SU347797A1 - Оперативное запоминающее устройство - Google Patents

Оперативное запоминающее устройство

Info

Publication number
SU347797A1
SU347797A1 SU1610543A SU1610543A SU347797A1 SU 347797 A1 SU347797 A1 SU 347797A1 SU 1610543 A SU1610543 A SU 1610543A SU 1610543 A SU1610543 A SU 1610543A SU 347797 A1 SU347797 A1 SU 347797A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
diode
transistor
storage device
read
current
Prior art date
Application number
SU1610543A
Other languages
English (en)
Original Assignee
В. Л. Волчек, О. М. Егоров, Е. Г. Ойхман , Г. М. Аронов
Publication of SU347797A1 publication Critical patent/SU347797A1/ru

Links

Description

Изобретение относитс  К области запоминающих устройств.
Известно оперативное за:поминаюп.1,ее vcrройство , содержащее  чейки пам ти, кажда  из которых выполнена из последовательно соединенных туг1нельно.го дпода и резистора и подсоединена через разв зывающий диод к соответствующей разр дной шине, транзисторные формирователи заииси и формирователи считывани , подключенные к соответстз ющим числовым шинам, источни-к управл ющих имлульсов.
Иредложенное оперативное запоминающее устройство отличаетс  от известното тем, что оно содержит в каждо.м разр де фиксирующий диод, включенный между разр дной шиной и шиной нулевого потенциала, базы транзисторов форМирователей записи всех слов Объединены и подключены к источнзжу управл ющих импульсов, а эмиттеры соединены с соответствующими выходами формирователей .считывани .
Такое выполнение устройства позвол ет сократить оборудование управлени  и повысить надежность работы устройства в широком температурном диапазоне.
Иа чертеже показана схе-ма запоминающего устройства.
нам считыван 1  3 и записи -/, формирователь записи на одном транзисторе 5, формирователь 6 считывани , генератор 7 тока спроса при записи иусилитель 8 считывани . При этом эмиттер транзистора 5 формировател  записи подключен к выходу формировател  о считывани , а вход усилител  8 считыва ни  и выход генератора 7 тока оироса ири записи - iK разр дной шине 9.
Кроме того, в каждом разр де устройство содержит фиксирующий диод 10, включенный между разр дной ши.ной 9 и 11 нулевого потенциала. (В качестве фиксирующего диода молчет быть использоваи, например , и переход база - эмиттер усилител  8 считывани ). Базы транзисторов 5 формирователей записи всех слов объединены и подключены к источнику 12 управл ющих импульсов, а эмиттеры соединены с ссответствующи.ми выходами; формирователей 6 считывани . Резистор 2 служит дл  ограничени  тока через транзистор 5 формировател  записи, а диоды 13 - дл  защиты транзистора формировател  записи от насыщени  и обеспечени  посто нства питани  слов при подаче импульса считывани . За;поминающим элементом в устройстве  вл етс  туннельный диод 14. Дл  разв зки использован диод 15.
протекает суммарнын ток -смещени   чеек одного слова. Напр жение на резисторе / запирает транзистор 5 формировател  залиси, так что импульс, подаваемый источникам 12 управл ющих импульсов одновременно на  чейки всех слов в режиме записи, не открывает его. При возбуждении форл1ировател  6 считывани  шина 3 считывани  соедин етс  с шиной нулевого потенциала и импульс от источника унравл юЩИх имлульсов открывает транзистор формировател  записи именно вы|бранно.го слова. Таким образОМ, отпадает необходимость в специальном дешифраторе записи.
В режиме записи единичной информации возбуждаетс  генератор 7 тока опроса. Если в  чейке выбранного слова туннельный диод 14 находитс  в высоковольтном (единичном) состо нии, то ток опроса замыкаетс  через диод 10, на шину нулевого потенциала. Если же туннельный диод находитс  в низковольтном состо нии, то ток опроса замыкаетс  сначала в туннельный диод, вызыва  его переключение в высоковольтное состо ние и запирание диода 5 разв зки, а затем - в диод 10.
Таким образом, через туннельный диод,, наход щийс  в высоковольтном состо нии, может течь только ток статического смещени , который обычно незначительный.
Пред м ет изобретени 
Оперативное запоминающее устройство, содержащее  чейки пам ти, кажда  из которых выполнена из последовательно соединенных туннельного диода и резистора и подсоединена через разв зывающий диод к соответствующей разр дной шине, транзисторные формирователи записи и формирователи считывани , подключенные к соответствующим числовым шинам, источник управл ющих импульсов, отличающеес  тем, что, с целью повыщени  надежности работы устройства в широком температурном диапазоне , оно содержит в каждом разр де фиксирующий диод, включенный между разр дной шиной и шиной нулевого потенциала, базы транзисторов формирователей записи объединены и подключены к источнику управл ющих импульсов, а э.миттеры соединены с соответствующими выходами формирователей считывани .
,/«
IH4//
SU1610543A Оперативное запоминающее устройство SU347797A1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU347797A1 true SU347797A1 (ru)

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6147895A (en) Ferroelectric memory with two ferroelectric capacitors in memory cell and method of operating same
KR100206713B1 (ko) 강유전체 메모리 장치에서의 비파괴적 억세싱 방법 및 그 억세싱 회로
US5541872A (en) Folded bit line ferroelectric memory device
US4933899A (en) Bi-CMOS semiconductor memory cell
KR100370909B1 (ko) 1칩 마이크로 컴퓨터와 그 데이타 리프레시 방법
KR930011001A (ko) 데이터가 블록단위에서 소거될 수 있는 불휘발성 반도체 기억장치와 불휘발성 반도체 기억장치의 블록단위에서 데이터를 소거하는 방법
GB1163789A (en) Driver-Sense Circuit Arrangements in Memory Systems
KR100743002B1 (ko) 반도체 장치
KR19980079318A (ko) 불휘발성 반도체 기억 장치
GB1466478A (en) Regeneration of dynamic monolithic memories
US5301147A (en) Static random access memory cell with single logic-high voltage level bit-line and address-line drivers
JPH11149785A (ja) 半導体記憶装置及びそのデータ読み出し方法
KR920006981A (ko) 반도체 메모리
US10984846B2 (en) Reference generation for voltage sensing in a resistive memory
SU347797A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство
US3876992A (en) Bipolar transistor memory with capacitive storage
KR920009058B1 (ko) 반도체기억장치
GB1334307A (en) Monolithic memory system
US4899309A (en) Current sense circuit for a ROM system
KR950011730B1 (ko) 동적 랜덤 액세스 메모리 장치
US4730276A (en) Semiconductor memories
KR920001331B1 (ko) 반도체기억장치
JPS6383992A (ja) Lsiメモリ
JPH0785358B2 (ja) 半導体記憶装置
US7120043B2 (en) FeRAM having single ended sensing architecture