SU347797A1 - Оперативное запоминающее устройство - Google Patents
Оперативное запоминающее устройствоInfo
- Publication number
- SU347797A1 SU347797A1 SU1610543A SU1610543A SU347797A1 SU 347797 A1 SU347797 A1 SU 347797A1 SU 1610543 A SU1610543 A SU 1610543A SU 1610543 A SU1610543 A SU 1610543A SU 347797 A1 SU347797 A1 SU 347797A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- diode
- transistor
- storage device
- read
- current
- Prior art date
Links
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 6
- 230000000903 blocking Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static Effects 0.000 description 1
Description
Изобретение относитс К области запоминающих устройств.
Известно оперативное за:поминаюп.1,ее vcrройство , содержащее чейки пам ти, кажда из которых выполнена из последовательно соединенных туг1нельно.го дпода и резистора и подсоединена через разв зывающий диод к соответствующей разр дной шине, транзисторные формирователи заииси и формирователи считывани , подключенные к соответстз ющим числовым шинам, источни-к управл ющих имлульсов.
Иредложенное оперативное запоминающее устройство отличаетс от известното тем, что оно содержит в каждо.м разр де фиксирующий диод, включенный между разр дной шиной и шиной нулевого потенциала, базы транзисторов форМирователей записи всех слов Объединены и подключены к источнзжу управл ющих импульсов, а эмиттеры соединены с соответствующими выходами формирователей .считывани .
Такое выполнение устройства позвол ет сократить оборудование управлени и повысить надежность работы устройства в широком температурном диапазоне.
Иа чертеже показана схе-ма запоминающего устройства.
нам считыван 1 3 и записи -/, формирователь записи на одном транзисторе 5, формирователь 6 считывани , генератор 7 тока спроса при записи иусилитель 8 считывани . При этом эмиттер транзистора 5 формировател записи подключен к выходу формировател о считывани , а вход усилител 8 считыва ни и выход генератора 7 тока оироса ири записи - iK разр дной шине 9.
Кроме того, в каждом разр де устройство содержит фиксирующий диод 10, включенный между разр дной ши.ной 9 и 11 нулевого потенциала. (В качестве фиксирующего диода молчет быть использоваи, например , и переход база - эмиттер усилител 8 считывани ). Базы транзисторов 5 формирователей записи всех слов объединены и подключены к источнику 12 управл ющих импульсов, а эмиттеры соединены с ссответствующи.ми выходами; формирователей 6 считывани . Резистор 2 служит дл ограничени тока через транзистор 5 формировател записи, а диоды 13 - дл защиты транзистора формировател записи от насыщени и обеспечени посто нства питани слов при подаче импульса считывани . За;поминающим элементом в устройстве вл етс туннельный диод 14. Дл разв зки использован диод 15.
протекает суммарнын ток -смещени чеек одного слова. Напр жение на резисторе / запирает транзистор 5 формировател залиси, так что импульс, подаваемый источникам 12 управл ющих импульсов одновременно на чейки всех слов в режиме записи, не открывает его. При возбуждении форл1ировател 6 считывани шина 3 считывани соедин етс с шиной нулевого потенциала и импульс от источника унравл юЩИх имлульсов открывает транзистор формировател записи именно вы|бранно.го слова. Таким образОМ, отпадает необходимость в специальном дешифраторе записи.
В режиме записи единичной информации возбуждаетс генератор 7 тока опроса. Если в чейке выбранного слова туннельный диод 14 находитс в высоковольтном (единичном) состо нии, то ток опроса замыкаетс через диод 10, на шину нулевого потенциала. Если же туннельный диод находитс в низковольтном состо нии, то ток опроса замыкаетс сначала в туннельный диод, вызыва его переключение в высоковольтное состо ние и запирание диода 5 разв зки, а затем - в диод 10.
Таким образом, через туннельный диод,, наход щийс в высоковольтном состо нии, может течь только ток статического смещени , который обычно незначительный.
Пред м ет изобретени
Оперативное запоминающее устройство, содержащее чейки пам ти, кажда из которых выполнена из последовательно соединенных туннельного диода и резистора и подсоединена через разв зывающий диод к соответствующей разр дной шине, транзисторные формирователи записи и формирователи считывани , подключенные к соответствующим числовым шинам, источник управл ющих импульсов, отличающеес тем, что, с целью повыщени надежности работы устройства в широком температурном диапазоне , оно содержит в каждом разр де фиксирующий диод, включенный между разр дной шиной и шиной нулевого потенциала, базы транзисторов формирователей записи объединены и подключены к источнику управл ющих импульсов, а э.миттеры соединены с соответствующими выходами формирователей считывани .
,/«
IH4//
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU347797A1 true SU347797A1 (ru) |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6147895A (en) | Ferroelectric memory with two ferroelectric capacitors in memory cell and method of operating same | |
KR100206713B1 (ko) | 강유전체 메모리 장치에서의 비파괴적 억세싱 방법 및 그 억세싱 회로 | |
US5541872A (en) | Folded bit line ferroelectric memory device | |
US4933899A (en) | Bi-CMOS semiconductor memory cell | |
KR100370909B1 (ko) | 1칩 마이크로 컴퓨터와 그 데이타 리프레시 방법 | |
KR930011001A (ko) | 데이터가 블록단위에서 소거될 수 있는 불휘발성 반도체 기억장치와 불휘발성 반도체 기억장치의 블록단위에서 데이터를 소거하는 방법 | |
GB1163789A (en) | Driver-Sense Circuit Arrangements in Memory Systems | |
KR100743002B1 (ko) | 반도체 장치 | |
KR19980079318A (ko) | 불휘발성 반도체 기억 장치 | |
GB1466478A (en) | Regeneration of dynamic monolithic memories | |
US5301147A (en) | Static random access memory cell with single logic-high voltage level bit-line and address-line drivers | |
JPH11149785A (ja) | 半導体記憶装置及びそのデータ読み出し方法 | |
KR920006981A (ko) | 반도체 메모리 | |
US10984846B2 (en) | Reference generation for voltage sensing in a resistive memory | |
SU347797A1 (ru) | Оперативное запоминающее устройство | |
US3876992A (en) | Bipolar transistor memory with capacitive storage | |
KR920009058B1 (ko) | 반도체기억장치 | |
GB1334307A (en) | Monolithic memory system | |
US4899309A (en) | Current sense circuit for a ROM system | |
KR950011730B1 (ko) | 동적 랜덤 액세스 메모리 장치 | |
US4730276A (en) | Semiconductor memories | |
KR920001331B1 (ko) | 반도체기억장치 | |
JPS6383992A (ja) | Lsiメモリ | |
JPH0785358B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7120043B2 (en) | FeRAM having single ended sensing architecture |