JP6487451B2 - トンネル誘電体を伴う太陽電池 - Google Patents
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Description
太陽電池として公知の光起電力（ＰＶ）電池は、太陽放射を電気エネルギーに変換するための周知のデバイスである。一般的には、太陽放射が太陽電池の基板の表面上に衝突し、基板の中に入ることにより、その基板のバルク内に電子及び正孔の対が生成される。それらの電子及び正孔の対が、基板内のＰドープ領域及びＮドープ領域に移動することにより、それらのドープ領域の間に電圧差が生じる。それらのドープ領域が、太陽電池上の導電性領域に接続されることにより、その電池から外部回路へと電流が方向付けられる。
効率は、太陽電池の電力を生成する性能に直接関係するため、太陽電池の重要な特性である。したがって、製作プロセスを改善し、製造コストを削減し、そして太陽電池の効率を増加する技術が、概して望ましい。このような技術は、電気伝導及び太陽電池の効率を高めるための、改善された太陽電池のコンタクト領域の形成工程を含めることができる。
発明を実施するための形態、及び特許請求の範囲を、以下の図面と併せて考察し、参照することによって、本主題のより完全な理解を得ることができる。同様の参照番号は図面全体を通じて同様の要素を指し示す。
以下の発明を実施するための形態は、本質的には、単なる例示に過ぎず、本出願の主題の実施形態、あるいは、そのような実施形態の適用又は使用を限定することを意図するものではない。本明細書で使用するとき、「例示的」という語は、「実施例、実例、又は例示としての役割を果たすこと」を意味する。本明細書で例示的として説明される実装はいずれも、必ずしも、他の実装よりも好ましいか又は有利であるとして解釈されるべきではない。更には、前述の技術分野、背景技術、概要、又は以下の発明を実施するための形態で提示される、明示又は暗示されるいずれの理論によっても、拘束されることを意図するものではない。
本明細書は、「一実施形態」又は「実施形態」への言及を含む。「一実施形態では」又は「実施形態では」という語句の出現は、必ずしも、同じ実施形態を指すものではない。特定の機構、構造、又は特性を、本開示と矛盾しない任意の好適な方式で組み合わせることができる。
用語。 以下のパラグラフは、本開示（添付の請求項を含む）で見出される用語に関する、定義及び／又はコンテキストを提供する。
「備える」。この用語は、オープンエンド型である。添付の請求項で使用されるとき、この用語は、更なる構造又は工程を排除するものではない。
「〜ように構成された」。様々なユニット又は構成要素は、１又は複数のタスクを実行する「ように構成された」として、説明又は特許請求される場合がある。そのようなコンテキストでは、「〜ように構成された」は、それらのユニット／構成要素が、動作中にそれらの１又は複数のタスクを実行する構造を含むことを示すことによって、その構造を含意するために使用される。それゆえ、それらのユニット／構成要素は、指定のユニット／構成要素が現時点で動作可能ではない（例えば、オン／アクティブではない）場合であっても、そのタスクを実行するように構成されていると言うことができる。ユニット／回路／構成要素が、１又は複数のタスクを実行する「ように構成された」と記載することは、そのユニット／構成要素に関して、米国特許法第１１２条第６項が適用されないことを、明示的に意図するものである。
「第１の」、「第２の」など。本明細書で使用するとき、これらの用語は、それらが前に置かれる名詞に関する指標として使用されるものであり、いずれのタイプの（例えば、空間的、時間的、論理的などの）順序付けも暗示するものではない。例えば、「第１の」誘電体への言及は、この誘電体がシーケンス内の最初の誘電体であることを必ずしも意味するものではなく、その代わりに、用語「第１の」は、この誘電体を別の誘電体（例えば、「第２の」誘電体）から区別するために使用される。
「基づく」。本明細書で使用するとき、この用語は、決定に影響を及ぼす、１又は複数の因子を説明するために使用される。この用語は、決定に影響を及ぼし得る、更なる因子を排除するものではない。すなわち、決定は、単にそれらの因子のみに基づく場合もあり、又は、それらの因子に少なくとも部分的に基づく場合もある。「Ｂに基づいてＡを決定する」という語句を考察する。Ｂは、Ａの決定に影響を及ぼす因子とすることができるが、そのような語句は、Ａの決定がＣにもまた基づくものであることを排除するものではない。他の場合には、単にＢのみに基づいて、Ａを決定することができる。
「結合された」−以下の説明は、素子又はノード又は機構が一体に「結合された」ことについて言及する。本明細書で使用するとき、明示的に別段の定めがある場合を除き、「結合された」とは、１つの素子／ノード／機構が、別の素子／ノード／機構に、直接的又は間接的に接続される（又は、直接的若しくは間接的に連通する）ことを意味するものであり、これは、必ずしも機械的なものではない。
