BR112016022505B1 - Células solares - Google Patents

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Abstract

CÉLULAS SOLARES COM DIELÉTRICO EM JUNÇÃO TÚNEL. Trata-se de uma célula solar que pode ter um primeiro dielétrico formado sobre uma primeira região de dopagem de um substrato de silício. A célula solar pode ter um segundo dielétrico formado sobre uma segunda região de dopagem do substrato de silício, sendo que o primeiro dielétrico é um tipo de dielétrico diferente do segundo dielétrico. Um semicondutor dopado pode ser formado sobre o primeiro e o segundo dielétricos. Um metal do tipo positivo e um metal do tipo negativo podem ser formados sobre o semicondutor dopado.

Description

ANTECEDENTES DA INVENÇÃO
[0001] Células fotovoltaicas (FV), comumente conhecidas como célula solares, são dispositivos bem conhecidos para a conversão de radiação solar em energia elétrica. De modo geral, a radiação solar que incide sobre a superfície do substrato e, ao penetrar no substrato de uma célula solar, cria pares de elétron- buraco (espaços vazios sem elétrons) no volume do substrato. Os pares de elétron-buraco migram para as regiões de dopagem tipo p e de dopagem tipo n no substrato, criando assim um diferencial de tensão entre as regiões dopadas. As regiões dopadas são conectadas às regiões condutivas na célula solar para direcionar uma corrente elétrica da célula para um circuito externo.
[0002] A eficiência é uma característica importante de uma célula solar, pois está diretamente relacionada à capacidade da célula solar de gerar energia. Consequentemente, técnicas para melhorar o processo de fabricação, reduzir o custo de manufatura e aumentar a eficiência de células solares são em geral desejáveis. Tais técnicas podem incluir a formação de regiões de contato aprimoradas de células solares para aumentar a condução elétrica e a eficiência da célula solar.
BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS
[0003] Uma compreensão mais completa do assunto pode ser obtida por referência à descrição detalhada e às reivindicações quando consideradas em conjunto com as figuras a seguir, sendo que números de referência similares referem-se a elementos similares nas figuras.
[0004] A Figura 1 ilustra uma tabela de amostras de compostos dielétricos, de acordo com algumas modalidades.
[0005] A Figura 2 ilustra um diagrama de nível de energia exemplificador, de acordo com algumas modalidades.
[0006] A Figura 3 ilustra um outro diagrama de nível de energia exemplificador, de acordo com algumas modalidades.
[0007] A Figura 4 ilustra mais um outro diagrama de nível de energia exemplificador, de acordo com algumas modalidades.
[0008] A Figura 5 ilustra um diagrama de difusão de dopantes, de acordo com algumas modalidades.
[0009] As Figuras 6 a 8 ilustram vistas em seção transversal de vários dielétricos exemplificadores, de acordo com algumas modalidades.
[0010] A Figura 9 ilustra uma vista em seção transversal de uma célula solar exemplificadora, de acordo com algumas modalidades.
DESCRIÇÃO DETALHADA
[0011] A descrição detalhada a seguir tem natureza meramente ilustrativa e não se destina a limitar as modalidades do assunto do presente pedido ou os usos de tais modalidades. Como usado aqui, o termo "exemplificador" significa "servir como um exemplo, caso ou ilustração". Qualquer implementação aqui descrita como exemplificadora não deve ser necessariamente considerada como preferencial ou vantajosa em relação a outras implementações. Além disso, não se pretende limitar a presente invenção a qualquer teoria expressa ou implícita apresentada nas seções de campo técnico, antecedentes e breve descrição dos desenhos mencionadas acima, ou na descrição detalhada a seguir.
[0012] Este relatório descritivo inclui referências a "uma modalidade", independentemente de a palavra "uma" representar um numeral ou um artigo. O uso da expressão "em uma modalidade", independentemente de a palavra "uma" representar um numeral ou um artigo, não se refere necessariamente à mesma modalidade. Recursos, estruturas ou características particulares podem ser combinados de qualquer maneira adequada consistente com esta descrição.
