SA109300073B1 - إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه - Google Patents

إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه Download PDF

Info

Publication number
SA109300073B1
SA109300073B1 SA109300073A SA109300073A SA109300073B1 SA 109300073 B1 SA109300073 B1 SA 109300073B1 SA 109300073 A SA109300073 A SA 109300073A SA 109300073 A SA109300073 A SA 109300073A SA 109300073 B1 SA109300073 B1 SA 109300073B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
layer
oxide
tco
photovoltaic
glass substrate
Prior art date
Application number
SA109300073A
Other languages
English (en)
Inventor
ويليم دين بوير
يوي ليو
دافيد ليرين
سكوت في. تومسين
Original Assignee
جارديان اندستريز كورب
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by جارديان اندستريز كورب filed Critical جارديان اندستريز كورب
Publication of SA109300073B1 publication Critical patent/SA109300073B1/ar

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10036—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising two outer glass sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10165—Functional features of the laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10174—Coatings of a metallic or dielectric material on a constituent layer of glass or polymer
    • B32B17/1022—Metallic coatings
    • B32B17/10229—Metallic layers sandwiched by dielectric layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

الملخـــص: يتعلق الاختراع بإلكترود/ملامس أمامي front electrode/contact للاستخدام في جهاز الكتروني electronic device مثل جهاز ڤٌلطائي ضوئي photovoltaic device. وفي بعض النماذج التمثيلية، يشتمل الإلكترود الأمامي front electrode لجهاز ڤٌلطائي ضوئي photovoltaic device أو ما شابه ذلك على مادة تغليف متعددة الطبقات multilayer coating تشتمل على طبقة أكسيد موصلة منفذة transparent conductive oxide (TCO) layer واحدة على الأقل (مثل، طبقة مصنعة من أو تشتمل على مادة مثل tin oxide ، ITO، zinc oxide ، أو ما شابه ذلك) و/ أو طبقة معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة metallic IR reflecting layer وموصلة واحدة على الأقل (مثل، طبقة أساسها الفضة silver ، الذهب gold، أو ما شابه ذلك). وفي بعض الحالات التمثيلية يمكن أن تشتمل مادة تغليف الإلكترود الأمامي متعددة الطبقات multilayer front electrode coating على واحدة أو أكثر من طبقات الأكسيد (الأكاسيد) المعدني (المعدنية) الموصلة conductive metal(s) oxide layer(s) وواحدة أو أكثر من الطبقات المعدنية بشكل أساسي العاكسة للأشعة تحت الحمراء substantially metallic IR reflecting layer(s) والموصلة من أجل تقليل انعكاس الضوء المرئي، وزيادة الموصلية، وخفض تكاليف التصنيع، و/ أو زيادة القدرة على عكس الأشعة تحت الحمراء infrared (IR) reflection . ويمكن تركيب واحدا على الأقل من أسطح الركيزة الزجاجية glass substrate في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع.

Description

‎١ =‏ ال إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز قلطائي ضوئني وطريقة لتصنيعه ‎Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same‏ الوصف الكامل خلفية الاختراع تتعلق نماذج معينة من هذا الاختراع بجهاز قلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ يشتمل على الكترود مثل إلكترود/ ملامس أمامي ‎front electrode/contact‏ . وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع» يشتمل الإلكترود الأمامي ‎front electrode‏ أو يصنع من مادة تغليف موصلة منفذة ‎transparent conductive coating (TCC) ©‏ متعددة الطبقات ‎plurality of layers‏ ¢ ويتم وضعها على سطح )538 زجاجية أمامية ‎surface of a front glass substrate opposite‏ مقابلة لسطح ركيزة نمطي ‎patterned surface of the substrate‏ . في بعض النماذج ‎dial‏ يواجه السطح النمطي (أي المحفور ‎(etched‏ للركيزة الزجاجية الأمامية المنفذة الضوء القادمتطعنا ‎Cua 0001 transparent glass substrate faces incoming‏ يتم ‎٠‏ توفير ‎TCC‏ على الجانب المقابل للركيزة الذي يواجه الطبقة شبه الموصلة ‎semiconductor layer‏ للجهاز ‎SE)‏ الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ . بمعنى آخرء تشتمل الركيزة الزجاجية ‎glass substrate‏ المنفذة على سطح أول نمطي ‎TCC‏ لإلكترود أمامي على السطح الثاني لها. يعمل السطح الأول النمطي أو أ لأمامي للركيزة الزجاجية على تقليل فاقد انعكاس التدفق الشمسي العارض ويعمل على زيادة امتصاص الفوتون (الفوتونات) ‎absorption of photon(s)‏ في الطبقة ‎VO‏ الرقيقة شبه الموصلة خلال التبدد ‎scattering‏ والانكسار ‎refraction‏ والحيود ‎.diffusion‏ يمكن أن يعمل ‎TCC‏ على تعزيز الانتقال في مناطق ‎PV‏ المختارة النشطة لطيف الأشعة تحت الحمراء ‎IR‏
0# _
المرئي والقريب ‎near IR spectrum‏ ¢ مع رفض و/ أو إعاقة الطاقة الحرارية تحت الحمراء
‎blocking undesired IR thermal energy‏ غير المرغوب بها من مناطق معينة أخرى للطيف. في بعض النماذج التمثيلية؛ يشتمل الإلكترود الأمامي ‎front electrode‏ للجهاز القلطائي ‎(Spal‏ ‎photovoltaic (PV) device‏ على مادة تغليف متعددة الطبقات ‎multilayer coating‏ (أو ‎(TCC‏ ‏© تشمل طبقة معدنية بشكل أساسي واحدة على الأقل عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎(IR)‏ وموصلة إلى حدٍ كبير مصنعة من أو تشتمل على الفضة ‎silver‏ ؛ الذهب ‎gold‏ ؛ أو ما شابه ذلك» ومن الممكن أن تشتمل ‎sale‏ التغليف على طبقة أكسيد موصلة منفذة ‎transparent conductive oxide‏ ‎(TCO) layer‏ واحدة على الأقل ‎Si)‏ مصنعة من أو تشتمل على مادة ‎zinc oxide © tin oxide‏ ‎٠‏ أو ما شابه ذلك). وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتم تصميم مادة تغليف الإلكترود الأمامي متعددة ‎٠‏ الطبقات ‎multilayer front electrode coating‏ من أجل تحقيق واحدة أو أكثر من الخصائص المميزة الآتية: 0( مقاومة لوحية ‎sheet resistance (Rg)‏ منخفضة ومن ثم زيادة الموصلية وتحسين قدرة الخرج الإجمالية لوحدة فلطائية ضوئية نمطية ‎photovoltaic module output power‏ ‎photovoltaic module output power‏ ¢ (ب) زيادة اتعكاس الأشعة تحت الحمراء ‎increased‏ ‎reflection of infrared (IR)‏ وبالتالي تقليل درجة حرارة تشغيل الوحدة القّلطائية الضوئية النمطية ‎ge ٠5‏ أجل زيادة قدرة الخرج للوحدة النمطية؛ (ج) تقليل انعكاس و/ أو زيادة انتقال الضوء في المنطقة التي تتراوح من £00 - 700 نانو مترء و/ أو 66؛- 00 نانومتر؛ وهذا يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة القلطائية الضوئية النمطية؛ (د) تقليل السمك الإجمالي لمادة تغليف الإلكترود الأمامي ‎Lea front electrode‏ يمكن من تقليل تكاليف و/ أو زمن التصنيع؛ و/ أو (ه) تحسين أو توسيع نافذة المعالجة عند تشكيل طبقة (طبقات) ال ‎TCO‏ وذلك بسبب انخفاض تأثير موصلية (طبقة)
‎Yaay
اا -
طبقات ال ‎TCO‏ على الخواص الكهربية الإجمالية للوحدة النمطية بمعلومية وجود طبقة (طبقات)
معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء 18 موصلة إلى حدٍ كبير.
الأجهزة القأطائية الضوئية ‎photovoltaic devices‏ معروفة في المجال (على سبيل المثال؛ ‎hail‏
براءات الاختراع الأمريكية أرقام ‎TYAATYO 5 19784675١1‏ و 211777591117107 حيث تم
© تضمين الكشوفات الواردة بها في هذا الطلب كمرجع). وتشتمل الأجهزةٍ القلطائية الضوئية المصنعة
من السيلكون غير المتبلر ‎Amorphous silicon‏ ؛ على سبيل المثال؛ على إلكترود أو ملامس
. front electrode or contact ‏أمامي‎
ونمطياًء يتم تصنيع الإلكترود الأمامي ‎front electrode‏ المنفذ من أكسيد حراري موصل منفذة
‎zinc oxide Jie transparent conductive oxide (TCO)‏ أو أكسيد القصدير ‎tin oxide‏ المشكل ‎٠‏ على ركيزة مثل ركيزة ‎glass substrate dala)‏ . وفي الكثير من الحالات؛ يتم تشكيل الإلكترود
‎١‏ لأمامي ‎front electrode‏ المنفذ من طبقة واحدة باستخدام طريقة من طريق التحلل الحراري
‏الكيميائي ‎chemical pyrolysis‏ حيث يتم رش مواد أولية منتجة لغيرها على الركيزة الزجاجية ‎glass‏
‎tin ‏النمطية من‎ TCO ‏م ويمكن أن يصل سمك طبقات‎ RT ‏عند حوالي 5060 إلى‎ substrate
‏06 معالج بالإشابة بواسطة ‎fluorine‏ والتي تتحلل بالحرارة وتستخدم كإلكترودات أمامية ‎front‏ ‎celectrodes |‏ حوالي 50860 نانو مترء مما يوفر مقاومة لوحية ‎sheet resistance (Ry)‏ تبلغ حوالي
‎٠‏ أوم/ مربع. وللحصول على قدرة خرج كبيرة؛ من المرغوب فيه أن يكون لدينا إلكترود أمامي له
‏مقاومة لوحية ‎sheet resistance‏ منخفضة وتلامس أومي جيد بالطبقة العليا للخلية؛ ويسمح
‏بأقصى طاقة شمسية في نطاقات معينة مرغوب فيها للنفاذ إلى أغشية أشباه الموصلات الماصة
‎.absorbing semiconductor film
‎Yasy
— هم -
ولسوء الحظ؛ فإن الأجهزة القلطائية الضوئية ‎(Jie)‏ الخلايا الشمسية ‎(solar cells‏ التي تشتمل
على الالكترودات الأمامية 700 التقليدية تعاني من المشكلات الآتية.
‎Nf‏ يكون لطبقة ‎TCO‏ من أكسيد القصدير ‎tin oxide‏ المعالج بالإشابة ب ‎fluorine‏ والتي تتحلل
‏بالحرارة ويصل سمكها إلى حوالي 00 نانومتر والمستخدمة كإلكترود أمامي كامل مقاومة ‎sheet resistance (Ry) ind ©‏ تبلغ ‎Vo Me‏ أوم/ مربع وهي مقاومة كبيرة بالنسبة للإلكترود
‏الأمامي الكامل. ومن المرغوب فيه أن تكون المقاومة اللوحية أقل (وبالتالي تكون الموصلية أفضل)
‏بالنسبة للإلكترود الأمامي لجهاز ‎Gab‏ ضوئي ‎(Sass photovoltaic device‏ الوصول إلى
‏مقاومة لوحية ‎sheet resistance‏ أقل بزيادة سمك طبقة 100 كهذه؛ ولكن هذا سوف يتسبب في
‏انخفاض نفاذ الضوء خلال طبقة اذ ‎TCO‏ مما يقلل من قدرة خرج الجهاز ‎SLE‏ الضوئي ‎.photovoltaic (PV) device ٠‏
‎Qty‏ تسمح الكترودات ‎TCO‏ الأمامية التقليدية ‎Jie conventional TCO front electrodes‏ أكسيد
‏القصدير ‎tin oxide‏ الذي ينحل بالحرارة بمرور كمية كبير إلى حدٍ ما من الأشعة تحت الحمراء
‎(IR)‏ خلالها مما يسمح لها بالوصول إلى طبقة (طبقات) شبه الموصل أو الطبقة الماصة من
‏الجهاز ‎(LEI‏ الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ وتتسبب هذه الأشعة تحت الحمراء في
‎٠‏ حرارة تزيد من حرارة تشغيل الجهاز ‎SEY‏ الضوئي وبالتالي تقليل قدرة الخرج له.
