SA516371930B1 - تعدين الخلايا الشمسية باستخدام الرقائق - Google Patents

تعدين الخلايا الشمسية باستخدام الرقائق Download PDF

Info

Publication number
SA516371930B1
SA516371930B1 SA516371930A SA516371930A SA516371930B1 SA 516371930 B1 SA516371930 B1 SA 516371930B1 SA 516371930 A SA516371930 A SA 516371930A SA 516371930 A SA516371930 A SA 516371930A SA 516371930 B1 SA516371930 B1 SA 516371930B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
regions
foil
metal foil
metal
positive
Prior art date
Application number
SA516371930A
Other languages
English (en)
Inventor
هارلي جابريل
موشنير جينس-ديرك
دي. سميث ديفيد
هاميلتون سيويل ريتشارد
تايسيوك كيم
موورس ماثيو
مورس مايكل
Original Assignee
توتـال ماركيتنج سـيرفيسز
صن بور كوربوريشن
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by توتـال ماركيتنج سـيرفيسز, صن بور كوربوريشن filed Critical توتـال ماركيتنج سـيرفيسز
Publication of SA516371930B1 publication Critical patent/SA516371930B1/ar

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
    • H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

يتعلق الاختراع الحالي بتوضيح طرق لتعدين الخلايا الشمسية metallization of solar cells باستخدام الرقائق foil وما ينتج عنها من خلايا شمسية solar cells. في أحد الأمثلة، تتضمن خلية شمسية إحدى الركائز. ويتم وضع مجموعة من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب التبادلية (104، 106) بداخل الركيزة substrate (100) أو فوقها. كما توضع بنية تلامس موصلة فوق مجموعة من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب التبادلية N-type and P-type semiconductor regions (104، 106). تتضمن بنية التلامس الموصلة مجموعة من المناطق المعدنية المحببة metal seed material region (114)، مما يوفر منطقة مادة معدنية محببة (114) توضع على كل من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب التبادلية (104، 106). توضع رقاقة معدنية metal foil (118) على مجموعة من المناطق المعدنية المحببة (114)، وتقوم الرقاقة المعدنية التي تتمتع بأجزاء معالجة بالأنود anodized portions بعزل المناطق المعدنية isolating metal regions من المناطق المعدنية المحببة المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب التبادلية (104، 106). شكل