更には、特定の用語法もまた、参照のみを目的として、以下の説明で使用される場合があり、それゆえ、それらの用語法は、限定的であることを意図するものではない。例えば、「上側」、「下側」、「上方」、及び「下方」などの用語は、参照される図面内での方向を指す。「前部」、「後方」、「後部」、「側部」、「外側」、及び「内側」などの用語は、論考中の構成要素を説明するテキスト及び関連図面を参照することによって明確にされる、一貫性はあるが任意の基準系の範囲内での、構成要素の諸部分の向き及び／又は位置を説明するものである。そのような用語法は、具体的に上述された語、それらの派生語、及び類似の意味の語を含み得る。
以下の説明では、本開示の実施形態の完全な理解を提供するために、具体的な操作などの、多数の具体的詳細が記載される。これらの具体的な詳細なしに、本開示の実施形態を実践することができる点が、当業者には明らかとなるであろう。他の場合には、本開示の実施形態を不必要に不明瞭にしないために、周知の技術は、詳細には説明されない。
この明細書は、太陽電池のコンタクト領域の改善された誘電体の形成をサポートする例示的データ及び実例をまず記述し、例示的な太陽電池の説明が続く。例示的な太陽電池の様々な実施形態の、より詳細な説明は、全体を通して提供される。
一実施形態では、誘電体は、ドープポリシリコン又はドープアモルファスシリコンなどのドープ半導体、並びに、太陽電池のシリコン基板の間の界面で形成され得る。ドープ半導体及び太陽電池のシリコン基板の間に誘電体を形成することの利点は、電気伝導を高めることができる点である。利点は更に、太陽電池の効率を高めることを含み得る。一部の実施形態では、ドープ半導体は、広いバンドギャップのドープ半導体としても更に呼ばれ得る。実施形態では、ドープ半導体は、Ｐ型ドープ半導体又はＮ型ドープ半導体であり得る。同様に、Ｐ型ドープ半導体は、Ｐ型ドープポリシリコン又はＰ型ドープアモルファスシリコンであり得る。更に、Ｎ型ドープ半導体は、Ｎ型ドープポリシリコン又はＮ型ドープアモルファスシリコンであり得る。一実施形態では、誘電体はトンネル誘電体と呼ばれ得る。太陽電池は、Ｎ型シリコン又はＰ型シリコン基板も含み得る。
ここで図１を見ると、一部の実施形態による、シリコン基板上に形成されたサンプルの誘電体化合物と、これらに対応する特性：バンドギャップ（ｅＶ）、電子障壁（ｅＶ）及び正孔障壁（ｅＶ）を列挙する一覧表が示されている。シリコン基板上のＮ型ドープ半導体に対して、電子伝導性を増加させ、正孔伝導性を減少させる（例えば、電子障壁＜正孔障壁）、Ｎ型ドープ半導体とシリコン基板との間に形成された誘電体化合物を選択することにより、電子伝導性を増加させることは有益であり得る。図１を参照すると、１つのこのような誘電体は二酸化シリコンである。対照的に、シリコン基板上のＰ型ドープ半導体に関して、正孔伝導性を増加させ、電子伝導性を減少させる（例えば、電子障壁＞正孔障壁）、Ｐ型ドープ半導体及びシリコン基板の間に形成された誘電体化合物を選択することにより、Ｐ型コンタクトを介した正孔伝導性を増加させることは有益であり得る。図のように、１つのこのような誘電体は窒化シリコンである。
図２〜図４は、ドープ半導体及びシリコン基板の間に形成された誘電体のエネルギー準位図の様々な例を示す。
図２は、Ｐ型ドープ半導体及びシリコン基板の間に形成された二酸化シリコンのエネルギー準位図の例を示す。図示されるように、二酸化シリコンに関して、伝導帯に沿った電子障壁１２０は、電子が通過すること１１０ができるように十分に低い一方で、価電子帯で正孔をブロックしている（例えば、電子障壁＜正孔障壁）。シリコン基板上のＰ型ドープ半導体などのこの構成では、より多くの正孔を通過させ電子をブロックさせることにより電気伝導を増加させ得る。
図３を参照して、シリコン基板上のＰ型ドープ半導体の間に形成された窒化シリコンのエネルギー準位図が示される。図２とは対照的に、電子障壁１２２は、電子が通過１１２するのをブロックするのに十分高い一方で、価電子帯上で正孔は通過１１４することができる（例えば、電子障壁＞正孔障壁）。この構成の利点には、増加された電気伝導を含むことができる。
図４は、Ｎ型ドープ半導体及びシリコン基板の間に形成された二酸化シリコンのエネルギー準位図を示す。図示されるように、伝導帯に沿って電子障壁は、電子が通過すること１１６ができるほど十分に低い一方で、正孔障壁１２４は価電子帯に沿って高く、正孔１１８が通過しないようにブロックする（例えば、電子障壁＜正孔障壁）。この構成の利点には、増加された電気伝導が含まれ得る。
シリコン基板上のＰ型ドープ半導体の間に形成される様々な誘電体化合物が使用され得、これにより誘電体化合物に対する電子障壁が、正孔障壁より大きくなる（例えば、電子障壁＞正孔障壁）。このような誘電体化合物の１つの例は、窒化シリコンである。同様に、シリコン基板上のＮ型ドープ半導体の間に形成された様々な誘電体化合物が使用され得、これにより、誘電体化合物に対する電子障壁が正孔障壁よりも小さくなる（例えば、電子障壁＜正孔障壁）。このような誘電体化合物の１つの例は、二酸化シリコンである。Ｎ型ドープ半導体及びシリコン基板の間に形成された誘電体に対する正孔障壁よりも小さい電子障壁を伴った誘電体を使用する利点は、電気伝導を増加させることであり得る。同様に、Ｐ型ドープ半導体及びシリコン基板の間に形成された誘電体に対する正孔障壁よりも大きい電子障壁を伴った誘電体を使用する利点は、電気伝導を増加させることであり得る。