‎(BIG‏ تميل إلكترودات ‎TCO‏ الأمامية التقليدية ‎Jie‏ أكسيد القصدير ‎tin oxide‏ الذي ينحل بالحرارة
‏لأن تعكس كمية كبيرة إلى حدٍ ما من الضوء في المنطقة من حوالي ‎Vou - 49٠‏ نانومتر بحيث
‏تصل نسبة لا تقل عن حوالي 7850 من الطاقة الشمسية ‎solar energy‏ المفيدة إلى طبقة شبه
‏الموصل الماصة ‎semiconductor absorbing layer‏ ؛ وهذا الانعكاس الكبير إلى حدٍ ما ‎spall‏
‎Yasy
‎Jd)‏ يعتبر إهداراً للطاقة ويؤدي إلى خفض قدرةٍ الخرج للوحدة القلطائية الضوئية النمطية ‎reduced photovoltaic module output power‏ وبسبب امتصاص طبقة ‎TCO‏ وانعكاسات الضوء التي تحدث بين طبقة ال ‎n) TCO‏ حوالي ‎١ A‏ إلى ‎١‏ عند طول موجي 00 نانو متر) وغشاء شبه الموصل ‎Semiconductor‏ الرقيق ‎n) thin film semiconductor‏ حوالي ‎٠.٠‏ إلى 4,5)؛ © وبين طبقة ال ‎TCO‏ والركيزة الزجاجية ‎glass substrate‏ (« حوالي ‎o(V,0‏ فإن الزجاج المغلف بطبقة ال ‎TCO‏ عند مقدمة الجهاز الفلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ يسمح ‎Lh‏ ‏بوصول نسبة تقل عن 780 من الطاقة الشمسية ‎sad) solar energy‏ التي ترتطم بالجهاز إلى غشاء شبه الموصل ‎Semiconductor‏ الذي يقوم بتحويل الضوء إلى طاقة كهربية. ‎da)‏ كما أن السمك الإجمالي الكبير (مثلاًء 0860© نانو متر) للإلكترود الأمامي في حالة ‎Gb‏ ‎٠‏ 200 من أكسيد القصدير ‎tin oxide‏ سمكها ‎٠0٠‏ نانو متر؛ يتسبب في زيادة تكاليف التصنيع. ‎Lala‏ نافذة المعالجة التي تتم لتشكيل طبقة ‎TCO‏ من ‎zinc oxide‏ أو ‎tin oxide‏ لتصنيع الكترود أمامي تكون صغيرة وهامة. وبهذا الخصوص؛ فإنه حتى التغييرات الضئيلة في نافذة المعالجة يمكن أن تؤثر سلباً على موصلية طبقة ال ‎(TCO‏ وعندما تكون طبقة ال ‎TCO‏ عبارة عن طبقة موصلة وحيدة للإلكترود الأمامي؛ فإن ‎Jie‏ هذه التأثيرات السلبية يمكن أن تكون ضارة بشدة. ‎٠‏ وبناءً على هذاء يمكن إدراك أن هناك حاجة في المجال لإلكترود أمامي محسّن لجهاز قلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ يمكنه أن يحل أو يعالج واحدة أو أكثر من المشكلات الخمس السابق ذكرها.
= 0 الوصف العام للاختر اع وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ فإن الإلكترود الأمامي ‎Gath Alea! front electrode‏ ضوثي ‎photovoltaic device‏ يشتمل على مادة تغليف موصلة منفذة ‎transparent conductive‏ ‎coating (TCC)‏ متعددة الطبقات ‎plurality of layers‏ ؛ ويتم وضعها على سطح ركيزة ‎Lala)‏ ‏© أمامية ‎surface of a front glass substrate opposite‏ مقابلة لسطح ركيزة نمطي ‎patterned‏ ‎surface of the substrate‏ . في بعض النماذج التمثيلية؛ يواجه السطح النمطي (أي المحفور ‎etched‏ ( للركيزة الزجاجية الأمامية المنفذة الضوء القادم ‎front transparent glass substrate faces‏ ‎incoming light‏ حيث يتم توفير ‎TCC‏ على الجانب المقابل للركيزة الذي يواجه الطبقة شبه ‎semiconductor layer lia gall‏ للجهاز ‎RN]‏ الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ . يعمل ‎٠‏ السطح الأول النمطي أو الأمامي للركيزة الزجاجية على تقليل فاقد انعكاس التدفق الشمسي العارض ويعمل على زيادة امتصاص الفوتون (الفوتونات) ‎absorption of photon(s)‏ في الطبقة الرقيقة شبه الموصلة خلال التبدد ‎scattering‏ والانكسار ‎refraction‏ والحيود ‎.diffusion‏ ‏في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ فإن الإلكترود الأمامي ‎front electrode‏ لجهاز فلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ يشتمل على مادة تغليف متعددة الطبقات ‎multilayer coating‏ ‎٠‏ تشتمل على طبقة معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة ‎metallic TR reflecting layer‏ وموصلة إلى حدٍ كبير ‎Sie)‏ طبقة أساسها الفضة ‎silver‏ ؛ أو الذهب ‎gold‏ ؛ أو ما شابه ذلك)؛ واختيارياة على طبقة أكسيد موصلة منفذة ‎transparent conductive oxide (TCO) layer‏ واحدة على الأقل ‎See)‏ مصنعة من أو تشتمل على مادة ‎zinc oxide 6 tin oxide Jie‏ ¢ أو ما شابه ذلك). وفي بعض الحالات التمثيلية المعينة؛ يمكن أن تشتمل المادة المغلفة للإلكترود الأمامي متعددة الطبقات ‎plurality of layers ٠‏ على مجموعة من طبقات ‎TCO‏ و/ أو مجموعة من الطبقات المعدنية العاكسة
‎ZA =‏ 20230 تحت الحمراء 18 الموصلة بشكل أساسي؛ مرتبة بطريقة تبادلية من أجل العمل على تقليل انعكاسات الضوء المرثي؛ وزيادة الموصلية؛ وزيادة القدرة على عكس الأشعة ‎AIR‏ ‏وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع» ‎(Say‏ تصميم مادة مغلفة متعددة الطبقات ‎plurality of‏ الالكترود أمامي من أجل تحقيق واحدة أو أكثر من الخصائص المميزةٍ الآتية: 00( مقاومة © لوحية ‎sheet resistance (Ry)‏ منخفضة ومن ثم زيادة الموصلية وتحسين قدرةٍ الخرج الإجمالية لوحدة فلطائية ضوئية نمطية ‎photovoltaic module output power‏ ؛ (ب) زيادة انعكاس الأشعة تحت الحمراء ‎(IR)‏ وبالتالي تقليل درجة حرارة تشغيل الوحدة ‎AUR‏ الضوئية النمطية من أجل زيادة قدرة الخرج للوحدة النمطية؛ (ج) تقليل انعكاس و زيادة انتقال الضوء في المنطقة (المناطق) التي تتراوح من حوالي ‎45٠‏ - 700 نانو مترء و/ أو £00 ‎٠0١‏ نانومتر؛ وهذا يؤدي إلى زيادة قدرة ‎٠‏ الخرج للوحدة القلطائية الضوئية النمطية؛ (د) تقليل السمك الإجمالي لمادة تغليف الإلكترود الأمامي ‎Lea front electrode‏ يمكن من تقليل تكاليف و/ أو زمن التصنيع؛ و/ أو (ه تحسين أو توسيع نافذة المعالجة عند تشكيل طبقة (طبقات) ال ‎TCO‏ وذلك بسبب انخفاض تأثير موصلية طبقات ال ‎Je TCO‏ الخواص الكهربية الإجمالية للوحدة النمطية بمعلومية وجود طبقة (طبقات) معدنية ‎metallic layer(s)‏ بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎IR‏ وموصلة إلى حدٍ كبير. ‎VO‏ وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ تم تقديم جهاز فُلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ يشتمل على: ركيزة زجاجية أمامية ‎front glass substrate‏ وغشاء نشط من أشباه الموصلات؛ إلكترود أمامي منفذ إلى حدٍ كبير يتواجد بين الركيزة الزجاجية الأمامية وغشاء شبه الموصل ‎Semiconductor‏ على الأقل؛ ‎Cua‏ يشتمل الإلكترود الأمامي ‎ddl front electrode‏ إلى حد كبير؛ عند التحرك بعيداً عن الركيزة الزجاجية الأمامية باتجاه غشاء شبه الموصل ؛ على طبقة ‎Ye‏ منفذة إلى حدٍ كبير واحدة على ‎JY)‏ حيث يمكن أن تكون موصلة أو غير موصلة؛ طبقة معدنية
بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎(IR)‏ تشتمل على الفضة ‎silver‏ و/ أو الذهب ‎gold‏ ؛
وغشاء (طبقة رقيقة) أول من أكسيد موصل ‎transparent conductive oxide (TCO) Mie‏ يوضع
على الأقل بين الطبقة العاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎IR‏ وغشاء شبه الموصل ؛ وحيث يتم توفير
الإلكترود الأمامي ‎front electrode‏ على السطح الداخلي للركيزة الزجاجية الأمامية المواجهة للغشاء © شبه الموصل ؛ يعمل السطح الخارجي ‎textured surface‏ للركيزة الزجاجية الأمامية المواجهة
للضوء على تقليل فاقد انعكاس التدفق الشمسي العارض ويعمل على زيادة امتصاص الفوتونات في
.photons in the semiconductor film Ja sell ‏الغشاء شيه‎
وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع» يتم تقديم جهاز ‎Sak‏ ضوئي ‎photovoltaic device‏
يشتمل على:
‎٠‏ ركيزة زجاجية ‎glass substrate‏ ؛ غشاء من أشباه الموصلات ؛ والكترود أمامي منفذ إلى حدٍ كبير يتواجد على الأقل بين الركيزة والغشاء المصنع من أشباه الموصلات؛ وحيث يشتمل الالكترود المنفذ إلى حدٍ كبير؛ عند التحرك بعيداً عن الركيزة الزجاجية باتجاه غشاء شبه الموصل ؛ على طبقة معدنية بشكل أساسي موصلة ومنفذة إلى حدٍ كبير تشتمل على الفضة ‎«silver‏ وغشاء أول من أكسيد موصل ‎transparent conductive oxide (TCO) Mie‏ يتواجد على الأقل بين الطبقة
‎YO‏ المشتملة على الفضة ‎silver‏ وغشاء شبه الموصل. ‎pi‏ ح ‎paid‏ للرسومات شكل ‎:١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ تمثيلي وفقاً لنموذج تمثيلي لهذا الاختراع.
٠١ =
شكل ؟: عبارة عن منحنى يوضح معامل الانكسار ‎refractive index (n)‏ مقابل الطول الموجي
(نانو متر) ؛ حيث يوضح معاملات الانكسار ‎refractive index (n)‏ للزجاج؛ وغشاء ‎(TCO‏ غشاء
رقيق من الفضة ‎silver‏ ؛ وسيليكون مهدرج ‎hydrogenated silicon‏ (في ‎sh‏ غير متبلر؛ أو amorphous, micro- or poly-crystal line ‏أو عديد البلورات‎ microcrystalline ‏دقيق البلورات‎
-(phase ©
شكل ؟: عبارة عن منحنى يوضح النسبة المئوية للنفاذية (77) مقابل الطول الموجي (نانو متر)؛
حيث يوضح أطياف النفانية في غشاء رقيق من السيليكون المهدرج ‎hydrogenated silicon‏
لجهاز ‎A:‏ ضوئي ‎43)ad photovoltaic device‏ أمثلة هذا الاختراع بمثال مقارن ‎TCO)‏
مرجعي)؛ وهذا يُظهر أن أمثلة هذا الاختراع (الأمثلة ‎٠‏ 7؛ ‎(Fg‏ قد ‎aly‏ من النفاذية في مدى ‎٠‏ الطول الموجي ‎mon‏ 700 نانو متر تقريباً ‎ally‏ قد ساعدت على زيادة قدرةٍ الخرج للوحدة
‎Aa‏ الضوئية النمطية؛ مقارنة بالمثال المقارن ‎TCO)‏ المرجعي).