Description

تعدين الخلايا الشمسية باستخدام الرقائق ‎Foil-Based Metallization of Solar Cells‏ الوصف الكامل
خلفية الاختراع
تتمثل تطبيقات الكشف الحالي في مجال الطاقة المتجددة؛ وتحديدًا في الأساليب المستخدمة لتعدين
الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ وما ينتج من ‎WIA‏ شمسية.
الخلايا الكهروضوئية ‎Photovoltaic cells‏ ؛ المعروفة بشكل شائع باسم الخلايا الشمسية؛ هي أجهزة معروفة للتحويل المباشر لأشعة الشمس ‎solar radiation‏ إلى طاقة كهربائية ‎electrical‏
ل0. بصورة عامة؛ تركب الخلايا الشمسية على رقاقة شبه موصلة ‎semiconductor‏
‎wafer‏ أو على ركيزة. ©50051081باستخدام تقنيات ‎dallas‏ أشباه الموصلات
‎semiconductor processing‏ لتكوين وصلة ثنائية ‎junction‏ 0-0 بالقرب من أحد أسطح
‏الركيزة ‎surface of the substrate‏ يعمل إشعاع الشمس الذي يصطدم بسطح الركيزة ويدخل
‏0 فيه على إنتاج أزواج إلكترونية ‎creates electron‏ وفراغات ‎hole pairs‏ في كامل الركيزة. تنتقل الأزواج الإلكترونية والفراغات إلى مناطق شائبة موجبة ومناطق شائبة سالبة في الركيزة؛ مما يولد فرق جهد كهريائي بين المناطق الشائبة. يتم توصيل المناطق الشائبة بمناطق موصلة على الخلية الشمسية لتوجيه تيار كهريائي ‎direct an electrical current‏ من الخلية إلى دائرة خارجية ‎external circuit‏ مقرونة بها.
‏5 الفاعلية هي ميزة مهمة لأي خلية شمسية حيث إنها ترتبط ارتباطًا مباشرًا بقدرة الخلية الشمسية على توليد الطاقة. وبالمثل ترتبط فاعلية إنتاج الخلايا الشمسية مباشرة بتوفير هذه الخلايا الشمسية للتكلفة. وبسبب ذلك؛ تعتبر تقنيات زيادة فاعلية الخلايا الشمسية أو تقنيات زيادة فاعلية صناعة الخلايا الشمسية ‎Use je‏ فيها عمومًا. وتسمح بعض نماذج تطبيق الإعلان الحالي بزيادة فاعلية تصنيع الخلية الشمسية من خلال توفير عمليات مستحدثة لصناعة هياكل الخلايا الشمسية. وتسمح
‏0 بعض نماذج تطبيق الإعلان الحالي بزيادة فاعلية الخلية الشمسية عن طريق توفير هياكل الخلايا الشمسية ‎solar cell structures‏ المستحدثة.
يتعلق الطلب الأمريكي رقم 20130000715 بشكل عام بمجالات الكهروضوتية والالكترونيات الدقيقة. ‎(au‏ أكثر ‎dass‏ الأساليب؛ والتصاميم؛ والأجهزة ذات أداء تلامس كهربائي عالي و تعزيز اتصال ميكانيكي للخلايا الشمسية الضوئية. يتعلق الطلب الأمريكي رقم 20060213548 بالخلايا الكهروضوئية / الخلايا الشمسية وتصنيع الألواح الشمسية . الوصف العام للاختراع أحد نماذج الاختراع الحالي يتعلق بطريقة لتصنيع خلية شمسية؛ حيث تتألف الطريقة من: تكوين عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب بداخل الركيزة؛ أو فوقها؛ التصاق رقاقة معدنية ‎metal foil‏ بالمناطق شبه الموصلة ‎semiconductor regions‏ من 0 النوعين الموجب والسالب؛ الإزالة بالليزر فقط من خلال ‎ga‏ الرقاقة المعدنية في المناطق المناظرة للمواقع بين المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب؛ و الإزالة بالليزر ‎laser‏ « عزل مناطق الرقاقة المعدنية المتبقية المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. 5 نموذج ‎Al‏ من نماذج الاختراع الحالي يتعلق بطريقة لتصنيع خلية شمسية؛ حيث تتألف الطريقة من: تكوين عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب بداخل الركيزة؛ أو فوقها؛ لصق رقاقة معدنية معالجة بالأنود ‎anodized‏ بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب؛ وتتمتع الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بسطح علوي معالج بالأنود وسطح سفلي معالج 0 بالأنود؛ حيث ‎eda dag‏ معدنى بينهما؛ كما تتضمن عملية لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب اختراق مناطق السطح السفلي المعالج بالأنود من الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود؛ و
إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر من خلال السطح العلوي المعالج بالأنود والجزء المعدني من الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود فى المناطق المناظرة للأماكن بين المناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة؛ بينما يشتمل إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر على التخلص من السطح السفلي المعالج بالأنود من المناطق العازلة للرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بالجزء المتبقي من الرقاقة المعدنية المتبقية المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب.
و نموذج اخر من نماذج الاختراع الحالي يتعلق بخلية شمسية تتألف من: ركيزة ‎substrate‏ : يتم وضع عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب بداخل الركيزة؛ أو فوقها؛ و
0 توضع منطقة موصلة فوق عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب؛ وتتضمن المنطقة الموصلة : عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة؛ مما يوفر منطقة معدنية محببة لكل من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب؛ و توضع رقاقة معدنية في عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة؛ كما تقوم الرقاقة المعدنية التي
5 تتمتع بأجزاء معالجة بالأنود بعزل المناطق المعدنية من المناطق المعدنية المحببة المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. شرح مختصر للرسومات توضح الأشكال 21-11 مناظر لمقاطع عرضية لمراحل مختلفة لصناعة خلية شمسية؛ ‎Wy‏ ‏لتجسيد الكشف الحالى؛ حيث:
0 يوضح الشكل 1آ ‎saa)‏ مراحل تصنيع الخلية الشمسية التي تلي تكوين المناطق المعدنية المحببة الاختيارية على مناطق الباعث فوق ‎ia‏ من السطح الخلفي من ركيزة خلية شمسية؛ يوضح الشكل1 ب_بنية الشكل 11 بعد التكوين الاختياري لطبقة واقية.
يوضح الشكل ‎al‏ بنية الشكل 1 ‎d‏ بعد تكوين تجاويف الليزر فى الرقاقة المعدنية؛ و يوضح الشكل 1ه بنية الشكل 1د بعد معالجة الأسطح المكشوفة من الرقاقة المعدنية بالأنود. الشكل 2 هو مخطط انسيابى لقائمة بالعمليات المتبعة فى ‎(gaa)‏ الطرق لصناعة خلية شمسية ‎lads‏ ‏5 للشكلين 1أ-1ه ؛ ‎Bag‏ لتجسيد الكشف الحالى. توضح الأشكال 13-23 مناظرًا لمقاطع عرضية لمراحل مختلفة لصناعة خلية شمسية ‎Gs «gyal‏ لتطبيق الإعلان الحالي؛ حيث: يوضح الشكل 13 إحدى مراحل تصنيع الخلية الشمسية التي تتضمن تكوين وضع رقاقة معدنية معالجة بالأنود فوق المناطق المعدنية المحببة الاختيارية على مناطق الباعث فوق ‎oda‏ من السطح 0 الخلفي من ركيزة خلية شمسية؛ يوضح الشكل 3ب بنية الشكل 3 بعد لحم رقاقة معدنية معالجة بالأنود بالسطح الخلفي منها؛ و يوضح الشكل 3ج بنية الشكل 3ب بعد تكوين تجاويف الليزر في الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود. الشكل 4 هو مخطط انسيابى لقائمة بالعمليات المتبعة فى ‎(gaa)‏ الطرق لصناعة خلية شمسية طبقًا ‎gual 5‏ 13-23 ؛ ‎Bg‏ لتجسيد الكشف الحالي. يوضح الشكل 5 مناظرًا لمقاطع عرضية لمراحل مختلفة لصناعة خلية شمسية أخرى عن طريق التعدين باستخدام رقاقة معالجة بالأنود؛ ‎Gg‏ لتجسيد الكشف الحالى. يوضح الشكل 16 منظرًا عرضيًا لجز من خلية شمسية ذات نقاط توصيلية قائمة على الرقائق تم تكوينها على ركيزة؛ وفقًا لتجسيد الكشف الحالى. 0 يوضح الشكل 6ب منظرًا عرضيًا لجزء من خلية شمسية ذات نقاط توصيلية قائمة على الرقائق تم تكوينها على ركيزة؛ ‎Bg‏ لتجسيد الكشف الحالى.
الوصف التفصيلى:
الوصف التفصيلي التالي هو مجرد توضيح بطبيعة ‎Jad)‏ ولا يقصد به الحد من نماذج تطبيق
موضوع البحث أو تطبيق نماذج التطبيق هذه واستخداماتها. على النحو المستخدم هناء فإن كلمة
‎ast JG‏ "الخدمة كمثال على ذلك أو شاهد أو توضيح.” أي تنفيذ يُوصف هنا بأنه مثالي ليس بالضرورة أن يُفسّر على أنه يتميز بالأفضلية أو الفائدة عن غيره من التطبيقات. علاوة على ‎ld‏
‏لا توجد نية لتكون ملزمة بأي طريقة صريحة أو ضمنية مقدمة في إجراء المجال التقني؛ أو
‏المعلومات العامة؛ أو النبذة المختصرة؛ أو الوصف التفصيلى التالى.
‏تتضمن هذه المواصفات مراجع 'تطبيق واحد" أو "أحد التطبيقات". ولا يشير بالضرورة تكرار ظهور
‏عبارات ‎Jie‏ "في تطبيق واحد" أو 'في أحد التطبيقات" إلى التطبيق ذاته. وقد يُجمع بين هياكل أو
‏0 سمات أو ميزات خاصة بأي طريقة مناسبة تتماشى مع هذا الكشف. المصطلحات. تقدم الفقرة التالية تعريفات المصطلحات الموجودة في هذا الكشف وسياقها أو أيهما ‎Ly)‏ في ذلك عناصر الحماية الملحقة): 'يتضمن." هذا المصطلح مفتوح. لا يمنع هذا المصطلح؛ كما استخدم في عناصر الحماية الملحقة مزيدًا من البنية أو الخطوات.
‎slg’ 1 5‏ ل." قد يتم وصف أو المطالبة بيعنصر لحماية مكونات أو وحدات متنوعة كوحدات أو مكونات "مهيأة ل' إنجاز مهمة أو مهمات. وفي ‎Jie‏ هذه السياقات؛ يُستخدم مصطلح 'مهيأة ل" ليعني هيكلاً بالإشارة إلى أن هذه الوحدات/المكونات تتضمن هيكلاً يُنجز هذه المهمة أو المهام أثناء التشغيل. وهكذا فيمكننا القول إن الوحدة/المكوّن ‎Ligh‏ لإنجاز المهمة؛ حتى عندما لا تكون الوحدة/المكون المحدد قيد التشغيل ‎Wa‏ (ليس في وضع التشغيل/ليس نشطًا على سبيل المثال).
‏0 وعندما ‎Dis‏ أن إحدى الوحدات/الدوائر/المكونات تم 'تهيئتها" لإنجاز مهمة أو مزيد من المهمات؛ فإن ثمة نية واضحة لعدم الاستشهاد بعنوان قانون الولايات المتحدة رقم 35؛ المادة 112 الفقرة السادسة؛ لتلك الوحدة/المكون. "الأولى ‎dull‏ وما إلى ذلك. تُستخدم هذه المصطلحات؛ على النحو المستخدم ‎(la‏ كصفات للأسماء التي تسبقهاء ولا تعني ‎Gana‏ أي نوع من الترتيب ‎Jie)‏ الترتيب الزماني ‎spatial‏ والمكاني
‎temporal‏ والمنطقي ‎logical‏ وما إلى ذلك). على سبيل المثال فإن الإشارة إلى خلية شمسية "أولى" لا يعني ضمنيًا بالضرورة أن هذه الخلية الشمسية هي الخلية الشمسية الأولى في تسلسل معين؛ ‎You‏ من ذلك يستخدم المصطلح "ولا" لتمييز هذه الخلية الشمسية عن خلية شمسية أخرى ‎eo)‏ سبيل المثال خلية شمسية 'ثانية" ).
"مقترنة' - يشير الوصف التالي إلى العناصر أو العقد أو الميزات "المقترنة' معًا. ويعني المصطلح ‎did‏ على النحو المستخدم هناء ما لم ينص صراحة على خلاف ذلك؛ أن أحد العناصر/العقد/الميزات ترتبط ارتباطًا مباشرًا أو غير مباشر (أو تتواصل تواصلاً مباشرًا أو غير مباشر) بأحد العناص ر/العقد/الميزات الأخرى؛ وليس بالضرورة ‎tals)‏ ميكانيكيًا ‎mechanically‏
0 علاوة على ذلك؛ قد تُستخدم بعض المصطلحات في الوصف التالي بهدف الإشارة فقط وبالتالي ليس المقصود منها أن تكون مقيّدة. على سبيل المثال؛ تشير مصطلحات ‎Jie‏ "العلوي"؛ "السفلي”؛ 'فوق"؛ "تحت" إلى اتجاهات في المخططات المشار إليها في هذا الصدد. وتصف مصطلحات ‎Jie‏ ‏'المقدمة"؛ ‎sa gal’‏ "الخلفية"؛ "الجانب"»؛ "الخارجية" "الداخلية"؛ التوجه و/أو مكان أجزاء من عنصر ضمن إطار مرجعي ثابت ولكنه مطلق والذي تم توضيحه بالرجوع إلى النص والرسومات
5 المرتبطة به واصفًا المكون قيد المناقشة. ‎(Sarg‏ أن تتضمن هذه المصطلحات الكلمات المذكورة أعلاه على ‎dag‏ التحديد ومشتقاتها وغيرها من الكلمات ذات المضمون المماتل. فيما يلي شرح لتعدين الخلايا الشمسية باستخدام الرقائق وما ينتج عنها من خلايا شمسية. وفي الوصف التالي؛ يتم توضيح العديد من التفاصيل المعينة؛ مثل عمليات تدفق العمليات المعينة؛ بهدف توفير فهم شامل لنماذج تطبيق الإعلان الحالي. سيكون من الواضح لأي شخص ماهر في
0 هذا الفن أن نماذج تطبيق الإعلان الحالي يمكن ممارستها دون هذه التفاصيل المحددة. وفي نماذج أخرى؛ لا يتم وصف تقنيات التصنيع المعروفة؛ مثل تقنيات الطباعة على الحجر والتصميم وفق نمط معين؛ بشكل تفصيلي بهدف عدم حجب نماذج تطبيق الإعلان الحالي دون ضرورة لذلك. وعلاوة على ذلك؛ يجب استيعاب أن نماذج التطبيق المختلفة الموضحة في الأشكال هي نماذج توضيحية ولم يتم رسمها بشكل مطابق للأبعاد الفعلية.
تم الكشف في هذا المستند عن طرق تصنيع الخلايا الشمسية. في أحد التجسيدات؛ تتضمن طريقة تصنيع خلية شمسية تكوين عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب بداخل ركيزة أو أعلاها. وتتضمن الطريقة أيضًا التصاق رقاقة معدنية بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. كما تتضمن الطريقة الإزالة بالليزر فقط من خلال جزءٍ الرقاقة المعدنية في المناطق المناظرة للمواقع بين المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. كذلك؛
تتضمن الطريقة؛ ‎Lad‏ يلي الإزالة بالليزر» معالجة الرقاقة المعدنية بالأيونات لعزل مناطق الرقاقة المعدنية المتبقية المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. وفي تجسيد آخرء تتضمن طريقة تصنيع خلية شمسية تكوين عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب بداخل ركيزة أو أعلاها. وتتضمن الطريقة أيضًا لصق الرقاقة
0 المعدنية معالجة بالأنود بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب»؛ بحيث تتمتع الرقاقة المعدنية ‎dallas‏ بالأنود بسطح علوي معالج بالأنود وسطح سفلي معالج بالأنود مع وجود £3 معدني فيما بينهما. يتضمن لصق الرقاقة المعدنية معالجة بالأنود بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب اختراق مناطق السطح السفلي المعالج بالأنود في الرقاقة المعدنية معالجة بالأنود. كما تتضمن الطريقة الإزالة بالليزر من خلال السطح العلوي المعالج بالأنود والجزء
5 المعدني من الرقاقة المعدنية معالجة بالأنود الموجودة في المناطق المناظرة للمواقع بين المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. تتخلص عملية الإزالة بالليزر من السطح السفلي المعالج بالأنود الموجود في الرقاقة المعدنية معالجة بالأنود التي تعزل ما تبقى من الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. تم الكشف أيضًا في هذا المستند عن الخلايا الشمسية. في أحد التجسيدات؛ تتضمن خلية شمسية
0 إحدى الركائز. ويتم وضع عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب بداخل الركيزة أو فوقها. كما توضع منطقة موصلة فوق عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. تتضمن المنطقة الموصلة عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة؛ مما يوفر منطقة معدنية محببة لكل من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. توضع رقاقة معدنية في عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة؛ وتقوم الرقاقة المعدنية التي تتمتع بأجزاء
