CN101999175A - 用于多晶硅发射极太阳能电池的简化背触点 - Google Patents

用于多晶硅发射极太阳能电池的简化背触点 Download PDF

Info

Publication number
CN101999175A
CN101999175A CN2009801125961A CN200980112596A CN101999175A CN 101999175 A CN101999175 A CN 101999175A CN 2009801125961 A CN2009801125961 A CN 2009801125961A CN 200980112596 A CN200980112596 A CN 200980112596A CN 101999175 A CN101999175 A CN 101999175A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
polysilicon layer
back side
annealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2009801125961A
Other languages
English (en)
Inventor
皮特·G·博登
徐力
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN101999175A publication Critical patent/CN101999175A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及形成太阳能电池的触点。根据一个方案，根据本发明的叉合背接触(IBC)电池设计仅需要一个构图步骤来形成该叉合接合面(相对于其它设计的两个步骤)。根据另一方案，该背触点结构包括氮化硅或氮化的隧道电介质。其作用为一扩散屏障，因此可在高温工艺步骤期间维持该隧道电介质的性质，并可避免硼扩散通过该隧道电介质。根据另一方案，形成这些背触点的工艺不需要深的驱入扩散。

Description

用于多晶硅发射极太阳能电池的简化背触点
相关申请的交叉参考
本申请要求于2008年4月9日提交的美国临时申请No.61/043,672的优先权，在此通过参考的方式援引该专利申请的全部内容。
技术领域
本发明涉及太阳能电池，并且更明确地，涉及用于多晶硅发射极太阳能电池的所有背触点。
背景技术
在某些应用中偏好使用叉合背接触太阳能电池，因为其提供高效率(＞20％)，并且将电极置于背面，在此其不会阻断光线。此种电池之一商业范例是SunPower公司提供的A300电池。此电池的制造成本昂贵，因为需要许多构图步骤及两次扩散，以形成在该背侧产生n及p型区的扩散。如在此所使用的，背侧或背面等用语表示该太阳能电池与接收光线以利用该太阳能电池转换成电能的表面相对的表面的公知术语。
因此，对于具有较少构图及扩散步骤的工艺有兴趣，特别是若可利用快速热处理而非扩散管来完成热步骤。较不偏好扩散管，因为在载入和载出时薄的电池容易断裂，并且工艺缓慢。
已考虑过使用多晶硅发射极(polysilicon emitter，PE)结构来除去该深扩散。在1980年代早期，该PE电池表现为一平面型装置，并且有与其相关的一些专利文献。例如，美国专利公开案第2006-0256728号描述一种结构，其运用二氧化硅隧道氧化物，需要两个构图步骤以形成n和p型掺杂层。因为二氧化硅并非硼扩散的屏障，所以此结构仅可使用直接沉积(as-deposited)层，而无高温焙烧。这是一项缺点，因为通常需要焙烧来降低该多晶硅的表面电阻至可接受程度。
较早期的装置包括美国专利No.5,057,439，其描述一种与前述应用类似的结构，但需使用一高温步骤来穿隧该二氧化硅隧道层，因此形成一公知接合面。
据此，仍需要一种形成太阳能电池的所有背触点的方法，以克服现有技术的问题。
发明内容
本发明涉及太阳能电池的触点及其制造方法。根据一个方案，根据本发明的叉合背接触(interdigitated back contact，IBC)电池设计仅需要一个构图步骤来形成该叉合接合面(相对于其它设计的两个步骤)。根据另一方案，该背触点结构包括氮化硅或氮化的隧道电介质。其作用为一扩散屏障，因此可在高温工艺步骤期间维持该隧道电介质的性质，并可避免硼扩散通过该隧道电介质。根据另一方案，形成这些背触点的工艺不需要深的驱入扩散。
在这些及其它方案的进一步方案中，根据本发明实施例的太阳能电池包括一基板，其具有一正面及一背面；一第一触点结构，连接至形成在该基板背面上的一第一组多晶硅区；一第二触点结构，连接至形成在该基板背面上的一第二组多晶硅区，该第一及第二多晶硅区有相反的导电型；以及一隧道介电层，介于该第一及第二多晶硅区与该基板之间。