図５を参照すると、ドーパントの拡散図が示される。図５が使用され、本明細書においてホウ素として表記されるドーパントが、太陽電池の半導体１４０、誘電体１５０を通り、シリコン基板１４２内まで拡散するのが説明されている。例えば、ホウ素は、ポリシリコン又はアモルファスシリコン１４０、誘電体１５０及びシリコン基板１４２に、拡散１３０され得る。
シリコン基板におけるドーパント拡散の３つの例、１３２、１３４、１３６が示される。第１の例１３２では、シリコン基板１４２と、ポリシリコン又はアモルファスシリコンなどの半導体１４０とのドーパント濃度比は、１であり得、これは、再結合を増加させ及び低い電気伝導をもたらす。第２の例１３４では、シリコン基板１４２と半導体１４０とのドーパント濃度比は、１０（例えば、ポリシリコン中の約１ｅ２０ホウ素濃度／シリコン基板中の１ｅ１９ホウ素濃度）であり得る。第３の例１３６では、シリコン基板１４２と半導体１４０とのドーパント濃度比は、１０超、１００、１０００以上であり得、これは、改善された結果をもたらす（例えば、二酸化シリコントンネル誘電体を伴ったリンに対しては、約１０００であり、これは再結合を低減し改善された電気伝導を生じさせる）。このような実施形態では、シリコン基板上のＰ型ドープポリシリコン１４０に対して、誘電体１５０として窒化シリコンを使用することを含み得る。このような別の実施形態では、シリコン基板上のＮ型ドープポリシリコン１４０に対して、誘電体１５０として二酸化シリコンを使用することを含み得る。
図６〜図８は、ドープポリシリコン又はドープアモルファスシリコンなどのドープ半導体、並びに、シリコン基板の間に形成された誘電体に対する、様々な実施形態を図示している。
図６を参照すると、例示的な誘電体が示される。一実施形態では、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）による酸化によって、誘電体１５２は１〜５％の窒素１６０を含み得る。
図７を見ると、Ｐ型ドープポリシリコン及びシリコン基板の間に形成された例示的な誘電体が示される。誘電体１５４は、シリコン基板に接触している単一の酸化物単層１６２、及び酸化物単層１６２上に配置された複数１６６の窒化物単層１６４を示している。一実施形態では、酸化物単層１６２は、誘電体界面における表面再結合を減らすことができる。一実施形態では、誘電体界面の表面再結合は、１０００ｃｍ／ｓｅｃ未満であり得る。一実施形態では、窒化物単層１６４が酸化物単層１６２上に形成されるならば、窒化物単層１６４が純粋に形成される必要はない（例えば、酸素を含み得る）。一実施形態では、誘電体１５４は、原子層堆積法（ＡＬＤ）によって形成されることができる。一実施形態では、誘電体１５４は窒化シリコンであり得る。
図８は、Ｎ型ドープポリシリコン及びシリコン基板間に形成された例示的な誘電体を示す。示される誘電体１５６は、複数１６８の酸化物単層１６２を開示している。
一実施形態では、図７の誘電体１５４及び図８の誘電体１５６を共に使用して表面再結合を減少させ、電気伝導を増加させることによって、太陽電池の効率を大幅に改善することができる。
図９を見ると、太陽電池が示される。太陽電池２００は、第１コンタクト領域２０２、及び第２コンタクト領域２０４を含み得る。一実施形態では、第１コンタクト領域２０２は、Ｐ型コンタクト領域であり得、第２コンタクト領域２０４は、Ｎ型コンタクト領域であり得る。太陽電池２００は、シリコン基板２１０を含み得る。一実施形態では、シリコン基板２１０は、ポリシリコン又は多結晶シリコンとすることができる。
実施形態では、シリコン基板２１０は、第１のドープ領域２１２、及び第２のドープ領域２１４を有し得る。シリコン基板２１０は、第１及び第２のドープ領域２１２、２１４の形成の前に、洗浄、研磨、平坦化、及び／又は薄化、若しくは他の方式で処理することができる。シリコン基板は、Ｎ型シリコン基板又はＰ型シリコン基板であり得る。
第１の誘電体２２０及び第２の誘電体２２２がシリコン基板２１０上に、形成され得る。一実施形態では、第１の誘電体２２０は、シリコン基板２１０の第１の部分上に形成されることができる。一実施形態では、第２の誘電体２２２は、シリコン基板２１０の第２の部分上に形成されることができる。一実施形態では、第１の誘電体２２０は、窒化シリコンであり得る。一実施形態では、第１の誘電体２２０は、正孔障壁よりも大きい電子障壁を有することができる。一実施形態では、第１の誘電体２２０は、図７で示される誘電体１５４の構造体を有することができる。一実施形態では、第２の誘電体２２２は、二酸化シリコン２２２であり得る。一実施形態では、第２の誘電体２２２は、正孔障壁よりも小さい電子障壁を有することができる。一実施形態では、第２の誘電体２２２は、図８で示される誘電体１５６の構造体を有することができる。
一実施形態では、第１のドープ領域２１４は、第１の誘電体２２０の下に形成されることができ、並びに第２のドープ領域２１４は、第２の誘電体２２２の下に形成されることができる。一実施形態では、シリコン基板２１０の第１の部分は、第１のドープ領域と同じ位置２１２にあることができる。一実施形態では、シリコン基板２１０の第２の部分は、第２のドープ領域と同じ位置２１４にあることができる。