معالجة بالأنود بعزل المناطق المعدنية من المناطق المعدنية المحببة المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. يشير تجسيد واحد أو أكثر من التجسيدات الموضحة في هذا المستند إلى التعدين القائمة على معالجة المعادن (مثل الألومنيوم ‎(aluminum‏ بالأنود 8000281010 المستخدمة لتعدين الخلايا الشمسية. في أحد التجسيدات؛ يتم الكشف عن عملية تعدين الألومنيوم المستخدمة مع الخلايا الشمسية ذات المناطق الموصلة المتشابكة ‎+(IBC) interdigitated back contact‏ في أحد التجسيدات؛ يتم الكشف عن أسلوب المعالجة بالأنود وما يلي ذلك من عمل تجاويف بالليزر. في الجانب الأول؛ توفر عملية صناعة تجاويف بالليزر وما يليها من معالجة بالأنود نمطا جديدًا للقطب الموجب المستخدم مع الخلايا الشمسية القائمة على تقنية ‎IBC‏ التي تستخدم معالجة الليزر 0 والأنود لرقاقة الألومنيوم ‎(Alaluminum‏ (التي تم لحمها بالخلية باستخدام الليزر) لتكوين منطقة موصلة عبارة عن أصابع متشابكة. ويمكن تنفيذ الأسلوب الأول لتوفير طريقة لا يتبعها أي ‎Call‏ عند رسم نقوش على رقاقة الألومنيوم؛ ومن ثم تجنب المحاذاة شديدة التعقيد و/أو عمليات الإخفاء . ومطابقة لما هو موضح أعلاه في الجانب الأول؛ توضح الأشكال 1أ-1ه مناظرًا لمقاطع عرضية 5 لمراحل مختلفة لصناعة خلية شمسية؛ ‎By‏ لتطبيق الإعلان الحالي. الشكل 2 هو مخطط انسيابي لقائمة بالعمليات المتبعة في ‎(gaa)‏ الطرق لصناعة خلية شمسية طبقًا للشكلين 1أ-1ه؛ ‎Bag‏ ‏لتجسيد الكشف الحالي. يوضح الشكل 1 إحدى مراحل تصنيع الخلية الشمسية التي تلي تكوين المناطق المعدنية المحببة الاختيارية على مناطق الباعث فوق جزء من السطح الخلفي من ركيزة خلية شمسية. وبالإشارة إلى 0 الشكل 11 والعملية المناظرة رقم 202 في المخطط الانسيابي 200؛ يتم تكوين عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب فوق ركيزة. ‎dag og‏ التحديد؛ يتم وضع الركيزة 100 فوق المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 104؛ كما يتم وضع المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 106 على مادة ‎dad)‏ عازلة للكهرياء 102؛ حيث يتم استخدامها كمادة متداخلة بين المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 104
والمناطق شبه الموصلة ‎semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب 106« على التوالي» وعلى الركيزة 100. تتمتع الركيزة 100 بسطح استقبال الضوءء 101 على الجانب المقابل للسطح الخلفي؛ الذي يتكون أعلاه المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 104 والمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 106.
في أحد نماذج التطبيق» الركيزة 100 هي ركيزة سيليكون أحادية البللورات ‎monocrystalline‏ ‎silicon substrate‏ ¢ مثل ركيزة مصنوعة بالكامل من السيليكون أحادي البللورات مُنشطة بالنوع السالب. ومع ذلك يجب استيعاب أن الركيزة 100 قد تكون طبقة ‎cle‏ مثل طبقة السيليكون متعدد البلورات؛ تم إعدادها على ركيزة خلية شمسية عامة. وفي أحد التجسيدات؛ تون طبقة العزل الكهرباتي الرقيقة ‎thin dielectric layer‏ 102 عبارة عن طبقة أكسيد ‎oxide layer‏ نفقية
0 تتمتع بسمك 2 نانومتر أو أقل. في أحد هذه التجسيدات؛ يشير المصطلح ‎dal‏ نفقيّة عازلة للكهرياء ‎tunneling dielectric layer‏ " إلى طبقة عازلة للكهرياء رفيعة جدّا؛ ‎(Kang‏ من خلالها توصيل الكهرياء. كما يمكن أن يتم التوصيل بسبب النفق و/أو وجود مناطق صغيرة ‎Ble‏ عن وصلة مادية مباشرة عبر نقاط رفيعة في الطبقة العازلة للكهرياء. في أحد التجسيدات؛ تكون/تتضمن الطبقة النفقيّة العازلة للكهرياء طبقة رقيقة من أكسيد السليكون ‎thin silicon‏
‎.oxide layer 5‏ في أحد التجسيدات؛ يتم تكوين المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب رقم 104 و106؛ على التوالي؛ من خلال تكون السليكون متعدد الكريستالات؛ باستخدام أداة ترسب البخار الكيميائي المعزز بالبلازما ‎plasma-enhanced chemical vapor deposition‏ ‎(PECVD)‏ مثلاً. في هذا التجسيد؛ يتم تطعيم المناطق السالبة من باعث السليكون متعدد
‏0 الكرستالات ‎polycrystalline silicon emitter regions‏ 104 بشوائب من نوع سالب؛ ‎Jie‏ ‏الفسفور ‎phosphorus‏ كما يتم تطعيم المناطق الموجبة من باعث السليكون متعدد الكرستالات 6 بشوائب من نوع موجب؛ مثل البورون ‎boron‏ كما هو مبيّن في الشكل ‎AL‏ قد يتم تكوين خنادق ‎Lud 108 trenches‏ بين المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب» رقم 104 و106؛ وتمتد الخنادق 108 بشكل جزئي في الركيزة 100. وبالإضافة إلى ذلك؛ في أحد
‏5 التجسيدات؛ يتم تكوين طبقة طلاء 110 مضادة للانعكاس ‎bottom anti-reflective‏ layer ‏في القاع أو طبقة واقية أخرى (مثل طبقات السليكون غير متبلورة‎ (BARC) coating
104 ‏على المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب»؛ رقم‎ (amorphous silicon
و106؛ كما هو مبيّن في الشكل 1 .
في أحد التجسيدات؛ يكون سطح استقبال الضوءء 101 عبارة عن سطح استقبال ضوءٍ نسيجي؛ كما هو مبيّن في الشكل 1آ . في أحد التجسيدات؛ تستخدم ‎Sale‏ تنميش رطبة قائمة على الهيدروكسيد
لتشكيل سطح استقبال ‎egal)‏ 101 في الركيزة 100« وريما ينطبق الأمر ذاته على أسطح التمديد
8 أيضًاء كما هو مبيّن في الشكل 1أ. ويجب مراعاة أنه قد يختلف التوقيت الذي يتم فيه ‎A‏
سطح استقبال الضوء. على سبيل المثال؛ قد يتم تكوين النقش قبل؛ أو ‎cam‏ الطبقة العازلة للكهرباء
الرفيعة 102. في أحد التجسيدات؛ قد يكون أحد الأسطح المنقوشة له وجه مُشكل منتظم أو غير
0 متتظم لغرض تناثر الضوء الواردء مما يقلل حجم الضوءٍ المُنعكس من سطح استقبال الضوء 101 في الخلية الشمسية. وبالإشارة مرة أخرى إلى الشكل 1أ؛ قد تتضمن التجسيدات الإضافية تكوين طبقة عازلة و/أو طبقة طلاء مضادة للانعكاس ‎(ARC) anti-reflective coating‏ (يُشار إليها إجمالاً بالطبقة 112) على سطح استقبال الضوء 101. ويجب مراعاة أنه قد يختلف التوقيت الذي يتم فيه تكوين طبقة عازلة و/أو طبقات ‎ARC‏
5 وبالإشارة مرة أخرى إلى الشكل 11 والشكل الحالي المناظر للعملية الاختيارية 204 في المخطط الانسيابي 200؛ يتم تكوين عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة 114 لتوفير منطقة معدنية محببة على كل المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب؛ رقم 104 و106؛ على التوالي. تشكل المناطق المعدنية المحببة 114 اتصالاً مباشرًا مع المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب»؛ رقم 104 و106.
0 في أحد التجسيدات؛ تكون المناطق المحببة المعدنية ‎metal seed regions‏ 114 عبارة عن مناطق ألومنيوم ‎aluminum regions‏ في هذا التجسيد؛ تتمتع جميع مناطق الألومنيوم بسمك ذي نطاق يتراوح بين 0.3 و20 ميكرون تقريبًا؛ كما أنها تتمتع بنسبة من الألومنيوم تزيد عن 7 تقريبًا ونسبة من السليكون تتراوح بين %2-0 تقريبًا. في تجسيدات أخرى؛ تتضمن المناطق المحببة المعدنية 114 ‎Gare‏ مثل النيكل ‎nickel‏ أو السيلفر ‎silver‏ أو الكويالت ‎cobalt‏ أو
5 التنجستين 100051807 ؛ وذلك على سبيل المثال لا الحصر.
يوضح الشكل 1ب بنية الشكل 1 بعد التكوين الاختياري لطبقة واقية: وبالإشارة إلى الشكل ‎col‏ ‏على ‎dag‏ التحديد؛ يتم تكوين طبقة عازلة 116 على عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة 4. في أحد التجسيدات»؛ تكون الطبقة العازلة 116 عبارة عن نيتريد السيليكون ‎silicon‏ ‏56 في طبقة معدنية ‎Material layer‏ من أوكسي نيتريد السيليكون ‎silicon oxynitride‏ 5 . يوضح الشكل 1ج بنية الشكل 1ب بعد التصاق رقاقة معدنية بالسطح الخلفي منها. ويالإشارة إلى الشكل 1ج والعملية المناظرة 206 في المخطط الانسيابي 200؛ يتم لصق الرقاقة المعدنية 8 بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب من خلال ريط أجزاء الرقاقة المعدنية 8 بشكل مباشر مع الأجزاء المناظرة لها في كل المناطق المعدنية المحببة 114. في هذا 0 التجسيد؛ تتضمن عملية ريط أجزاء ‎BEY‏ المعدنية 118 بشكل مباشر مع الأجزاء المناظرة لها في كل المناطق المعدنية المحببة 114 تكوين لحام معدني 120 في جميع هذه المواقع؛ كما هو مبيّن في الشكل 1ج. في تجسيد آخرء يتم استخدام مكان في المناطق المحببة المعدنية 114؛ وهو عبارة عن طبقة محببة معدنية؛ بحيث لا يحدث نقش خلال هذه المرحلة. في هذا التجسيد؛ قد يتم نقش الطبقة المحببة المعدنية في عملية ‎pind)‏ على سبيل المثال؛ عملية حفر اللحام القائم على الهيدروكسيد ‎.hydroxide-based wet etching‏ في أحد التجسيدات؛ تكون الرقاقة المعدنية 118 عبارة عن رقاقة ألومنيوم ‎(Al)‏ تتمتع بسمك يتراوح بين 100-5 ميكرون ‎(Gui‏ علمًا بأن الشمك المفضل يتراوح بين 100-50 ميكرون تقريبًا. في أحد التجسيدات؛ تكون رقاقة الألومنيوم عبارة عن رقاقة سبيكة ألومنيوم ‎aluminum alloy foil‏ ؛ تتضمن الألومنيوم وعنصرًا آخر؛ مثل النحاس ‎copper‏ أو المنغنيز ‎manganese‏ أو السليكون ‎silicon 20‏ أو المغنيسيوم ‎magnesium‏ أو الزنك ‎zinc‏ أو القصدير ‎tin‏ أو الليثيوم ‎lithium‏ أو مكوناتهاء وذلك على سبيل المثال لا الحصر. في أحد التجسيدات؛ تكون رقاقة الألومنيوم عبارة عن رقاقة من فئة لينة؛ مثل الفئة ‎F grade‏ (مُصنع) أو الفئة © (ناعم تمامًا ‎(full soft‏ أو الفئة ‎H‏ (مقوي بالضغط ‎(strain hardened‏ أو الفئة ‎T‏ (معالج بالحرارة ‎(heat treated‏ وذلك على سبيل المثال لا الحصر.
في أحد التجسيدات؛ تلتصق الرقاقة المعدنية 118 بشكل مباشر مع عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة 114( عن طريق استخدام طريقة ‎Jie‏ اللحام بالليزر ‎laser welding‏ أو الضغط الحراري ‎thermal compression‏ أو الريط بالموجات فوق الصوتية ‎Ultrasonic bonding‏ في أحد التجسيدات؛ يتم تضمين الطبقة العازلة الاختيارية 116 بالإضافة إلى الرقاقة المعدنية اللاصقة ‎adhering the metal foil‏ 118 إلى عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة 114
حيث اختراق مناطق الطبقة العازلة ‎insulating layer‏ 116؛ كما هو مبيّن في الشكل ‎zl‏ ‏وبجب مراعاة أنه قد يتم تنفيذ طريقة تخلو من استخدام المناطق المحببة؛ وذلك ‎Bg‏ لتجسيد ‎AT‏ ‏وفي هذه الطريقة؛ لا يتم تكوين المناطق المعدنية المحببة 114؛ ولكن يتم لصق الرقاقة المعدنية 8 مباشرة في المادة التي تتكون منها المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب؛ رقم
0 104 و106. على سبيل المثال؛ في ‎aa‏ التجسيدات؛ تلتصق الرقاقة المعدنية 118 مباشرة بمناطق السليكون متعدد الكريستالات ‎polycrystalline silicon regions‏ من النوعين الموجب والسالب. يوضح الشكل 1د بنية الشكل 1ج بعد تكوين تجاويف الليزر في الرقاقة المعدنية. وبالإشارة إلى الشكل 1د والعملية المناظرة 208 من المخطط الانسيابي 200؛ تتم إزالة الرقاقة المعدنية 118
5 عن طريق إجراء قطع بالليزر فقط في جزء الرقاقة المعدنية 118 عند المناطق المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب»؛ رقم 104 و106؛ كما هو مبيّن في الشكل 1د. تؤدي عملية الإزالة عن طريق القطع بالليزر إلى تشكيل التجاويف ‎grooves‏ 122 التي تمتد بشكل جزئي؛ وليس بشكل كامل؛ إلى الرقاقة المعدنية 118. في أحد التجسيدات؛ يتضمن تكوين تجاويف الليزر 122 إجراء إزالة عن طريق القطع بالليزر
0 لرقاقة المعدنية 118( وذلك بشمك يتراوح بين 7099-80 تقريبًا من الشمك الإجمالي للرقاقة المعدنية 118. وبعبارة أخرى؛ في أحد التجسيدات؛ من الضروري جدًا ألا يتم اختراق الجزءِ السفلي من الرقاقة المعدنية 118؛ على سبيل المثال الرقاقة المعدنية 118 التي تحمي البنية الأساسية للباعث.
في أحد التجسيدات؛ يتم إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر بدون استخدام أي طبقة مستترة؛ ومع ذلك» في تجسيدات أخرى؛ يتم تكوين طبقة مستترة على ‎hn‏ من الرقاقة المعدنية 118 قبل إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر» كما تتم إزالتها بعد إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر. في هذا التجسيد؛ يتم تكوين الطبقة المستترة على أد الجزأين أو على منطقة الرقاقة بأكملها. في تجسيد آخرء تترك الطبقة المستترة في مكانها أثناء إجراء عملية المعالجة بالأنود الموضحة أدناه.
في أحد التجسيدات؛ لا تتم إزالة الطبقة المستترة في نهاية العملية. في تجسيد ‎AT‏ لا تتم إزالة؛ على الرغم من ذلك؛ إزالة الطبقة المستترة في نهاية العملية ولكن يتم الاحتفاظ بها كطبقة واقية. يوضح الشكل 1ه بنية الشكل 1د بعد معالجة الأسطح المكشوفة من الرقاقة المعدنية بالأنود. وبالإشارة إلى الشكل 1ه ؛ والعملية المناظرة 210 من المخطط الانسيابي 200؛ تتم معالجة
0 الرقاقة المعدنية 118 المتبقية ‎cag‏ وذلك عند الأسطح المكشوفة ‎Cus‏ يتم ‎Jie‏ مناطق الرقاقة المعدنية 118 المتبقية في المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 104 و106. وعلى ‎ang‏ التحديد؛ تتم معالجة الأسطح المكشوفة من الرقاقة المعدنية 118؛ والتي تتضمن أسطح التجاويف 122 بالأنود لتكوين طلاء أكسيد 124. في الأماكن 126 المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 104 و106؛ على سبيل المثال» في
5 التجاويف 122 عند المناطق أعلى الخنادق 108 تتم معالجة كل السمك المتبقي في ‎BEN‏ ‏المعدنية 118 بالأنود من خلال عزل مناطق الرقاقة المعدنية 118 المتبقية فوق كل المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 104 و106. في أحد التجسيدات؛ تكون الرقاقة المعدنية 118 عبارة عن رقاقة ألومنيوم؛ وتتضمن عملية معالجة الرقاقة المعدنية بالأنود تكوين أكسيد الألومنيوم في الأجزاء المكشوفة والأجزاء الخارجية مما يتبقى
من ‎BEY‏ المعدنية 118. في هذا التجسيد؛ تتضمن معالجة رقاقة الألومنيوم بالأنود ‎anodizing‏ ‎the aluminum foil‏ إجراء ‎dallas‏ بالأنود على الأسطح المكشوفة من رقاقة الألومنيوم؛ وذلك بعمق يتراوح بين 20-1 ميكرون تقريبًا؛ علمًا بأن العمق المفضل يتراوح بين 20-5 ميكرون تقريبًا. في أحد التجسيدات»؛ لإجراء عزل كهربائي لمنطقة التلامس مع الرقاقة المعدنية 118؛ تتم إجراء عملية معالجة كاملة بالأنود لجزاء الرقاقة المعدنية 118 الموجود أسفل تجاويف الليزر
‎laser grooves 25‏ 122؛ كما هو مبيّن في الشكل 1ه. في أحد التجسيدات؛ يمكن إجراء الفتحات
8 في أجزاء طلاء الأكسيد 124؛ كما هو مبيّن أيضًا في الشكل 1ه ؛ حتى يحدث تلامس
بمناطق معينة في الرقاقة المعدنية 118.
وبالإشارة مرة ‎(gal‏ إلى الشكل 1ه ؛ في تجسيد آخر» بدلاً من إجراء معالجة بالأنود للرقاقة