[0013] Terminologia. Os parágrafos a seguir fornecem definições e/ou contexto para termos (incluindo suas flexões e variações) encontrados nesta revelação (bem como nas reivindicações anexas):
[0014] "Compreende". O termo é irrestrito. Conforme usado nas reivindicações anexas, esse termo não exclui estrutura ou etapas adicionais.
[0015] "Configurado para". Várias unidades ou componentes podem ser descritas(os) ou reivindicadas(os) como "configuradas(os) para" executar uma tarefa (ou tarefas). Em tais contextos, "configurado para" é usado para conotar estrutura ao indicar que as unidades/componentes incluem estrutura que executa tal tarefa (ou tarefas) durante o funcionamento. Dessa forma, pode-se dizer que a unidade/componente está configurada(o) para executar a tarefa mesmo quando a unidade/componente especificada(o) não se encontra operacional (por exemplo, não está ligada(o)/ativa(o)). A menção de que uma unidade/circuito/componente está "configurada(o) para " executar uma ou mais tarefas se destina expressamente a não invocar a 35 U.S.C. §112, sexto parágrafo, para tal unidade/componente.
[0016] "Primeiro", "Segundo" etc. Como usados aqui, esses termos são usados como marcadores para substantivos por eles precedidos, e não implicam qualquer tipo de ordenação (por exemplo, espacial, temporal, lógica etc.). Por exemplo, a referência a um "primeiro" dielétrico não implica necessariamente que esse dielétrico seja o primeiro dielétrico em uma sequência; em vez disso, o termo "primeiro" é usado para diferenciar esse dielétrico de outro dielétrico (por exemplo, um "segundo" dielétrico).
[0017] "Com base em" ou "baseado(a) em". Como usado aqui, esse termo é usado para descrever um ou mais fatores que afetam uma determinação. Esse termo não exclui fatores adicionais que possam afetar uma determinação. Ou seja, uma determinação pode ser baseada exclusivamente nesses fatores ou ter como base, pelo menos em parte, esses fatores. Considere a frase "determinar A com base em B". Enquanto B pode ser um fator que afeta a determinação de A, tal frase não exclui a determinação de A também ser baseada em C. Em outros casos, A pode ser determinado com base exclusivamente em B.
[0018] "Acoplado" - A descrição a seguir se refere a elementos ou nós ou recursos que são "acoplados" entre si. Como usado aqui, a não ser que seja indicado expressamente ao contrário, "acoplado" significa que um elemento/nó/recurso está direta ou indiretamente unido a (ou direta ou indiretamente se comunica com) outro elemento/nó/recurso, e não necessariamente de maneira mecânica.
[0019] Além disso, determinada terminologia pode também ser usada na descrição a seguir com o propósito de referência apenas, e, dessa forma, não se destina a ser limitante. Por exemplo, termos como "superior", "inferior", "acima", e "abaixo" se referem a direções nos desenhos aos quais se faz referência. Termos como "frontal", "posterior", "traseiro", "lateral", "afastado do centro" e "próximo ao centro", descrevem a orientação e/ou localização de porções do componente dentro de uma estrutura de referência consistente, porém arbitrária, que é tornada clara por referência ao texto e aos desenhos associados que descrevem o componente em discussão. Tal terminologia pode incluir as palavras especificamente mencionadas acima, derivados das mesmas e palavras de importância similar.
[0020] Na descrição a seguir, são apresentados vários detalhes específicos, como operações específicas, a fim de fornecer um entendimento completo das modalidades da presente revelação. Ficará evidente para o versado na técnica que as modalidades da presente revelação podem ser praticadas sem esses detalhes específicos. Em outras instâncias, técnicas bem conhecidas não serão descritas em detalhes para não obscurecer desnecessariamente as modalidades da presente revelação.