第１のドープ半導体２３０は、第１の誘電体２２０上に形成されることができる。第２のドープ半導体２３２は、第２の誘電体２２２上に形成されることができる。一実施形態では、ドープ半導体は、ドープポリシリコン、又はドープアモルファスシリコンを含むことができる。一部の実施形態では、ドープ半導体は、ドープアモルファスシリコンなどの広いバンドギャップのドープ半導体であり得る。一実施形態では、第１及び第２のドープ半導体２３０、２３２は、それぞれ第１及び第２のドープポリシリコンであり得る。一実施形態では、第１のドープポリシリコン（例えば、２３０）は、Ｐ型ドープポリシリコンであり得る。一実施形態では、第２のドープポリシリコン（例えば、２３２）は、Ｎ型ドープポリシリコンであり得る。一実施形態では、シリコン基板２１０の第１のドープポリシリコン（例えば、領域２３０）と第２のドープ領域２１２との間のドーパント濃度比は、少なくとも１０であることができる。一実施形態では、シリコン基板２１０の第２のドープポリシリコン（例えば、領域２３２）と第２のドープ領域２１４との間のドーパント濃度比は、少なくとも１０であることができる。
一実施形態では、第３の誘電体層２２４は、第１及び第２のドープ半導体２３０、２３２上に形成されることができる。太陽電池２００は、第３の誘電体２２４を貫通した、コンタクト開口部を含み得る。一実施形態では、コンタクト開口部は、湿式エッチング技術及びアブレーション技術（例えば、レーザアブレーションなど）を含む、任意の数のリソグラフィプロセスによって形成され得る。一実施形態では、第３の誘電体２２４は、太陽電池の前面上又は裏面上のいずれかに形成された、反射防止コーティング（ＡＲＣ）又は裏面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）であり得る。一実施形態では、第３の誘電体２２４は、窒化シシリコンであり得る。
第１及び第２の金属コンタクト２４０、２４２は、第１及び第２のドープ半導体２３０、２３２上に、並びに第３の誘電体２２４内のコンタクト開口部を貫通して形成され得る。一実施形態では、第１の金属コンタクト２４０は、Ｐ型金属コンタクトであり得、並びに第２の金属コンタクト２４２は、Ｎ型金属コンタクトであり得る。一実施形態では、第１及び第２の金属コンタクト２４０、２４２は、銅、スズ、アルミニウム、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、亜鉛、ルテニウム、パラジウム、及び／又は白金のうちの１又は複数であり得るが、これらに限定されない。
本明細書で記載されるように、太陽電池２００は、それぞれ、第１及び第２のドープポリシリコンなどの第１及び第２のドープ半導体２３０、２３２を含み得る。一実施形態では、第１及び第２のドープポリシリコンは、熱プロセスによって成長させることができる。一部の実施形態では、第１及び第２のドープポリシリコンは、従来のドーピングプロセスによりシリコン基板２１０内にドーパントを堆積させることによって、形成されることができる。シリコン基板２１０の、第１及び第２のドープポリシリコン領域、並びに第１及び第２のドープ領域２１２、２１４はそれぞれ、ドーピング材料、ホウ素などのＰ型ドーパント、及びリンなどのＮ型ドーパントを含むが、これらに限定されない。第１及び第２のドープポリシリコンの双方は、熱プロセスにより成長されるとして説明されるが、本明細書に記載若しくは列挙される任意の他の形成プロセス、堆積プロセス、又は成長プロセス操作のように、各層又は各物質は、任意の適切なプロセスを使用して形成される。例えば、形成が説明される場合には、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、常圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、プラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、熱成長、スパッタリング、並びに任意の他の所望の技術が使用される。このように、また同様に、第１及び第２のドープポリシリコンは、堆積技術、スパッタ、又は、インクジェット印刷若しくはスクリーン印刷などの印刷プロセスによって、シリコン基板２１０上に形成されることができる。同様に、太陽電池２００はそれぞれ、第１及び第２のドープアモルファスシリコンなどの第１及び第２のドープ半導体２３０、２３２を含み得る。
太陽電池２００は、裏面コンタクトの太陽電池又は前面コンタクトの太陽電池であり得るが、これらに限定されない。
具体的な実施形態が上述されてきたが、これらの実施形態は、特定の機構に関して単一の実施形態のみが説明される場合であっても、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。本開示で提供される機構の実施例は、別段の定めがある場合を除き、制約的であることよりも、むしろ例示的であることを意図するものである。上記の説明は、本開示の利益を有する当業者には明らかとなるような、代替、修正、及び等価物を包含することを意図するものである。
本開示の範囲は、本明細書で対処される問題のいずれか又はすべてを軽減するか否かにかかわらず、本明細書で（明示的又は暗示的に）開示される、あらゆる機構又は機構の組み合わせ、若しくはそれらのあらゆる一般化を含む。したがって、本出願（又は、本出願に対する優先権を主張する出願）の実施の間に、任意のそのような機構の組み合わせに対して、新たな請求項を形式化することができる。具体的には、添付の請求項を参照して、従属請求項からの機構を、独立請求項の機構と組み合わせることができ、それぞれの独立請求項からの機構を、任意の適切な方式で、単に添付の請求項で列挙される具体的な組み合わせのみではなく、組み合わせることができる。
