SU531284A2 - Усилитель-формирователь на металло= диэлектрических полупроводниковых транзисторах - Google Patents

Description

лител -формировател  и истоком второго дополнительного транзистора, второй смещаю щий конденсатор включен между выходом первого двухтактного усилител -формировател  и средней точкой дополнительного МДП-транзистора и двухтактного усилител -формировател  первой последовательной цепи, а остальные смещающие конденсаторы включены между выходами двухтактных усилителей-формирователей предыдущих и средними точками дополнительных МДП-тра зисторов и двухтактных усилителей-формирователей следующих последовательных цепей . На фиг, 1 приведена принципиальна  электрическа  схема усилител ; на фиг. 2 эпюры напр жений в характерных точках усилител . Усилитель-формирователь на металлодиэлектрических полупроводниковых транзисторах содержит транзистор 1, конденсатор 2, транзисторы 3 - 5, накопительный конденсатор 6, зар дный транзистор 7 накопительный конденсатор 8, МДП-транзисторы 9 и 1О, смещающий конденсатор 1 транзисторы 12 - 14, конденсатор 15, транзисторы 16 - 18, характерные точки 19 - 26, инвертор 27, усилители-формиро ватели 28 и 29. Устройство состоит из инвертора 27 с токостабилизирующей нагрузкой и дополни- тельного МДП-транзистора в стоке нагрузочного транзистора, состо щего йз транзисторов 1, 3, 4, 5 и конденсатора 2, пер вого накопительного конденсатора 6, зар дного транзистора 7, накопительного конден сатора 8, МДП-транзисторов 9 и 10 второго двухтактного усилител -формировател  28, первого смещающего конденсатора 1 второго дополнительного транзистора 12, включенного последовательно с первым двухконтактным усилителем-формирователем 29 и состо щего из транзисторов 13 и 14 второго смещающего конденсатора 15 транзисторов 16, 17 и 18 первой из N последовательных цепей. Усилитель-формирователь работает следующим образом. В исходном состо нии входна  щина уси лител  находитс  под нулевым потенциалом накопительный кондесатор 6 зар жаетс  через зар дный транзистор 7 и в точке 22 устанавливаетс  потенциал, равный Е U где и о - пороговое напр жение МДП-тран зисторов. С приходом отрицательного перепада на вход усилител -формировател  в точке 22 устанавливаетс  потенциал, равный и вх + Е - и о, который превыщает уровень Транзисторы 5, 1О, 14 и 18 открываютс , и в точке 21 и выходах всех двухтактных усилителей-формирователей устанавливаютс  потенциалы, близкие к нулю, при этом верхние транзисторы двухтактных усилителей закрыты и ток не провод т. Накопительный конденсатор 8 и смещающие конденсаторы 11 и 15 зар жаютс  через открыте пары транзисторов 3 и 14, 12 и 10, 16 и 14, Так как напр жение в точке 22 превыщает Е , то в точках 2О, о пит 24 и 26 устанавливаютс  потенциалы, оав- ные Е . Конденсатор 2 также зар дитс  через транзисторы 1 и 5 и в точке 19 установитс  потенциал, равный Е о. С приходом положительного перепада напр жени  на вход усилител -формировател  транзисторы 5, 10, 14 и 18 закрываютс . Потенциалы в точках 21 и 19 начинают синхронно возрастать, так как транзистор 4 остаетс  открытым разностью напр жений между точками 19 и 21 благодар  накопленному зар ду на конденсаторе 2. Кроме того, с приходом положительного перепада входного импульса потенциал в точке 22 установитс  равным - Uo и транзисторы 3,12 и 16 закрываютс , так как на их истоках будет действовать более отрицательное напр жение, чем на затворах . При достижении в точке 21 потенциала, равного UQ, транзисторы 9,13 и 17 открываютс , отрицательные потенциалы на выходах двухтактных усилителей-формирователей начинают возрастать, что, в свою очередь, приводит к возрастанию отрицательных потенциалов в точках 20, 24 и 26. Напр жени  в точках 20,24 и 26 будут соответственно равны: 20 25, - 21, и 25. В установившемс  режиме потенциалы в соответствующих характерных точках усилител  будут равны: 23 ит, 2 Е 24 - пит, и.. sU 3 Е 2О21пит26, иа 3 Е- и выхпито. При работе усилител -формировател  на емкостную нагрузку и при равных значени х емкостей конденсаторов 11 и 15 амплитуда выходных импульсов будет определ тьс  выражением 3W С С ,.

55

- емкость конденсаторов 11 и 15

CM - емкость нагрузки,

и будет не более ЗЕ- U .

пито

с приходом на вход отрицательного перепада напр жени  переходные процессы повтор ютс .

Последовательно соединение зар женных смещаютцих конденсаторов позвол ет повышать амплитуту выходных импульсов до

более высоких напр жений ( 4 Е 5 -

пит пит

и т. д.), дополнительно ввод  при этом смещаюшие конденсаторы и последовательные цепи, состо щие из двухтактных усилителей-Формирователей и дополнительного МДПтранзистора .

Уменьшение требуемой мощности питани  и увеличение быстродействи  осуществл ютс  благодар  уменьшению емкостной нагрузки на выходе инвертора с токостабилизируюшей нагрузкой, так как повышенное напр жение можно снимать с выходов двухтактных усилителей-формирователей, которые в этом случае  вл ютс  согласующими между нагрузкой и выходом инвертора с токостабилизирующей нагрузкой и потребл ющими энергию во врем  переходных процессов .

Claims (1)

1. Авторское свидетельство СССР

Ко 525243, МКИ

Н ОЗ К 19/08, 40 14.О4.74.

Фиг. 1

fnum пит

пит

и,

21

Л

Ь1Х

Фиг. 2