[0021] Este relatório descritivo descreve em primeiro lugar dados exemplificadores e ilustrações que dão suporte à formação de dielétricos aprimorados para regiões de contato de uma célula solar, e em seguida descreve uma célula solar exemplificadora. Uma explicação mais detalhada de muitas modalidades da célula solar exemplificadora é fornecida ao longo deste documento.
[0022] Em uma modalidade, um dielétrico pode ser formado na interface entre um semicondutor dopado, como polissilício dopado ou silício amorfo dopado, e um substrato de silício da célula solar. Os benefícios de formar um dielétrico entre um semicondutor dopado e um substrato de silício de uma célula solar podem residir em condução elétrica aumentada. Os benefícios podem incluir também eficiência aumentada da célula solar. Em algumas modalidades, o semicondutor dopado também pode ser chamado de semicondutor dopado de banda larga proibida. Em uma modalidade, o semicondutor dopado pode ser um semicondutor de dopagem tipo P ou um semicondutor de dopagem tipo N. De modo similar, o semicondutor de dopagem tipo P pode ser um polissilício de dopagem tipo P ou um silício amorfo de dopagem tipo P. Igualmente, o semicondutor de dopagem tipo N pode ser um polissilício de dopagem tipo N ou um silício amorfo de dopagem tipo N. Em uma modalidade, o dielétrico pode ser chamado de dielétrico de junção túnel. A célula solar pode incluir também um silício tipo N ou um substrato de silício tipo P.
[0023] Agora com referência à Figura 1, é mostrada uma tabela que relaciona amostras de compostos dielétricos formados em um substrato de silício e suas propriedades correspondentes: Banda proibida (eV), Barreira de Elétron (eV) e Barreira de Buraco (eV), de acordo com algumas modalidades. Para um semicondutor de dopagem tipo N em um substrato de silício, pode ser favorável aumentar a condução do elétron, mediante a escolha do composto dielétrico formado entre o semicondutor de dopagem tipo N e o substrato de silício, o que aumenta a condução do elétron e reduz a condução do buraco (por exemplo, barreira de elétron < barreira de buraco). Com referência à Figura 1, um dielétrico desse tipo é um dióxido de silício. Em contrapartida, para um semicondutor de dopagem tipo P em um substrato de silício, pode ser favorável aumentar a condução do buraco através do contato tipo P, mediante a escolha de um composto dielétrico formado entre o semicondutor de dopagem tipo P e o substrato de silício, o que aumenta a condução do buraco e reduz a condução do elétron (por exemplo, barreira de elétron < barreira de buraco). Conforme mostrado, um dielétrico desse tipo é um nitreto de silício.
[0024] As Figuras 2 a 4 mostram diversos diagramas de nível de energia exemplificador para dielétricos formados entre um semicondutor dopado e um substrato de silício.
[0025] A Figura 2 ilustra um diagrama de nível de energia exemplificador de dióxido de silício formado entre um semicondutor de dopagem tipo P e um substrato de silício. Conforme mostrado, para o dióxido de silício a barreira de elétron 120 ao longo da banda de condução é baixa o suficiente (por exemplo, barreira de elétron < barreira de buraco) para permitir que os elétrons passem 110, ao mesmo tempo em que bloqueia os buracos na banda de valência. Para essa configuração, como um semicondutor de dopagem tipo P em um substrato de silício, a condução elétrica pode ser aumentada, permitindo que mais buracos passem e que os elétrons sejam bloqueados.
[0026] Com referência à Figura 3, é mostrado um diagrama de nível de energia de nitreto de silício formado entre um semicondutor de dopagem tipo P e um substrato de silício. Ao contrário da Figura 2, a barreira de elétron 122 é alta o suficiente (por exemplo, barreira de elétron > barreira de buraco) para bloquear elétrons, impedindo que passem 112, enquanto permite 114 que os buracos passem na banda de valência. Os benefícios dessa configuração podem incluir condução elétrica aumentada.