在这些及其它方案的其它进一步方案中，根据本发明的实施例，一种制造一太阳能电池的方法包括：制备一基板，该基板具有一正面及一背面；在该基板的背面上沉积一第一多晶硅层；在该基板的背面上沉积一第二多晶硅层，该第一及第二多晶硅层有相反的导电型；以及执行一退火，其使该第一及第二沉积多晶硅层在该基板的背面上形成各自的第一及第二多晶硅区。
附图说明
在参照附图阅读下述本发明的具体实施例的描述后，对本领域技术人员来说本发明的这些及其它方案和特征结构会变得显而易见，其中：
图1A和图1B示出根据本发明具有背触点的太阳能电池结构的两个实施例。
图1C示出可在图1A和图1B实施例内完成的背面的金属化的视图。
图2A和图2B分别示出图1A和图1B的结构的工艺流程。
具体实施方式
现在将参考附图详细描述本发明，提供这些附图作为说明范例以使本领域技术人员能够实施本发明。显然，下面的附图及实施例并无意将本发明范围限制在单个实施例中，而是借助互换某些或所有描述出或显示出的组件，其它实施例是可能的。此外，当可利用已知部件部分或完全实施本发明的某些组件时，仅会描述此种已知部件对本发明的理解必要的部分，并省略此种已知部件的其它部分的详细描述，以避免混淆本发明。在本说明书中，不应将示出单个部件的实施例视为限制性；反之，本发明意欲包括包括多个相同部件的其它实施例，反之亦然，除非在此以其它方式明确申明。此外，申请人不欲说明书或权利要求范围内的任何用词被归类为具有罕见或特别含义，除非如此明确提出。另外，本发明包括在此借助说明方式引用的已知部件的目前及未来的已知等效物。
除了其它的之外，本发明认定使用氮化硅或氮化的隧道电介质作用为扩散屏障，从而可在高温工艺步骤期间维持该隧道电介质的性质，并可避免硼扩散通过该隧道电介质。此种技术的实施例在共同审查中的美国专利申请案(AM-13306)中描述，其内容在此借助引用其全文的方式并入本文中。
图1A和图1B示出根据本发明实施例的太阳能电池的两个实施例。图1A的实施例较简单，但连接至该n型多晶硅的触点需要相当窄的线宽(假设基板102是n型硅；就p型基板而言，该掺杂是相反的)。此实施例的工艺流程在图2A示出。图1B的实施例具有相同数量的构图步骤，但使用一额外的回流退火，以能使用较宽触点接线。此实施例的工艺流程在图2B中示出。
图1C示出从该模块的背触点表面的上方观看的背触点110接线，并示出连接至该n型及p型多晶硅的这些接线110是如何叉合的。在此实施例中，这些触点接线110相对于该太阳能电池的最长尺寸纵向延伸，而n型及p型触点彼此平行且交错延伸。如进一步所示，这些n型及p型触点接线均连接至常见的各自总线结构。本领域技术人员会通晓此类触点结构，并在经过本公开的教示之后会了解如何将其结合本发明实施。此外，图1A和图1B的结构的细节可从下面的工艺流程描述而变得更加显而易见。
参照图2A和图2B的工艺流程，在两个实施例中，该电池的正面在步骤S202/S252中被织构化(textured)，并在步骤S204/S254中施加例如二氧化硅或隧道氧化物及多晶硅的钝化介电涂层112。此类钝化方法在本领域中是公知的。一般接着添加例如78nm的四氮化三硅的抗反射涂层(未示出)。
然后开始背面处理。在图2A的实施例中，接下来在步骤S206形成隧道电介质104。因为欲阻止硼扩散，其包括一氮化层，通常是8-12埃厚。可使用许多制造此层的方法，例如在制造MOS IC中制造这种层的方法。然后在步骤S208沉积一层p型多晶硅106。此层的掺杂是约1-2x1019/cm3的硼。该层106约500-2000埃厚。然后在步骤S210中，使用网印或喷墨法，在接线中施加例如磷酸的n型磷掺杂涂料。这些区域的宽度必须小于少数载流子的扩散长度，其在1毫米等级。在步骤S212利用一1000℃持续30秒等级的快速热退火来驱入磷，形成与p型掺杂区106叉合的n型掺杂区108。然后可在步骤S214中利用公知方法构图并形成触点110。
图2B的实施例的工艺流程在步骤S256依循图2A实施例的流程，除了n型多晶硅108是在步骤S258使用例如与步骤S210中者类似的技术而沉积外。然后在步骤S260中于该背面上施加具有硼掺杂质的旋涂玻璃(spin-onglass，SOG)114。在步骤S262中于该p型SOG内开孔，其界定出将维持n型的区域108。在步骤S264中，该SOG在1000℃下退火30秒以驱入硼，形成该p型掺杂的区域106。可如步骤S266中所示选择性使用一较低温的第二退火，以横向流动该玻璃，而使其延伸超过该掺杂边缘，以最小化短路(shorting)。实际上，此退火在与该第一退火相同的系统中借助降低温度来完成。最后，在步骤S268利用公知方法构图并形成触点110。
虽然本发明已参考其较佳实施例具体描述，但可在不脱离本发明的精神及范围下在形式及细节上做改变及修改对于本领域技术人员而言是显而易见的。所附权利要求意欲包括此类改变及修改。