一実施形態では、太陽電池は、シリコン基板の第１の部分上に形成された第１の誘電体を含む。第２の誘電体は、シリコン基板の第２の部分上に形成され、第１の誘電体は、第２の誘電体とは異なった種類の誘電体である。ドープ半導体は、第１の誘電体及び第２の誘電体上に形成される。Ｐ型金属コンタクトは、ドープ半導体及び第１の誘電体上に形成される。Ｎ型金属コンタクトは、ドープ半導体及び第２の誘電体上に形成される。
一実施形態では、第１の誘電体は、シリコン基板に接触する１つの酸化物単層を少なくとも含む。
一実施形態では、第２の誘電体は、複数の酸化物単層を含む。一実施形態では、第１の誘電体は、窒化シリコンを含む。
一実施形態では、第２の誘電体は、二酸化シリコンを含む。
一実施形態では、ドープ半導体は、ドープポリシリコンを含む。
一実施形態では、ドープ半導体は、Ｐ型ドープポリシリコン及びＮ型ドープポリシリコンを含む。
一実施形態では、Ｐ型ドープポリシリコンは、第１の誘電体上に形成され、並びにＮ型ドープポリシリコンは、第２の誘電体上に形成される。
一実施形態では、シリコン基板は、第１の誘電体の下に第１のドープ領域、並びに第２の誘電体の下に第２のドープ領域を含む。
一実施形態では、Ｐ型ドープポリシリコンと第１のドープ領域との間のドーパント濃度比は、少なくとも１０である。
一実施形態では、ドープ半導体は、ドープアモルファスシリコンを含む。
一実施形態では、太陽電池は、シリコン基板の第１のドープ領域上に形成された、第１の誘電体を含む。第２の誘電体は、シリコン基板の第２のドープ領域上に形成され、第１の誘電体は、第２の誘電体とは異なった種類の誘電体である。第１のドープポリシリコンは、第１の誘電体上に形成される。第２のドープポリシリコンは、第２の誘電体上に形成される。Ｐ型金属コンタクトは、第１のドープポリシリコン上に形成される。Ｎ型金属コンタクトは、第２のドープポリシリコン上に形成される。
一実施形態では、第１の誘電体は、シリコン基板に接触する１つの酸化物単層を少なくとも含む。
一実施形態では、第２の誘電体は、複数の酸化物単層を含む。
一実施形態では、第１の誘電体は、窒化シリコンを含む。
一実施形態では、第２の誘電体は、二酸化シリコンを含む。
一実施形態では、第１のドープポリシリコンと第１のドープ領域との間のドーパント濃度比は、少なくとも１０である。
一実施形態では、太陽電池は、シリコン基板のＰ型ドープ領域上に形成された窒化シリコンを含む。二酸化シリコンは、シリコン基板のＮ型ドープ領域上に形成される。Ｐ型ドープポリシリコンは、窒化シリコン上に形成される。Ｎ型ドープポリシリコンは、二酸化シリコン上に形成される。Ｐ型の金属コンタクトは、Ｐ型ドープポリシリコン領域上に形成される。Ｎ型金属コンタクトは、Ｎ型ドープポリシリコン領域上に形成される。
一実施形態では、Ｐ型ドープポリシリコンとＰ型ドープ領域との間のドーパント濃度比は、少なくとも１０である。
一実施形態では、窒化シリコンは、シリコン基板に接触する１つの酸化物単層を少なくとも含む。
［項目１］
シリコン基板の第１の部分上に形成された第１の誘電体と、
上記シリコン基板の第２の部分上に形成された第２の誘電体と、
上記第１の誘電体及び上記第２の誘電体上に形成されたドープ半導体と、
上記ドープ半導体及び上記第１の誘電体上に形成されたＰ型金属コンタクトと、
上記ドープ半導体上及び上記第２の誘電体上に形成されたＮ型金属コンタクトとを備え、上記第１の誘電体は上記第２の誘電体とは異なる種類である、太陽電池。
［項目２］
上記第１の誘電体は、上記シリコン基板と接触する酸化物単層を少なくとも含む、項目１に記載の太陽電池。
［項目３］
上記第２の誘電体は、複数の酸化物単層を含む、項目１又は２に記載の太陽電池。
［項目４］
上記第１の誘電体は、窒化シリコンを含む、項目１から３のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目５］
上記第２の誘電体は、二酸化シリコンを含む、項目１から４のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目６］
上記ドープ半導体は、ドープポリシリコンを含む、項目１から５のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目７］
上記ドープ半導体は、Ｐ型ドープポリシリコン及びＮ型ドープポリシリコンを含む、項目１から６のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目８］
上記Ｐ型ドープポリシリコンは、上記第１の誘電体上に形成されており、上記Ｎ型ドープポリシリコンは、上記第２の誘電体上に形成されている、項目７に記載の太陽電池。
［項目９］
上記シリコン基板は、上記第１の誘電体の下に第１のドープ領域を含み、上記第２の誘電体の下に第２のドープ領域を含む、項目８に記載の太陽電池。
［項目１０］
上記Ｐ型ドープポリシリコンと上記第１のドープ領域との間のドーパント濃度比が少なくとも１０である、項目９に記載の太陽電池。
［項目１１］