[0027] A Figura 4 ilustra um diagrama de nível de energia de dióxido de silício formado entre um semicondutor de dopagem tipo N e um substrato de silício. Conforme mostrado, a barreira de elétron ao longo da banda de condução é baixa o suficiente (por exemplo, barreira de elétron < barreira do buraco) para permitir que os elétrons passem 116, enquanto que a barreira de buraco 124 é alta ao longo da banda de valência e bloqueia os buracos 118, impedindo que passem. Os benefícios dessa configuração podem incluir condução elétrica aumentada.
[0028] Diversos compostos dielétricos formados entre o semicondutor de dopagem tipo P em substratos de silício podem ser usados de modo que a barreira de elétron para o composto dielétrico seja maior que a barreira de buraco (por exemplo, barreira de elétron > barreira de buraco). Um exemplo desse tipo de composto dielétrico é nitreto de silício. De modo similar, diversos compostos dielétricos formados entre o semicondutor de dopagem tipo N em substratos de silício podem ser usados de modo que a barreira de elétron para o composto dielétrico seja menor que a barreira de buraco (por exemplo, barreira de elétron < barreira de buraco). Um exemplo desse tipo de composto dielétrico é dióxido de silício. Um benefício do uso de um dielétrico com uma barreira de elétron menor que uma barreira de buraco, para um dielétrico formado entre o semicondutor de dopagem tipo N e um substrato de silício, pode ser aumentar a condução elétrica. De modo similar, um benefício do uso de um dielétrico com uma barreira de elétron maior que uma barreira de buraco, para um dielétrico formado entre o semicondutor de dopagem tipo P e um substrato de silício, pode ser aumentar a condução elétrica.
[0029] Com referência à Figura 5, é mostrado um diagrama de difusão de dopantes. A Figura 5 é usada para ilustrar a difusão de dopantes, representados aqui como boro, através de um semicondutor 140, um dielétrico 150 e dentro de um substrato de silício 142 de uma célula solar. Por exemplo, o boro pode ser difundido 130 para dentro de um polissilício ou silício amorfo 140, um dielétrico 150 e um substrato de silício 142.
[0030] Três exemplos 132, 134, 136 de difusão de dopante no substrato de silício são mostrados. Em um primeiro exemplo 132, a razão de concentração de dopante entre o substrato de silício 142 e um semicondutor 140, como polissilício ou silício amorfo, pode ser 1, fornecendo recombinação aumentada e condução elétrica deficiente. Em um segundo exemplo 134, uma razão da concentração de dopante entre o substrato de silício 142 e o semicondutor 140 pode ser 10 (por exemplo, aproximadamente 1e20 de concentração de boro em um polissilício / 1e19 de concentração de boro dentro de um substrato de silício). Em um terceiro exemplo 136, uma razão da concentração de dopante entre o substrato de silício 142 e o semicondutor 140 pode ser maior que 10, 100, 1000 ou mais, o que fornece melhores resultados (por exemplo, aproximadamente 1000 para fósforo com um dielétrico em junção túnel de dióxido de silício, resultando em recombinação diminuída, e condução elétrica aprimorada). Em tal modalidade, pode-se incluir o uso de nitreto de silício como o dielétrico 150 para um polissilício de dopagem tipo P 140 sobre um substrato de silício. Uma outra tal modalidade, pode- se incluir o uso de dióxido de silício como o dielétrico 150 para um polissilício de dopagem tipo N 140 sobre um substrato de silício.
[0031] As Figuras 6 a 8 ilustram diversas modalidades para dielétricos formados entre um semicondutor dopado, como um polissilício dopado ou um silício amorfo dopado, e um substrato de silício.
[0032] Com referência à Figura 6, um dielétrico exemplificador é mostrado. Em uma modalidade, o dielétrico 152 pode incluir 1 a 5% de nitrogênio 160 através de oxidação de óxido nitroso (N2O).