المعدنية لعزل أجزاء الرقاقة المعدنية» يتم حفر الرقاقة المعدنية لعزل أجزاء الرقاقة المعدنية. في هذا التجسيد؛ يبيّن الشكل 1د ‎Sale‏ تنميش رطبة. وعلى الرغم من أن ‎sale‏ التنميش الرطبة تحفر جميع
الأجزاء المكشوفة في الرقاقة المعدنية؛ إلا أنه يلزم استخدام عملية حفر ذات توقيت دقيق لاختراق
الأجزاء السفلية من تجاويف الليزر 122 بدون تقليل ‎clad‏ المناطق الخالية من التجاويف في
الرقاقة المعدنية. وفي تجسيد معين؛ يتم استخدام مادة تنميش قائمة على هيدروكسيد البوتاسيوم
‎(KOH)potassium hydroxide‏ أو هيدروكسيد ‎oly‏ ميثيل الأمونيوم
‎((TMAH)tetramethylammonium hydroxide | 0‏ وذلك على سبيل المثال لا الحصر. ومن جانب آخرء تتضمن عملية ‎shal‏ معالجة بالأنود وطريقة الحفر بالليزر التالية زرع الرقاقات المعالجة بالأنود باستخدام أكسيد الألومنيوم المعالج بالأنود ‎anodized aluminum oxide‏ ‎((AAO)‏ وذلك باعتبارها منطقة إسقاط الليزر. وبعد ذلك؛ يتم الاحتفاظ بمنطقة الإسقاط لتوفير منطقة عازلة كهربية للخلية الشمسية الأخيرة.
‏5 ومطابقة لما هو موضح أعلاه في الجانب ‎AY)‏ توضح الأشكال 1-323 مناظرًا لمقاطع عرضية لمراحل مختلفة لصناعة خلية شمسية؛ ‎By‏ للتجسيد الآخر للكشف الحالي. الشكل 4 هو مخطط انسيابي لقائمة بالعمليات المتبعة في إحدى الطرق لصناعة خلية شمسية طبقًا للشكلين 3ج 3 وفقًا لتجسيد الكشف الحالي. يوضح الشكل 3 إحدى مراحل تصنيع الخلية الشمسية التي تتضمن تكوين وضع رقاقة معدنية
‏0 معالجة بالأنود فوق المناطق المعدنية المحببة الاختيارية على مناطق الباعث فوق ‎oda‏ من السطح الخلفي من ركيزة خلية شمسية. وبالإشارة إلى الشكل 13 والعملية المناظرة رقم 402 في المخطط الانسيابي 400؛ يتم تكوين عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب فوق ركيزة. وعلى وجه التحديد؛ يتم وضع الركيزة 300 فوق المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 304؛ كما يتم وضع المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 306
على مادة ‎dad)‏ عازلة للكهرياء ‎thin dielectric layer‏ 302؛ حيث يتم استخدامها كمادة متداخلة بين المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 304 والمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 306 على التوالي؛ وعلى الركيزة 300. تتمتع الركيزة 300 بسطح استقبال الضوء 301 على الجانب المقابل للسطح الخلفي؛ الذي يتكون أعلاه المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسائب 304 والمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب
56. في أحد نماذج التطبيق» الركيزة 300 هي ركيزة سيليكون أحادية البللورات ‎monocrystalline‏ ‎silicon substrate‏ ¢ مثل ركيزة مصنوعة بالكامل من السيليكون أحادي البللورات مُنشطة بالنوع السالب. ومع ذلك يجب استيعاب أن الركيزة 300 قد تكون طبقة ‎cle‏ مثل طبقة السيليكون متعدد
0 البلورات؛ تم إعدادها على ركيزة خلية شمسية عامة. وفي أحد التجسيدات؛ تون طبقة العزل الكهربائي الرقيقة 302 عبارة عن طبقة أكسيد نفقية تتمتع بسمك 2 نانومتر أو أقل. في أحد هذه التجسيدات؛ يشير المصطلح "طبقة نفقيّة عازلة للكهرباء" إلى طبقة عازلة للكهرباء رفيعة جدّاء ‎(Say‏ من خلالها توصيل الكهرباء. كما يمكن أن يتم التوصيل بسبب النفق و/أو وجود مناطق صغيرة عبارة عن وصلة ‎Lake‏ مباشرة عبر نقاط رفيعة في الطبقة العازلة ‎insulating layer‏
5 للكهرياء. في أحد التجسيدات؛ تكون/تتضمن الطبقة النفقيّة العازلة للكهرياء طبقة ‎dad)‏ من أكسيد السليكون ‎.thin silicon oxide layer‏ في أحد التجسيدات؛ يتم تكوين المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب رقم 304 و306؛ على التوالي؛ من خلال تكون السليكون متعدد الكريستالات؛ باستخدام أداة ترسب البخار الكيميائي المعزز بالبلازما ‎plasma-enhanced chemical vapor deposition‏
‎(PECVD) 0‏ مثلاً. في هذا التجسيد؛ يتم تطعيم المناطق السالبة من باعث السليكون متعدد ‎ci bin SI)‏ 304 بشوائب من نوع سالب؛ مثل الفسفور. كما يتم تطعيم المناطق الموجبة من باعث السليكون متعدد الكريستالات 306 بشوائب من نوع موجب؛ مثل البورون ‎.boron‏ كما هو مبيّن في الشكل 3أ؛ قد يتم تكوين خنادق 308 ‎Lad‏ بين المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب»؛ رقم 304 و306؛ وتمتد الخنادق 308 بشكل جزئي في الركيزة 300.
في أحد التجسيدات؛ يكون سطح استقبال الضوءء 301 عبارة عن سطح استقبال ضوءٍ نسيجي؛ كما
هو مبيّن في الشكل 3ا. في أحد التجسيدات؛ تستخدم مادة تنميش رطبة قائمة على الهيدروكسيد لتشكيل سطح استقبال ‎egal)‏ 301 في الركيزة 300؛ وريما ينطبق الأمر ذاته على أسطح التمديد
8 أيضًاء كما هو مبيّن في الشكل 3ا. ويجب مراعاة أنه قد يختلف التوقيت الذي يتم فيه ‎A‏ ‏5 سطح استقبال الضوء. على سبيل المثال؛ قد يتم تكوين النقش قبل؛ أو ‎cam‏ الطبقة العازلة للكهرباء
الرفيعة 302. في أحد التجسيدات؛ قد يكون أحد الأسطح المنقوشة له وجه مُشكل منتظم أو غير منتظم لغرض تناثر الضوء الوارد؛ مما يقلل حجم الضوء المُنعكس من سطح استقبال الضوء 301
في الخلية الشمسية. وبالإشارة مرة أخرى إلى الشكل 3ا ؛ قد تتضمن التجسيدات الإضافية تكوين طبقة عازلة و/أو طبقة طلاء مضادة للانعكاس ‎(ARC) anti-reflective coating‏ (يُشار إليها
0 إجمالاً بالطبقة 312) على سطح استقبال الضوء 301. ويجب مراعاة أنه قد يختلف التوقيت الذي يتم فيه تكوين طبقة عازلة و/أو طبقات ‎ARC‏ ‏وبالإشارة مرة أخرى إلى الشكل 13 والشكل الحالي المناظر للعملية الاختيارية 404 في المخطط الانسيابي 400؛ يتم تكوين عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة 314 لتوفير منطقة معدنية محببة على كل المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب؛ رقم 304 و306؛ على
التتوالي. تشكل المناطق المعدنية المحببة 314 اتصالاً مباشرًا مع المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب ‎cally‏ رقم 304 و306. في أحد التجسيدات؛ تكون المناطق المحببة المعدنية 314 عبارة عن مناطق ألومنيوم ‎٠‏ في هذا التجسيد؛ تتمتع جميع مناطق الألومنيوم بسمك ذي نطاق يتراوح بين 0.3 و20 ميكرون ‎cli‏ كما أنها تتمتع بنسبة من الألومنيوم تزيد عن 9697 تقريبًا ونسبة من السليكون تتراوح بين 962-0
0 تقريبًا. في تجسيدات ‎(gal‏ تتضمن المناطق المحببة المعدنية 314 ‎Jie Bare‏ النيكل ‎nickel‏ أو السيلفر ‎silver‏ أو الكويالت ‎cobalt‏ أو التنجستين ‎tungsten‏ ؛ وذلك على سبيل المثال لا الحصر. وبالإشارة مرة أخرى إلى الشكل 3 توضع الرقاقة المعدنية معالجة بالأنود 318 فوق المناطق المحببة المعدنية 314. في أحد التجسيدات؛ تكون الرقاقة المعدنية معالجة بالأنود 318 عبارة عن
5 ,3 ألومنيوم معالجة بالأنود تتمتع بطلاء 319 عبارة عن أكسيد الألومنيوم ‎aluminum oxide‏
الذي يتكون في هذه المنطقة. في هذا التجسيد؛ تتمتع رقاقة الألومنيوم المعالجة بالأنود 318 بسمك تتراوح قيمته الإجمالية بين 100-5 ميكرون تقريبًا؛ ‎Gale‏ بأن النطاق المفضل يتراوح بين 100-50 ميكرون؛ حيث يشكل السطح العلوي المعالج بالأنود ‎A319‏ والسطح السفلي المعالج بالأنود 319ب ‎Kaw‏ يتراوح بين 20-1 ميكرون ‎(Gi‏ علمًا بأن النطاق المفضل يتراوح بين 5- ميكرون. وذلك؛ في أحد التجسيدات؛ تتمتع الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 بسطح علوي معالج بالأنود (الطلاء 1319( وسطح سفلي معالج بالأنود (الطلاء 319ب)؛ حيث توجد منطقة عازلة ‎Lad‏ بينهما. في أحد التجسيدات؛ تكون الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود ‎Ble‏ عن رقاقة سبيكة ألومنيوم؛ تتضمن الألومنيوم وعنصرًا ‎Jie «AT‏ النحاس أو النحاس ‎copper‏ أو المنغنيز ‎manganese‏ أو السليكون ‎silicon‏ أو المغنيسيوم ‎magnesium‏ أو الزنك ‎zinc‏ أو
0 القصدير ‎tin‏ أو الليثيوم ‎lithium‏ أو مكوناتهاء وذلك على سبيل المثال لا الحصر. في أحد التجسيدات؛ تكون الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود عبارة عن رقاقة ألومنيوم معالجة بالأنود من فئة لينة؛ مثل الفئة © (مُصنع) أو الفئة © (ناعم تمامًا) أو الفئة ‎H‏ (مقوى بالضغط) أو الفئة 1 (معالج بالحرارة)؛ وذلك على سبيل المثال لا الحصر. يوضح الشكل 3ب بنية الشكل 13 بعد لحم رقاقة معدنية معالجة بالأنود بالسطح الخلفي منها.
5 وبالإشارة إلى الشكل 3ب والعملية المناظرة 406 في المخطط الانسيابي 400؛ يتم لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسائلب 304 و306 من خلال ربط أجزاء الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 بشكل مباشر مع الأجزاء المناظرة لها في كل المناطق المعدنية المحببة 314. في هذا التجسيدء تتضمن عملية ريط أجزاء الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 بشكل مباشر مع الأجزاء المناظرة لها في كل المناطق المعدنية
0 المحببة 314 تكوين لحام معدني 320 في جميع هذه المواقع؛ كما هو مبيْن في الشكل 3ب. وفي تجسيد معين؛ يتم جعل الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 مسطحة على السطح الخلفي من نظام التفريغ و اللحام بالليزر ‎laser welding‏ على الطبقة المحببة المعدنية بعد مصفوفة لحام النقاط. في أحد التجسيدات؛ تلتصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 مع عدد وفير من المناطق
5 المعدنية المحببة 314 عن طريق استخدام طريقة مثل اللحام بالليزر أو الضغط الحراري أو الريط
بالموجات فوق الصوتية. في أحد التجسيدات؛ يؤدي لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 على عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة 314 إلى اختراق طلاء الأكسيد بالسطح السفلي ‎S319‏ هو مبيّن في الشكل دآب. في أحد التجسيدات؛ (غير موضح بالشكل؛ ولكنه يشبه الوصف المبيّن في الشكل ‎(Ql‏ قبل
لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 على عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة 314 كما يتم تكوين طبقة عازلة على عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة 314. في هذا التجسيد؛ يؤدي لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 314 على عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة 4 إلى اختراق المناطق المتداخلة مع الطبقة العازلة ‎Jinsulating layer‏ ‎Canny‏ مراعاة أنه قد يتم تنفيذ طريقة تخلو من استخدام المناطق المحببة؛ وذلك ‎Bg‏ لتجسيد ‎AT‏
0 وفي هذه الطريقة؛ لا يتم تكوين المناطق المعدنية المحببة 314؛ ولكن يتم لصق الرقاقة المعدنية 8 مباشرة في المادة التي تتكون منها المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب؛ رقم 4 و306. على سبيل المثال؛ في أحد التجسيدات؛ تلتصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 8 مباشرة بمناطق السليكون متعدد الكريستالات من النوعين الموجب والسالب. في هذا التجسيد؛ تتضمن العملية اختراق طلاء الأكسيد ‎oxide coating‏ بالسطح السفلي 319ب.
5 يوضح الشكل 3ج بنية الشكل 3ب بعد تكوين تجاويف الليزر في الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود. وبالإشارة إلى الشكل 3ج والعملية المناظرة 408 من المخطط الانسيابي 400 تتم إزالة الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 عن طريق القطع بالليزر من خلال السطح العلوي المعالج بالأنود 1319 ‎ally‏ المعدني الأوسط من الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 في المناطق المناظرة للمواقع بين المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 304 3065
0 على سبيل ‎(Jbl‏ فوق مواقع الخندق 308؛ كما هو مبيّن في الشكل 3ج . تتخلص عملية الإزالة بالليزر من السطح السفلي المعالج بالأنود 319ب الموجود في الرقاقة المعدنية معالجة بالأنود 8 التي تعزل ما تبقى من الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب.
وبالمثل؛ تؤدي عملية الإزالة عن طريق القطع بالليزر إلى تشكيل التجاويف 322 التي تمتد بشكل جزئي؛ وليس بشكل كامل؛ إلى الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318. في أحد التجسيدات؛ من الضروري ألا يتم اختراق السطح السفلي المعالج بالأنود 319ب من الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318؛ على سبيل المثال؛ تقوم الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بحماية البنية الأساسية
للباعث. ولذلك؛ يتم التحكم بدقة في عمق التجويف بحيث يستقر في طبقة الأكسيد أسفل رقاقة الألومنيوم المعالجة بالأنود بدون القطع بشكل تام. في أحد التجسيدات؛ يتم إجراء الإزالة عن ‎Gob‏ ‏القطع بالليزر بدون استخدام أي طبقة مستترة؛ ومع ذلك؛ في تجسيدات ‎(AT‏ يتم تكوين طبقة مستترة على ‎gia‏ من الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 قبل إجراء الإزالة عن ‎Gob‏ القطع بالليزر » كما تتم إزالتها بعد إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر.
0 في أحد التجسيدات»؛ تتضمن أيضًا الطريقة الموضحة في الأشكال 3-3ج؛ قبل لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318 بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 304 و306؛ تتضمن تكوين طبقة ليزر عاكسة أو طبقة ماصة على السطح السفلي المعالج بالأنود 9ب من الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود 318. في هذا التجسيدء يتضمن إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر استخدام ليزر بتقنية الأشعة تحت الحمراء ‎(IR) infra-red‏ وتكوين طبقة
5 ليزر عاكسة أو ‎dale‏ ذات رقاقة أرجوانية. وبشكل أكثر ‎ges‏ تجب مراعاة أن التجسيدات قد تتضمن استخدام لون الرقاقة المصممة وفقًا لنوع الليزر المستخدم. وفي هذه الطريقة؛ تم استخدام لون رقاقة لتحقيق عملية الانعكاس/الإزالة بالقطع المستهدفة. في التجسيد المعين الموصوف؛ يشير استخدام رقاقة أرجوانية إلى امتصاص لون أخصر وانعكاس لونين هما؛ الأزرق والأحمر. في أحد التجسيدات» تكون الطبقة العلوية شفافة لضوءٍ الليزر المستخدم على السطح العلوي من الرقاقة
0 المعدنية المعالجة بالأنود. ومع ذلك؛ يتم استخدام طبقة عاكسة على ‎gall‏ السفلي من سطح الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود. في تجسيد آخرء يتم تجفيف السطح السفلي من طبقة أكسيد الألومنيوم المعالج بالأنود التي يمكنها امتصاص حوالي 1685 أو أكثر من نبض الليزر. وبالإشارة مرة أخرى إلى الشكل 23 يتم استخدام الليزر لعمل نقش نهائي لرقاقة الألومنيوم المعالجة بالأنود من خلال تكوين تجاويف على هيئة أشكال متوازية أو متعامدة مع النمط المحبب.