上記ドープ半導体は、ドープアモルファスシリコンを含む、項目１から１０のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目１２］
シリコン基板の第１のドープ領域上に形成された第１の誘電体と、
上記シリコン基板の第２のドープ領域上に形成された第２の誘電体と、
上記第１の誘電体上に形成された第１のドープポリシリコンと、
上記第２の誘電体上に形成された第２のドープポリシリコンと、
上記第１のドープポリシリコン上に形成されたＰ型金属コンタクトと、
上記第２のドープポリシリコン上に形成されたＮ型金属コンタクトとを備え、上記第１の誘電体は上記第２の誘電体とは異なる種類である、太陽電池。
［項目１３］
上記第１の誘電体は、上記シリコン基板と接触する酸化物単層を少なくとも含む、項目１２に記載の太陽電池。
［項目１４］
上記第２の誘電体は、複数の酸化物単層を含む、項目１２又は１３に記載の太陽電池。
［項目１５］
上記第１の誘電体は、窒化シリコンを含む、項目１２から１４のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目１６］
上記第２の誘電体が、二酸化シリコンを含む、項目１２から１５のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目１７］
上記第１のドープポリシリコンと上記第１のドープ領域との間のドーパント濃度比が少なくとも１０である、項目１２から１６のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目１８］
シリコン基板のＰ型ドープ領域上に形成された窒化シリコンと、
上記シリコン基板のＮ型ドープ領域上に形成された二酸化シリコンと、
上記窒化シリコン上に形成されたＰ型ドープポリシリコンと、
上記二酸化シリコン上に形成されたＮ型ドープポリシリコンと、
上記Ｐ型ドープポリシリコンの領域上に形成されたＰ型金属コンタクトと、
上記Ｎ型ドープポリシリコンの領域上に形成された、Ｎ型金属コンタクトとを備える、太陽電池。
［項目１９］
上記Ｐ型ドープポリシリコンと上記Ｐ型ドープ領域との間のドーパント濃度比が少なくとも１０である、項目１８に記載の太陽電池。
［項目２０］
上記窒化シリコンが、上記シリコン基板に接触する酸化物単層を少なくとも含む、項目１８又は１９に記載の太陽電池。
［項目１］
シリコン基板の第１の部分上に形成された第１の誘電体と、
上記シリコン基板の第２の部分上に形成された第２の誘電体と、
上記第１の誘電体及び上記第２の誘電体上に形成されたドープ半導体と、
上記ドープ半導体及び上記第１の誘電体上に形成されたＰ型金属コンタクトと、
上記ドープ半導体上及び上記第２の誘電体上に形成されたＮ型金属コンタクトとを備え、上記第１の誘電体は上記第２の誘電体とは異なる種類である、太陽電池。
［項目２］
上記第１の誘電体は、上記シリコン基板と接触する酸化物単層を少なくとも含む、項目１に記載の太陽電池。
［項目３］
上記第２の誘電体は、複数の酸化物単層を含む、項目１又は２に記載の太陽電池。
［項目４］
上記第１の誘電体は、窒化シリコンを含む、項目１から３のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目５］
上記第２の誘電体は、二酸化シリコンを含む、項目１から４のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目６］
上記ドープ半導体は、ドープポリシリコンを含む、項目１から５のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目７］
上記ドープ半導体は、Ｐ型ドープポリシリコン及びＮ型ドープポリシリコンを含む、項目１から６のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目８］
上記Ｐ型ドープポリシリコンは、上記第１の誘電体上に形成されており、上記Ｎ型ドープポリシリコンは、上記第２の誘電体上に形成されている、項目７に記載の太陽電池。
［項目９］
上記シリコン基板は、上記第１の誘電体の下に第１のドープ領域を含み、上記第２の誘電体の下に第２のドープ領域を含む、項目８に記載の太陽電池。
［項目１０］
上記Ｐ型ドープポリシリコンと上記第１のドープ領域との間のドーパント濃度比が少なくとも１０である、項目９に記載の太陽電池。
［項目１１］
上記ドープ半導体は、ドープアモルファスシリコンを含む、項目１から１０のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目１２］
シリコン基板の第１のドープ領域上に形成された第１の誘電体と、
上記シリコン基板の第２のドープ領域上に形成された第２の誘電体と、
上記第１の誘電体上に形成された第１のドープポリシリコンと、
上記第２の誘電体上に形成された第２のドープポリシリコンと、
上記第１のドープポリシリコン上に形成されたＰ型金属コンタクトと、
上記第２のドープポリシリコン上に形成されたＮ型金属コンタクトとを備え、上記第１の誘電体は上記第２の誘電体とは異なる種類である、太陽電池。
［項目１３］
上記第１の誘電体は、上記シリコン基板と接触する酸化物単層を少なくとも含む、項目１２に記載の太陽電池。
［項目１４］
上記第２の誘電体は、複数の酸化物単層を含む、項目１２又は１３に記載の太陽電池。