[0033] Com referência à Figura 7, é mostrado um dielétrico exemplificador formado entre um polissilício de dopagem tipo P e um substrato de silício. O dielétrico 154 mostra uma monocamada única de óxido 162 em contato com um substrato de silício e uma pluralidade 166 de monocamadas de nitreto 164 disposta sobre a monocamada de óxido 162. Em uma modalidade, a monocamada de óxido 162 pode diminuir a recombinação de superfície na interface do dielétrico. Em uma modalidade, a recombinação de superfície da interface do dielétrico pode ser menor que 1000 cm/seg. Em uma modalidade, as monocamadas de nitreto 164 não precisam ser formadas de maneira pura (por exemplo, podem ter oxigênio), contanto que as camadas de nitreto 164 sejam formadas sobre a monocamada de óxido 162. Em uma modalidade, o dielétrico 154 pode ser formado por deposição de camada atômica (ALD, de atomic layer deposition). Em uma modalidade, o dielétrico 154 pode ser nitreto de silício.
[0034] A Figura 8 ilustra um dielétrico exemplificador formado entre um polissilício de dopagem tipo N e um substrato de silício. O dielétrico 156 mostrado revela uma pluralidade 168 de monocamadas de óxido 162.
[0035] Em uma modalidade, o dielétrico 154 da Figura 7 e o dielétrico 156 da Figura 8 podem ser usados em conjunto para melhorar significativamente a eficiência da célula solar, mediante a diminuição da recombinação de superfície e o aumento da condução elétrica.
[0036] Com referência à Figura 9, é mostrada uma célula solar. A célula solar 200 pode incluir uma primeira região de contato 202 e uma segunda região de contato 204. Em uma modalidade, a primeira região de contato 202 pode ser uma região de contato tipo P e a segunda região de contato 204 pode ser uma região de contato tipo N. A célula solar 200 pode incluir um substrato de silício 210. Em uma modalidade, o substrato de silício 210 pode ser polissilício ou silício multicristalino.
[0037] Em uma modalidade, o substrato de silício 210 pode ter uma primeira região dopada 212 e uma segunda região dopada 214. O substrato de silício 210 pode ser limpo, polido, aplanado e/ou afinado, ou de outra forma processado antes da formação da primeira e da segunda regiões de dopagem 212, 214. O substrato de silício pode ser um substrato de silício tipo N ou um substrato de silício tipo P.
[0038] Um primeiro dielétrico 220 e um segundo dielétrico 222 podem ser formados sobre o substrato de silício 210. Em uma modalidade, o primeiro dielétrico 220 pode ser formado sobre uma primeira porção do substrato de silício 210. Em uma modalidade, o segundo dielétrico 222 pode ser formado sobre uma segunda porção do substrato de silício 210. Em uma modalidade, o primeiro dielétrico 220 pode ser nitreto de silício. Em uma modalidade, o primeiro dielétrico 220 pode ter uma barreira de elétron maior que uma barreira de buraco. Em uma modalidade, o primeiro dielétrico 220 pode ter a estrutura do dielétrico 154 mostrado na Figura 7. Em uma modalidade, o segundo dielétrico 222 pode ser dióxido de silício 222. Em uma modalidade, o segundo dielétrico 222 pode ter uma barreira de elétron menor que uma barreira de buraco. Em uma modalidade, o segundo dielétrico 222 pode ter a estrutura do dielétrico 156 mostrado na Figura 8.
[0039] Em uma modalidade, a primeira região de dopagem 214 pode ser formada sob o primeiro dielétrico 220, e a segunda região de dopagem 214 pode ser formada sob o segundo dielétrico 222. Em uma modalidade, a primeira porção do substrato de silício 210 pode ser no mesmo local 212 que a primeira região de dopagem. Em uma modalidade, a segunda porção do substrato de silício 210 pode ser no mesmo local 214 que a segunda região de dopagem.
