SU830575A1 - Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ - Google Patents
Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ Download PDFInfo
- Publication number
- SU830575A1 SU830575A1 SU792814236A SU2814236A SU830575A1 SU 830575 A1 SU830575 A1 SU 830575A1 SU 792814236 A SU792814236 A SU 792814236A SU 2814236 A SU2814236 A SU 2814236A SU 830575 A1 SU830575 A1 SU 830575A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistors
- amplifier
- input
- regeneration
- transistor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dram (AREA)
Description
Изобретение относитс к запоминаю 1ЦИМ устройствам и может примен тьс в МПД-оперативных запоминающих устройствах на-однотранзисторных че как пам ти дл усилени сигналов при считывании и восстановлении информации . Известен усилитель, .который состоит из триггера с тактируемыми нагрузочньали транзисторами и транзистором , coeдин юt и плечи триггера в режиме предварительного зар да р. Недостатком этого усилител вл етс больша статическа мощность в режиме восстановлени информации в чейках пам ти накопител . Наиболее близким техническим решением к изобретению вл етс усилитель считывани с регенерацией, состо щий -рз триггера, образованного переключающими транзисторами и нагрузочными транзисторами, подключае мого к шине нулевого потенциала с помощью транзисторов нулевого потенциала , регенеративных транзисторов и транзисторов дл предварительного зар да истока переключающих тра11зисторов до уровн опорного .напр жени 2. В этом усилителе открытое плечо триггера в момент регенерации потреб-п ет статическую мощность, что ограничивает использование такого усилител в оперативных запоминающих устройствах большой информационной емкости. Цель изобретени - уменьшение моцности , потр ебл емой усилителем при регенерации. Поставленна цель достигаетс тем, что в усилитель считывани с регенерацией на МПД-транзисторах, содержащий переключающие транзисторы, истоки которых соединены со стоками ключевых транзисторов и с иcтoкa в транзистора предварительного зар да, сток которого подключен к шине опорного напр жени , затворы и стоки переключающих транзисторов соединены с истоками передающих транзисторов , стоки которых объединены с истоками регенеративных транзисторов и вл ютс разр дными входами усилител , истоки ключевых транзисторов подключены к шине нулевого потенциала, а затворы ключевых передающих и регенеративных транзисторов и транзисторов предварительного зар да вл ютс одними из входов тактовых сигналов усилител , введены конденсаторы , одни выводы которых подключены соответственно к стокам регенера- тивных тра нзисторов, а другие объединены и вл ютс другим входом тактовых сигналов усилител .
На фиг, 1 изображен усилитель считывани с регенерацией на МДПтранзисторах/ на фиг. 2 - времен ,ные диаграммы работы усилител .
В усилителепереключающие транзисторы 1 и 2 образуют триггер, при этом затвор транзистора 1 соединен со стоком транзистора 2, а затвор транзистора 2 - со стоком транзистора 1. Истоки транзисторов 1 и 2 объединены со стоками ключевых транзисторов 3 и 4 и с истоком транзистора 5 предварительного зар да. К стокам транзисторов-1 и 2 подключены также истоки передающих транзисторов б и 7, стоки которых подключены к разр д;-ым йХ1.)дам 8 и 9 усилител соответственно , к которым также присоед1;ие .:{ы истоки регенеративных транзисторов 10 и 11. .Затворы транзисторов 6 II 7 объединены и вл ютс первым вхолом 12 тактовых сигналов усилителЯу затвор транзистора 5 вл етс вторым входом 13 тактовых сигналоЕ усилител , сток этого транзистора подключггн к шине 14 опорного напр жени . Затворы транзисторов 3 и 4 вл ютс третьим 15 и четвертым 16 входам тактовых сигналов . усилител , а истоки транзисторов подключены к шине 17 нулевого потенциала. Затворы транзисторов 10 и 11 соединены и вл ютс п тим входом 18 тактовых сигналов усилител , стоки этих транзисторов соединены с одним из выводов конденсаторов 19 и 20, другие . вывод которых объединены и вл ютс шестым входом 21 тактовых сигналов усилит е,п .
Усилитель считывани с регенерацией работает следую цим образом,
В цикле предварительного зар да на входе 13 форглируетс высокий уровень напр жени ,разр дные входы 8 и 9 и истоки транзисторов 1 и 2 зар жаютс до уровн опорного напр жени .