‏شكل 4: عبارة عن منحنى يوضح النسبة المئوية للانعكاس (78) مقابل الطول الموجي (ثانو
‎hydrogenated ‏حيث يوضح أطياف الانعكاس من على غشاء رقيق من السيليكون المهدرج‎ of sie
‎Olea] silicon‏ فلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ من أجل مقارنة أمثلة هذا الاختراع (الأمثلة ‎١‏ و ؟ المشار إليها في شكل ©) مقابل مثال مقارن ‎TCO)‏ المرجعي المشار إليه في شكل
‏")؛ وهذا يُظهر أن النموذج التمثيلي لهذا الاختراع قد زاد من الانعكاس في مدى الأشعة تحت
‏الحمراء ‎(IR‏ وهذا أدى إلى تقليل حرارة تشغيل الوحدة ‎LAUREN‏ الضوئية النمطية من أجل زيادة قدرة
‏الخرج للوحدة النمطية؛ مقارنة بالمثال المقارن. وحيث أنه قد تمت الإشارة إلى نفس الأمثلة ‎Foo)‏
‏والمثال المقارن ‎TCO)‏ المرجعي) في الشكلين ؟ و ‎of‏ ويتم استخدام نفس المنحنيات المحددة ‎Ye‏ المستخدمة في الشكل © أيضاً في شكل 4.
‎Yaay
‎١١ -‏ شكل 0 عبارة عن منظر لمقطع عرضي للجهاز القلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ وفقاً للمثال رقم ‎١‏ لهذا الاختراع. شكل +: عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎Gal‏ ضوئي ‎photovoltaic device‏ وفقاً للمثال رقم ‎Y‏ لهذا الاختراع. © شكل ‎Ble iV‏ عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فُلطائي ضوئي وفقاً للمثال رقم ؟ لهذا الاختراع.
‏شكل ‎tA‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فُلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي ‎AT‏ لهذا الاختراع. شكل 4: عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز قُلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي ‎AT‏ لهذا الاختراع.
‎٠‏ شكل ‎:٠١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎lal‏ ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا الاختراع. شكل ‎:١١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎Ab‏ ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي ‎AT‏ لهذا الاختراع. شكل ‎VY‏ عبارة عن طيف انبعاث (1) وانعكاس (8) تم قياسه (7 من السطح الاول ١أ)‏ مقابل
‎VO‏ الطول الموجي (نانو ‎fie‏ حيث يوضح نتائج مثال ؛ (به ‎sale‏ تغليف ‎٠١ TCC‏ أوم / مربع أساسها ‎Ag‏ لركيزة زجاجية أمامية ‎front glass substrate‏ بها سطح مركب). شكل : عبارة عن رسم بياني لنسبة الاتتقال مقابل الطول الموجي (نانو متر)؛ حيث يوضح النتائج وفقا لمثال ؛ (مقارنة بالمثال المقارن).
‎١١ -‏ — شكل ‎Ble VE‏ عن رسم بياني للنسبة المئوية للانتقال ‎T)‏ 7( مقابل الطول الموجي (نانو متر) يوضح طيف الانتقال في خلية ‎Si‏ للجهاز ‎Sak‏ الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ « يوضح نتائج مثال © لهذا الاختراع به سطح أمامي مركب للركيزة الزجاجية الأمامية. شكل 10 ‎Ble‏ عن رسم بياني للنسبة المئوية للانتقال ‎T)‏ 7( مقابل الطول الموجي (نانو متر) © يوضح طيف الانتقال في خلية 005/0078 للجهاز ‎SUD‏ الضوئي؛ يقارن مثال 4 لهذا الاختراع
‏(به سطح أمامي مركب للركيزة الزجاجية الأمامية) مقابل الامثلة المقارنة؛ يوضح ذلك أن مثال 4 لهذا الاختراع يحقق انتقال متزايد بطول موجي يتراوح بين حوالي ‎=n‏ 700 نانو متر وبالتالي قدرة خرج نمطية فلطائية؛ مقارنة بالمثال المقارن دون السطح ا لأمامي المحفور ‎etched‏ (خط المنقط ‎(X‏ والمثال المقارن للركيزة السطحية ‎TCO‏ التقليدية (الخط المصمت 0(
‎٠‏ الوصف التفصيلي بالإشارة الآن بشكل أكثر تحديداً للأشكال التي تشير فيها الأرقام المرجعية المتشابهة إلى أجناء/ طبقات متشابهة في المناظر المتعددة. تقوم الأجهزة الفلطائية الضوئية مثل الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ بتحويل الإشعاع الشمسي ‎Solar‏ ‎radiation‏ إلى طاقة كهربية يمكن استخدامها. ونمطياً فإن تحويل الطاقة يحدث نتيجة للتأثير
‎( sunlight ‏(مثل؛ ضوء الشمس‎ Solar radiation ‏الإشعاع الشمسي‎ ash ‏الضوئي. حيث‎ Sail Vo ‏ويُمتص بواسطة منطقة فعالة من‎ photovoltaic device ‏الذي يسقط على جهاز فلطائي ضوئي‎ ‏غشاء من أشباه الموصلات يشتمل على واحدة أو أكثر‎ (Jia) ‏مادة مصنعة من أشباه الموصلات‎ ‏؛ وأحياناً يطلق على‎ silicon ‏من الطبقات المصنعة من أشباه الموصلات مثل طبقات مصنعة من‎ ‏الطبقة المصنعة من أشباه الموصلات اسم الطبقة الماصة أو الغشاء الماص)؛ بتوليد زوج عبارة‎
‎Yaay
١ - عن إلكترون وثقب في المنطقة الفعالة. ويمكن فصل الالكترونات والثقوب بواسطة مجال كهربي لوصلة في الجهاز ‎Sab‏ الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ ويؤدي_ فصل اللالكترونات والثقوب بواسطة الوصلة إلى توليد تيار كهربي وجهد كهربي. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ تتدفق الالكترونات باتجاه المنطقة من المادة شبه الموصلة التي لها موصلية من النوع - ‎on‏ وتتدفق © الثقوب باتجاه المنطقة من المادة شبه الموصلة التي لها موصلية من النوع ‎pm‏ ويمكن أن يتدفق التيار خلال دائرة خارجية تصل المنطقة من النوع ‎ne‏ بالمنطقة من النوع ‎pe‏ بينما يستمر الضوء في توليد أزواج اللالكترونات والثقوب في الجهاز القّطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ في بعض النماذج ‎ALE‏ تشتمل الأجهزة القلطائية الضوئية المصنعة من سيليكون غير ‎Sie‏ ‏أحادي الوصلة ‎single junction amorphous silicon‏ (وصلة ‎Si‏ واحدة) على ثلاث طبقات من ‎٠‏ أشباه الموصلات. وتحديداً؛ طبقة من النوع - ‎op‏ طبقة من النوع - ‎an‏ وطبقة من النوع - أ وهي طبقة أصلية. ويمكن أن يكون غشاء السيليكون غير المتبلر ‎amorphous silicon film‏ (الذي يمكن أن يشتمل على طبقة واحدة أو ‎Jie ST‏ طبقات من النوع - ‎np‏ و :) عبارة عن سيليكون غير متبلر مهدرج ‎hydrogenated amorphous silicon‏ في بعض الحالات؛ ولكنه يمكن أيضاً أن يكون أو يمكن أن يشتمل على كربون ‎Wha‏ غير متبلر مهدرج ‎hydrogenated amorphous‏ ‎silicon carbon ٠5‏ أو جيرمانيوم سيكلون غير متبلر مهدرج ‎hydrogenated amorphous silicon‏ ‎germanium‏ ؛ أو ما شابه ‎cell)‏ وذلك في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. وعلى سبيل المثال لا الحصر؛ عندما يمتص فوتون ضوئي في الطبقة ‎photon of light is absorbed‏ ز فإنه يؤدي إلى زيادة وحدة التيار الكهربي ‎unit of electrical current‏ (زوج مكون من إلكترون وثقب ‎«(electron-hole pair‏ وتعمل الطبقتان - م و ‎an‏ اللتان تحتويان على أيونات الإشابة المشحونة ‎٠‏ قدصم ‎contain charged dopant‏ ؛ على إنشاء مجال كهربي عبر الطبقة -ز ‎Cus‏ يسحب الشحنة
Yasy
- V¢ —
الكهربية إلى خارج الطبقة - | ويرسلها إلى دائرة خارجية اختيارية حيث يمكن أن توفر القدرة للمكونات الكهربية. وتجدر الإشارة إلى أنه في حين أن بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع قد تم توجيهها تجاه أجهزة قلطائية ضوئية أساسها سيلكون غير متبلر ‎amorphous-silicon based‏ © إل أن هذا الاختراع لا يقتصر عليها ويمكن استخدامه مع أنواع أخرى من الأجهزةٍ القلطائية الضوئية © وفي بعض الحالات التي تشمل على سبيل المثال لا الحصر الأجهزة التي تشتمل على أنواع أخرى من المواد شبه الموصلة؛ الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ المزودة بغشاء رقيق أحادي أو مزدوج؛ والأجهزةٍ القُلطائية الضوئية ‎CdS‏ و/ أو ‎CdTe‏ (وتشمل ©605/007)؛ والأجهزةٍ القلطائية الضوئية عديدة السيليكون ‎polysilicon‏ و/ أو المصنعة من ‎Si‏ دقيق البلورات ‎microcrystalline‏ ؛ وما شابه
ذلك. ‎٠١‏ في نماذج معينة لهذا ‎١‏ لاختراع؛ يشتمل الإلكترود الأمامي ‎front electrode‏ لجهاز ‎PV‏ أو يصنع من مادة تغليف موصلة منفذة ‎transparent conductive coating (TCC)‏ متعددة الطبقات ‎plurality‏ ‎«of layers‏ ويتم وضعها على سطح ركيزة زجاجية أمامية ‎surface of a front glass substrate‏ ‎opposite‏ مقابلة لسطح ركيزة نمطي ‎patterned surface of the substrate‏ . في بعض النماذج التمثيلية؛ يواجه السطح النمطي (أي المحفور ‎etched‏ ) للركيزة الزجاجية الأمامية المنفذة الضوء ‎Vo‏ القادم ‎Cus «front transparent glass substrate faces incoming light‏ يتم توفير ‎TCC‏ على الجانب المقابل للركيزة الذي يواجه الطبقة شبه الموصلة ‎semiconductor layer‏ للجهاز القلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ يعمل السطح الأول النمطي أو الأمامي للركيزة الزجاجية على تقليل فاقد انعكاس التدفق الشمسي العارض ويعمل على زيادة امتصاص الفوتون (الفوتونات) ‎absorption of photon(s)‏ في الطبقة الرقيقة شبه الموصلة خلال التبدد ‎scattering‏ والانكسار ‎refraction ٠‏ والحيود 5108د05نل. يمكن أن يعمل ‎TCC‏ على تعزيز ‎JEN‏ في مناطق ‎PV‏ المختارة
باك
١٠ —