[0040] Um primeiro semicondutor dopado 230 pode ser formado sobre o primeiro dielétrico 220. Um segundo semicondutor dopado 232 pode ser formado sobre o segundo dielétrico 222. Em uma modalidade, o semicondutor dopado pode incluir polissilício dopado ou um silício amorfo dopado. Em algumas modalidades, o semicondutor dopado pode ser um semicondutor dopado de banda larga proibida, como silício amorfo dopado. Em uma modalidade, o primeiro e o segundo semicondutores dopados 230, 232 podem ser, respectivamente, um primeiro e um segundo polissilícios dopados. Em uma modalidade, um primeiro polissilício dopado (por exemplo, 230) pode ser um polissilício de dopagem tipo P. Em uma modalidade, um segundo polissilício dopado (por exemplo, 232) pode ser um polissilício de dopagem tipo N. Em uma modalidade, a razão de concentração de dopante entre o primeiro polissilício dopado (por exemplo, as regiões 230) e a segunda região de dopagem 212 do substrato de silício 210 pode ser ao menos 10. Em uma modalidade, a razão de concentração de dopante entre o segundo polissilício dopado (por exemplo, as regiões 232) e a segunda região de dopagem 214 do substrato de silício 210 pode ser ao menos 10.
[0041] Em uma modalidade, uma terceira camada de dielétrico 224 pode ser formada sobre o primeiro e o segundo semicondutores dopados 230, 232. A célula solar 200 pode incluir aberturas de contato através do terceiro dielétrico 224. Em uma modalidade, as aberturas de contato podem ser formadas por qualquer número de processos de litografia, incluindo técnicas de corrosão úmida e ablação (por exemplo, ablação a laser etc.). Em uma modalidade, o terceiro dielétrico 224 pode ser um revestimento antirreflexivo (ARC, de anti-reflexive coating) ou um revestimento antirreflexivo posterior (BARC, de back anti-reflexive coating) formado ou na parte frontal ou na parte traseira de uma célula solar. Em uma modalidade, o terceiro dielétrico 224 pode ser nitreto de silício.
[0042] Os primeiro e o segundo contatos de metal 240, 242 podem ser formados sobre o primeiro e o segundo semicondutores 230, 232 e através das aberturas de contato no terceiro dielétrico 224. Em uma modalidade, o primeiro metal de contato 240 pode ser um contato de metal do tipo positivo e o segundo contato de metal 242 pode ser um contato de metal do tipo negativo. Em uma modalidade, o primeiro e o segundo contatos de metal 240, 242 podem ser, mas não se limitam a, um ou mais dentre cobre, estanho, alumínio, prata, ouro, cromo, ferro, níquel, zinco, rutênio, zinco, rutênio, paládio, e/ou platina.
[0043] Como descrito aqui, a célula solar 200 pode incluir um primeiro e um segundo semicondutores dopados 230, 232, como um primeiro e um segundo polissilícios dopados, respectivamente. Em uma modalidade, o primeiro e o segundo polissilícios dopados podem ser crescidos por um processo térmico. Em algumas modalidades, o primeiro e o segundo polissilícios dopados podem ser formados mediante a deposição de dopantes no substrato de silício 210 por um processo de dopagem convencional. A primeira e a segunda regiões de polissilício dopado e a primeira e a segunda regiões de dopagem 212, 214 do substrato de silício 210 podem, cada uma, incluir um material de dopagem, mas não se limitar a, um dopante do tipo positivo, como boro, e a um dopante do tipo negativo, como fósforo. Embora tanto o primeiro como o segundo polissilício dopado sejam descritos como sendo crescidos através de um processo térmico, assim como com qualquer outra formação, deposição, ou operação de processo de crescimento descritos ou mencionados aqui, cada camada ou substância é formada com o uso de qualquer processo adequado. Por exemplo, um processo de deposição química de vapor (CVD), CVD sob baixa pressão (LPCVD), CVD sob pressão atmosférica (APCVD), CVD intensificada por plasma (PECVD), crescimento térmico, bombardeamento iônico, bem como qualquer outra técnica desejada, é usado onde a formação é descrita. Dessa forma, e de modo similar, o primeiro e o segundo polissilícios dopados podem ser formados no substrato de silício 210 por uma técnica de deposição, bombardeamento iônico, ou processo de impressão, como impressão com jato de tinta ou impressão serigráfica. De modo similar, a célula solar 200 pode incluir um primeiro e um segundo semicondutores dopados 230, 232, como um primeiro e um segundo silícios amorfos dopados, respectivamente.