［項目１５］
上記第１の誘電体は、窒化シリコンを含む、項目１２から１４のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目１６］
上記第２の誘電体が、二酸化シリコンを含む、項目１２から１５のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目１７］
上記第１のドープポリシリコンと上記第１のドープ領域との間のドーパント濃度比が少なくとも１０である、項目１２から１６のいずれか一項に記載の太陽電池。
［項目１８］
シリコン基板のＰ型ドープ領域上に形成された窒化シリコンと、
上記シリコン基板のＮ型ドープ領域上に形成された二酸化シリコンと、
上記窒化シリコン上に形成されたＰ型ドープポリシリコンと、
上記二酸化シリコン上に形成されたＮ型ドープポリシリコンと、
上記Ｐ型ドープポリシリコンの領域上に形成されたＰ型金属コンタクトと、
上記Ｎ型ドープポリシリコンの領域上に形成された、Ｎ型金属コンタクトとを備える、太陽電池。
［項目１９］
上記Ｐ型ドープポリシリコンと上記Ｐ型ドープ領域との間のドーパント濃度比が少なくとも１０である、項目１８に記載の太陽電池。
［項目２０］
上記窒化シリコンが、上記シリコン基板に接触する酸化物単層を少なくとも含む、項目１８又は１９に記載の太陽電池。
Claims (10)
- シリコン基板の第１の部分上に形成された第１の誘電体と、
前記シリコン基板の第２の部分上に形成された第２の誘電体と、
前記第１の誘電体及び前記第２の誘電体上に形成されたドープ半導体と、
前記ドープ半導体及び前記第１の誘電体上に形成されたＰ型金属コンタクトと、
前記ドープ半導体上及び前記第２の誘電体上に形成されたＮ型金属コンタクトとを備え、前記第１の誘電体は前記第２の誘電体とは異なる種類である、太陽電池。 - シリコン基板の第１のドープ領域上に形成された第１の誘電体と、
前記シリコン基板の第２のドープ領域上に形成された第２の誘電体と、
前記第１の誘電体上に形成された第１のドープポリシリコンと、
前記第２の誘電体上に形成された第２のドープポリシリコンと、
前記第１のドープポリシリコン上に形成されたＰ型金属コンタクトと、
前記第２のドープポリシリコン上に形成されたＮ型金属コンタクトとを備え、前記第１の誘電体は前記第２の誘電体とは異なる種類である、太陽電池。 - 前記第１の誘電体は、前記シリコン基板と接触する酸化物単層を少なくとも含む、請求項１又は２に記載の太陽電池。
- 前記第２の誘電体は、複数の酸化物単層を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記第１の誘電体は、窒化シリコンを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記第２の誘電体が、二酸化シリコンを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記ドープ半導体は、ドープポリシリコンを含む、請求項１に記載の太陽電池。
- 前記ドープ半導体は、ドープアモルファスシリコンを含む、請求項１又は７に記載の太陽電池。
- 前記第１のドープポリシリコンと前記第１のドープ領域との間のドーパント濃度比が少なくとも１０である、請求項２に記載の太陽電池。
- シリコン基板のＰ型ドープ領域上に形成された窒化シリコンと、
前記シリコン基板のＮ型ドープ領域上に形成された二酸化シリコンと、
前記窒化シリコン上に形成されたＰ型ドープポリシリコンと、
前記二酸化シリコン上に形成されたＮ型ドープポリシリコンと、
前記Ｐ型ドープポリシリコンの領域上に形成されたＰ型金属コンタクトと、
前記Ｎ型ドープポリシリコンの領域上に形成された、Ｎ型金属コンタクトとを備える、太陽電池。
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|---|---|---|---|---|
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| AUPR719701A0 (en) * | 2001-08-23 | 2001-09-13 | Pacific Solar Pty Limited | Chain link metal interconnect structure |
| US7601649B2 (en) * | 2004-08-02 | 2009-10-13 | Micron Technology, Inc. | Zirconium-doped tantalum oxide films |
| US20060130891A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-06-22 | Carlson David E | Back-contact photovoltaic cells |
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| US7718888B2 (en) * | 2005-12-30 | 2010-05-18 | Sunpower Corporation | Solar cell having polymer heterojunction contacts |