5 تبيّن الرسوم التوضيحية أعلاه الطريقة العامة؛ كما يمكن استخدامها مباشرة لعمل تجاويف متوازية.
في تجسيد ‎AT‏ قد تستفيد الأسطح العازلة في رقاقة الألومنيوم المعالجة بالأنود من المعدن الخشن وذلك بطرقتين (1/2)؛ فمثلاً يمكن إجراء تجاويف عمودية؛ حيث يتم إنشاء نقاط تماس مع القطبية التي تم اختيارها. في هذا التجسيد؛ تمنع طبقة أكسيد الألومنيوم المعالجة بالأنود؛ والموجودة على السطح السفلي من ‎ABE‏ حدوث تحول بين أطراف الأقطاب العكسية؛ كما يتم تكوين المناطق
الموصلة للكهرياء من خلال مواضع اللحام فقط. يوضح الشكل 5 مناظرًا لمقاطع عرضية لمراحل مختلفة لصناعة خلية شمسية أخرى عن طريق التعدين باستخدام رقاقة معالجة بالأنود؛ وفقًا لتجسيد الكشف الحالي. بالرجوع إلى الجزء (أ) من الشكل 5؛ يتم ملء رقاقة الألومنيوم المعالجة بالأنود 518 بالركيزة 500 التي تتمتع بقطبية المناطق المحببة المعدنية 514 التي تنتمي إليها. وبالرجوع إلى الجزء (ب) من الشكل 5؛ يتم
0 إجراء اللحام لإنشاء نقاط اللحام 520 التي تلصق بالرقاقة 518 بالمنطقة المحببة المعدنية 514. وبالرجوع إلى ‎edad‏ (ج) من الشكل 5؛ يتم إنشاء نمط الليزر للحصول على تجاويف الليزر 522. في أحد التجسيدات؛ تكون تجاويف النمط عمودية مع نمط المناطق المحببة المعدنية 514. في أحد التجسيدات»؛ تتوقف عملية إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر على سطح سفلي معالج بالأنود في الرقاقة المعدنية 518.
5 ويمكن استخدام التجسيدات الموضحة هنا لصناعة خلايا شمسية. في بعض التجسيدات؛ بالإشارة إلى الشكلين 1ه و3ج ؛ تتضمن إحدى الخلايا الشمسية الكثير من المناطق شبه الموصلة السالبة (104 أو 304) والموجبة (106 أو 306) فوق الركيزة 100 أو 300. كما توضع منطقة موصلة فوق عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. تتضمن المنطقة الموصلة الكثير من المناطق المعدنية المحببة 114 أو 314؛ مما يوفر منطقة معدنية محببة لكل
0 .من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. توضع الرقاقة المعدنية 118 أو 318 على الكثير من المناطق المعدنية المحببة. تتمتع الرقاقة المعدنية 118 أو 318 بأجزاء معالجة بالأنود 124 أو 319 في المناطق المعدنية العازلة بالرقاقة المعدنية 118 أو 318 المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. في هذا التجسيد؛ تكون جميع الأسطح المكشوفة في الرقاقة المعدنية 118 أو 113 معالجة بالأنود. ومع ذلك؛ في تجسيد ‎AT‏ قد تتكون
5 فتحات )128 مثلاً) في الجزء المعالج بالأنود من المنطقة الموصلة المعدنية؛ كما هو موضح في
الجزءه ذي الصلة بالشكل 1ه . وفي تجسيد آخرء تتم معالجة الرقاقة بالأنود قبل إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر؛ ولا يتم إجراء عملية المعالجة بالأنود التالية. في هذا التجسيد؛ قد توجد أسطح مكشوفة في تجاويف الليزر غير المعالجة بالأنود 322؛ كما هو مبيّن في الشكل 3ج. في أحد التجسيدات»؛ تكون الركيزة 100 أو 300 عبارة عن ركيزة موجبة من السليكون أحادي الكررستالات؛ وبتم وضع الكثير من المناطق شبه الموصلة السالبة )104 أو 304) أو الموجبة (106 أو 306( في السليكون متعدد الكريستالات؛ وذلك أعلى الركيزة. في تجسيد ‎AT‏ تكون الركيزة عبارة عن ركيزة من السليكون أحادي الكرستالات؛ كما يتم تكوين مناطق شبه موصلة من النوعين الموجب والسالب في ركيزة من السليكون متعدد الكريستالات. في المثال الأول يوضح الشكل 16 منظرًا عرضيًا ‎iad‏ من خلية شمسية ذات نقاط توصيلية قائمة 0 على الرقائق تم تكوينها على ركيزة؛ وفقًا لتجسيد الكشف الحالي. بالإشارة إلى الشكل 6أ؛ تتضمن إحدى الخلايا الشمسية الكثير من المناطق شبه الموصلة السالبة 604 والموجبة 606 فوق الركيزة 50. كما توضع منطقة موصلة فوق عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. تتضمن المنطقة الموصلة عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة 614؛ مما يوفر منطقة معدنية محببة لكل من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. توضع الرقاقة 5 المعدنية 618 على الكثير من المناطق المعدنية المحببة 614. تتمتع الرقاقة المعدنية 618 بأجزاء معالجة بالأنود 624 في المناطق المعدنية العازلة بالرقاقة المعدنية 618 المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 604 و606 على التوالي. في المثال الثاني؛ يوضح الشكل 6ب منظرًا عرضيًا لجزء من خلية شمسية ذات نقاط توصيلية قائمة على الرقائق تم تكوينها على ركيزة؛ ‎By‏ لتجسيد الكشف الحالي. بالإشارة إلى الشكل 6« 0 تتضمن إحدى الخلايا الشمسية الكثير من المناطق شبه الموصلة ‎LIL‏ 654 والموجبة 656 فوق الركيزة 650. كما توضع منطقة موصلة فوق عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. تتضمن المنطقة الموصلة عدد وفير من المناطق المعدنية المحببة 004 مما يوفر منطقة معدنية محببة لكل من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. توضع الرقاقة المعدنية 668 على الكثير من المناطق المعدنية المحببة 664. تتمتع
الرقاقة المعدنية 668 بأجزاء معالجة بالأنود 669 في المناطق المعدنية العازلة بالرقاقة المعدنية
8 المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب 664 و666 على التوالي.
ومن جانب ‎AT‏ في هذا الكشف الحالي؛ توجد أعلاه تجسيدات أخرى على المفاهيم الموضحة من
خلال الأمثلة المبيّنة أعلاه. وبوجه أكثر ‎sale clases‏ ما يتطلب التوصيل العكسي للخلايا الشمسية ‎Bare 5‏ مشكلاً له نوعين من القطبية في الجانب الخلفي من الخلية الشمسية. على الرغم من عدم
توفر المعادن غير المشكلة بسبب ارتفاع التكلفة؛ أو التعقيدات أو أسباب متعلقة بالكفاءة» فإن
الأفضلية للمعادن والمواد الرخيصة التي تستخدم في معالجة الرقاقات المعدنية من خلال التشكيل
بالليزر.
وللتمتع بكفاءة أعلى؛ ثمة متطلبان للمعدن المشكل على الجانب الخلفي من الخلية الشمسية: (1)
0 عزل المعدن تمامًا و(2) المعالجة بدون حدوث تلف. وللتصنيع بمقادير كبيرة؛ قد تتطلب العملية ‎Lal‏ عملية إخراج ‎Alle‏ السعة؛ بحيث تزيد عن 500 رقاقة في الساعة. وبالنسبة للنماذج المعقدة؛ قد يؤدي استخدام الليزر لتشكيل رقاقة رفيعة (أكبر من 1 ميكرون ‎(Sie‏ أو مادة عاكسة عالية الكفاءة (الألومنيوم ‎(De‏ في أعلى السليكون؛ إلى حدوث مشكلة كبيرة أثناء التصنيع. وقد تظهر المشكلات ذات الصلة بالإنتاجية لأن الطاقة المطلوية لإجراء إزالة بالقطع لمادة رفيعة و/أو مادة
عاكسة أثناء المعدلات العالية تتطلب مستوى طاقة ليزر أعلى من حد التلف الذي ينتج عن الباعث الرئيسي (أكبر من 1 جول/سم2). ونظرًا لأهمية عزل المعدن بالكامل واختلاف السمك وطاقة ‎oll‏ عادة ما يتم الحفر بشكل زائد حتى يتم تشكيل المعدن. يظهر ذلك؛ على ‎dag‏ التحديد؛ في ‎Alla‏ عدم توفر نوافذ ذات طاقة ليزر منخفضة في أثناء الإنتاج بتكلفة عالية/منخفضة لإزالة المعدن تمامًا وعدم تعريض الباعث لتلف بفعل أشعة الليزر.
‎Gy 0‏ لتجسيد الكشف الحالي؛ يوجد وصف لطرق كثيرة لتشكيل المعادن. وعلاوة على ذلك؛ ‎Blas‏ ‏للتداخل بين عمليات التشكيل وعمليات ربط المعادن» تجب مراعاة أهمية استخدام عملية الربط أولاً أو استخدام طبعة معدنية محببة (م1) مع الطبقة المعدنية العلوية كرقاقة (م2). وكما هو موضح بمزيد من التفاصيل أدناه؛ تتيح بعض طرق الربط خيارات تشكيل متنوعة.
في أحد التجسيدات؛ يتم إجراء عمليات لصق بأطوال متنوعة بين الرقاقات (م2) حتى يتم الحصول على طبقة رفيعة معدنية محببة عن طريق التبخير (م1)؛ لوضعها أسفل رقاقة الجهاز ‎ls‏ على عملية الربط. وعلاوة على ذلك؛ تتم مراعاة أوضاع متنوعة من الأعطال أثناء اختبار عمليات اللصق. وبالنسبة للربط باستخدام الليزرء قد يعتمد ‎Jal‏ على تأثير الليزر (الطاقة لكل منطقة تركيز). في ظل التأثير المنخفض؛ يكون الالتصاق بين م1 وم2 ‎is Wana‏ وتنفصل الطبقة م2
بسهولة. ومع تزايد تأثير الليزر» تزيد قوة الالتصاق بين اللحام والرقاقة والطبقة المحببة م1 بشكل يكفي ‎JSW‏ الرقاقة أثناء عملية اللصق. وعندما يزيد تأثير الليزر بشكل أكبر؛ تتأثر المنطقة م1 وتتعرض رقاقة الجهاز م1 للكسرء قبل أن تتآكل الرقاقة أثناء اختبار التقشير. وللاستفادة من أواضع التأكل المختلفة؛ في أحد التجسيدات؛ يتم استخدام شعاع ليزر ذي حزمة واسعة أثناء إجراء
0 عملية الربط بالليزر. وقد يتمتع شعاع الليزر بكثافة أكبر (نطاق تأكل م1) عند المنطقة الخارجية؛ وكثافة أقل (نطاق تأكل م2) عند الجانب الداخلي؛ كما يحدث بعد عمليات اللحام» ‎Cus‏ توجد إمكانية لتآكل الرقاقة (م2) وكذلك الرقاقة م1؛ أثناء ترك المنطقة م2 / م1 في ظل عمليات اللحام السليمة. من جانب آخرء عند استخدام ‎sale‏ تنميش كيميائية رطبة لإجراء عزل كامل بعد عمل تجويف؛
5 يمكن تعربض منطقة م1 لمادة التنميش الرطبة لفترة طويلة. وخلال هذه الفترة؛ قد يحدث حفر غير مرغوب؛ وريما تنحشر المادة الكيميائية بين المنطقتين م1 وم2؛ في حالة عدم لحم م1 مع م2 بشكل تام. وفي كلتا الحالتين» في حالة ربط رقاقة الألومنيوم بالطبقة المحببة المعدنية باستخدام ‎dah‏ ربط غير متواصلة عبر جميع الأطراف المعدنية (على سبيل ‎(Jl)‏ انخفاض كثافة أدوات ‎call‏ مثل وجود أداة ربط واحدة كل 10 ملم)؛ قد يخترق محلول الحفر منطقة التداخل مع
0 المعدن/الرقاقة؛ متسببًا في حث غير مرغوب للأطراف م1 و/أو تجاوز أدوات ربط منطقتي م1 / ‎2a‏ ومن ثم تقديم الجهاز لأداء ضعيف. قد تتضمن طرق الربط اللحام بالليزر والضغط الحراري المحلي والريط واللحام باستخدام الموجات فوق الصوتية. ولذلك؛ لا تتوافق جميع طرق الريط مع التشكيل القائم على الحفرء وعلى ‎dag‏ التحديد»؛ أي طرق ربط ذات كثافة منخفضة؛ مثل اللحام بالليزر؛ الذي قد يشكل تحديدًا من نوع خاص.
في أحد التجسيدات؛ يمكن تنفيذ الطرق الموضحة لحل المشكلات المبينة أعلاهن والمرتبطة بمادة التنميش الرطبة؛ وذلك عن طريق حماية طبقة م1 من هجوم المواد الكيمائية عليهاء ومن ثم السماح باستخدام عمليات تشكيل قائمة على الحفر. قد تتضمن التجسيدات استخدام الحفر بالليزر كطريقة للحام مثلاًء وكذلك استخدام طريقة عمل تجاويف بالليزر ثم حفر بالمواد الكيماوية كطريقة للتشكيل؛ ومع ذلك ‎(Se‏ تطبيق هذه المفاهيم على طرق ربط غير خطية ‎gal‏ بالإضافة إلى طرق التشكيل القائمة على اللحام بالمواد الكيميائية ‎.chemical‏ ‏في هذا التجسيد الأول» توضع طبقة واقية للرقاقة على الركيزة بعد وضع الطبقة المحببة المعدنية؛ أو على الرقاقة قبل إجراء عملية اللحام باستخدام الليزر. يضمن اختيار المادة وسمكها إجراء عملية اللحام بالليزر من خلال الطبقة الواقية. قد تكون المادة مقاومة ضد معالجة الحفر بالمواد الكيمائية 0 (محلول ‎KOH solution‏ مثلاً). ومن أمثلة المواد المناسبة للاستخدام؛ على سبيل المثال لا الحصرء المواد اللاصقة أو البوليمر أو العوازل الكهربائية الرفيعة. في تجسيد آخرء توضع طبقة تغطية (سمكها حوالي 100 نانومتر ‎(Se‏ على الجانب العلوي من طبقة محببة معدنية. وتتكون طبقة التغطية الرفيعة من مواد مختلفة (مثل النيكل ‎o(nickel‏ وهي مقاومة لمحلول الحفر الكيمائي. في تجسيد معين؛ تكون طبقة التغطية الرفيعة متوافقة مع عملية اللحام بالليزر بين المنطقتين م1 و 5 م2. في تجسيد ‎AT‏ تتم طباعة أطراف ‎sale‏ مقاومة للحفر (مشابهة للتجسيد الأول) بين طرفي م1 كما يتم استخدام معالجة ‎ha‏ قبل اللحام بالليزر أو بعده؛ مما يضمن توفير التصاق دائم بين الأطراف الواقية ورقاقة م2. في تجسيد معين؛ يتم استخدام الحد الأقصى من الحرارة الناتجة عن استخدام الليزر لربط طرفي المادة الواقية بطبقة م2. ويعمل التداخل بين الرقاقة والأطراف كحاجز لمحلول الحفر. قد تكون المادة رفيعة و/أو ناعمة بشكل يكفي لعدم التأثير على الرقاقة وعملية اللحام بالليزر (على سبيل المثال؛ يلزم استخدام طرف توصيل خاص لمنطقتي( م2/م1). في العملية الأولى المستخدمة كمثال للتدفق؛ تتضمن عمليتا إنشاء التجاويف واللحام وضع م1 (أي وضع طبقة موصلة محببة يمكنها ربط منطفة م2) بجانب جهاز الخلية الشمسية. توضع طبقة م2 على منطقة م1/الخلية؛ وتحافظ على توفير منطقة موصلة مناسبة للريط. يتم استخدام طاقة الربط على سبيل ‎Jal‏ الضغط الحراري أو طاقة الليزر (فمثلاً تزيد مدة النبض الطويلة عن 100 5 ميكرو ثانية) لتسخين وحدة م2 محليًا ‎dang‏ منطقتي م1 و م2. ويعدئذٍ؛ يتم تكوين تجاويف
ميكانيكية أو من خلال عملية ليزر أخرى (حيث تقل مدة النبض القصيرة عن 1 ميكرو ثانية ‎(Ole‏ ‏للحصول على تجويف عميق (يزيد عن 9680 تقريبًا من شمك الرقاقة مثلاً) ولقص الرقاقة من قضيبها. يمكن عزل المناطق الموصلة ‎Mim‏ وذلك عن طريق استخدام وسائط حفر مثلاً لتشكيل بنية الجزء المتبقي من المنطقة م2 وحرفها بشكل اختياري. في أحد التجسيدات؛ لزيادة الاختيارات؛ يتم تحديد طبقة م1 مشكلة مسبقًا للحصول على مقاومة لحام لوسائط الحفرء على سبيل المثال؛ معدن النيكل ‎nickel‏ المقاوم ‎KOH ial‏ تتضمن مواد م2 الاختيارية؛ على سبيل المثال لا الحصرء الألومنيوم أو النيكل ‎nickel‏ أو النحاس ‎copper‏ أو التيتانيوم ‎titanium‏ أو الكروم 0 أو مجموعات ذات طبقات متعددة منها. عنج استخدام الطبقة م1؛ قد تتضمن وسائط الحفر ‎sale‏ كيمائية قلوية ‎calkaline chemistry‏ مثل هيدروكسيد البوتاسيوم ‎potassium hydroxide | 0‏ أو أكسيد كيمائي مثل الفسفور ‎Phosphoric‏ أو مزيج من حمض الفسفور ‎phosphoric‏ والنيتريك ©01010. ‎Xiang‏ يتم شطف وسائط الحفر بالكامل من الرقاقة لاستكمال تفاعل الحفر وتجنب تراكم الرواسب الكيمائية على الرقاقة. يمكن استخدام الشطف عن طريق الرش الأفقي أو تنشيط الموجات الصوتية لإزالة المادة الكيمائية بالكامل من الرقاقة. في مثال ‎AT‏ على عملية التدفق؛ يمكن استخدام عملية تشكيل ثنائية المرحلة بناءً على الحفر 5 بالليزر ذي الطاقة العالية بالإضافة إلى العزل باستخدام الليزر القوي. تتضمن الطريقة الأولى عزل منطقة م1 (مثل الطبقة الموصلة المحببة المناسبة للحام الليزر مع م2) على جانب جهاز الخلية الشمسية وتشكيل طبقة م1 المعزولة. توضع طبقة م2 حينئذٍ على منطقة م1/الخلية؛ وتحافظ على توفير منطقة موصلة مناسبة للحام بالليزر. يتم توجيه شعاع ليزر شديد الفاعلية (حيث تزيد مدة النبض الطويل عن حوالي 100 ميكرون مثلاً)؛ أو حزمة إلكترونات؛ لتسخين المنطقة م2 محليًا 0 وريبط المنطقتين م1 و م2. يتم استخدام ليزر إضافي (حيث تقل مدة النبض القصيرة عن 1 ميكرو ثانية ‎(Sia‏ للحصول على تجويف عميق (يزيد عن 9680 تقريبًا من شمك الرقاقة مثا ولقص الرقاقة من قضيبها. ويعدئذٍ؛ يتم استخدام ليزر منخفض الطاقة عبر تجاويف الليزر لعزل ما تبقى من المنطقة م2. وتجب مراعاة أنه يمكن عمل التجاويف باستخدام طرق أخرى. على سبيل المثال؛ في تجسيد ‎OAT‏ ‏5 بدلاً من استخدام عمليات ليزر؛ يتم تكوين التجويف المذكور أعلاه من خلال عملية ميكانيكية؛