Claims (15)

1.一种太阳能电池，包括：
一基板，其具有一正面及一背面；
一第一触点结构，连接至形成在该基板背面上的一第一组多晶硅区；
一第二触点结构，连接至形成在该基板背面上的一第二组多晶硅区，该第一及第二多晶硅区有相反的导电型；以及
一隧道介电层，介于该第一及第二多晶硅区与该基板之间。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述隧道介电层包括一氮化物层。
3.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一及第二触点结构彼此叉合。
4.如权利要求1所述的太阳能电池，还包括形成在该基板的正面上的一钝化电介质。
5.一种制造一太阳能电池的方法，包括：
制备一基板，该基板具有一正面及一背面；
在该基板的背面上沉积一第一多晶硅层；
在该基板的背面上沉积一第二多晶硅层，该第一及第二多晶硅层具有相反的导电型；以及
执行一退火，其使该第一及第二沉积的多晶硅层在该基板的背面上形成各自的第一及第二多晶硅区。
6.如权利要求5所述的方法，还包括：
在执行该退火步骤之前形成一隧道介电层，该隧道介电层介于该第一及第二多晶硅区与该基板之间，其中该隧道介电层由阻断从这些多晶硅区至该基板的扩散的材料构成。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述隧道介电层包括一氮化物层。
8.如权利要求5所述的方法，其中所述沉积该第一多晶硅层的步骤包括在该背面上沉积一p型多晶硅材料薄层，且其中沉积该第二多晶硅层的步骤包括在该第一多晶硅层上构图n型多晶硅材料的接线。
9.如权利要求5所述的方法，其中所述沉积该第一多晶硅层的步骤包括在该背面上构图n型多晶硅材料的接线，且其中沉积该第二多晶硅层的步骤包括在该背面及该第一多晶硅层上沉积一p型多晶硅材料层，并且在该第二多晶硅层内开孔，以暴露出该第一多晶硅层。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述p型多晶硅材料包括一旋涂玻璃(SOG)。
11.如权利要求9所述的方法，其中所述退火步骤包括一驱入退火，后接一回流退火。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述驱入退火和回流退火均使用相同退火执行。
13.如权利要求5所述的方法，还包括：
形成第一及第二触点结构，分别接触该第一及第二多晶硅区。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一及第二触点结构彼此叉合地形成。
15.如权利要求5所述的方法，还包括在该基板正面上形成一钝化电介质。
CN2009801125961A 2008-04-09 2009-04-09 用于多晶硅发射极太阳能电池的简化背触点 Pending CN101999175A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US4367208P 2008-04-09 2008-04-09
US61/043,672 2008-04-09
PCT/US2009/040063 WO2009126803A2 (en) 2008-04-09 2009-04-09 Simplified back contact for polysilicon emitter solar cells

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101999175A true CN101999175A (zh) 2011-03-30

Family

ID=41162608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801125961A Pending CN101999175A (zh) 2008-04-09 2009-04-09 用于多晶硅发射极太阳能电池的简化背触点