| US7737357B2 (en) * | 2006-05-04 | 2010-06-15 | Sunpower Corporation | Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts |
| US7838062B2 (en) * | 2007-05-29 | 2010-11-23 | Sunpower Corporation | Array of small contacts for solar cell fabrication |
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| KR20110042051A (ko) * | 2008-06-11 | 2011-04-22 | 솔라 임플란트 테크놀로지스 아이엔씨. | 주입을 사용하여 솔라 셀의 제작 |
| US7851698B2 (en) * | 2008-06-12 | 2010-12-14 | Sunpower Corporation | Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions |
| TWI462307B (zh) | 2008-09-02 | 2014-11-21 | Au Optronics Corp | 具備多重能隙的矽奈米晶體光電池及其在一低溫多晶矽薄膜電晶體面板內之應用 |
| US8242354B2 (en) * | 2008-12-04 | 2012-08-14 | Sunpower Corporation | Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions |
| US20100206378A1 (en) | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Miasole | Thin-film photovoltaic power system with integrated low-profile high-efficiency inverter |
| US20100229928A1 (en) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Back-contact photovoltaic cell comprising a thin lamina having a superstrate receiver element |
| DE102009024807B3 (de) * | 2009-06-02 | 2010-10-07 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Solarzelle mit benachbarten elektrisch isolierenden Passivierbereichen mit hoher Oberflächenladung gegensätzlicher Polarität und Herstellungsverfahren |
| DE102009044052A1 (de) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Schott Solar Ag | Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls |
| US8603900B2 (en) * | 2009-10-27 | 2013-12-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Reducing surface recombination and enhancing light trapping in solar cells |
| JP5307688B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2013-10-02 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池 |
| TWI460827B (zh) * | 2010-03-31 | 2014-11-11 | Taiwan Memory Company | 快閃記憶體之製作方法 |
| US8686283B2 (en) * | 2010-05-04 | 2014-04-01 | Silevo, Inc. | Solar cell with oxide tunneling junctions |
| JP5424270B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2014-02-26 | 国立大学法人東京農工大学 | 半導体ソーラーセル |
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| KR20120078933A (ko) * | 2011-01-03 | 2012-07-11 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
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