على سبيل المثال لا الحصر؛ حزمة عبارة عن أدوات قطع مستدقة بشدة يتم وضعها عبر السطح؛ ومن ثم تنفيذ القطع أو إجراء تفريز ‎milling‏ ؛ أو غير ذلك من آليات القطع الأخرى. وتجب مراعاة إمكانية إزالة ما تبقى من المعدن باستخدام طرق أخرى. على سبيل المثال؛ بعد تكوين التجويف؛ تتم إزالة المعدن المتبقي باستخدام الكهرياء» فيتم مثلاً استخدام تيارات كهربائية عالية لحرق ‎gall‏ المتبقي من المعدن عن طريق المقاومة الحرارية. في تجسيد ‎AT‏ بعد تشكيل
التجويف؛ تتم إزالة المعدن المتبقي من خلال إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر في وضع منخفض/ناعم جدًا. في تجسيد ‎AT‏ بعد تكوين التجويف» تتم إزالة المعدن المتبقي من خلال طرق حفر أخرى؛ ‎Jie‏ حفر البلازما أو الحفر عن طريق الطقطقة. في تجسيد ‎«AT‏ بعد تشكيل التجويف؛ تتم إزالة المعدن المتبقي عمن خلال تقييد/لصق منطقة المعدن المطلوب إزالتهاء ثم جعل
0 الجزء الملتصق أو المقيد ‎SOSH‏ ‏في تجسيد خاص لطريقة إزالة الجزءِ المتبقي من المعدن عن طريق ‎(SUI‏ يتكون تجويفان ‎Ollie‏ ويتم ترك شريط معدني حتى يتاكل؛ هذا الشريط يتمتع بسمك يتراوح بين 100 و500 ميكرون. في تجسيد خاص» يتم تمديد الجانب الخارجي من الخلية الشمسية المطلوب استخدامها كنقاط ‎JST‏ أولية مع إجراء التآكل التالي. في تجسيد آخرء قبل عمل التجويف؛ يتم استخدام طريقة
5 ربط منطقتي م/1م2؛ على سبيل المثال؛ نقطة اللحام بالليزر (أو الخطوط) أو ‎bull‏ عن طريق الضغط ‎(gall‏ أو طريقة أخرى؛ تتيح الالتصاق القوي من خلال مقاومة المقص للرقاقة م2 التي تآكلت تمامًا. في تجسيد رابع ‎ald‏ يتم استخدام شكل شعاع الليزر الخاص بتجويف ليزر؛ أو الليزر المستخدم في عملية الريط بالليزر؛ لتعديل الخصائص الميكانيكية للمعدن؛ على سبيل المثال» من خلال ضبط شكل الحزمة إلى شكل رائع مخصص وتعديل البنية المحببة بناءًة على
0 المدة ودرجة الحرارة. ويهذه الطريقة؛ يمكن إجراء عملية العزل بسهولة. في هذا التجسيد؛ يتم تغيير شكل شعاع غاوسي لتحويل الحزمة إلى شكل خاص ذي حواف حيث الطاقة العالية؛ كما يتم استخدام ذلك في خط اللحام. تتسبب الحرارة الموضعية العالية عند حافة أداة الريط في توليد ضغط ‎Je‏ وتغيير الشكل؛ وحينئذٍ تتمتع حافة المادة الملحومة بقوة منخفضة في الغالب؛ أو ريما تصبح لينة بشكل أكبر. في هذه الحالة؛ أثناء عملية ‎JST‏ تكون الواجهة معرضة للتعطل أولاً. في كل
من التجسيدات الأربع أعلاه. حيث يمكن تشكيل الطبقة المحببة المعدنية قبل عمل التجويف؛ أو تشكيلها بعد ذلك؛ يفضل عمل التجويف ‎Yl‏ أثناء العزل؛ كما هو موضح ‎lel‏ ‏في تجسيدات ‎(AT‏ تتم حماية طبقة م1 من مواد التنميش من خلال استخدام طبقة تغطية؛ مثل النيون أو البوليمر أو الأكسيد أو ‎sale‏ لاصقة ‎dad)‏ توضع على منطقة م1 أو ‎2a‏ حيث يتوافق
السمك أو الضغط مع عملية اللحام (أي أقل من 10 ميكرون تقريبًا عند اللحام باستخدام البوليمر). في تجسيدات أخرى؛ يتم الريط باستخدام كثافة عالية مناسبة (أي 16100 كما هو موضح من أعلى لأسفل) لتوفير الحماية ضد اختراق ‎sale‏ التنميش للتجاويف؛ واتجنب الحفر الزائد في منطقة م1. قد يتأثر الريط بالتكامل مع معظم أجزاء م2 (أي الريط الخطي أو الريط من خلال الضغط الحراري).
‎Jeg 0‏ الرغم من تقديم وصف خاص لبعض المواد أعلاه؛ بالإشارة إلى الأشكال 1-1ه و3ج-3ا 645156 ؛ والأشكال الأخرى المبيّنة في التجسيدات؛ قد تتناسب بعض المواد بشكل كبير مع هذه التجسيدات الأخرى المتبقية ‎Gy‏ لنطاق التجسيدات المبيّنة في الكشف ‎Mal‏ فعلى سبيل ‎(Jal‏ في أحد نماذج ‎(Gabi)‏ يمكن استخدام ركيزة ‎sale‏ مختلفة؛ ‎Jie‏ ركيزة مادة المجموعة 3- 5» بدلاً من ركيزة السيليكون. في تجسيدات أخرى؛ يمكن استخدام الطرق المذكورة أعلاه لتصنيع
‏5 خلايا شمسية أخرى. على سبيل المثال؛ يمكن تصنيع الصمام الثنائي الباعث للضوء ‎light‏ ‎(LED) emitting diode‏ باستخدام الطرق المبيّنة هنا. وهذه هي الطرق التي تم تناولها بالشرح في هذا الكشف فيما يتعلق بتعدين الخلايا الشمسية باستخدام الرقائق وما ينتج عنها من ‎LIA‏ شمسية. على الرغم من توضيح تطبيقات محددة أعلاه؛ إلا أن هذه التطبيقات ليس المقصود منها تضييق
‏0 نطاق الكشف الحالي؛ حتى عند توضيح تطبيق واحد فيما يتعلق بميزة محددة. وتهف أمثلة الميزات المقدمة في الكشف إلى أن تكون أمثلة توضيحية؛ بدلاً من أن تكون أمثلة مقيدة؛ ما لم ينص على خلاف ذلك. ويهدف الوصف أعلاه إلى تغطية هذه البدائل والتعديلات والمكافئات كما سيتضح لأحد اختصاصيي القطاع الذين يحظون بفائدة هذا الكشف.
يتضمن نطاق الكشف الحالي أي ميزة أو مجموعة من المزايا التي تم الكشف عنها هنا (إما صراحة أم ضمئًا)؛ أو أي تعميم لهاء سواء كانت تخفف من أي مشكلات تم التعرض لها هنا أو جميع هذه المشكلات؛ أو لم تخفف ذلك. ومن هذا المنطلق؛ قد نُصاغ عناصر الحماية جديدة أثناء الادعاء لهذا الطلب (أو أحد الطلبات التي تطالب بالأولوية بها) لأي مجموعة من الميزات.
وتحديدًاء بالإشارة إلى عناصر الحماية الملحقة؛ قد تأتي الميزات من عناصر الحماية المستقلة مع تلك الميزات من عناصر الحماية غير المستقلة؛ وريما تأتي الميزات من عناصر الحماية المستقلة ذات الصلة بأي طريقة ملائمة وليس فقط في مجموعات محددة مذكورة في عناصر الحماية الملحقة. في أحد التجسيدات؛ تتضمن طريقة تصنيع خلية شمسية تكوين عدد وفير من المناطق شبه
0 الموصلة من النوعين الموجب والسالب بداخل ركيزة أو أعلاها. كما تتضمن الطريقة التصاق رقاقة معدنية بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. وتتضمن الطريقة ‎Load‏ الإزالة بالليزر فقط من خلال جزء الرقاقة المعدنية في المناطق المناظرة للمواقع بين المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. كذلك؛ تتضمن الطريقة؛ ‎Led‏ يلي الإزالة بالليزر» عزل مناطق الرقاقة المعدنية المتبقية المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب.
5 في أحد التجسيدات»؛ تتضمن مناطق عزل الرقاقة المعدنية المتبقية معالجة ما تبقى من الرقاقة المعدنية بالأنود. في أحد التجسيدات؛ تتضمن مناطق ‎BEN Jie‏ المعدنية المتبقية حفر ما تبقى من ‎BEN‏ ‏المعدنية. ‏في أحد التجسيدات؛ تتضمن الطريقة ‎Lia‏ قبل لصق الرقاقة المعدنية؛ تكوين الكثير من المناطق
0 المعدنية المحببة لتوفير منطقة معدنية محببة ‎Jal‏ من المناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة؛ حيث يتم لصق الرقاقة المعدنية بالمناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة ولصق الرقاقة المعدنية بالكثير من المناطق المعدنية المحببة. في أحد التجسيدات؛ تتضمن الطريقة ‎Lia)‏ قبل لصق الرقاقة المعدنية بالمناطق المحببة المعدنية بالكثير من المناطق المعدنية المحببة؛ مما يؤدي إلى تكوين طبقة عازلة على الكثير من المناطق
— 3 0 —
المعدنية المحببة؛ ‎Cus‏ يتم لصق الرقاقة المعدنية بالكثير من المناطق المعدنية المحببة ‎Cus‏
اختراق مناطق الطبقة العازلة.
فى أحد التجسيدات؛ تتضمن عملية لصق رقاقة معدنية بالكثتير من المناطق المعدنية المحببة
استخدام الطريقة المحددة من مجموعة المكونة من عملية اللحام بالليزر والضغط الحراري والربط بالموجات فوق الصوتية.
في أحد التجسيدات؛ تتضمن عملية تكوين المناطق المعدنية المحببة تكوين مناطق ألومنيوم بسمك
يتراوح بين 0.3 و20 ميكرون» وتكوين الألومنيوم في منطقة تمثل ما يزيد عن 9697 بالإضافة
إلى تكوين السليكون بنطاق يتراوح بين 962-0؛ حيث تتضمن عملية لصق الرقاقة المعدنية
استخدام رقاقة ألومنيوم بسمك يتراوح بين 100-5 ميكرون؛ كما تتضمن المناطق العازلة للجزء
0 المتبقي من الرقاقة المعدنية معالجة رقاقة الألومنيوم بالأنود عن طريق إجراء معالجة بالأنود للأسطح المكشوفة من رقاقة الألومنيوم حتى عمق يصل إلى 20-1 ميكرون تقريبًا. في أحد التجسيدات؛ يتم إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر فقط من خلال ‎oa‏ الرقاقة المعدنية الذي يتضمن إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر لسمك الرقاقة المعدنية الذي يصل إلى 80- 9 تقريبًا من سمك الرقاقة المعدنية بالكامل.
5 في أحد التجسيدات؛ يتضمن تكوين الكثير من المناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة تكوين مناطق شبه موصلة من النوعين الموجب والسالب في طبقة السليكون متعدد الكريستالات التي تم ‎Luss‏ فوق الركيزة؛. كما تتضمن الطريقة أيضًا تكوين خندق بين كل المناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة؛ حيث تمتد هذه الخنادق بشكل جزئي إلى الركيزة. فى أحد التجسيدات» تكون الركيزة عبارة عن ركيزة من السليكون متعدد الكرستالات؛ وتتضمن
0 عملية تكوين الكثير من المناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة تكوين مناطق شبه موصلة موجبة وسالبة فى ركيزة السليكون متعدد الكررستالات . في أحد التجسيدات»؛ تتضمن الطريقة أيضًاء قبل إجراء الإزالة بالقطع باستخدام الليزر تكوين طبقة مستترة على جزءٍ واحد على الأقل من الرقاقة المعدنية.
في أحد التجسيدات؛ تتضمن طريقة تصنيع خلية شمسية تكوين عدد وفير من المناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب بداخل ركيزة أو أعلاها. كذلك تتضمن الطريقة لصق رقاقة معدنية معالجة بالأنود بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب؛ وتتمتع الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بسطح علوي معالج بالأنود وسطح سفلي معالج بالأنود؛ ‎Cus‏ يوجد ‎Sa‏ ‏5 معدني بينهماء كما تتضمن عملية لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب اختراق مناطق السطح السفلي المعالج بالأنود من الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود. كما تتضمن الطريقة أيضًا إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر من خلال السطح العلوي المعالج بالأنود والجزء المعدني من الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود في المناطق المناظرة للأماكن بين المناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة؛ بينما يشتمل إجراء الإزالة عن 0 طريق القطع بالليزر على التخلص من السطح السفلي المعالج بالأنود من المناطق العازلة للرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بالجزء المتبقي من الرقاقة المعدنية المتبقية المناظرة للمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب. في أحد التجسيدات؛ تتضمن الطريقة أيضًاء قبل لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود؛ تكوين الكثير من المناطق المعدنية المحببة لتوفير منطقة معدنية محببة لمل من المناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة؛ حيث يتم لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بالمناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة ولصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بالكثير من المناطق المعدنية المحببة. في أحد التجسيدات؛ تتضمن الطريقة ‎(La‏ قبل لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بالمناطق المحببة المعدنية بالكثير من المناطق المعدنية المحببة؛ مما يؤدي إلى تكوين طبقة عازلة على الكثير من المناطق المعدنية المحببة؛ حيث يتم لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بالكثير من 0 المناطق المعدنية المحببة حيث اختراق مناطق الطبقة العازلة. في أحد التجسيدات؛ تتضمن عملية لصق رقاقة معدنية معالجة بالأنود بالكثير من المناطق المعدنية المحببة استخدام الطريقة المحددة من مجموعة المكونة من عملية اللحام بالليزر والضغط الحراري والربط بالموجات فوق الصوتية.
— 2 3 — في أحد التجسيدات؛ تتضمن عملية تكوين المناطق المعدنية المحببة تكوين مناطق ألومنيوم بسمك يتراوح بين 0.3 و20 ميكرون» وتكوين الألومنيوم في منطقة تمثل ما يزيد عن 9697 بالإضافة إلى تكوين السليكون بنطاق يتراوح بين 962-0؛ حيث تتضمن عملية لصق الرقاقة المعدنية لصق رقاقة ألومنيوم معالجة بالأنود تتمتع بسمك يتراوح بين 100-5 ميكرون تقريبًا من السطح العلوي المعالج بالأنود والسطح السفلي المعالج بالأنود. حيث يصل سمكهما إلى 20-1 ميكرون تقريبًا. فى أحد التجسيدات؛ تتضمن أيضًا الطريقة؛ قبل لصق الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود بالمناطق شبه الموصلة من النوعين الموجب والسالب؛ تكوين طبقة ليزر عاكسة أو طبقة ماصة على السطح السفلي المعالج بالأنود من الرقاقة المعدنية المعالجة بالأنود. فى أحد التجسيدات؛ يتضمن تكوين الكثير من المناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة تكوين 0 مناطق شبه موصلة من النوعين الموجب والسالب في طبقة السليكون متعدد الكريستالات التي تم ‎Luss‏ فوق الركيزة؛. كما تتضمن الطريقة أيضًا تكوين خندق بين كل المناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة؛ حيث تمتد هذه الخنادق بشكل جزئي إلى الركيزة. فى أحد التجسيدات» تكون الركيزة عبارة عن ركيزة من السليكون متعدد الكرستالات؛ وتتضمن عملية تكوين الكثير من المناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة تكوين مناطق شبه موصلة موجبة 5 وسالبة في ركيزة السليكون متعدد الكريستالات. في أحد التجسيدات»؛ تتضمن الطريقة أيضًاء قبل إجراء الإزالة بالقطع باستخدام الليزر تكوين طبقة مستترة على جزءٍ واحد على الأقل من الرقاقة المعدنية» ومن ثم إجراء الإزالة عن طريق القطع بالليزر وإزالة الطبقة المستترة. فى تجسيد؛ تتضمن خلية شمسية إحدى الركائز . ودتم وضع عدد وفير من المناطق شبه الموصلة 0 .من النوعين الموجب والسالب بداخل الركيزة؛ أو فوقها. توضع المنطقة الموصلة فوق الكثير من المناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة؛ كما تتضمن المنطقة الموصلة عدد وفير من المناطق والسالبة؛ كما يتم وضع الرقاقة المعدنية مع الكثير من المناطق المعدنية المحببة؛ وتتمتع الرقاقة
— 3 3 — المعدنية بأجزاء ‎dallas‏ بالأنود تقوم بعزل المناطق المعدنية المناظرة للمناطق شبه الموصلة الموجبة والسالبة. في أحد التجسيدات؛ تكون جميع الأسطح المكشوفة في الرقاقة المعدنية معالجة بالأنود 8000260.