По окончании цк чла предварительного зар да усилитель переходит в режим считывани . При этом на разр дном входе, подключенном к выбранной чейке накопител , формируетс положительное или отрицательное приращение в зависимости от вида считываемой с чейки информации, в то врем как на невыбранном разр дном входе сохран етс уровень напр жени , равный опорному. Это приращение вызывает разбаланс плеч триггера, и после включени транзисторов 3 и 4 триггер начинает устанавливатьс в требуемое состо ние. Окончательна установка триггера и регенераци информации происходит после подачи тактовых сигналов на входы 18 и 21.
При подаче сигнала на вход 18 в цикле считывани транзисто хл 10 и 11 открываютс ,и с приходом тактового импульса на вход 21 происходит подзар д разр дного входа, наход щегос под высоким уровнем напр жени . .При .этом приращение напр жени « разр дном входе определ етс емкостным делителем, образованным конденса тором 19 или 20 и паразитной емкостью разр дного входа, а также напр жением логической 1 тактового сигнала , подаваемого на вход 18. Таким Образом, регенерируемый уровень напр жени логической 1 в выбранной чейке равен ,,-, где , - опорный уровень напр жени ; дирд- приращение напр жени на разр дном входе после подачи импульса на вход 21.
Предлагаемый усилитель не потребл ет статической мощности, так как открытое плечо триггера снимает приращение напр жени AUp/y в этом плече с помадью шины нулевого потенциала.
Приращение напр жени CkUpA может быть существенно повышено за счет подачи тактового сигнала на вход 18 с амплитудой, большей напр жени питани Ef. Это вполне достижимо при использовании совпеменных схемотехнических методов.
Таким образом, описанный усилитель потребл ет лишь динаг шческую мощность что исключает его перегрузки в процессе работы.
Claims (2)
1.Электроника, 19, 1973, с.48.
2.ОБЕ Б Лп ternat iona 1 SSC Confe-. rence, 1978, p.148 (прототип).:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792814236A SU830575A1 (ru) | 1979-08-23 | 1979-08-23 | Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792814236A SU830575A1 (ru) | 1979-08-23 | 1979-08-23 | Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU830575A1 true SU830575A1 (ru) | 1981-05-15 |
Family
ID=20848230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792814236A SU830575A1 (ru) | 1979-08-23 | 1979-08-23 | Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU830575A1 (ru) |
-
1979
- 1979-08-23 SU SU792814236A patent/SU830575A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3949381A (en) | Differential charge transfer sense amplifier | |
KR100369278B1 (ko) | 연상 메모리(cam) | |
US4039861A (en) | Cross-coupled charge transfer sense amplifier circuits | |
EP0306712A3 (en) | Sense amplifier with improved bitline precharging for dynamic random access memory | |
SU654197A3 (ru) | Полупроводниковое запоминающее устройство | |
US4069475A (en) | MOS Dynamic random access memory having an improved sense and restore circuit | |
US4031522A (en) | Ultra high sensitivity sense amplifier for memories employing single transistor cells | |
US4286178A (en) | Sense amplifier with dual parallel driver transistors in MOS random access memory | |
KR100476483B1 (ko) | 비휘발성레지스터,데이타기록방법및데이타판독방법 | |
JPS63228496A (ja) | メモリ回路 | |
JPS6156596B2 (ru) | ||
SU830575A1 (ru) | Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ | |
US4069474A (en) | MOS Dynamic random access memory having an improved sensing circuit | |
JPS6011393B2 (ja) | 感知増幅器 | |
JPS56107387A (en) | Semiconductor storage device | |
JPS5947388B2 (ja) | 増巾回路 | |
CA1233565A (en) | Dynamic mos memory reference voltage generator | |
US6018486A (en) | Reading method and circuit for dynamic memory | |
SU1275545A1 (ru) | Ячейка пам ти | |
JP3193972B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
SU523454A1 (ru) | Динамическа чейка пам ти | |
US4581719A (en) | Dynamic MOS memory reference voltage generator | |
SU951390A1 (ru) | Усилитель считывани | |
JPS6034191B2 (ja) | 記憶回路 | |
SU721852A1 (ru) | Усилитель считывани на мдп-транзисторах |