النشطة لطيف الأشعة تحت الحمراء 18 ‎pall‏ والقريب» مع رفض و/ أو إعاقة الطاقة الحرارية ل ‎IR‏ غير المرغوب بها من مناطق معينة أخرى للطيف. في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ يمكن أن يكون سطح الركيزة الزجاجية ‎glass substrate‏ الامامية المتفذة التي يوضع عليها الإلكترود الأمامي ‎front electrode‏ أو ‎TCC‏ مسطحا أو مسطحا إلى حد كبير (غير نمطي)؛
© بينما في نماذج تمثيلية بديلة؛ يمكن أن يكون نمطياً أيضا. شكل ‎١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي ‎ai, photovoltaic device‏ لنموذج تمثيلي لهذا الاختراع. ويشتمل الجهاز ‎SRI‏ الضوئي على ركيزة زجاجية أمامية منفذة ‎)١( transparent front glass substrate‏ (ويمكن أيضاً استخدام مادة مناسبة أخرى لتصنيع الركيزة ‎Ya‏ من الزجاج في بعض الحالات)؛ وطبقة (طبقات) عازلة اختيارية ‎optional dielectric layer(s)‏ ‎٠‏ (١)؛‏ والكترود أمامي متعدد الطبقات ‎(Y) multilayer front electrode‏ وغشاء 403 موصل نشط ‎active semiconductor film‏ )©( مصنع من أو يشتمل على واحدة أو أكثر من طبقات أشباه الموصلات (مثل رصات طبقية ترادفية ‎epinpin pn «pin Jie‏ أو ما شابه ذلك)» والكترود/ ملامس خلفي ‎back electrode/contact‏ () حيث يمكن أن يكون مصنوعاً من ‎TCO‏ أو معدن؛ ومادة كبسلة ‎encapsulant‏ اختيارية ‎optional encapsulant‏ (1) أو لاصق ‎adhesive‏ من مادة ‎Vo‏ مثل أسيتات ‎Ji)‏ فينيل ‎ethyl vinyl acetate (EVA)‏ أو ما شابه ذلك؛ وطبقة فوقية اختيارية ‎)١١( optional superstrate‏ من مادة ‎Jie‏ الزجاج. وبطبيعة الحال؛ ‎(Say‏ إضافة طبقة (طبقات) ‎gd]‏ لم يتم توضيحهاء في الجهاز. ويمكن تصنيع الركيزة الزجاجية الأمامية ‎)١(‏ و/ أو الطبقة الفوقية ‎ superstate‏ (الركيزة) الخلفية ‎(VV)‏ من زجاج أساسه الصودا - الجير- السيليكا -5008 ‎clime-silica based glass‏ وذلك في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ ويمكن أن تحتوي على ‎٠٠‏ محتوى قليل من الحديد و/ أو طبقة مغلفة مضادة للانعكاس توضع عليها من أجل تحسين النفاذية
‎١٠١ -‏ - بشكل مثالي في بعض الحالات التمثيلية. وفي حين أنه يمكن تصنيع الركيزتين ‎)١١ OY)‏ من الزجاج في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ فإنه يمكن استخدام مواد أخرى مثل الكوارتز» أو البلاستيك؛ أو ما شابه ذلك لتصنيع الركيزة (الركيزتين) ‎)١(‏ و/ أو ‎)١١(‏ بدلاً من الزجاج. وعلاوة على هذاء فإن الطبقة الفوقية ‎)١١( superstate‏ تكون اختيارية في بعض الحالات. ويمكن أن يكون © الزجاج ‎)١(‏ و/ أو ‎»)١١(‏ أو لا يكون؛ ‎ba (Zhe‏ و/ أو مشكل بنمط معين حرارياً؛ وذلك في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وعلاوة على هذاء يجب إدراك أن كلمة "على" كما هي مستخدمة في هذا الطلب تغطي كلا من طبقة تكون موضوعة بشكل مباشر أو غير مباشر على جسم ماء بينما يمكن أن تتواجد طبقات أخرى فيما بينها وبين الجسم. ويمكن أن تكون الطبقة (الطبقات) العازلة ‎(Y) Dielectric layer(s)‏ من أية مادة منفذة إلى حد ‎٠‏ كبير مثل أكسيد معدن ‎metal oxide‏ و/ أو ‎Cus nitride‏ يمكن أن يكون لها معامل انكسار ‎refractive index‏ يتراوح من حوالي ‎٠,9‏ إلى 7,8 والأفضل من حوالي ‎٠,6‏ إلى ‎Yo‏ والأفضل من حوالي ‎٠,6‏ إلى ‎XY‏ والأفضل من حوالي 1,6 إلى ‎oY‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي ‎٠,6‏ إلى 8. ومع ذلك؛ في بعض الحالات؛ يمكن أن يكون للطبقة العازلة )¥( معامل انكسار ‎refractive‏ ‎(n) index‏ يتراوح من حوالي ‎YY‏ ©*,7. وتشتمل أمثلة المواد التي تصنع منها الطبقة العازلة ‎٠‏ () على : ‎silicon oxide, silicon nitride, silicon Oxynitride, zinc oxide, tin oxide, titanium oxide‏ (مثل؛ 102 ‎aluminum oxynitride, aluminum oxide‏ » أو خلائط مما سبق. وتعمل الطبقة (الطبقات) العازلة () كطبقة واقية في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» من أجل منع المواد ‎Jie‏ الصوديوم من الانتقال للخارج من الركيزة الزجاجية ‎)١( glass substrate‏ والوصول إلى ‎Ye‏ الطبقة (الطبقات) العاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎TR‏ و/ أو شبه الموصل. وعلاوة على هذاء فإن
—- ١١ -
الطبقة العازلة ‎(Y)‏ تكون ‎Ble‏ عن مادة ذات معامل انكسار ‎refractive index‏ («) في المدى الموضح أعلاه؛ وذلك من أجل تقليل انعكاس الضوء المرئي وبالتالي زيادة نفاذية الضوء المرئي ‎Jia) reduce visible light reflection and thus increase transmission of visible light‏ « الضوء ‎light‏ الذي له طول موجي يتراوح من حوالي ٠45؟- ‎Ver‏ نانو متر و/ أو +5؛- 00 نانو متر) © خلال الطبقة المغلّفة ‎(My‏ شبه الموصل ‎coating and into the semiconductor‏ )©( مما يؤدي إلى
زيادة قدرة الخرج للوحدة القلطائية الضوئية النمطية. وباستمرار الإشارة إلى شكل ١؛‏ فإن الإلكترود الأمامي متعدد الطبقات ‎multilayer front electrode‏ (7) في النموذج التمثيلي المبين في شكل ‎cus)‏ تم تقديمه لأغراض التمثيل فقط وليس لأغراض الحصر والتقييد؛ يشتمل؛ بدءاً من الركيزة الزجاجية ‎)١( glass substrate‏ وعند الاتجاه للخارج؛ ‎٠‏ على طبقة أكسيد موصلة منفذة ‎transparent conductive oxide (TCO) layer‏ أو طبقة عازلة ‎dielectric layer‏ أولى ‎(I)‏ طبقة أولى معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎IR‏ ‏وموصلة ‎o(F)‏ طبقة ‎TCO‏ ثانية (ج)؛ طبقة ثانية معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة ‎IR‏ ‏ومنفذة (*د)؛ طبقة ‎TCO‏ ثالثة ‎(AY)‏ وطبقة واقية اختيارية )57( واختيارياً» يمكن أن تكون الطبقة ‎(I)‏ عبارة عن طبقة عازلة ‎Ya dielectric layer‏ من طبقة ‎TCO‏ وذلك في بعض ‎VO‏ الحالات وتعمل كطبقة نواة للطبقة ‎(oF)‏ وهذا الغشاء متعدد الطبقات ‎multilayer film‏ )7( هو الذي يكوّن الإلكترود الأمامي ‎front electrode‏ بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وبطبيعة الحال» يمكن إزالة بعض طبقات الالكترود ‎layers of electrode‏ (7) في بعض النماذج التمثيلية البديلة لهذا الاختراع ‎Se)‏ يمكن إزالة واحدة أو أكثر من الطبقات “أء و/ أو اج و/ أو “د و/ أو *ه)؛ كما يمكن ‎Load‏ توفير طبقات إضافية في الالكترود متعدد الطبقات (73). ويمكن أن يكون ‎Ye‏ الإلكترود الأمامي (©) ممتداً بشكل متصل عبر الركيزة الزجاجية ‎)١( glass substrate‏ بأكملها أو
— YA -
جزء ‎aS‏ منهاء أو بدلاً من ذلك يمكن تشكيله بنمط معين ليكون له تصميم مرغوب فيه ‎(Jia)‏ ‏شرائح)؛ وذلك في نماذج تمثيلية مختلفة لهذا الاختراع. وتكون كل من الطبقات/ الأغشية ‎-١(‏ 3)
منفذة إلى حدٍ كبير في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. ويمكن أن يتم تصنيع كل من الطبقتين المعدنيتين بشكل أساسي والعاكستين للأشعة ‎IR‏ ‏© والموصلتين الأولى والثانية "ب و ‎af‏ أو يمكن أن تشتملان على أية مادة مناسبة عاكسة للأشعة ‎IR‏ مثل الفضة ‎silver‏ ¢ الذهب ‎gold‏ ؛ أو ما شابه ذلك. وهذه المواد تعكس كميات كبيرة من الأشعة ‎(IR‏ وهذا يؤدي إلى خفض كمية 18 التي تصل إلى غشاء شبه الموصل ‎Semiconductor‏ ‏)©( وحيث أن ‎IR‏ تزيد من حرارة الجهاز؛ فإن تقليل كمية الأشعة 18 التي تصل إلى غشاء شبه الموصل © يكون مفيداً من حيث أنه يقلل من درجة حرارة تشغيل الوحدة القلطائية الضوئية النمطية ‎٠‏ مما يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة القطائية الضوئية النمطية. وعلاوة على هذاء فإن الطبيعة عالية الموصلية لمثل هذه الطبقات المعدنية بشكل أساسي (7؟ب) و/ أو (*د) تمكن من زيادة موصلة الالكترود الإجمالي (7). وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يكون للالكترود متعدد الطبقات (؟) مقاومة لوحية ‎sheet resistance‏ أقل من أو تساوي حوالي ‎١١‏ أوم/ مربع؛ والأفضل أقل من أو تساوي حوالي 9 أوم/ مربع؛ والأفضل من ذلك أقل من أو تساوي حوالي ‎١‏ أوم/ مربع. ‎٠‏ ومرة ثانية؛ فإن زيادة الموصلية (وهذا يعني أيضاً تقليل المقاومة اللوحية) تؤدي إلى زيادة قدرة الخرج الإجمالية للوحدة القطائية الضوئية النمطية؛ وذلك عن طريق تقليل الفقودات بسبب المقاومة في الاتجاه الجانبي الذي يراد فيه التحكم التيار عند حافة قطع الخلية. وتجدر الإشارة إلى أن الطبقتين الأولى والثانية المعدنيتين بشكل أساسي العاكستين للأشعة ‎TR‏ والموصلتين (“ب) و )3%( (وكذلك الطبقات الأخرى للالكترود 7( تكون رقيقة بدرجة كافية بحيث تكون منفذة بدرجة كبيرة ‎Ye‏ للضوء المرئي. وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يتراوح سمك كل من الطبقتين الأولى
- ١١ - |ّ