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090314341A1 (zh)
JP (1) JP2011517120A (zh)
KR (1) KR20100136542A (zh)
CN (1) CN101999175A (zh)
TW (1) TW201019482A (zh)
WO (1) WO2009126803A2 (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103890961A (zh) * 2011-09-02 2014-06-25 荷兰能源研究中心基金会 具有浮动正面发射极区的交指型背面接点光伏电池
CN105244389A (zh) * 2014-07-07 2016-01-13 Lg电子株式会社 太阳能电池
CN106252457A (zh) * 2011-12-21 2016-12-21 太阳能公司 混合型多晶硅异质结背接触电池
CN106684160A (zh) * 2016-12-30 2017-05-17 中国科学院微电子研究所 一种背结背接触太阳能电池
CN107068778A (zh) * 2012-12-19 2017-08-18 太阳能公司 混合型发射极全背接触式太阳能电池
CN108649079A (zh) * 2018-07-11 2018-10-12 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池及其制备方法
US10304972B2 (en) 2012-12-19 2019-05-28 Sunpower Corporation Solar cell with silicon oxynitride dielectric layer
CN110047947A (zh) * 2014-03-28 2019-07-23 太阳能公司 具有隧道电介质的太阳能电池
CN110459638A (zh) * 2019-06-05 2019-11-15 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法
CN112466960A (zh) * 2020-11-10 2021-03-09 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池结构及其制备方法

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8053867B2 (en) 2008-08-20 2011-11-08 Honeywell International Inc. Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants
US7951696B2 (en) 2008-09-30 2011-05-31 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming N-type and P-type doped regions using non-contact printing processes
US8242354B2 (en) * 2008-12-04 2012-08-14 Sunpower Corporation Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions
US8518170B2 (en) 2008-12-29 2013-08-27 Honeywell International Inc. Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks
US8324089B2 (en) 2009-07-23 2012-12-04 Honeywell International Inc. Compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, methods for fabricating such compositions, and methods for forming doped regions using such compositions
US8324015B2 (en) * 2009-12-01 2012-12-04 Sunpower Corporation Solar cell contact formation using laser ablation
US20110162706A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-07 Applied Materials, Inc. Passivated polysilicon emitter solar cell and method for manufacturing the same
US8377738B2 (en) 2010-07-01 2013-02-19 Sunpower Corporation Fabrication of solar cells with counter doping prevention
US8334161B2 (en) 2010-07-02 2012-12-18 Sunpower Corporation Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
KR101149542B1 (ko) 2010-08-17 2012-05-25 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US20120073650A1 (en) * 2010-09-24 2012-03-29 David Smith Method of fabricating an emitter region of a solar cell
US8492253B2 (en) 2010-12-02 2013-07-23 Sunpower Corporation Method of forming contacts for a back-contact solar cell
US8586403B2 (en) * 2011-02-15 2013-11-19 Sunpower Corporation Process and structures for fabrication of solar cells with laser ablation steps to form contact holes
US10011920B2 (en) 2011-02-23 2018-07-03 International Business Machines Corporation Low-temperature selective epitaxial growth of silicon for device integration
US8658458B2 (en) * 2011-06-15 2014-02-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Patterned doping for polysilicon emitter solar cells
US8629294B2 (en) 2011-08-25 2014-01-14 Honeywell International Inc. Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants
US8975170B2 (en) 2011-10-24 2015-03-10 Honeywell International Inc. Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions
US9508874B2 (en) * 2012-03-09 2016-11-29 First Solar, Inc. Photovoltaic device and method of manufacture
KR101777881B1 (ko) 2012-09-18 2017-09-12 현대중공업그린에너지 주식회사 후면전극형 태양전지 제조 방법
CN102856328B (zh) 2012-10-10 2015-06-10 友达光电股份有限公司 太阳能电池及其制作方法
US9059212B2 (en) 2012-10-31 2015-06-16 International Business Machines Corporation Back-end transistors with highly doped low-temperature contacts
US8912071B2 (en) 2012-12-06 2014-12-16 International Business Machines Corporation Selective emitter photovoltaic device
US8642378B1 (en) * 2012-12-18 2014-02-04 International Business Machines Corporation Field-effect inter-digitated back contact photovoltaic device
US20140166094A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-19 Paul Loscutoff Solar cell emitter region fabrication using etch resistant film
TWI643351B (zh) * 2013-01-31 2018-12-01 澳洲商新南創新有限公司 太陽能電池金屬化及互連方法
KR101613843B1 (ko) * 2013-04-23 2016-04-20 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
TWI496303B (zh) * 2013-06-11 2015-08-11 Motech Ind Inc 太陽能電池及其製造方法與太陽能電池模組
KR101622089B1 (ko) * 2013-07-05 2016-05-18 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN104425651B (zh) * 2013-09-09 2016-08-10 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺
US9196758B2 (en) * 2013-12-20 2015-11-24 Sunpower Corporation Solar cell emitter region fabrication with differentiated p-type and n-type region architectures
KR101620431B1 (ko) * 2014-01-29 2016-05-12 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101661948B1 (ko) * 2014-04-08 2016-10-04 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US20150349180A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 David D. Smith Relative dopant concentration levels in solar cells
KR101661807B1 (ko) * 2014-07-28 2016-09-30 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101630526B1 (ko) * 2014-09-05 2016-06-14 엘지전자 주식회사 태양 전지
KR101630061B1 (ko) * 2014-09-15 2016-06-13 엘지전자 주식회사 태양 전지
JP6219913B2 (ja) 2014-11-28 2017-10-25 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
WO2016133864A1 (en) 2015-02-17 2016-08-25 Massachusetts Institute Of Technology Compositions and methods for the downconversion of light
US9525083B2 (en) * 2015-03-27 2016-12-20 Sunpower Corporation Solar cell emitter region fabrication with differentiated P-type and N-type architectures and incorporating a multi-purpose passivation and contact layer
WO2017098790A1 (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 株式会社カネカ 光電変換装置およびその製造方法
US9502601B1 (en) * 2016-04-01 2016-11-22 Sunpower Corporation Metallization of solar cells with differentiated P-type and N-type region architectures
US10686087B2 (en) * 2016-09-19 2020-06-16 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
CN108075017B (zh) * 2016-11-10 2019-12-17 上海凯世通半导体股份有限公司 Ibc电池的制作方法
US20200279968A1 (en) 2017-09-22 2020-09-03 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Interdigitated back-contacted solar cell with p-type conductivity
WO2020069458A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 Sunpower Corporation Solar cells having hybrid architectures including differentiated p-type and n-type regions

