как напр жение на открытом тиристоре составл ет 0,8 в, п-р-п транзистор включенного тиристора находитс  в режиме н асыщени  за счет тока дырок р-п-р составл ющего транзистора (четырехслойна  р-п-р-п структура может быть представлена соединением двух составл ющих транзисторов п-р-п и р-п-р типа ).
Вследствие того, что одно плечо тиристорного триггера ток не потребл ет, мощность, рассеиваема  элементом, примерно в два раза меньще мощности, рассеиваемой триггером на бипол рных транзисторах, где через закрытое плечо всегда протекает ток, обеспечивающий режим насыщени  открытого транзистора.
Непосредственное соединение коллектора и эмиттера тиристоров позвол ет также использовать один резистор вместо двух, как в транзисторном триггере.
Включение резистора в эмиттерную цепь в предложенном элементе обеспечивает форсирование записи. При понижении напр жени  на одном из информационных входов в базу р-типа отпирающегос  тиристора втекает ток, превыщающий ток хранени , что приводит к его форсированному включению и при прочих равных услови х к повыщению быстродействи  элемента пам ти.
Предмет изобретени 
Симметричный тиристорный элемент пам ти, содержащий резистор и два перекрестно св занлых двухэмиттерных тиристора, первые эмиттеры которых соединены с информационныыи входами, отличающийс  тем, что, с целью уменьщени  рассеиваемой мощности и числа компонентов, а также повыщени  быстродействи , коллекторы тиристоров подключены к адресной шине, а вторые эмиттеры соедингны и через резистор подключены к щине нулевого потенциала.
SU1742786A 1972-01-31 1972-01-31 Симметричный тиристорный элемент намяти SU381098A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1742786A SU381098A1 (ru) 1972-01-31 1972-01-31 Симметричный тиристорный элемент намяти

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1742786A SU381098A1 (ru) 1972-01-31 1972-01-31 Симметричный тиристорный элемент намяти

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU381098A1 true SU381098A1 (ru) 1973-05-15

Family

ID=20501634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1742786A SU381098A1 (ru) 1972-01-31 1972-01-31 Симметричный тиристорный элемент намяти

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU381098A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3564300A (en) Pulse power data storage cell
US3745539A (en) Latch type regenerative circuit for reading a dynamic memory cell
US4066915A (en) Memory circuit
SU381098A1 (ru) Симметричный тиристорный элемент намяти
US3510849A (en) Memory devices of the semiconductor type having high-speed readout means
GB1118054A (en) Computer memory circuits
US3821719A (en) Semiconductor memory
US4456979A (en) Static semiconductor memory device
KR900015345A (ko) 반도체장치
JPH0777075B2 (ja) デコーダ−ドライバ回路
KR910002502B1 (ko) 복수개의 가변 클램프형 메모리 셀을 구비한 메모리 회로
US4922411A (en) Memory cell circuit with supplemental current
US4742253A (en) Integrated insulated-gate field-effect transistor circuit for evaluating the voltage of a node to be sampled against a fixed reference voltage
SU377881A1 (ru) ПАТЕ^Тй1М[Ш';=^^ГНД БсесонэзнАЯ
SU1180980A1 (ru) Элемент пам ти
SU1547028A1 (ru) DV-триггер
SU1180981A1 (ru) Элемент пам ти
RU2006967C1 (ru) Элемент памяти
SU1262693A1 (ru) Логическое устройство
SU525160A1 (ru) Элемент пам ти
SU422043A1 (ru)
SU425331A1 (ru) Адресный формирователь для накопителя на мдп-структурах
SU1130900A1 (ru) Ассоциативный запоминающий элемент
SU1064318A1 (ru) Элемент пам ти дл накопител с произвольной выборкой
SU512492A1 (ru) Динамическа чейка пам ти