[0044] A célula solar 200 pode ser, mas não se limita a, uma célula solar de contato posterior ou uma célula solar de contato frontal.
[0045] Embora modalidades específicas tenham sido descritas acima, essas modalidades não se destinam a limitar o escopo da presente revelação, mesmo quando apenas uma única modalidade for descrita com relação a uma característica particular. Exemplos de características fornecidos na revelação destinam-se a ser ilustrativos, ao invés de restritivos, a menos que indicado em contrário. A descrição acima tem por objetivo abranger tais alternativas, modificações e equivalentes como seria evidente a um versado na técnica tendo o benefício da presente revelação.
[0046] O escopo da presente revelação inclui qualquer recurso ou combinação de recursos descritos aqui (seja explícita ou implicitamente), ou qualquer generalização dos mesmos, mitigando ou não qualquer dos problemas tratados na presente invenção. Consequentemente, podem ser formuladas novas reivindicações durante o processo deste pedido (ou um pedido reivindicando prioridade ao mesmo) para qualquer uma dessas combinações de recursos. Em particular, com referência às reivindicações anexas, recursos das reivindicações dependentes podem ser combinados com aqueles das reivindicações independentes e recursos das respectivas reivindicações independentes podem ser combinados de qualquer maneira adequada e não apenas nas combinações específicas enumeradas nas reivindicações anexas.
[0047] Em uma modalidade, uma célula solar inclui um primeiro dielétrico formado sobre uma primeira porção do substrato de silício. Um segundo dielétrico é formado sobre uma segunda porção do substrato de silício, sendo que o primeiro dielétrico é um tipo de dielétrico diferente do segundo dielétrico. Um semicondutor dopado é formado sobre o primeiro e o segundo dielétricos. Um contato de metal do tipo positivo é formado sobre o semicondutor dopado e o primeiro dielétrico. Um contato de metal do tipo negativo formado sobre o semicondutor dopado e sobre o segundo dielétrico.
[0048] Em uma modalidade, o primeiro dielétrico compreende ao menos uma monocamada de óxido em contato com o substrato de silício.
[0049] Em uma modalidade, o segundo dielétrico compreende uma pluralidade de monocamadas de óxido. Em uma modalidade, o primeiro dielétrico compreende nitreto de silício.
[0050] Em uma modalidade, o segundo dielétrico compreende dióxido de silício.
[0051] Em uma modalidade, o semicondutor dopado compreende polissilício dopado.
[0052] Em uma modalidade, o semicondutor dopado compreende um polissilício de dopagem tipo P e um polissilício de dopagem tipo N.
[0053] Em uma modalidade, o polissilício de dopagem tipo P é formado sobre o primeiro dielétrico e o polissilício de dopagem tipo N é formado sobre o segundo dielétrico.
[0054] Em uma modalidade, o substrato de silício compreende uma primeira região de dopagem sob o primeiro dielétrico e uma segunda região de dopagem sob o segundo dielétrico.
[0055] Em uma modalidade, uma razão de concentração de dopante entre o polissilício de dopagem tipo P e a primeira região de dopagem é ao menos 10.
[0056] Em uma modalidade, o semicondutor dopado compreende silício amorfo dopado.