والثانية المعدنيتين بشكل أساسي العاكستين للأشعة ‎IR‏ والموصلتين (#ب) و ‎(a7)‏ من حوالي ؟ إلى ‎١١‏ نانو متر؛ والأفضل من حوالي © إلى ‎٠١‏ نانو مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي © إلى 8 نانو متر. وفي النماذج التي لا يتم فيها استخدام واحدة من الطبقتين ب أو ‎caf‏ فإن سمك الطبقة المتبقية المعدنية بشكل أساسي العاكسة للأشعة تحت الحمراء 18 والموصلة يمكن أن يتراوح من © حوالي ؟ إلى ‎١8‏ نانو مترء والأفضل من حوالي © إلى ‎١١‏ نانو مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي ‎١‏ إلى ‎١١‏ نانو ‎jie‏ وذلك في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وهذه الأسماك (جمع سُمك) تكون مرغوبة من حيث أنها تسمح للطبقتين ب و/ أو ‎oF‏ بعكس كمية كبيرة من الأشعة 18 بينما في الوقت نفسه تكون منفذة إلى حدٍ كبير للإشعاع المرئي الذي يسمح له بالوصول إلى شبه الموصل © لكي يقوم الجهاز ‎Ua‏ الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ بتحويله إلى طاقة ‎Ve‏ كهربية. وتسهم الطبقتين ‎(GF)‏ و (©د) العاكستين للأشعة ‎IR‏ وعاليتي الموصلية في الموصلية الإجمالية للالكترود (©) بدرجة أكبر كثيراً من طبقات 700؛ وهذا يسمح بتوسيع نافذة (نوافذ) المعالجة لطبقة (طبقات) ‎TCO‏ التي تتمتع بمساحة نافذة محدودة لتحقيق كل من الموصلية
والنفاذية المرتفعة. ويمكن أن تكون طبقات ‎TCO‏ الأولى» والثانية؛ ‎cal of Aly‏ على الترتيب؛ من أية ‎sole‏
: ‏في ذلك على سبيل المثال لا الحصرء الصور الموصلة من‎ Ly ‏مناسبة‎ 2100© VO zinc oxide, zinc aluminum oxide, tin oxide, tin antimony oxide, zinc tin oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide ‏أو ما شابه ذلك. وهذه الطبقات تكون نمطياً ذات‎ o silver ‏(حيث يمكن معالجتها بالإشابه بالفضة‎ ‏كميات فرعية متكافئة وذلك لجعلها موصلة وفقاً لما هو معروف في المجال. على سبيل المثال؛ يتم‎
تصنيع هذه الطبقات من مادة (مواد) تكسبها مقاومة لا تزيد عن حوالي ‎٠١‏ أوم - سم (والأفضل
أله تزيد عن حوالي ‎١‏ أوم - سمء والأكثر تفضيلاً ‎I)‏ تزيد عن حوالي ‎٠١‏ أوم - سم). ويمكن معالجة واحدة أو أكثر من هذه الطبقات بالإشابة بمواد أخرى ‎aluminum 6 fluorine Jie‏ « ‎antimony‏ ؛ أو ما شابه ذلك؛ وذلك في بعض الحالات التمثيلية؛ طالما أنها ‎Jl‏ موصلة ومنفذة
© بدرجة كبيرة للضوء المرئي. وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ تكون طبقتا ‎(ZY) TCO‏ و/ أو *ه أكثر سمكاً من الطبقة ‎(Iv)‏ (مثلاًء أكثر سمكاً بحوالي © نانو متر على الأقل؛ والأفضل حوالي ‎٠١‏ على الأقل؛ والأكثر تفضيلاً حوالي ‎7١0‏ أو 0 نانو متر على الأقل). وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يتراوح سمك طبقة ‎TCO‏ (؟أ) من حوالي © إلى 80 نانو مترء والأفضل من حوالي ‎٠١‏ نانو ‎ie‏ حيث يكون لها سمك تمثيلي يبلغ حوالي ‎٠١‏ نانو متر. ويتم
‎٠‏ توفير الطبقة الاختيارية )7( بشكل أساسي كطبقة نواة للطبقة (“ب) و/ أو للأغراض المضادة للانعكاس؛ ولا تمثل موصليتها أهمية ‎Jie‏ موصلية الطبقات "ب - ‎AY‏ (ولهذاء فإن الطبقة ؟أ
‏يمكن أن تكون عازلة ‎Ya‏ من أن تكون طبقة ‎TCO‏ في بعض النماذج التمثيلية). وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يتراوح سمك طبقة ‎TCO‏ (؟ج) من حوالي ‎٠١‏ إلى حوالي ‎١٠١‏ ‏نانومتر؛ والأفضل من حوالي ‎Er‏ إلى ‎١٠١‏ نانو ‎Gia‏ حيث يكون لها سمك تمثيلي حوالي ‎VE‏ -
‎VO yo‏ نانو متر. وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» يكون لطبقة ‎(AY) TCO‏ سمك يتراوح من حوالي ‎٠١‏ إلى ‎٠8١‏ نانو مترء والأفضل من حوالي 46 إلى ‎١7١‏ نانو ‎jie‏ حيث يكون لها سمك تمثيلي حوالي 94 أو نانو متر. وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يكون ‎ead‏ من الطبقة )¥ ه) سمك؛ ‎Sle‏ يتراوح من حوالي ‎Yo -١‏ نانو متر أو 0— ‎Yo‏ نانو مترء وذلك عن الوصلة بين الطبقتين ‎(AT)‏ و )0( وقد يتم استبداله بغشاء منخفض الموصلية ذي معامل انكسار
‎aS (n) refractive index ٠‏ )5%( مثل ‎titanium oxide‏ من أجل تعزيز نفاذية الضوء وكذلك
‎١ -‏ - تقليل انتشار حاملات الشحنة الكهربية المتولدة للخلف؛ وبهذه الطريقة يمكن تحسين الأداء بشكل أفضل. في بعض النماذج التمثلية؛ يتم تصميم السطح الخارجي ‎IY textured surface‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front‏ ‎١ transparent glass substrate ©‏ (أي محفور و/ أو نمطي) . في هذا الطلب؛ يغطي مستخدم كلمة "نمطي" الأسطح المحفورة ‎etched‏ ويغطس استخدام كلمة ' محفور " الأسطح النمطية. يمكن أن يشتمل السطح الخارجي ‎textured surface‏ ١أ‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎١‏ على سطح منشوري؛ وسطح تشطيب خشن؛ أو ما شابه ذلك في نماذج تمثيلية مختلفة لهذا الاختراع. يمكن أن يشتمل السطح الخارجي ‎IY‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎١‏ على قمم ووديان محددة فيه بأجزاء منحنية ‎٠‏ مترابطة فيما بينها مع القمم والوديان (على سبيل ‎JU)‏ راجع الشكل رقم ‎.)١‏ يمكن أن يكون السطح الرئيسي للركيزة ‎١‏ محفوراً (على سبيل المثال؛ عن طريق الحفر باستخدام التردد العالي باستخدام وسيلة حفر عالية التردد أو ما شابه ذلك)؛ أو نمطيا من خلال بكرة (بكرات) ‎roller(s)‏ أو ما شابه ذلك خلال تصنيع الزجاج لتشكيل سطح مركب (و / أو نمطي) ١أ.‏ في بعض النماذج التمثلية؛ يواجه السطح النمطي (على سبيل المثال؛ المحفور ‎TY (etched‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎Vo‏ المنفذة ضوء القادم ‎faces incoming light‏ (راجع الشمس في الأشكال)؛ حيث يتم توفير ‎TCC3‏ ‏على السطح المقابل ١ب‏ للركيزة التي تواجه الغشاء شبه الموصل ‎Semiconductor‏ © للجهاز الفلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ يعمل السطح النمطي الأول أو الأمامي للركيزة الزجاجية ‎١‏ على تقليل فاقد انعكاس التدفق الشمسي العارض ويعمل على زيادة امتصاص الفوتون (الفوتونات) ‎absorption of photon(s)‏ في الغشاء شبه الموصل © خلال التبدد ‎scattering‏ و/ أو ‎٠‏ الانكسار ‎refraction‏ و/ أو الحيود ‎diffusion‏ يمكن أيضا تطوير انتقال الدفق الشمسي في شبه الموضل الفلطائي الضوئي © باستخدام سطح نمطي / محفور ‎IY‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎١‏
‎yy -‏ - بالاقتران مع 1003 أساسه ‎Ag‏ كما هو مبين في الأشكال ‎١‏ و ‎.١١-©‏ يسفر السطح النمط و / أو المتقوش ‎١‏ عن طبقة فعالة ذات مؤشر منخفض بسبب إدخال الفجوة (الفجوات) ()7010؛ وتعمل كغلاف مضاد للانعكاس ‎antireflection coating‏ . مقارنة بالسطح الأمامي الأملس؛ يوفر السطح النمطي و / أو المنقوش ‎١‏ المميزات المثالية التالية : (أ) انعكاس منخفض من السطح © الأول ‎١‏ ؛ بصفة خاصة على زوايا عارضة منحرفة؛ وذلك بسبب الضوء المحصورء وبالتالي زيادة الدفق الشمسي في الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ ؛ و (ب) ممر بصري متزايد للضوء في شبه الموصل © مما يؤدي إلى تيار فولطائي ضوئي متزايد. يمكن تطبيق هذا على نماذج الأشكال ‎١‏ و ‎١١-٠‏ في حالات معينة.
‏في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يتراوح متوسط خشونة السطح ‎average surface‏ ‎roughness ٠‏ على السطح ١أ‏ للركيزة الزجاجية الأمامية حوالي ‎٠.١‏ ميكرو ‎sie‏ إلى ‎can ١‏ والأفضل من حوالي ‎١.9‏ إلى ‎7١‏ ميكرو مترء والأكثر تفضيلا من حوالي ‎٠١ - ١١‏ ميكرو ‎pie‏ والأكثر تفضيلا من حوالي ؟ - ‎A‏ ميكرو متر. يمكن أن تؤدي القيمة الأكبر لخشونة السطح إلى المزيد من جمع القاذورات على الركيزة الأمامية ‎o)‏ بينما تؤدي القيمة الأقل لخشونة السطح ١أ‏ إلى زيادة الانتقال بصورة غير كافية. ‎(Say‏ تطبيق خشونة السطح هذه عند ١أ‏ على أي نموذج تمت مناقشته ‎VO‏ _ في هذا الطلب. يعتبر توفير خشونة السطح هذه عند السطح ‎١‏ مفيدا لأنه يمكن أن يتجنب الحاجة
‏لغلاف ‎AR‏ منفصل على الركيزة الأمامية الزجاجية ‎١‏ في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. في بعض النماذج المثالية؛ يكون السطح الداخلي أو الثاني ‎١‏ ب للركيزة الزجاجية الأمامية ‎١‏ ‏مسطحا أو مسطحاً بشكل كبير. وبعبارة أخرى؛ لا يكون السطح ١ب‏ نمطيا أو محفولاً. في هذه النماذج؛ على النحو المبين في الأشكال؛ يتم توفير الإلكترود الأمامي ‎front electrode‏ * على ‎٠١‏ السطح المسطح أو المسطح إلى حد كبير ١ب‏ للركيزة الزجاجية ‎.١‏ وبناء عليه؛ تكون الطبقات ‎٠‏