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4927770A (en) * 1988-11-14 1990-05-22 Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia Method of fabricating back surface point contact solar cells
US5053083A (en) * 1989-05-08 1991-10-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Bilevel contact solar cells
US5057439A (en) * 1990-02-12 1991-10-15 Electric Power Research Institute Method of fabricating polysilicon emitters for solar cells
US5501744A (en) * 1992-01-13 1996-03-26 Photon Energy, Inc. Photovoltaic cell having a p-type polycrystalline layer with large crystals
JP3351679B2 (ja) * 1996-05-22 2002-12-03 株式会社リコー 多結晶シリコン薄膜積層体の製造方法及びシリコン薄膜太陽電池
JPH104203A (ja) * 1996-06-18 1998-01-06 Tdk Corp 多結晶Ｓｉ薄膜太陽電池及びその製造方法
JP2002343993A (ja) * 2001-03-15 2002-11-29 Canon Inc 薄膜多結晶太陽電池及びその形成方法
US7402747B2 (en) * 2003-02-18 2008-07-22 Kyocera Corporation Photoelectric conversion device and method of manufacturing the device
EP1458146A1 (de) * 2003-03-11 2004-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und netzseitige Einrichtung zur Ermittlung eines Pfades in einem adhoc Funkkommunikationssystem
US7144751B2 (en) * 2004-02-05 2006-12-05 Advent Solar, Inc. Back-contact solar cells and methods for fabrication
JP4741221B2 (ja) * 2004-11-25 2011-08-03 京セラ株式会社 多結晶シリコンの鋳造方法とこれを用いた多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板並びに太陽電池素子
US7468485B1 (en) * 2005-08-11 2008-12-23 Sunpower Corporation Back side contact solar cell with doped polysilicon regions
US7705237B2 (en) * 2006-11-27 2010-04-27 Sunpower Corporation Solar cell having silicon nano-particle emitter