Claims (5)

  1. عناصر الحماية 1- طريقة لتصنيع خلية شمسية ‎Jails ¢solar cell‏ الطريقة على: وضع رقاقة معدنية ‎metal foil‏ على مناطق شبه موصلة ‎semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب تبادلية للخلية الشمسية ‎¢solar cell‏ نقش بالليزر ‎laser patterning‏ جزءٍ من الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في مناطق مناظرة لمواقع بين المناطق شبه الموصلة ‎semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب التبادلية؛ وبعد النقش بالليزر 084810109 ‎laser‏ إزالة الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في المواقع المذكورة.
  2. 2- الطريقة ‎Gig‏ لعنصر الحماية 1؛ ‎Gus‏ يشتمل النقش بالليزر ‎laser patterning‏ على 0 تشكيل حز في مواقع بين المناطق شبه الموصلة ‎Semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب التبادلية.
  3. 3- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 1 ‎Cua‏ تشتمل إزالة الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في المواقع المذكورة على تمزيق الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في المواقع المذكورة.
  4. 4- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 1 حيث تشتمل إزالة الرقاقة المعدنية ‎foil‏ 0016181 في المواقع المذكورة على إجراء عملية إزالة بالقطع باستخدام الليزر ‎laser‏ لإزالة الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في المواقع المذكورة. 0 5- الطريقة ‎Wg‏ لعنصر الحماية 1؛ حيث تشتمل أيضًا على: قبل وضع الرقاقة المعدنية ‎foil‏ ل01618؛ تشكيل مجموعة من مناطق مادة معدنية محببة ‎metal‏ ‎material regions‏ 5660لتوفير منطقة مادة معدنية محببة ‎metal seed material‏ 007على كل منطقة من المناطق شبه الموصلة ‎semiconductor regions‏ من النوعين ‎can gall‏ والسالب التبادلية؛ ‎Cua‏ يشتمل وضع الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ على المناطق شبه 5 الموصلة ‎semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب التبادلية على وضع الرقاقة
    — 5 3 — المعدنية ‎metal foil‏ على مجموعة المناطق المعدنية المحببة ‎metal seed material‏
    ‎.regions‏ ‏6— الطريقة ‎Bly‏ لعنصر الحماية 5 حيث يشتمل تكوين ‎de gene‏ من مناطق المواد المعدنية المحببة ‎plurality of metal seed material regions‏ على تكوين مناطق ألومنيوم ‎aluminum regions‏ كل منها له سشمك فى نطاق من 0.3 إلى 20 ميكرون. 7- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 1 ‎Cus‏ يشتمل وضع رقاقة معدنية ‎metal foil‏ على مناطق شبه موصلة ‎semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب تبادلية على وضع رقاقة 0 معدتية ‎metal foil‏ على مناطق شبه موصلة ‎semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب تبادلية ‎all‏ تشتمل على خندق بين كل من المناطق ‎aud‏ الموصلة ‎semiconductor‏ ‏5 من النوعين الموجب والسالب التبادلية. 8- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 1؛ ‎Cus‏ تشتمل أيضًا: قبل النقش بالليزر ‎daser patterning‏ 5 على تكوين طبقة مستترة على ‎gia‏ على الأقل من الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ 9- طريقة لتصنيع خلية شمسية ‎solar cell‏ تشتمل الطريقة على: وضع رقاقة معدنية ‎metal‏ ‎foil‏ على مناطق شبه موصلة ‎Semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب تبادلية للخلية الشمسية ‎cell‏ +5018؛ تشكيل حزوز في مواقع الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ بين المناطق 0 شبه الموصلة ‎Semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب التبادلية؛ وبعد تشكيل الحزوز ¢ إزالة الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في المواقع المذكورة. 0- الطريقة ‎hy‏ لعنصر الحماية 9 حيث يشتمل تشكيل حزوز على ‎shal‏ عملية ميكانيكية ‎mechanical‏ أو عملية ليزر ‎Jaser‏ ‏25
    1- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 9 حيث تشتمل إزالة الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في المواقع المذكورة على تمزيق الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في المواقع المذكورة. 2- الطريقة وففقًا لعنصر الحماية 9» حيث تشتمل إزالة الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في المواقع المذكورة على إجراء عملية إزالة بالقطع باستخدام الليزر ‎laser‏ لإزالة الرقاقة المعدنية ‎metal‏ ‎fol‏ في المواقع المذكورة. 3- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 9 حيث تشتمل أيضًا: قبل وضع الرقاقة المعدنية ‎metal‏ ‎fol‏ على تشكيل مجموعة من مناطق معدنية محببة لتوفير منطقة معدنية محببة على كل من 0 المناطق شبه الموصلة ‎semiconductor regions‏ النوعين الموجب والسالب التبادلية؛ ‎Cus‏ يشتمل وضع الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ على المناطق شبه الموصلة ‎semiconductor‏ ‏5 من النوعين الموجب والسالب التبادلية على وضع الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ على مجموعة المناطق المعدنية المحببة ‎.metal seed material regions‏ 5 14- الطريقة وففًا لعنصر الحماية 9 حيث يشتمل تشكيل حزوز على تشكيل حزوز موازية ‎grooves parallel‏ للمناطق المعدنية المحببة ‎Metal seed material regions‏ أو عمودية ‎perpendicular‏ عليها. 5- طريقة لتصنيع خلية شمسية ‎solar cell‏ تشتمل الطريقة على: 0 وضع مناطق ألومنيوم ‎aluminum regions‏ على مناطق شبه موصلة ‎semiconductor‏ ‏5 من النوعين الموجب والسالب التبادلية للخلية الشمسية ‎Cus solar cell‏ يتم اقتران مناطق الألومنيوم ‎aluminum regions‏ كهربائيًا ‎electrically‏ برقاقة معدنية ‎foil‏ [01618؛ نقش بالليزر ‎laser patterning‏ جزءٍ من الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في مناطق مناظرة لمواقع بين المناطق شبه الموصلة ‎semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب
  5. 5._ التتبادلية؛ وبعد النقش بالليزر 084810109 ‎laser‏ إزالة الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في المواقع المذكورة.
    6- الطريقة ‎Gig‏ لعنصر الحماية 15( ‎Cus‏ يشتمل النقش بالليزر ‎laser patterning‏ على تشكيل حزوز ‎grooves‏ في مواقع بين المناطق شبه الموصلة 1696005 ‎semiconductor‏ ‏من النوعين الموجب والسالب التبادلية. 17- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 16 ‎Cus‏ يشتمل تشكيل حزوز على تشكيل حزوز موازية
    ‎grooves parallel‏ للمناطق المعدنية المحببة ‎Metal seed material regions‏ أو عمودية ‎perpendicular‏ عليها. 8- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 15 حيث تشتمل إزالة الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في
    ‏0 المواقع المذكورة على تمزيق الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في المواقع المذكورة. 9- الطريقة ‎Gy‏ لعنصر الحماية 15( ‎Cua‏ تشتمل إزالة الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ المواقع المذكورة على إجراء عملية إزالة بالقطع باستخدام الليزر لإزالة الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ في المواقع المذكورة.
    ‏15 ‏0- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 15( ‎Cus‏ يشتمل النقش بالليزر ‎laser patterning‏ للرقاقة المعدنية في مواقع بين المناطق شبه الموصلة ‎semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب التبادلية على وضع رقاقة معدنية ‎metal foil‏ فوق مناطق شبه موصلة ‎Semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب تبادلية التي تشتمل على
    ‏0 خندق بين كل من المناطق شبه الموصلة ‎semiconductor regions‏ من النوعين الموجب والسالب التبادلية. 1- خلية شمسية ‎solar cell‏ تشتمل على: ركيزة ‎substrate‏ ؛
    ‏5 مجموعة من المناطق شبه الموصلة ‎Semiconductor regions‏ فوق سطح للركيزة 36 + حيث يتم فصل المناطق الفردية من مجموعة المناطق شبه الموصلة
    56111000000102 من بعضها البعض بواسطة منطقة مناظرة من مجموعة أولى من المناطق؛ ومجموعة من أجزاء الرقاقة المعدنية ‎Metal foil‏ فوق مجموعة المناطق شبه الموصلة ‎semiconductor regions‏ والمتصلة بها كهرياثيًاء حيث تتوافق مناطق فردية لمجموعة أجزاء 5 الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ مع مناطق فردية لمجموعة المناطق شبه الموصلة ‎Cus «semiconductor regions‏ يتم فصل مناطق فردية لمجموعة أجزاء الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ من بعضها البعض بواسطة منطقة مناظرة من ‎de gana‏ ثانية من المناطق؛ وحيث تتم محاذاة المجموعة الثانية من المناطق إلى حد كبير مع المجموعة الأولى للمناطق فوق سطح الركيزة.
    2- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 21 حيث تكون مجموعة أجزاء الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ عبارة عن مجموعة من أجزاء رقاقة ألومنيوم ‎aluminum foil portions‏ . 3- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 21؛ حيث تشتمل ‎Wad‏ على: مجموعة من المناطق 5 المعدنية المحببة ‎metal seed material regions‏ على مجموعة المناطق شبه الموصلة ‎semiconductor regions‏ حيث تتوافق مناطق فردية من مجموعة المناطق المعدنية المحببة ‎Metal seed material regions‏ مع مناطق فردية من مجموعة المناطق شبه الموصلة ‎Gua semiconductor regions‏ تكون مجموعة أجزاء الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ على مجموعة المناطق المعدنية المحببة ‎«metal seed material regions‏ وحيث تتوافق مناطق 0 فردية من مجموعة أجزاء الرقاقة المعدنية ‎Metal foil‏ مع مناطق فردية من مجموعة المناطق المعدنية المحببة ‎.metal seed material regions‏ 4- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 23« حيث تشتمل ‎de gene‏ المناطق المعدنية المحببة ‎metal seed material regions‏ على ألومنيوم ‎aluminum‏ ‏25
    — 9 3 — 5- الخلية الشمسية ‎Gig‏ لعنصر الحماية 24 حيث تكون مجموعة أجزاء الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ عبارة عن مجموعة من أجزاء رقاقة ألومنيوم ‎.aluminum foil portions‏ 6- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 22( حيث يتم لحام ‎ads‏ لمجموعة أجزاء الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ بمجموعة المناطق المعدنية المحببة ‎.metal seed material regions‏ 7- الخلية الشمسية ‎Bg‏ لعنصر الحماية 21؛ حيث يكون ‎oda‏ على الأقل من الأسطح الخارجية لمجموعة أجزاء الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ مُعالجًا بالأنود 8000260. 0 28- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 27 حيث تكون جميع الأسطح الخارجية المكشوفة لمجموعة أجزاء الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ مُعالجة بالأنود 8000260. 9- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 21؛ حيث لا تكون أسطح خارجية مكشوفة لمجموعة أجزاء الرقاقة المعدنية ‎metal foil‏ مُعالجة بالأنود ‎.anodized‏ ‏15 ‏0- الخلية الشمسية ‎Bay‏ لعنصر الحماية 21 حيث تشتمل مجموعة المناطق شبه الموصلة ‎semiconductor regions‏ على سيليكون متعدد البلورات ‎polycrystalline silicon‏
    0 اا ااا : ‎Yak 4 LL Tf yy‏ ا ‎١ 3# . EN‏ ا حا بي جردا % ‎CTR‏ م 70 ‎LS Se 8 B ay . 3 RI Bred adn‏ 8 نيد دي مسا 2 ‎The‏ ل : ‎LTR 3 i 3 LORE Se i ERS Ra‏ ‎"od 4 A : i od 3 Hoo fond yy‏ = ‎Ti cbt SI WEE‏ موا سس ال ا الما سوس مار 8 ‎SNC du‏ * . ان ال ‎AN SSE {LA SR BOM I S——‏ ال المت محا ل ا لات خا ا اا ل ‎HN‏ ايها ‎EEN‏ 5 ‎i 4 8 5 > 4‏ ‎By 8‏ ‎Yas _‏ : ‎NOR ¥‏ 3 ¥ : ان : ا 0 ‎ARE EE EE‏ ‎HE ER PRR RA ATR ee‏ ل ‎A A‏ ‎“Noss 0‏ خخ الح : 8 شكل 4 ‎i‏ ‎TRY . SU‏ اخ ‎Cn eddy PR aang LEE Lane‏ ‎١‏ ب 5 : حت : : قاين . 4 ‎EN . SET‏ ‎y : Fd : a REN a A‏ اديت ا ا ا ‎N‏ ا ا ال ا ا سا ااا :0 ‎ie RI‏ ل : : ا ‎Yin ¥‏ 3 ‎i ET ¢‏ 1 0 0 ‎eg‏ ا ا ا ات ‎AE RE ER CR‏ ا لج م ا ما جا ران ل كت ايت وماك رات م اجام ماج اجاح جر وج لي كد ا ا اله ع جم ا ‎REE‏ كا ا ل ا يع شكل اب
    $F 334 ‏خلا‎ ‎0 ‏يي ص‎ 8 0 ‏ا‎ LY ‏مجح لال تت‎ ¥ % & : { 3 3 ‏مني‎ ’ : bY os ‏ا ا‎ . SENT 5 on EE Lo a = Fa Re ya ‏ب"‎ & 3 Si A Re ‏سس سس لاسا‎ en RRR ‏الس ل لا‎ rg ee NERY, a ‏تالالا‎ een SRR gt RRR green RRR NE ERR ‏الس ا‎ DE ‏انمحرا اليم‎ 1 > 1 : 8 H Ta 8 0 ‏ام‎ 3 0 5 : p 8 AR 5 : 8 y 1 8 . : in N 9 Ry 5 A RR RRR 8 ‏يا اج‎ ‏اا الاي‎ = ‏شك‎ ‏للها‎ EEE ‏ا شا برل‎ BE 0 EN BY ‏حت لا" 8 الج ججح ججح ججح جح جحي‎ ae ‏سسحت سس سس 0 الست تت ا ا لاا‎ : 8 : 8 Sood H NEE. 3d wk i Yo 5d Ao a Ma ‏يازا‎ ‎: ‏الم ا :1 الب حجنا ب‎ Cn Het 0: ‏ا د حك ااا ا ا ل‎ RA ‏ا ل ل للف‎ A A ‏ججح ججح جح صن .+ لت‎ ‏امح‎ i SN ae ‏و‎ ta TS al . a fia BS . Las TR
    SSL. J RE, SN I. A NIE A AE 3 ‏حا‎ SA 8 3 : 8 0 1 iss PX JOON FE TR SEO xs ‏جا ات لا ا‎ SEH ‏الما ا لا تح ا‎ { 0 1 ‏دجا‎ 3 1 1 i \ A i { 8 Poo : 3 Rr es ey Ak BS TAN ‏شكل 1د‎
    ‎«wx gs CEE om‏ د ا مخ 332 575 3 ‎ERE Gok,‏
    ‎i . 1 5 CERT‏ ٍ : ‎Hy : 8 >‏ اللا المح تس تس لس يت ُ لد ددا % ‎Por i Jeg‏ ‎RN ROE: ¢ 5 0 k 3 .‏ ‎Raa #3‏ & ¢ د ‎EY oN‏ 8 الخال 8 ‎pe‏ با "0 بيدا ٍ : ا ل ا ‎y‏ 3 ——— ا ا للا ا تي الت لشت ال ا ال ا ‎SE J 2 Ty‏ : ال 0 ل & ‎oF Ne & ii Fa Rs‏ ا 8 ‎NO NOTED‏ 0 لد الا ا ا 8 سيقت ا سج لاا اج لاا ‎ined‏ من معني مس بس سب الك ور ‎SESES nage a‏ ا ‎Ry ERA i Hass‏ 1 ممم ‎Sa‏ ممعي ا 0 ال ا ل ل الا ل ا ا لصا ‎Sed‏ & : ‎i RI gb si Ee le aR‏ ‎VEER‏ لماك ‎BS FEE‏ : 3 7 :< ب 3 ا ‎H‏ ‎a 8‏ 3 2 3 2 3 ل 0 ‎SE‏ 6 ل ا ل ل ‎A‏ الح ا را ال ا وت و ا ل ا ‎Fa‏ 3 كاه ‎et‏
    م ‎ELE‏ ‎Es‏ ‏اي اي 3 ب ‎a &‏ 1 ال مهاه الما اا ا ماج لاا تم الات الوا الو ات ‎N‏ ‏روي عند وثير جور الناطق ‎le a‏ رفير لهي 1 ااا ا لاي اهاي ‎Call‏ 1 ‎IE al natal‏ أو ‎WE‏ 1 ‎N BOE‏ ‎Tad‏ = ; ‎RANA! RASS, SRR CURA RRNA! RRND.
    ERR] SRNR SRAKTKRRE. (RNR wa‏ حفن العا ‎SRERS, RAN CURRAN EUR! RARS‏ ا حححم ‎ARKE UREN‏ يجحي ‎RP TEER GREAT NAAN‏ 3 بد اول دا امك 2 ‎TEE JONG OREN, = Jo ST‏ 7 : ‎Ry A SRE i‏ بن ‎SER saat‏ اليا اما يوا ‎N‏ ‎A sala SN en RY Re Re Re RES 4‏ 3 ‎Rng Soi aida i‏ قش م اماق الم ‎pad‏ نمل م 1 ‎Ek‏ ل ا ‎M N i I‏ ‎mae SEES J‏ الل : 1 ووو ‎eo ot‏ جه اجو لأف اح ‎oo oi io ci om,‏ ا ‎Bi joi‏ 8 : : ‎N‏ ‏{ ‎N‏ ‏اج ا ان ‎N‏ ‎WE‏ ¥ ني : ‎RES er Ro A CN mR EUR a :‏ > ‎Sor Blas td SSN Nutone TW Ged :‏ ‎Gad peal |‏ بالساتي 1 ‎i J‏ ‎i en Tia‏ ‎N‏ ‎A A A A A A A ALA AAA AAA RA ALAA Rng‏ الوا ا وها ا يع ايد لقع 0 ‎N Sn rR NR‏ ‎i (BY Smad SIR ap ee BR RE AE‏ ‎Tn]‏ جور التو لاح ا ا لا ‎N‏ ‎SR Che Sl KREG‏ مد ‎Alia ged‏ بن ليقي 1 ‎i Se‏ ‎N‏ الو ‎seedy‏ 1 ال-7 { لاب : ‎er BY‏ 3 ‎RS SS Ri ¢‏ ‎he a 3‏ اناج ا ومن اه ال معام الي ال ا 3 ‎Rp :‏ بور لعل متلق ‎gad SONA‏ النتيقية : : يا لوجع ل اح احج اا الج ا ال ا الج ا ‎Le BY:‏ : : الملا الست ‎Ae‏ الموفظة من ‎sited GEN‏ : : 0 لبالب ‎i‏ ‎Wow‏ ‎Vedas‏
    ل ‎Avg‏ ‎WOR ER Lo‏ ‎LE Re ER WEEE‏ لاب الي ‎PR‏ ‏ا لالت ‎aN‏ تح ‎Ee OC‏ ‎CR NT‏ ا اتج 3 الت > 7ت ‎EC‏ يي مح % “جين 8 ‎sete ARN‏ ‎LE‏ ا ‎ay RET‏ ا» ‎pins a = 5 vg I oT YR‏ ‎cent oF aR‏ ااا ا الج الع الم 1 متي 3 0 ‎Tes PR gt TR RF 2 ES A‏ ‎yl‏ ب 5 ‎iS EY‏ 8 ااا سس لت ‎Sa‏ : الس اناد ب الس ‎J Ed a‏ ا ‎NE SRE‏ تب ‎i CoE i i‏ ‎HIE SO Re To} i‏ ‎i Yes 3‏ ‎i Yemen {‏ ‎H by‏ ‎Fe i‏ ! 8 : ديب 0 ‎B oN‏ لد 8 اجاج ا واي وجا اج راي وا جل جا ري الا ما لبخي ‎NS‏ يي ايد ال لاوا و اج ا ا اد د رش ال ل كل ايخ امد 1 اا جل ‎vig‏ ‎Ros 3 5 .‏ ‎Sed & RAEI by FRR‏ ‎Eh SE es STIR‏ ‎SE‏ لا ‎x 5 H LIRR‏ 1 ب 1 > 1 > ال لوي تس ب ‎sis‏ حا اا حر جا ا ‎PE NE % H‏ 3 © 5 § 8 ولج مجو جد الو سا دجت ا 0 1 الل الالح ا 7 ‎TT‏ مدر ا ا ا لاح السو ‎a EAN ST‏ الا ‎EOS a‏ ‎Sad dR a . RIA oF Fo, .‏ 8 ا مستا ل سلس 8 ‎٠‏ الات ا ‎bi ERE‏ الل ماج جا ا ا ‎B EIN‏ : تود تت لد بايد لدجو لو د ‎tS N‏ ‎i‏ 1 اا + = 3 ‎H ro H‏ ‎H BAERS H‏ { { 8 8 8 8 ‎i H‏ ‎N‏ 81 ‎PE RT a Tess‏ ل ال ‎ET‏ ل ال ‎DERE RON REAR RAR RR EARS SE RUA‏ اما 6 ‎Ne =v 3 NY 5 7‏ ‎By‏ _ سينا ‎IY‏ ‎SH Sear‏ ‎oo = § 5 5 #‏ ‎i a REG A‏ & ا ‎a i J‏ ‎N ON TN - x 5‏ ‎CE SE BE ESN TR RT oi 1)‏ الوق ‎FUE ml, TR,‏ 1 9 3 2 3 ل ‎LR Ry‏ الست لتحت للدت ‎EF‏ ممم امت و ‎a : A‏ اي # ااا ‎Hw‏ تي د ا ‎EH A‏ ادا ا ‎Hg es I I > SS E—— TE ak‏ المت موا ومو مت ومو اح م اح احا ا إل لول ا ال اال اللا الا لاا : ا 0 \ +7 إ:ْ ‎A H‏ ‎N ey 3‏ ‎Tha ;‏ إْ ‎i‏ : م : ل ‎PRR‏ ‏ا ‎FIL‏ ‎ey‏ ا ‎x‏ 3
    : ‏ا 8 مي‎ ّ ‏أ‎ ‏و‎ ‎a aa ‏قري «دد ولو عن‎ i ‏غرفي‎ FHA ‏الويب «السانب يلقل‎ Sal ٍْ : a 1 ‏لمي‎ + RS ‏ااا لان د‎ 1 SL ‏يض م ل ا ات‎ 1 ‏نط‎ Tc Renal ‏المحتية‎ BAY i ‏التي سد رخ‎ 8 : Co: ARAL ‏ا‎ py AD a ER ROS ‏اا‎ LN SY acy h ; rl ‏مع‎ Sosa ‏لبه‎ JE ‏سحبية لل من‎ Sens § 3 We 8 : 1 ‏الصروب بلاقب‎ A “Yes IRR: . ‏ججم:‎ ND NY, OY WER WO, WW QW WY WE, ‏مجه يودج‎ MRR RG REY NOR WOR WE NRL RE WR QW, RY i ‏ار الى‎ i J ok H CE AE ag, ‏اا وان‎ AE ٌ Sed ‏بالتطناطق‎ 2a Jaden Line WG al 8 ‏الا اد اله ا اج‎ x SRS : med cpa Se Wud 3 ‏دسا اتات حاتت حت‎ : NODS 1 ONS NN 1 ‏ات‎ ‎0 ‏لعب‎ wih ‏اتح حب > ان ب اك اح ا ا ا ل ا‎ i ina cated ‏مال سام انطع‎ Jo BBS Sh 3 3 RAP TN ‏ل ا ب‎ EE NC ‏ا ل‎ 1 GRE ‏في‎ Sh Sales Lea TN ‏وجا‎ Al ! 1 ‏وار كمي اكوا ا زا ار زا الول‎ i ‏كيه المرمطة عن امرض‎ Baal ‏ببق‎ SBE ‏السيكتية‎ 1 i dlp aagaad N FO 5 $e por 8 ‏ال‎
    8 % 1 ل ا الحا ااا اا >> جا >> ا جا >> جا جا اا جا م ‎oF RE‏ ‎Fal SE‏ ا ‎My‏ ‎oo‏ & كن ‎a‏ & ‎Ry‏ & الي ‎A‏ ‎Fa‏ لضن اا ب ‎ap‏ ين
    ا م م ‎se ase Ss‏ إن ‎SE ES SR A RS a RRR‏ 2 الل ا ا ‎BE a A‏ ال ام ان 5 ‎pS Sa tg pe) oF ES x AR PEN‏ ل و ‎PS SAE SEEN FER SE‏ الا ال الا ا ‎EC‏ ل ات الجن ‎Be‏ اين الى ال ال ‎a ATT ET Ae AT A‏ & ‎as a‏ ل كي ‎a ET a‏ ا الم ات ‎a‏ الجا لكات اق ‎oR‏ ‎Aa S‏ كي ا او بالا الهج لك يت لمرو ا انتم اا لحك اي لاطي المع لات ا ا ات الي ارات ‎IR‏ 1 ‎Se‏ ا ارا ‎Ne Sig‏ شي ‎EF JE pipet‏ اللي جر لي لان اين ال كن د" الا الا " تي اين ا "م ‎To ALE R‏ ار ال اا ا يي & ‎a Fo‏ ل م ‎Pala : So RE‏ ال ال م ل ويد الاب القت الي إن كك اق ‎SS‏ د ل ‎QW‏ الي ال اك اك ان ‎a)‏ اي ا ف ‎fw‏ ان ال ححا ‎Ree‏ ان الا & ‎a 8 IN ST ES a‏ ا ا و الك احا ‎NS PE FEA ARSE EW‏ عي انير كبن الي ‎AF‏ ‏يد تا ‎NS Pr 7 3 SF FS Rg ey AS‏ لين الج ‎SRE‏ & ا مي كن ادا ال ااا الو اد لدان ااا ‎SE‏ ارا لجرا ا ال وا ‎SI‏ الجا اد كر الي الل ل لاد ا ات" ‎SANS‏ لبرت اران الال ار اذا الات لدت الوا ألا ل ا ان الي ‎aR‏ و ‎EEA ENN Ee SEAT ES‏ بر "ينا اا ا لاا هيا مطل ما امت اما لما سا سا ا أن ل ال جد جما اد ماد دي ل تلاتلا الم مد عد لا لق ‎EE‏ ا 7 \ 8 لنت مالستسا ناي 8 ‎p pe)‏ ‎hg‏ & . ¥ ل واي ‎A RRR A SRE RAR eg Re‏ اا ااا ا ‎EERE‏ ل 0 ا م لاا ‎pl EE‏ م ‎SE hE‏ ار ‎he REE SY Ve‏ كن ا من ا ‎EE‏ ال دنا ل ارك ل ‎A‏ & ا اي م ‎al RE‏ ا ا يب الا ال ‎JE‏ ا ا ال ‎i Pr‏ ‎ra SE‏ ا بن ا الا ا ال الا الات ال اا ‎SP‏ ان الا اااي ا ب عي الي عي ا ال ‎Re TT Se LT‏ وان راض مالي ‎A NE‏ عا أن ‎lS‏ ل ل لدت رن د ا ‎SSA TREE‏ ان ا ا اند ا ال اد اد الا اا ال د الإ ال ‎Ad I Se‏ ان ‎ey oF GR‏ ا اث ‎Rel‏ اين ‎oF FRY eR CR Reg‏ ا كي ان كم الكت أن اح ام ل 7 ‎Cs‏ ما كن انج ل ا اعم 6 ا لسر ات ان لذ اله ‎Te‏ حي الات ‎Ta Ne Te aN‏ ا الح ل د لد ادي ال ل ا عا بمج ‎Soe‏ المي ا ا القن 5 عن ال ا ‎EOE IN‏ بن الح اق ل ان ‎a‏ ا" ‎BE‏ ا ا ‎JER‏ ا الا ل ‎JE‏ ار ال كي ال ا الا و ا ام ا الع ا ا اام ‎ary a‏ ا م ا الج اجا 2 ا ‎Sa ER‏ الا ل ااا ا الت ااال الام ل ب الاك ال مم ‎reas RS © ea‏ ار اانا زا ادا ل ‎er‏ امي لدان ا ملاسلا حل اساسا الس سا ا اساسا ‎bebo‏ الحا لالت سي نا ‎SR SERRE LR SREY‏ جح جح ججح حا جاجد سججاح جح جحا خا ل حت حا ‎N RR ER EERE EEL ER SR‏ أ تت ‎ETRE‏ ‎Lr‏ ‏7 ‎AE‏ . عي ‎Ea Lo : FER‏ د لجا الموج امج ‎SE‏ اموي لجسو ترج وا ا ود تمر المي جو الات لقنا ‎ET NT TER RSTRNT EEN‏ ا ‎J Al (Ral Ji aie I ty‏ الخ الخ اج ‎SCC TOR‏ ضر اا ‎Tr aL‏ ا اج د اج اي ‎ia Sl Beal AEE‏ تاي ‎Hal ul SE Gh I‏ م ‎Sd‏ حادق المع ‎JERE 0 QT Ra Sag Sg psa‏ الي ال ار اك الال د اك ا الات ارا ع ل ‎Re OF‏ اع لبا ‎oy NO‏ اكت ااا ل امن اج من عن للدي ا 5 ادكو ا ال جا وان قي ل ‎ES‏ لاد ‎aC CRT HC allt SEL‏ للا ل القن ‎RE Rn KE Sa SHI EEN‏ ا ‎AN 3 RR = ot‏ ير ا ل ب م ‎So oad TY = Naan a 1 al 3 Pa‏ الجا يي ا جر اد ل 8 : 5" 7 : و ‎Sp‏ ‏عي اتن ان كين ‎SI TEE GEE Fad ATER NE A SF STR ey‏ ‎Pret I‏ اجر كر الى تن ‎FE‏ اد اا لل ا اق ا راان بان ل د اي ل ب ا الل ل الال بن الب لخر اهن السلا اليا تن سعد يت لبس انا لي “ان اااي لواب حل در ‎Cae a‏ #3 كن ‎NAL LA ET a a A‏ 0-7 أ اع الا ‎a oF FRE oo Fe NCE Op pay hel FER‏ ا ا ا ا ل ‎Sy oa‏ ‎NRE‏ امن مركن اع ‎EE a TE Ta aR‏ الى ال اا ‎FE Ao A‏ ‎a‏ ب ‎eat‏ ال ‎Ce‏ ان ا ا لخر الاي الخ الزن لي ‎a‏ الا اال ان ان الة ‎Rs ee eC AIS SES J SN‏ اه ‎Rts So We Th‏ اا و 3 لحا اا تا لات ا امااساك الستا حاتت اتا اتا الات الاك الات اا اناه ‎i‏ حك : 58 ‎nn A ATA AAS Am a SAAT AS ns 1‏ ا عا ‎Ny er‏ ‎xe‏ ‎CR‏ ‎ae‏ ‎fa‏ ‎a HY A‏ لا ال اا ع
    & ¥ اب او ا # 4# ب ‎In : AR a CAT‏ ب م ‎Ga‏ ‏ا ا — ‎Sr‏ تسح ‎III‏ ‎SUSIE as : 1 > 3‏ لجح سس ‎BE‏ ‎bY L % § 8 5 § *‏ الى 5 . ا ا الي اا : ‎A‏ ل ا ا ا ا ا لبي ‎A‏ ب لدي ا ا ا ا ا ل ا ا ا ‎RT TI RE a RT, 0‏ ل جب اي ا لهاي“ ا ال 8 ‎NE Ps 3, 3 Sy‏ = د كاد لت .تت للد سد سد لبد سبحت ال اع ‎H i : 3 t] 1 3 3‏ ‎F ! 4 N‏ ا 0 1 ® ;
    م . ‎A‏ ٍ اا ب ‎A‏ ا § الا ااي ااي تتا ا ‎OOO: SOTO ch SO‏ متسس ا ايل الح ا نك 1 واد اا 5 5 ‎i a‏ 8 8 الجا ا امد ل دجي ‎wn‏ با ال لحي ‎H‏ ‎TUN eR : NR HR §‏ ا : ‎i : 8‏ ‎a A RE Es a. SE ra a RR‏ ل ‎RAR NE ae‏ اا ا ا ا ا و لوده و اا ا 3 شخي ‎HEE]‏ ‎el RR‏ ‎ERR a Lo ERA‏ اتح ته تمت ا تس تع ‎Psy‏ ‏¥ 5 ا % 3 ف 0 ‎FE i ii ce ie‏ ‎SE Trepp infers RE‏ ‎a ES 3‏ 0 مها ب 8 ‎HE x al Aan fra © Tn‏ ا 5 ‎SVUReReY.‏ ا 2 ‎ananassae‏ ‎H pa 5‏ ب ب" ‎PN‏ . ‎id B :‏ 1 ‎ES 5 5 84 1‏ 8 ‎is Ns Cr FETA.‏ > سما جعت جح جع عع 1 بغ« : ‎w. : 5 ES mp. ١‏ :+ } وال ل اس لي ‎Ee) NF ay‏ 5 جا > { ; : إ ‎Ro RA a Bn as.‏ ‎ER ERNE IN NRE RY‏ ‎EE EY‏ ‎Ww & TNR‏ ® ‎Be - <> X Ld i PRN‏
    لاله الهيلة السعودية الملضية الفكرية ا ‎Sued Authority for intallentual Property‏ ‎RE‏ .¥ + \ ا 0 § 8 ‎Ss o‏ + < م ‎SNE‏ اج > عي كي الج ‎TE I UN BE Ca‏ ‎a‏ ةا ‎ww‏ جيثة > ‎Ld Ed H Ed - 2 Ld‏ وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها ‎of‏ سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. ‎Ad‏ ‏صادرة عن + ب ب ‎٠.‏ ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > فهذا ص ب ‎101١‏ .| لريا ‎1*١ v=‏ ؛ المملكة | لعربية | لسعودية ‎SAIP@SAIP.GOV.SA‏
SA516371930A 2014-03-28 2016-09-27 تعدين الخلايا الشمسية باستخدام الرقائق SA516371930B1 (ar)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/229,769 US9337369B2 (en) 2014-03-28 2014-03-28 Solar cells with tunnel dielectrics
PCT/US2015/022332 WO2015148569A1 (en) 2014-03-28 2015-03-24 Solar cells with tunnel dielectrics