‎YY -‏ — أ- “و مسطحة إلى حد كبير أو مستوية في هذه النماذج المثالية لهذا الاختراع. بدلا من ذلك؛ في نماذج تمثيلية أخرى. يمكن أن يكون السطح الداخلي ١ب‏ للركيزة الزجاجية ‎١‏ نمطيا مثل السطح الخارجي ‎JY textured surface‏ وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ يمكن تصنيع الجهاز الفولطائي الضوئي بتوفير ركيزة © زجاجية ‎glass substrate‏ ١ء‏ ثم وضع (على سبيل ‎(JE‏ عن طريق التشتت أو أية تقنية أخرى مناسبة ( إلكترود متعدد الطبقات ؟ على الركيزة ‎.١‏ بعد ذلك؛ يتم إقران الهيكل الذي يشتل على الركيزة ‎)١(‏ واللإلكترود الأمامي 7 مع باقي الجهاز لتشكيل جهاز فولطائي ضوئي مبين في شكل ‎١‏ على سبيل المثال؛ يمكن بعد ذلك تشكيل الطبقة شبه الموصلة ‎semiconductor layer‏ © على الإلكترود الأمامي على الركيزة ‎.١‏ بدلا من ذلك يمكن تصنيع الملامس الخلفي ‎V back contact‏ ‎٠‏ و الطبقة شبه الموصلة ‎semiconductor layer‏ © أو تشكيلها على الركيزة ‎١١‏ (على سبيل المثال؛ الزجاج أو أية مادة مناسبة أخرى) أولاء ثم يمكن تشكيل الإلكترود (7)؛ والعازلة ‎١ dielectric‏ على الطبقة شبه الموصلة ‎semiconductor layer‏ © وتغليفها بالركيزة ‎١‏ عبر لاصق ‎Jie adhesive‏ ‎EVA‏ ‏كما أن الطبيعة المختلفة لطبقات ‎oF TCO‏ و/ أو *ج؛ و/ أو ؟ ه؛ والطبقتين المعدنيتين بشكل ‎Vo‏ أساسي العاكستين للأشعة ‎IR‏ والموصلتين ‎of‏ و/ أو ‎of‏ تفيد ‎Load‏ في تحقيق واحدة؛ أو اثنتين؛ أو ثلاث؛ أو أربع؛ أو جميع الفوائد الآتية: 0( مقاومة لوحية ‎sheet resistance (Ry)‏ منخفضة للالكترود الإجمالي ؟ ومن ثم زيادة الموصلية وتحسين قدرة الخرج الإجمالية لوحدة فلطائية ضوئية نمطية ‎photovoltaic module output power‏ ¢ (ب) زيادة اتعكاس الأشعة تحت الحمراء ‎infrared (IR) radiation‏ بواسطة الالكترود ؟ وبالتالي تقليل درجة حرارة تشغيل جزء شبه الموصل ‎١ ٠‏ للوحدة الفّلطائية الضوئية النمطية من أجل زيادة قدرة الخرج للوحدة النمطية؛ (ج) تقليل انعكاس بض
و/ أو زيادة انتقال الضوء في المنطقة المرئية التي تتراوح من 450 - 700 نانو متر (و/ أو 6- 00 نانومتر) بواسطة الإلكترود ‎١‏ لأمامي ‎front electrode‏ ؟ وهذا يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة القُلطائية الضوئية النمطية؛ (د) تقليل السمك الإجمالي لمادة تغليف الإلكترود الأمامي ‎front electrode‏ ¥ مما يمكن من تقليل تكاليف و/ أو زمن التصنيع؛ و/ أو (ه تحسين أو © توسيع نافذة المعالجة عند تشكيل طبقة (طبقات) ال ‎TCO‏ وذلك بسبب انخفاض تأثير موصلية طبقات ال ‎TCO‏ على الخواص الكهربية الإجمالية للوحدة النمطية بمعلومية وجود طبقة (طبقات) معدنية بشكل أساسي موصلة إلى حدٍ كبير ؛ و/ أو (و) انخفاض خطورة الجهد الحراري الذي يسببه اتفصال الوحدة النمطية بانعكاس الطاقة الحرارية الشمسية وتقليل اختلاف درجة الحرراة عبر الوحدة النمطية. ‎٠‏ ويمكن أن تشتمل منطقة شبه الموصل النشطة أو الغشاء شبه الموصل ‎semiconductor‏ النشط ‎active semiconductor film‏ )©( على طبقة واحدة أو ‎«ST‏ ويمكن أن تكون من أية مادة مناسبة. على سبيل المثال؛ يشتمل غشاء شبه الموصل النشط )0( لأحد أنواع الأجهزةٍ القّطائية الضوئية المزودة بسيليكون غير متبلر ذي وصلة أحادية ‎single junction amorphous silicon (a-‏ ‎Si)‏ ؛ على ثلاث طبقات من أشباه الموصلات؛ وتحديداً هي طبقة - 0 طبقة - © طبقة - 1. ‎VO‏ ويمكن أن تشكل طبقة ‎a-Si‏ من النوع - م لغشاء شبه الموصل )0( الجزء الأعلى من غشاء شبه الموصل (5) في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ ونمطياً تتواجد الطبقة - 1 بين الطبقتين النوعين م و ‎on‏ ويمكن أن تكون هذه الطبقات التي أساسها سيليكون غير متيل ‎amorphous‏ ‎silicon‏ للغشاء )©( مصنعة من سيليكون غير متبلر مهدرج ‎hydrogenated amorphous silicon‏ في بعض الحالات؛ ولكن يمكن أن تصنع أيضاً أو يمكن أن تشتمل على كربون سيليكون غير ‎Ole Yo‏ مهدرج ‎hydrogenated amorphous silicon‏ أو جيرمانيوم سيليكون غير متبلر مهدرج
Yaay
١5 ‏ء أو سيليكون دقيق البلورات مهدرج‎ hydrogenated amorphous silicon germanium ‏أو مادة (مواد) مناسبة أخرى في بعض النماذج‎ » hydrogenated microcrystalline silicon ‏ذات وصلة مزدوجة أو‎ active region ‏التمثلية لهذا الاختراع. ويمكن أن تكون المنطقة النشطة‎ ‏لتصنيع‎ CdTe ‏من النوع ثلاثي الوصلات؛ وذلك في نماذج بديلة لهذا الاختراع. كما يمكن استخدام‎ ‏وذلك في نماذج بديلة لهذا الاختراع.‎ (©) Semiconductor ‏غشاء شبه الموصل‎ © ‏من أية مادة مناسبة موصلة‎ ١7 ‏ويمكن تصنيع الملامس و/ أو العاكس؛ و/ أو الالكترود الخلفي‎ back contact ‏تصنيع الملامس أو الإلكترود الخلفي‎ (Kay ‏للكهرباء. على سبيل المثال لا الحصر؛‎
TCO ‏و أو من معدن في بعض الحالات. وتشتمل أمثلة مواد‎ TCO ‏من‎ (V) or electrode indium zinc oxide ‏على أكسيد إنديوم — زنك‎ (V) ‏المناسبة للاستخدام كملامس أو إلكترود خلفي‎ ‏حيث يمكن‎ zine oxide ‏و أو‎ « tin oxide « indium-tin-oxide (ITO) ‏أكسيد إنديوم - قصدير‎ ٠ .) silver ‏يمكن أن تتم إشابته أو لا تتم إشابته بالفضة‎ Cus) aluminum aluminum ‏إشابته ب‎ ‏من النوع أحادي الطبقة أو من نوع متعدد‎ (V) back contact ‏ويمكن أن يكون الملامس الخلفي‎ back contact ‏الطبقات في حالات مختلفة. وعلاوة على هذاء يمكن أن يشتمل الملامس الخلفي‎ ‏في مثال لنموذج‎ (Jha ‏وجزء معدني في بعض الحالات. على سبيل‎ TCO ea ‏على كل من‎ (v) ‏على طبقة من‎ (V) back contact ‏للملامس الخلفي‎ TCO ‏متعدد الطبقات؛ يمكن أن يشتمل جزء‎ VO indium-tin-oxide ‏(حيث تكون مُشابَة أو غير مُشابة بالفضة)ء‎ indium zine oxide Jie ‏مادة‎ ‎active region ‏أقرب ما يكون من المنطقة النشطة‎ ¢ zinc oxide ‏و أى‎ « tin oxide «(ITO) ‏على طبقة موصلة أخرى ومن الممكن أن‎ back contact ‏ويمكن أن يشتمل الملامس الخلفي‎ ٠» (°) ‏؛ الحديد‎ steel ball ¢ platinum « molybdenum « silver ‏تكون عاكسة من مادة مثل الفضة‎ ‏أبعد ما يكون‎ titanium, chromium, bismuth, antimony, or aluminum ‏و‎ niobium ¢ iron Ye
عن المنطقة النشطة ‎active region‏ )°( وأقرب إلى الطبقة الفوقية ‎(YY) superstate‏ ويمكن أن يكون الجزء المعدني ‎metal portion‏ أقرب إلى الطبقة الفوقية 500650818 ‎)١١(‏ مقارنة بالجزء .(V) back contact ‏للملامس الخلفي‎ TCO
Jie encapsulant ‏ويمكن تغليف الوحدة القّلطائية الضوئية النمطية أو تغطيتها جزئياً بمادة كبسلة‎ adhesive ‏مادة الكبسلة )4( في بعض النماذج التمثلية. وتتمثتل مادة كبسلة تمثيلية أو مادة لاصقة‎ © ‏ومع ذلك؛ يمكن استخدام مواد أخرى مثل بلاستيك من نوع‎ .PVB ‏أو‎ EVA ‏للطبقة )4( في‎ ‏أو ما شابه ذلك للطبقة (5) في‎ Tefzel ‏بلاستيك من نوع‎ (Nuvasil ‏بلاستيك من نوع‎ ©: الحالات المختلفة. ويسمح استخدام الطبقتين المعدنيتين بشكل أساسي والعاكستين للأشعة ‎IR‏ والموصلتين بدرجة كبيرة ‎٠‏ “ب و ‎caf‏ وطبقات ‎JY TCO‏ *"ج؛ و ‎OF‏ لتكوين إلكترود أمامي متعدد الطبقات ‎multilayer‏ ‎«(Y) front electrode‏ بتحسين أداء الجهاز الفلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ المشتمل على غشاء ‎3d)‏ وذلك عن طريق خفض المقاومة اللوحية (وزيادة الموصلية ‎increased‏ ‎(conductivity‏ وأطياف الانعكاس ‎tailored reflection‏ والنفاذ للضوء المخططة حسب الحاجة التي تناسب أفضل استجابة للجهاز القلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ ولقد تم توضيح ‎VO‏ معاملات ‎refraction LS)‏ للزجاج ١ء‏ و ‎a-Si‏ المهدرج كمثال لشبه الموصل (8)؛ و ‎Ag‏ ‏كمثال الطبقتين "ب و ‎caf‏ ومثال ‎TCO‏ في شكل ؟. وبناءً على معاملات الاتكسار ‎refractive‏ ‎ed index (n)‏ تم ‎mung‏ أطياف النفاذية المتوقعة للأشعة التي ترتطم بشبه الموصل ‎semiconductor‏ )©( من سطح السقوط للركيزة ‎incident surface of substrate‏ (١)؛‏ في شكل ". وتحديداً؛ فإن ‎TSS‏ عبارة عن منحنى يوضح النسبة المئوية للنفاذية (71) مقابل الطول ‎٠‏ الموجي ‎(ie sil)‏ حيث يوضح أطياف النفاذية إلى غشاء رقيق مكون من سيليكون المهدرج
- vy - ¥ -١ ‏لمقارنة الأمثلة‎ photovoltaic device ‏ضوئي‎ bb ‏لجهاز‎ (°) hydrogenated Si
TCO) ‏مقابل مثال مقارن‎ (V —0 ‏في الأشكال‎ © -١ ‏الخاصة بهذا الاختراع (أنظر الأمثلة‎ ‏سمكها‎ (1) glass substrate ‏المشار إليه كمرجع من ركيزة زجاجية‎ TCO ‏مرجعي). ولقد تم تصنيع‎ silicon ‏سمكها “ نانو مترء وطبقة‎ tin oxide ‏ممء وامتداداً للخارج بدءاً من الزجاج؛ نجد طبقة‎ ¥ ‏نانو متر. وبالتالي فإن شكل ¥ يظهر أن‎ 75 ٠ ‏سمكها‎ TCO ‏نانو مترء وطبقة‎ ٠١ ‏عل0ن«ه0_سمكها‎ © ‏المبينة في الأشكال 0— 7) قد زادت من النفاذية في‎ © -١ ARG) ‏الأمثلة الخاصة بهذا الاختراع‎ ‏مدى الأطوال الموجية من +45- 6060 و 5960؛- 200 نانو متر وهذا أدي إلى زيادة قدرة الخرج‎ للوحدة القلطائية الضوئية النمطية؛ مقارنة بالمثال المقارن ‎TCO)‏ المرجعي). ولقد تم تصنيع مثال ‎١‏ المبين في شكل © والموضح بيانياً في الأشكال *- 4 من ركيزة زجاجية ‎Saw )١( glass substrate ٠‏ ¥ مم؛ وطبقة عازلة ‎(Y) dielectric layer‏ من ‎TiO,‏ سمكها ‎١١‏ ‏نانو ‎jie‏ ¢ وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن ‎zinc oxide‏ سمكها ‎٠١‏ نانو متر مُشابة ب ‎Al‏ )1%( وطبقة ‎Ag‏ ‏(”ب) عاكسة للأشعة ‎A Sa IR‏ نانو مترء وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن ‎Saw zinc oxide‏ نانو ‎jie‏ مُشابة ب ‎Al‏ (7ه) . ولم تتواجد الطبقات ‎OF cal‏ و ؟ و في مثال ‎.١‏ وتم تصنيع ‎YJB‏ المبين في شكل + والموضح بيانياً في الأشكال *- 4 من ركيزة ‎glass substrate dala)‏ ‎)١( ٠‏ سمكها ¥ مم؛ وطبقة عازلة ‎dielectric layer‏ (7) من ‎TIO;‏ سمكها ‎١١‏ نانو مترء وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن ‎٠١ Sew zine oxide‏ نانو متر ‎LGA‏ ب ‎(Iv) Al‏ ؛ وطبقة ‎(oF) Ag‏ عاكسة للأشعة 18 مُمكها ‎A‏ نانو مترء وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن ‎zinc oxide‏ سمكها ‎٠٠١‏ نانو متر مُشابة ب ‎Al‏ (7ه)ء وطبقة (و) من شبه ‎oxide titanium‏ سمكها ‎٠١‏ نانو متر. وتم تصنيع المثال ¥ المبين في شكل ‎V‏ والموضح بيانياً في الأشكال ‎—F‏ 4 من ركيزة زجاجية ‎glass substrate‏ ‎)١( |‏ سمكها ¥ مم؛ وطبقة عازلة (7) سمكها £0 نانو متر؛ وطبقة ‎TCO‏ من ‎zinc oxide‏ سمكها