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103890961B (zh) * 2011-09-02 2016-02-10 荷兰能源研究中心基金会 具有浮动正面发射极区的交指型背面接点光伏电池
CN103890961A (zh) * 2011-09-02 2014-06-25 荷兰能源研究中心基金会 具有浮动正面发射极区的交指型背面接点光伏电池
CN106252457B (zh) * 2011-12-21 2018-10-12 太阳能公司 混合型多晶硅异质结背接触电池
CN106252457A (zh) * 2011-12-21 2016-12-21 太阳能公司 混合型多晶硅异质结背接触电池
CN107068778A (zh) * 2012-12-19 2017-08-18 太阳能公司 混合型发射极全背接触式太阳能电池
US10304972B2 (en) 2012-12-19 2019-05-28 Sunpower Corporation Solar cell with silicon oxynitride dielectric layer
CN107068778B (zh) * 2012-12-19 2020-08-14 太阳能公司 混合型发射极全背接触式太阳能电池
CN110047947A (zh) * 2014-03-28 2019-07-23 太阳能公司 具有隧道电介质的太阳能电池
CN110047947B (zh) * 2014-03-28 2023-09-05 迈可晟太阳能有限公司 具有隧道电介质的太阳能电池
CN105244389A (zh) * 2014-07-07 2016-01-13 Lg电子株式会社 太阳能电池
US10424681B2 (en) 2014-07-07 2019-09-24 Lg Electronics Inc. Solar cell
CN106684160A (zh) * 2016-12-30 2017-05-17 中国科学院微电子研究所 一种背结背接触太阳能电池
CN108649079A (zh) * 2018-07-11 2018-10-12 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池及其制备方法
CN110459638A (zh) * 2019-06-05 2019-11-15 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法
CN112466960A (zh) * 2020-11-10 2021-03-09 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池结构及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009126803A2 (en) 2009-10-15
WO2009126803A3 (en) 2010-03-18
US20090314341A1 (en) 2009-12-24
TW201019482A (en) 2010-05-16
KR20100136542A (ko) 2010-12-28
JP2011517120A (ja) 2011-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101999175A (zh) 用于多晶硅发射极太阳能电池的简化背触点
US9054237B2 (en) Interdigitated back contact silicon solar cells fabrication using diffusion barriers
CN104124302B (zh) 太阳能电池和制造该太阳能电池的方法
CN101779297B (zh) 太阳能电池模块
CN101288182B (zh) 太阳能电池、装备有内连线的太阳能电池、太阳能电池串列及太阳能电池模块
CN102804407B (zh) 半导体设备和半导体设备的制造方法
CN101421851A (zh) 太阳电池及其制造方法
CN105390558B (zh) 太阳能电池及其制造方法
US20110120530A1 (en) Back surface contact type solar cell, back surface contact type solar cell with wiring board, solar cell string, and solar cell module
CN102668103A (zh) 具有富氧界面的抗极化太阳能电池
CN104956495A (zh) 太阳能电池单元以及其制造方法
CN106575678A (zh) 改善的前触点异质结工艺
CN102077361A (zh) 太阳能电池模块及其制造方法
CN101931029A (zh) 太阳能电池及制造太阳能电池的方法
CN102077359A (zh) 太阳能电池单元及其制造方法
CN101548392A (zh) 太阳能电池及其制造方法
CN103022265B (zh) 太阳能电池片及其扩散方法
CN102212885A (zh) 多晶硅太阳能电池片的制绒方法
CN102361833A (zh) 透明玻璃基板和制造这种基板的方法
CN102257625A (zh) 太阳能电池
CN101677112A (zh) 太阳能电池、太阳能电池聚光玻璃及其制造方法和压花辊
CN112397596A (zh) 一种低成本的高效太阳能电池及其制备方法
CN111048625B (zh) 一种钝化接触p型电池的制备方法
CN110249433A (zh) 在正面触点之间具有透明导电层的结晶太阳能电池以及用于制造这种太阳能电池的方法
CN101611487B (zh) 薄膜太阳能模块

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent for invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: American California

Applicant after: Applied Materials Inc.

Address before: American California

Applicant before: Applied Materials Inc.

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110330