[0057] Em uma modalidade, uma célula solar inclui um primeiro dielétrico formado sobre uma primeira região de dopagem de um substrato de silício. Um segundo dielétrico é formado sobre uma segunda região de dopagem do substrato de silício, sendo que o primeiro dielétrico é um tipo de dielétrico diferente do segundo dielétrico. Um primeiro polissilício dopado é formado sobre o primeiro dielétrico. Um segundo polissilício dopado é formado sobre o segundo dielétrico. Um contato de metal do tipo positivo é formado sobre o primeiro polissilício dopado. Um contato de metal do tipo negativo é formado sobre o segundo polissilício dopado.
[0058] Em uma modalidade, o primeiro dielétrico compreende ao menos uma monocamada de óxido em contato com o substrato de silício.
[0059] Em uma modalidade, o segundo dielétrico compreende uma pluralidade de monocamadas de óxido.
[0060] Em uma modalidade, o primeiro dielétrico compreende nitreto de silício.
[0061] Em uma modalidade, o segundo dielétrico compreende dióxido de silício.
[0062] Em uma modalidade, uma razão de concentração de dopante entre o primeiro polissilício dopado e a primeira região de dopagem é ao menos 10.
[0063] Em uma modalidade, uma célula solar inclui nitreto de silício formado sobre uma região de dopagem tipo P do substrato de silício. O dióxido de silício é formado sobre uma região de dopagem tipo N do substrato de silício. O polissilício de dopagem tipo P é formado no nitreto de silício. O polissilício de dopagem tipo N é formado no dióxido de silício. Um contato de metal do tipo positivo é formado na região de polissilício de dopagem tipo P. Um contato de metal do tipo negativo é formado na região de polissilício de dopagem tipo N.
[0064] Em uma modalidade, uma razão de concentração de dopante entre o polissilício de dopagem tipo P e a região de dopagem é ao menos 10.
[0065] Em uma modalidade, o nitreto de silício compreende ao menos uma monocamada de óxido em contato com o substrato de silício. condutor dopado.

Claims (8)

1. Célula solar, caracterizada por compreender: um primeiro dielétrico (220) formado sobre uma primeira região de dopagem de um substrato de silício (210); um segundo dielétrico (222) formado sobre uma segunda região de dopagem do substrato de silício (210), sendo que o primeiro dielétrico (220) é um tipo de dielétrico diferente do segundo dielétrico (222); um primeiro polissilício dopado formado sobre o primeiro dielétrico (220); um segundo polissilício dopado formado sobre o segundo dielétrico (222); um contato de metal (240) do tipo positivo formado sobre o primeiro polissilício dopado; um contato de metal do tipo negativo (242) formado sobre o segundo polissilício dopado; nitreto de silício (220) formado sobre uma região de dopagem tipo P (212) de um substrato de silício (210); dióxido de silício formado sobre uma região de dopagem tipo N (214) de um substrato de silício (210); polissilício de dopagem tipo P (230) formado no nitreto de silício (220); polissilício de dopagem tipo N (232) formado no dióxido de silício; um contato de metal do tipo positivo (240) formado sobre a região de polissilício de dopagem tipo P (230); e um contato de metal do tipo negativo (242) formado sobre a região de polissilício de dopagem tipo N (232).
2. Célula solar, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que o primeiro dielétrico (220) compreende ao menos uma monocamada de óxido em contato com o substrato de silício (210).
3. Célula solar, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que o segundo dielétrico (222) compreende uma pluralidade de monocamadas de óxido.
4. Célula solar, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que o primeiro dielétrico compreende nitreto de silício (220).
5. Célula solar, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que o segundo dielétrico (222) compreende dióxido de silício.
6. Célula solar, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que uma razão de concentração de dopante entre o primeiro polissilício dopado (230) e a primeira região de dopagem (214) é ao menos 10.
7. Célula solar, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que uma razão de concentração de dopante entre o polissilício de dopagem tipo P (230) e a região de dopagem tipo P (212) é ao menos 10.
8. Célula solar, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que o nitreto de silício (220) compreende ao menos uma monocamada de óxido em contato com o substrato de silício (210).
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