SU830575A1 - Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ - Google Patents

Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ Download PDF

Info

Publication number
SU830575A1
SU830575A1 SU792814236A SU2814236A SU830575A1 SU 830575 A1 SU830575 A1 SU 830575A1 SU 792814236 A SU792814236 A SU 792814236A SU 2814236 A SU2814236 A SU 2814236A SU 830575 A1 SU830575 A1 SU 830575A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
amplifier
input
regeneration
transistor
Prior art date
Application number
SU792814236A
Other languages
English (en)
Inventor
Станислав Алексеевич Еремин
Анатолий Иванович Стоянов
Василий Сергеевич Хорошунов
Владимир Алексеевич Сухоруков
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6644
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6644 filed Critical Предприятие П/Я Р-6644
Priority to SU792814236A priority Critical patent/SU830575A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU830575A1 publication Critical patent/SU830575A1/ru

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Description

Изобретение относитс  к запоминаю 1ЦИМ устройствам и может примен тьс  в МПД-оперативных запоминающих устройствах на-однотранзисторных  че как пам ти дл  усилени  сигналов при считывании и восстановлении информации . Известен усилитель, .который состоит из триггера с тактируемыми нагрузочньали транзисторами и транзистором , coeдин юt и плечи триггера в режиме предварительного зар да р. Недостатком этого усилител   вл етс  больша  статическа  мощность в режиме восстановлени  информации в  чейках пам ти накопител . Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  усилитель считывани  с регенерацией, состо щий -рз триггера, образованного переключающими транзисторами и нагрузочными транзисторами, подключае мого к шине нулевого потенциала с помощью транзисторов нулевого потенциала , регенеративных транзисторов и транзисторов дл  предварительного зар да истока переключающих тра11зисторов до уровн  опорного .напр жени  2. В этом усилителе открытое плечо триггера в момент регенерации потреб-п  ет статическую мощность, что ограничивает использование такого усилител  в оперативных запоминающих устройствах большой информационной емкости. Цель изобретени  - уменьшение моцности , потр ебл емой усилителем при регенерации. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в усилитель считывани  с регенерацией на МПД-транзисторах, содержащий переключающие транзисторы, истоки которых соединены со стоками ключевых транзисторов и с иcтoкa в транзистора предварительного зар да, сток которого подключен к шине опорного напр жени , затворы и стоки переключающих транзисторов соединены с истоками передающих транзисторов , стоки которых объединены с истоками регенеративных транзисторов и  вл ютс  разр дными входами усилител , истоки ключевых транзисторов подключены к шине нулевого потенциала, а затворы ключевых передающих и регенеративных транзисторов и транзисторов предварительного зар да  вл ютс  одними из входов тактовых сигналов усилител , введены конденсаторы , одни выводы которых подключены соответственно к стокам регенера- тивных тра нзисторов, а другие объединены и  вл ютс  другим входом тактовых сигналов усилител .
На фиг, 1 изображен усилитель считывани  с регенерацией на МДПтранзисторах/ на фиг. 2 - времен ,ные диаграммы работы усилител .
В усилителепереключающие транзисторы 1 и 2 образуют триггер, при этом затвор транзистора 1 соединен со стоком транзистора 2, а затвор транзистора 2 - со стоком транзистора 1. Истоки транзисторов 1 и 2 объединены со стоками ключевых транзисторов 3 и 4 и с истоком транзистора 5 предварительного зар да. К стокам транзисторов-1 и 2 подключены также истоки передающих транзисторов б и 7, стоки которых подключены к разр д;-ым йХ1.)дам 8 и 9 усилител  соответственно , к которым также присоед1;ие .:{ы истоки регенеративных транзисторов 10 и 11. .Затворы транзисторов 6 II 7 объединены и  вл ютс  первым вхолом 12 тактовых сигналов усилителЯу затвор транзистора 5  вл етс  вторым входом 13 тактовых сигналоЕ усилител , сток этого транзистора подключггн к шине 14 опорного напр жени . Затворы транзисторов 3 и 4  вл ютс  третьим 15 и четвертым 16 входам тактовых сигналов . усилител , а истоки транзисторов подключены к шине 17 нулевого потенциала. Затворы транзисторов 10 и 11 соединены и  вл ютс  п тим входом 18 тактовых сигналов усилител , стоки этих транзисторов соединены с одним из выводов конденсаторов 19 и 20, другие . вывод которых объединены и  вл ютс  шестым входом 21 тактовых сигналов усилит е,п .
Усилитель считывани  с регенерацией работает следую цим образом,
В цикле предварительного зар да на входе 13 форглируетс  высокий уровень напр жени ,разр дные входы 8 и 9 и истоки транзисторов 1 и 2 зар жаютс  до уровн  опорного напр жени .
По окончании цк чла предварительного зар да усилитель переходит в режим считывани . При этом на разр дном входе, подключенном к выбранной  чейке накопител , формируетс  положительное или отрицательное приращение в зависимости от вида считываемой с  чейки информации, в то врем  как на невыбранном разр дном входе сохран етс  уровень напр жени , равный опорному. Это приращение вызывает разбаланс плеч триггера, и после включени  транзисторов 3 и 4 триггер начинает устанавливатьс  в требуемое состо ние. Окончательна  установка триггера и регенераци  информации происходит после подачи тактовых сигналов на входы 18 и 21.
При подаче сигнала на вход 18 в цикле считывани  транзисто хл 10 и 11 открываютс ,и с приходом тактового импульса на вход 21 происходит подзар д разр дного входа, наход щегос  под высоким уровнем напр жени . .При .этом приращение напр жени  « разр дном входе определ етс  емкостным делителем, образованным конденса тором 19 или 20 и паразитной емкостью разр дного входа, а также напр жением логической 1 тактового сигнала , подаваемого на вход 18. Таким Образом, регенерируемый уровень напр жени  логической 1 в выбранной  чейке равен ,,-, где , - опорный уровень напр жени ; дирд- приращение напр жени  на разр дном входе после подачи импульса на вход 21.
Предлагаемый усилитель не потребл ет статической мощности, так как открытое плечо триггера снимает приращение напр жени  AUp/y в этом плече с помадью шины нулевого потенциала.
Приращение напр жени  CkUpA может быть существенно повышено за счет подачи тактового сигнала на вход 18 с амплитудой, большей напр жени  питани  Ef. Это вполне достижимо при использовании совпеменных схемотехнических методов.
Таким образом, описанный усилитель потребл ет лишь динаг шческую мощность что исключает его перегрузки в процессе работы.