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA516371930B1 true SA516371930B1 (ar) 2020-11-05

Family

ID=54191556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA516371930A SA516371930B1 (ar) 2014-03-28 2016-09-27 تعدين الخلايا الشمسية باستخدام الرقائق

Country Status (15)

Country Link
US (3) US9337369B2 (ar)
EP (1) EP3123525B1 (ar)
JP (1) JP6487451B2 (ar)
KR (3) KR20230065383A (ar)
CN (2) CN110047947B (ar)
AU (1) AU2015236204B2 (ar)
BR (1) BR112016022505B1 (ar)
CL (1) CL2016002437A1 (ar)
MX (1) MX358424B (ar)
MY (1) MY190939A (ar)
PH (1) PH12016501871A1 (ar)
SA (1) SA516371930B1 (ar)
SG (1) SG11201608045TA (ar)
TW (1) TWI665807B (ar)
WO (1) WO2015148569A1 (ar)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4092757A1 (en) 2013-04-03 2022-11-23 Lg Electronics Inc. Method for fabricating a solar cell
US9231129B2 (en) 2014-03-28 2016-01-05 Sunpower Corporation Foil-based metallization of solar cells
US11811360B2 (en) 2014-03-28 2023-11-07 Maxeon Solar Pte. Ltd. High voltage solar modules
US9337369B2 (en) 2014-03-28 2016-05-10 Sunpower Corporation Solar cells with tunnel dielectrics
KR102219804B1 (ko) 2014-11-04 2021-02-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
EP3026713B1 (en) 2014-11-28 2019-03-27 LG Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
KR102272433B1 (ko) 2015-06-30 2021-07-05 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
JP6785427B2 (ja) * 2016-02-01 2020-11-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池素子および太陽電池モジュール
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard
CN115692534B (zh) * 2022-12-14 2023-03-28 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池及光伏组件

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1160801C (zh) 1995-11-06 2004-08-04 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体器件
US6380055B2 (en) * 1998-10-22 2002-04-30 Advanced Micro Devices, Inc. Dopant diffusion-retarding barrier region formed within polysilicon gate layer
AUPR719701A0 (en) * 2001-08-23 2001-09-13 Pacific Solar Pty Limited Chain link metal interconnect structure
US7601649B2 (en) * 2004-08-02 2009-10-13 Micron Technology, Inc. Zirconium-doped tantalum oxide films
US20060130891A1 (en) * 2004-10-29 2006-06-22 Carlson David E Back-contact photovoltaic cells
US7687402B2 (en) * 2004-11-15 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Methods of making optoelectronic devices, and methods of making solar cells
FR2880989B1 (fr) 2005-01-20 2007-03-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
US7468485B1 (en) * 2005-08-11 2008-12-23 Sunpower Corporation Back side contact solar cell with doped polysilicon regions
US7718888B2 (en) * 2005-12-30 2010-05-18 Sunpower Corporation Solar cell having polymer heterojunction contacts
US7737357B2 (en) * 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US7838062B2 (en) * 2007-05-29 2010-11-23 Sunpower Corporation Array of small contacts for solar cell fabrication
WO2009094578A2 (en) 2008-01-24 2009-07-30 Applied Materials, Inc. Improved hit solar cell structure
CN101999175A (zh) * 2008-04-09 2011-03-30 应用材料股份有限公司 用于多晶硅发射极太阳能电池的简化背触点
KR20110042053A (ko) * 2008-06-11 2011-04-22 솔라 임플란트 테크놀로지스 아이엔씨. 주입을 이용한 솔라 셀-선택 에미터의 형성 및 어닐링 방법
US7851698B2 (en) * 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
TWI462307B (zh) * 2008-09-02 2014-11-21 Au Optronics Corp 具備多重能隙的矽奈米晶體光電池及其在一低溫多晶矽薄膜電晶體面板內之應用
US8242354B2 (en) * 2008-12-04 2012-08-14 Sunpower Corporation Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions
US20100206378A1 (en) 2009-02-13 2010-08-19 Miasole Thin-film photovoltaic power system with integrated low-profile high-efficiency inverter
US20100229928A1 (en) * 2009-03-12 2010-09-16 Twin Creeks Technologies, Inc. Back-contact photovoltaic cell comprising a thin lamina having a superstrate receiver element
DE102009024807B3 (de) * 2009-06-02 2010-10-07 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Solarzelle mit benachbarten elektrisch isolierenden Passivierbereichen mit hoher Oberflächenladung gegensätzlicher Polarität und Herstellungsverfahren
DE102009044052A1 (de) * 2009-09-18 2011-03-24 Schott Solar Ag Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls
US8603900B2 (en) * 2009-10-27 2013-12-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Reducing surface recombination and enhancing light trapping in solar cells
JP5307688B2 (ja) * 2009-10-27 2013-10-02 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池
TWI460827B (zh) * 2010-03-31 2014-11-11 Taiwan Memory Company 快閃記憶體之製作方法
US8686283B2 (en) * 2010-05-04 2014-04-01 Silevo, Inc. Solar cell with oxide tunneling junctions
JP5424270B2 (ja) * 2010-05-11 2014-02-26 国立大学法人東京農工大学 半導体ソーラーセル
US20120060904A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-15 Smith David D Fabrication Of Solar Cells With Silicon Nano-Particles
JP2012060080A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Ulvac Japan Ltd 結晶太陽電池及びその製造方法
KR20120078933A (ko) * 2011-01-03 2012-07-11 삼성전자주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
WO2012132615A1 (ja) 2011-03-25 2012-10-04 三洋電機株式会社 光電変換装置及びその製造方法
US8658458B2 (en) 2011-06-15 2014-02-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Patterned doping for polysilicon emitter solar cells
US9373959B2 (en) 2011-06-21 2016-06-21 Lg Electronics Inc. Photovoltaic module
KR20130057286A (ko) * 2011-11-23 2013-05-31 삼성에스디아이 주식회사 광기전력소자 및 제조방법
US20130146136A1 (en) 2011-12-13 2013-06-13 Kyoung-Jin Seo Photovoltaic device and method of manufacturing the same
US9190549B2 (en) * 2012-02-28 2015-11-17 International Business Machines Corporation Solar cell made using a barrier layer between p-type and intrinsic layers
US9054255B2 (en) * 2012-03-23 2015-06-09 Sunpower Corporation Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material
JP5546616B2 (ja) * 2012-05-14 2014-07-09 セリーボ， インコーポレイテッド トンネル酸化物を有する後面接合太陽電池
US9640676B2 (en) * 2012-06-29 2017-05-02 Sunpower Corporation Methods and structures for improving the structural integrity of solar cells
CN102800716B (zh) * 2012-07-09 2015-06-17 友达光电股份有限公司 太阳能电池及其制作方法
KR20140019099A (ko) * 2012-08-02 2014-02-14 삼성에스디아이 주식회사 광전소자
US8642378B1 (en) * 2012-12-18 2014-02-04 International Business Machines Corporation Field-effect inter-digitated back contact photovoltaic device
US9337369B2 (en) 2014-03-28 2016-05-10 Sunpower Corporation Solar cells with tunnel dielectrics
US9496437B2 (en) 2014-03-28 2016-11-15 Sunpower Corporation Solar cell having a plurality of sub-cells coupled by a metallization structure
US11811360B2 (en) 2014-03-28 2023-11-07 Maxeon Solar Pte. Ltd. High voltage solar modules
US9231129B2 (en) 2014-03-28 2016-01-05 Sunpower Corporation Foil-based metallization of solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
MX2016012342A (es) 2016-12-02
CN110047947A (zh) 2019-07-23
KR102530217B1 (ko) 2023-05-08
US20160233348A1 (en) 2016-08-11
AU2015236204A1 (en) 2016-07-14
JP2017510972A (ja) 2017-04-13
US10840392B2 (en) 2020-11-17
US9337369B2 (en) 2016-05-10
US20200274008A1 (en) 2020-08-27
PH12016501871B1 (en) 2017-01-09
TWI665807B (zh) 2019-07-11
CN110047947B (zh) 2023-09-05
US10600922B2 (en) 2020-03-24
JP6487451B2 (ja) 2019-03-20
EP3123525A4 (en) 2017-04-19
PH12016501871A1 (en) 2017-01-09
TW201603299A (zh) 2016-01-16
CN105993079B (zh) 2019-03-12
KR20230065383A (ko) 2023-05-11
CL2016002437A1 (es) 2017-02-24
CN105993079A (zh) 2016-10-05
US20150280031A1 (en) 2015-10-01
KR20220138877A (ko) 2022-10-13
EP3123525A1 (en) 2017-02-01
BR112016022505B1 (pt) 2023-01-10
KR20160140773A (ko) 2016-12-07
MX358424B (es) 2018-08-20
BR112016022505A2 (ar) 2017-08-15
EP3123525B1 (en) 2020-12-02
MY190939A (en) 2022-05-23
SG11201608045TA (en) 2016-10-28
KR102453500B1 (ko) 2022-10-12
WO2015148569A1 (en) 2015-10-01
AU2015236204B2 (en) 2019-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SA516371930B1 (ar) تعدين الخلايا الشمسية باستخدام الرقائق
JP2019004135A (ja) 太陽電池、太陽電池モジュール及びその製造方法
JP6006279B2 (ja) 太陽電池モジュール
DE102012001269B4 (de) Solarzellenpaneel
EP2294642B1 (de) Verfahren zur herstellung eines organischen elektronischen bauelements
CN106471627A (zh) 太阳能电池的箔基金属化
CN108470787A (zh) 光伏电池和层压板金属化
CN102473767A (zh) 带有布线板的太阳能电池单元、太阳能电池模块以及带有布线板的太阳能电池单元的制造方法
DE102009053776A1 (de) Emitterbildung mit einem Laser
DE102005040871A1 (de) Rückkontaktierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
JP6215972B2 (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
DE102010017180A1 (de) Solarzelle, Solarmodul, und Verfahren zum Verdrahten einer Solarzelle, und Kontaktdraht
CN108110079A (zh) 异质结太阳能电池及其制备方法
DE102011104159A1 (de) Verfahren zum elektrischen verbinden mehrerer solarzellen und photovoltaikmodul
JP7471229B2 (ja) レーザービームを使用した半導体基板の局所メタライゼーション
WO2015091698A1 (de) Photovoltaische zelle, photovoltaikmodul sowie dessen herstellung und verwendung
JP2021501979A (ja) 電池積層体用の接触板を作製する方法、電池積層体用の接触板及び電池積層体
CN103765601B (zh) 太阳能电池和其生产方法
WO2016198797A1 (fr) Module photovoltaique et procede d&#39;interconnexion de cellules photovoltaiques pour fabriquer un tel module
DE202015106557U1 (de) Bifaziales Photovoltaikmodul
DE102009055031A1 (de) Solarzelle, diese Solarzelle umfassendes Solarmodul, Verfahren zu deren Herstellung und zur Herstellung einer Kontaktfolie
DE102011052318B4 (de) Solarmodul mit Kontaktfolie und Solarmodul-Herstellungsverfahren
DE102011015283B4 (de) Herstellung eines Halbleiter-Bauelements durch Laser-unterstütztes Bonden und damit hergestelltes Halbleiter-Bauelement
DE102009037217A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements
DE102013203414A1 (de) Solarmodul und Verfahren zu dessen Herstellung