Yaay
‎٠‏ نانو ‎jie‏ مُشابة ب ‎Al‏ (©)؛ وطبقة ‎Ag‏ (“ب) عاكسة للأشعة ‎IR‏ سمكها © نانو ‎ie‏ وطبقة ‎TCO‏ من ‎zinc oxide‏ سمكها ‎VO‏ نانو ‎jie‏ مشابة ب ‎(zY) AL‏ وطبقة ‎Ag‏ )3( عاكسة للأشعة ‎IR‏ سمكها 7 نانو مترء وطبقة (؟و) من شبه ‎oxide titanium‏ سمكها ‎٠١‏ نانو متر. وكان لطبقات التغليف هذه المحتوية على طبقة فضة أحادية أو طبقتي فضة المستخدمة في الأمثلة ‎oF -١ ©‏ مقاومة لوحية ‎sheet resistance‏ أقل من ‎fash ٠١‏ مربع و ‎١‏ أوم/ مربع؛ على الترتيبء وكان لها سمك إجمالي أقل كثيراً من السمك الذي يبلغ ‎50٠0‏ نانو متر المستخدم في الفن السابق. وكان للأمثلة ‎-١‏ © أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة؛ كما هو مبين في شكل ‎oF‏ ذات نفاذية تزيد من ‎TAY‏ إلى شبه الموصل (5) في جزء أو في كل مدى الطول الموجي الذي يتراوح من حوالي 66؛- 00 نانو ‎jie‏ و/ أو 56؛- ‎٠00‏ نانو مترء ‎Cus‏ كان ل ‎AMLS‏ أقوى شدة
‎٠‏ ويمكن أن يكون للأجهزة القلطائية الضوئية أعلى أو أعلى ‎Sel‏ إلى حدٍ كبير. وفي الوقت نفسه؛ فإن شكل ؛ عبارة عن منحنى يبين النسبة المئوية للانعكاس ‎(ZR)‏ مقابل الطول الموجي (نانو متر) حيث يوضح أطياف الانعكاس من على غشاء رقيق من :8 المهدرج لجهاز ‎Sab‏ ضوئي ‎photovoltaic device‏ لمقارنة بالأمثلة ‎-١‏ ؟ بالمثال المقارن السابق ذكره؛ وهذا يوضح أن الأمثلة ‎-١‏ ؟ قد زادت من الانعكاس في مدى ال ‎IR‏ مما يقلل من درجة حرارة تشغيل ‎VO‏ الوحدة القلطائية الضوئية النمطية مما يؤدي إلى زيادة خرج الوحدة النمطية؛ مقارنة بالمثال المقارن. وفي شكل ‎of‏ فإن انخفاض الانعكاس في المدى المرئي الذي يتراوح من حوالي ‎48٠0‏ - 00 نانو متر و/ أو ٠49؛-‏ 700 نانو متر (مدى الكفاءة المرتفعة للخلية) يقترن بشكل مفيد بزيادة الاتعكاس في مدى ‎IR‏ القريب والقصير الذي يزيد عن حوالي ‎٠٠٠١‏ نانو متر؛ وتؤدي زيادة الانعكاس في مدى 18 القريب والقصير إلى تقليل امتصاص الطاقة الحرارية الشمسية مما يؤدي إلى تحسين خرج ‎٠‏ الخلية وذلك بسبب انخفاض درجة حرارة الخلية والمقاومات الموصلة على التوالي في الوحدة. ‎Ly‏
— Yq - هو مبين في شكل 4؛ فإن ‎SS‏ من الركيزة الزجاجية ‎glass substrate‏ الأمامية )1( والإلكترود لأمامي ‎(V) front electrode‏ مجتمعين يكون لهما درجة انعكاسية تبلغ حوالي 7405 على الأقل (والأفضل حوالي 755 على الأقل) في جزء كبير إلى حدٍ ما أو في معظم مدى الطول الموجي القريب إلى القصير للأشعة ‎TR‏ الذي يتراوح من حوالي ‎-٠٠١‏ 7900 نانو متر و/ أو ‎٠٠٠١‏ إلى 7300 نانو متر. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ فإنهما يعكسان ‎75٠‏ على الأقل من الطاقة الشميبة في المدى من ‎-٠٠٠١‏ 1900 نانو متر و/ أو ‎١7٠١‏ - 7300 نانو متر. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يكون للركيزة الزجاجية الأمامية والإلكترود الأمامي (3) مجتمعين درجة انعكاسية للأشعة 18 تبلغ حوالي 745 على الأقل و/ أو ‎Too‏ على الأقل في جزء كبير إلى حدٍ ما أو في معظم مدى الطول الموجي القريب للأشعة ‎IR‏ الذي يتراوح من حوالي ‎-٠٠٠١‏ 7900 نانو مترء ‎٠‏ ويمكن من ‎sl 700 - ١00‏ متر. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يمكنهما حجب 7850 على الأقل من الطاقة الشمسية ‎solar energy‏ في المدى من ‎-٠٠٠١‏ 70060 نانو متر. وفي حين أنه يتم استخدام الالكترود (©) كالكترود أمامي في جهاز ‎tab‏ ضوئي ‎photovoltaic‏ ‎device‏ في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع التي تم وصفها وتوضيحها في هذا الطلب؛ إلا أنه يمكن أيضاً استخدام الالكترود (©) كالكترود ‎AT‏ فيما ‎Glen‏ بجهاز فُلطائي ضوئي
ADA ‏أو‎ photovoltaic device ٠ ‏ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا‎ kB ‏عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز‎ A JSS ‏على الركيزة الزجاجية الأمامية‎ (AR) ‏الاختراع. ويمكن توفير طبقة اختيارية (١أ) مضادة للانعكاس‎ ‏في أي من نماذج هذا الاختراع؛ وفقاً لما هو مشار إليه على سبيل المثال بالطبقة (الطبقات)‎ )١( ‏ويشتمل الجهاز‎ .)٠١ -4 ‏(على سبيل المثال؛ أنظر أيضاً الأشكال‎ A ‏المبينة في شكل‎ (IY) AR
‎Y «+‏ _— القُلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ في شكل ‎A‏ على ركيزة زجاجية (١)؛‏ طبقة (طبقات) عازلة ) ‎Sta) ( Y‏ مصنعة من أو تشتمل على واحد أو أكثر من بين : ‎silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride, titanium oxide, niobium oxide‏ « رو أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تعمل كحاجز للصوديوم ‎sodium barrier‏ لمتع الصوديوم ‎blocking‏ ‎sodium ©‏ من التحرك خارجاً من الركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass substrate‏ (١)؛‏ والطبقة النواة ‎Se) (fF) seed layer‏ مصنعة من أو تشتمل على : ‎zinc oxide, zinc aluminum oxide, tin oxide, tin antimony oxide, indium zinc oxide‏ ¢ أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون طبقة ‎TCO‏ أو طبقة ‎dielectric layer Ale‏ في نماذج تمثيلية مختلفة؛ وطبقة )££( عاكسة للأشعة 18 أساسها الفضة ‎silver‏ ؛ وطبقة تغطية علوية أو طبقة ‎٠‏ تلامس ‎(at)‏ اختيارية ‎Sa)‏ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد ‎Ni‏ و/ ‎zinc oxide, zinc «Cr sl‏ ‎aluminum oxide‏ ¢ أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون طبقة 1©0؛ وطبقة ‎TCO‏ (4ه) (مثلاء 3 مصنعة من أو تشتمل على : ‎zinc oxide, zinc aluminum oxide, tin oxide, tin antimony oxide, zinc tin oxide, indium‏ ‎tin oxide, indium zinc oxide‏ ‎٠‏ أو ما شابه ذلك)؛ طبقة واقية اختيارية؛ و ‎Sa)‏ مصنعة من أو تشتمل على : ‎zinc oxide, zinc aluminum oxide, tin oxide, tin antimony oxide, zinc tin oxide, indium‏ ‎tin oxide, indium zinc oxide‏
- ١ - أو ما شابه ذلك) ‎cua‏ يمكن أن تكون موصلة إلى حدٍ ‎tle‏ وشبه الموصل )0( ‎(Ji)‏ ‎«a-Si «CdS/CdTe‏ أو ما شابه ذلك)؛ وملامس؛ و/ أو ‎cle‏ و/ أو الكترود خلفي اختياري (7)؛ وطبقة لاصقة اختيارية (4)؛ وركيزة زجاجية ‎glass substrate‏ خلفية اختيارية ‎.١١‏ وتجدر الإشارة إلى أنه في بعض النماذج ‎Alia‏ يمكن أن تكون الطبقة ‎(af)‏ هي نفسها الطبقة (©أ) التي © .سبق وصفها أعلاه؛ ويمكن أن تكون الطبقة ‎(gf)‏ هي نفسها الطبقة (“ب) أو (*د) التي سبق وصفها أعلاه؛ (وهذا ينطبق أيضاً على الأشكال 4- ١٠)؛‏ ويمكن أن تكون الطبقة )5( هي نفسها الطبقة (”و) التي سبق وصفها أعلاه (وهذا ينطبق أيضاً على الأشكال ‎)٠١ =A‏ (أنظر الوصف المتقدم أعلاه لشرح النماذج الأخرى في هذا الخصوص). وبالمثل؛ فإنه قد سبق مناقشة الطبقات ‎co)‏ 7ء ؛ و ‎Lad ١١‏ أعلاه ‎Lad‏ يتعلق بالنماذج الأخرى؛ ‎Jie‏ الأسطح ١أ‏ واب .١ ‏للركيزة الأمامية الزجاجية‎ Ve ‏يلي (لاحظ أن بعض الطبقات‎ LSA ‏ولأغراض التمثيل فقط؛ سيتم تقديم مثال لنموذج شكل‎ ‏الاختيارية المبينة في شكل + لم يتم استخدامها في هذا المثال). على سبيل المثال؛ بالإشارة إلى‎ ‏(مثلاء سمكها حوالي 7,7 مم)؛ وطبقة‎ )١( glass substrate ‏تم استخدام ركيزة زجاجية‎ A ‏شكل‎ ‏نانو متر ويمكن أن‎ ٠١ ‏بسمك حوالي‎ silicon oxynitride ‏(مثلاًء‎ (Y) dielectric layer ible ‏طبقة عازلة‎ (Jie) (ct) ‏نواة‎ Ag ‏نانو متر)؛ وطبقة‎ ٠١ ‏عازلة بسمك حوالي‎ TiOx ‏تليها طبقة‎ V0 ٠١ ‏بسمك حوالي‎ zine aluminum oxide ‏أو‎ TCO zinc oxide ‏أو طبقة‎ dielectric layer
A=0 ‏بسمك يتراوح من حوالي‎ silver ‏(4ج) (من الفضة‎ IR ‏نانو متر)؛ وطبقة عاكسة للأشعة‎ zinc aluminum oxide > tin oxide ¢ zinc oxide ‏طبقة‎ (Jie) ‏(4ه)‎ TCO ‏نانو متر)؛ طبقة‎ ‏نانو‎ ١5١ -٠٠١ ‏نانو متر) والأفضل من حوالي‎ YOu 5٠١ ‏موصلة بسمك يتراوح من‎ dTO « zinc aluminum 6 tin oxide «TCO zinc oxide ) (5%) ‏متر) ؛ وطبقة واقية موصلة اختيارية‎ ٠٠
Yaay