Claims (2)

1.Электроника, 19, 1973, с.48.
2.ОБЕ Б Лп ternat iona 1 SSC Confe-. rence, 1978, p.148 (прототип).:
SU792814236A 1979-08-23 1979-08-23 Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ SU830575A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792814236A SU830575A1 (ru) 1979-08-23 1979-08-23 Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792814236A SU830575A1 (ru) 1979-08-23 1979-08-23 Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU830575A1 true SU830575A1 (ru) 1981-05-15

Family

ID=20848230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792814236A SU830575A1 (ru) 1979-08-23 1979-08-23 Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU830575A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3949381A (en) Differential charge transfer sense amplifier
KR100369278B1 (ko) 연상 메모리(cam)
US4039861A (en) Cross-coupled charge transfer sense amplifier circuits
EP0306712A3 (en) Sense amplifier with improved bitline precharging for dynamic random access memory
SU654197A3 (ru) Полупроводниковое запоминающее устройство
US4069475A (en) MOS Dynamic random access memory having an improved sense and restore circuit
US4031522A (en) Ultra high sensitivity sense amplifier for memories employing single transistor cells
US4286178A (en) Sense amplifier with dual parallel driver transistors in MOS random access memory
KR100476483B1 (ko) 비휘발성레지스터,데이타기록방법및데이타판독방법
JPS63228496A (ja) メモリ回路
JPS6156596B2 (ru)
SU830575A1 (ru) Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ
US4069474A (en) MOS Dynamic random access memory having an improved sensing circuit
JPS6011393B2 (ja) 感知増幅器
JPS56107387A (en) Semiconductor storage device
JPS5947388B2 (ja) 増巾回路
CA1233565A (en) Dynamic mos memory reference voltage generator
US6018486A (en) Reading method and circuit for dynamic memory
SU1275545A1 (ru) Ячейка пам ти
JP3193972B2 (ja) 半導体記憶装置
SU523454A1 (ru) Динамическа чейка пам ти
US4581719A (en) Dynamic MOS memory reference voltage generator
SU951390A1 (ru) Усилитель считывани
JPS6034191B2 (ja) 記憶回路
SU721852A1 (ru) Усилитель считывани на мдп-транзисторах