- ؟© - ‎coxide ITO‏ أو ما شابه ‎cell‏ بسمك يتراوح من حوالي ‎٠٠ -٠١‏ نانو متر). وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتم تصميم الطبقة الواقية ‎st‏ (أو *و) بحيث يكون لها معامل انكسار ‎refractive index‏ ‎(n)‏ يتراوح من حوالي ‎7,١‏ إلى 8 ‎oY,‏ والأفضل من حوالي ‎7,١5‏ إلى ‎X,¥0‏ حيث يتوافق معامل الانكسار ‎refraction‏ إلى حدٍ بعيد مع شبه الموصل )0( (مثل ‎Cds ٠‏ أو ما شابه ذلك) من أجل © تحسين كفاءة الجهاز. ويمكن أن يكون للجهاز القلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ المبين في شكل ‎A‏ مقاومة لوحية ‎sheet resistance‏ لا تزيد عن حوالي ‎VA‏ أوم/ مربع؛ والأفضل ألا تزيد عن حوالي ‎Yo‏ أوم/ مربع؛ والأفضل من ذلك ألا تزيد عن حوالي ‎OT‏ أوم/ مربع في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وعلاوة على هذاء يمكن أن يكون للنموذج المبين في شكل ‎A‏ أطياف نفاذية مخططة ‎٠‏ حسب الحاجة تتميز بنفاذية أكبر من 780 إلى شبه الموصل (*) في ‎edn‏ من مدى الطول الموجي أو كل مدى الطول الموجي الذي يتراوح من حوالي ‎٠00 -45٠‏ نانو متر و/ أو 4050- ‎gli ٠‏ مترء حيث 4141.5 يمكن أن يكون لها أشد كثافة ‎intensity‏ وفي بعض الحالات التمثيلية يكون للخلية ‎ef‏ كفاءة كمَيْءَة أو الأعلى إلى حدٍ كبير. شكل 4 عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي ‎Lai photovoltaic device‏ لنموذج ‎Ve‏ تمثيلي آخر أيضاً لهذا الاختراع. ويشتمل الجهاز القُلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ للنموذج المبين في شكل 9 على طبقة ‎(AR)‏ اختيارية مضادة للانعكاس (١أ)‏ على جانب سقوط الضوء للركيزة الزجاجية الأمامية (١)؛‏ وطبقة عازلة ‎dielectric layer‏ أولى ‎(IY)‏ وطبقة عازلة ثانية (ب)؛ وطبقة عازلة تالثة )21( حيث يمكن أن تعمل اختيارياً كطبقة نواة ‎a)‏ مصنعة من أو تشتمل على ‎indium tin oxide » tin oxide ¢ zinc aluminum oxide ¢ zinc oxide‏ « ‎indium zinc oxide ٠‏ ؛ أو ما شابه ذلك) للطبقة التي أساسها الفضة ‎silver‏ (؛ج)؛ وطبقة موصلة
_ YY —
عاكسة للأشعة تحت الحمراء 18 أساسها الفضة ‎oz £) silver‏ وطبقة تغطية علوية أو طبقة تلامس ‎(of)‏ اختيارية ‎Si)‏ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد ‎zinc oxide «Cr Jl [5 Ni‏ ¢ ‎zine aluminum oxide‏ ؛ أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون ‎TCO‏ أو عازلة» وطبقة ‎RCO‏ ‎SU) (af)‏ تشتمل على طبقة واحدة أو كثر» مثلاً تصنع من أو تشتمل على ‎zinc oxide‏ ؛ ‎indium tin oxide ¢ zinc tin oxide « indium tin oxide » tin oxide ¢ zinc aluminum oxide ©‏ ‎indium zinc oxide ٠‏ » أو ما شابه ذلك)؛ وطبقة واقية اختيارية )5%( ‎Sed)‏ مصنعة من أو تشتمل على ‎zinc ١ indium tin oxide ¢ tin oxide ¢ zinc aluminum oxide ١ zinc oxide‏ ‎oxide‏ متا ‎indium zinc oxide ¢ indium tin oxide‏ » أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون موصلة إلى حدٍ ماء وشبه الموصل )0( (مثلاً؛ طبقة واحدة أو أكثر مثل ‎a-Si «CdS/CdTe‏ أو ما ‎٠‏ شابه ذلك)؛ وملامس» و/ أو عاكس؛ و/ أو الكترود ‎(V)‏ خلفي اختياري؛ وطبقة لاصقة اختيارية ‎optional adhesive‏ )4( ¢ وركيزةٍ زجاجية ‎glass substrate‏ خلفية اختيارية ‎)١١(‏ . ويمكن أن يشتمل غشاء شبه الموصل ‎Semiconductor‏ )0( على بنية شبه موصل ‎pin‏ أو ‎pn‏ أحادية؛ أو بنية شبه موصل مزدوجة في نماذج مختلفة لهذا الاختراع. ويمكن أن يكون شبه الموصل عبارة عن؛ أو يمكن أن يشتمل على؛ ‎silicon‏ بعض الحالات التمثيلية. وفي نماذج تمثيلية أخرى؛ ‎٠‏ يمكن أن يشتمل غشاء شبه الموصل ‎Semiconductor‏ )©( على طبقة أولى مصنعة من أو تشتمل على ‎CdS‏ (مثل؛ طبقة نافذة) مجاورة أو قريبة من الطبقة (الطبقات) )28( و/ أو )58( وطبقة شبه موصل ثانية مصنعة من أو تشتمل على ‎(Jie) CdTe‏ طبقة ماصة رئيسية) مجاورة أو
قريبة من الالكترود أو الملامس الخلفي ‎.V back contact‏ وبالإشارة إلى نموذج شكل 9 (ونموذج شكل ١٠)؛‏ في بعض النماذج التمثيلية؛ يتم استخدام طبقة ‎٠‏ عائلة ‎dielectric layer‏ أولى ف ذات معامل ‎(n) refractive index lS‏ منخفض ‎Laws‏
0 _
‎(Se)‏ « تتراوح من حوالي ‎١,7‏ إلى ‎X,Y‏ والأفضل من حوالي ‎٠,8‏ إلى 7,7؛ والأفضل من ذلك
‏من حوالي ‎٠,55‏ إلى ‎7,١‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي ؟ إلى 7,08)؛ وطبقة عازلة ‎dielectric‏
‎(IY) ‏كبير نسبياً (مقارنة بالطبقة‎ (n) refractive index ‏ذات معامل انكسار‎ (ut) ‏ثانية‎ layer ‏والأفضل من حوالي “,1 إلى 0,¥ والأكثر تفضيلاً من‎ XG 7,7 ‏(مثلاًء 8 تتراوح من حوالي‎
‏© حوالي ‎٠,259‏ إلى 1,45 وطبقة عازلة ‎dielectric layer‏ ثالثة ‎(£Y)‏ ذات معامل انكسار ‎(n)‏ ‏منخفض ‎Ls‏ (مقارنة بالطبقة "ب) ‎gab nS)‏ من حوالي ‎٠,8‏ إلى ‎X,Y‏ والأفضل من حوالي ‎٠,55‏ إلى ‎YY‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي ‎١‏ إلى 7.05). وفي بعض النماذج التمثيلية؛
‏يمكن تصنيع الطبقة العازلة الأولى ‎(IY)‏ ذات معامل الانكسار ‎refraction‏ المنخفض من؛ أو
‏يمكن أن تشتمل ‎silicon oxynitride » silicon nitride ¢ Je‏ ¢ أو أية مادة أخرى مناسبة؛ ويمكن
‎pias ٠‏ الطبقة العازلة الثانية ("ب) ذات معامل الانكسار ‎ginal refraction‏ من؛ أو يمكن أن تشتمل على ‎oxide titanium‏ (مثل؛ ‎TIO,‏ أو ما شابه ذلك)؛ ويمكن تصنيع الطبقة العازلة الثالثة
‏) لق من؛ أو يمكن أن تشتمل علىء ‎zinc oxide‏ أو أية مادة أخرى مناسبة. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتم دمج الطبقات ‎IY‏ 7ج لتكوين طبقة مجمعة ذات معامل انكسار ‎refractive‏ ‎index‏ جيد متوافق وتعمل أيضاً كطبقة واقية ضد ارتحال الصوديوم من الزجاج ‎buffer against‏
‎.)١( sodium migration from the glass Vo‏ وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتراوح سمك الطبقة العازلة الأولى ‎(IY)‏ من حوالي ©- ‎Te‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎Yo -٠١‏ نانو مترء ويتراوح سمك الطبقة العازلة الثانية ("ب) من حوالي ‎Fe mo‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎-٠١‏ 70 نانو
‏مترء وتكون الطبقة العازلة الثالثة (7ج) أقل سمكاً ويتراوح سمكها من حوالي ‎Ye oF‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ©- ‎١١5‏ نانو مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي 7- ‎il VE‏ متر. وفي حين
‎Ye‏ تكون الطبقات ‎JY‏ "بء و ؟ج عازلة في بعض نماذج هذا الاختراع» فإن واحدة أو اثنتين أو
‎Yo —‏ _ جميع هذه الطبقات الثلاث قد تكون عازلة أو ‎TCO‏ في بعض النماذج التمثيلية الأخرى لهذا الاختراع. وتكون الطبقتان (“ب) و (7ج) عبارة عن أكاسيد معدنية ‎metal oxides‏ في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» في حين تكون الطبقة ‎(IY)‏ عبارة عن أكسيد معدني ‎metal oxide‏ أو ‎nitride‏ معدني ¢ أو ‎silicon nitride‏ بعض الحالات التمثيلية. ويمكن ترسيب الطبقات ؟أ © - 1ج عن طريق الرش أو أي أسلوب آخر مناسب.
‏وبالإشارة أيضاً إلى نموذج شكل 9 (ونماذج شكلي ‎٠١‏ - ١١)؛‏ يمكن أن تكون طبقة (طبقات) ‎TCO‏ (؛ه) مصنعة من أو يمكن أن تشتمل على ‎TCO‏ مناسب ويشمل على سبيل المثال لا الحصرء على ‎zinc oxide‏ + و/ أو ‎zinc aluminum oxide‏ ¢ 5[ أو ‎oxide‏ هن و أو ما شابه ذلك. ويمكن أن تشتمل طبقة 700 أو صف ‎TCO‏ (؛ه) على عدة طبقات في بعض ‎٠‏ الحالات التمثيلية. وعلى سبيل المثال؛ في بعض الحالات؛ تشتمل ‎TCO Aik‏ )£( على طبقة أولى من أكسيد معدني ‎TCO metal oxide‏ أول (مثل» ‎(zine oxide‏ قريبة من طبقة ‎Ag‏ ‏(؟ج)؛ وطبقة التغطية العلوية ‎(a2) Ag‏ وطبقة ثانية من أكسيد معدني ‎TCO metal oxide‏
‏(مثل ¢ ‎tin oxide‏ ) قريبة من طبقة التلامس )5%( و/ أو 0 ولأغراض التمثيل فقط؛ سيتم توضيح مثال لنموذج شكل 9 كما يلي. على سبيل المثال» بالإشارة ‎٠‏ إلى شكل 1؛ تم استخدام ركيزة زجاجية ‎)١( glass substrate‏ (مثل؛ زجاج سائب بسمك حوالي ‎coe 7‏ ومعامل انكساره ‎refractive index‏ («) حوالي ‎¢(V,0Y‏ وطبقة عازلة ‎dielectric layer‏ أولى ) ‎(fv‏ (مثل ‎silicon nitride‏ بسمك حوالي ‎١١‏ نانو مترء ذات معامل انكسار ‎refractive‏ ‎(n) index‏ حوالي ‎¢(Y,+V‏ وطبقة عازلة ‎dielectric layer‏ ثانية (”ب) (مثل؛ أكسيد ‎Jie «Ti‏ ‎TIO,‏ أو مادة مكافئة مناسبة ‎(gyal‏ بسمك حوالي ‎١١‏ نانو مترء وذات معامل انكسار ‎refractive‏ ‎(n) index ٠٠‏ حوالي £0 ‎«(Y,‏ وطبقة عازلة ‎dielectric layer‏ ثالثة (7ج) (مثل ‎zinc oxide‏ + من
‎١ -‏ الممكن إشابته ب ‎Al‏ وسمكها حوالي 9 نانو مترء وذات معامل اتكسار ‎(n) refractive index‏ حوالي ‎(YF‏ وطبقة عاكسة للأشعة ‎IR‏ ( ج) (من الفضة ‎silver‏ بسمك يتراوح من = + نانو مترء مثل؛ + نانو متر)؛ وطبقة تغطية علوية تشتمل على الفضة (؛د) مصنعة من ,150:0 بسمك يتراوح من ‎-١‏ ؟ نانو متر حيث يمكن أن تكون أو لا تكون متدرجة الأكسدة ‎oxidation‏ ‎graded ©‏ ؛ وغشاء 4(100م) (مثلء ‎tin 4 / zinc aluminum oxide 6 zinc oxide‏ ‎oxide‏ ؛ موصل؛ بسمك يتراوح من ‎١٠٠١ -٠١‏ نانو متر)؛ وغشاء شبه موصل )0( يشتمل على طبقة أولى من ‎CdS‏ (مثلاء حوالي ‎7١‏ نانو متر) أقرب ما يكون إلى الركيزة ‎)١(‏ وطبقة ثانية من 6 أبعد ما يكون عن الركيزة (١)؛‏ وملامس أو إلكترود خلفي (7)؛ وطبقة لاصقة اختيارية (9)؛ وركيزة اختيارية ‎AY‏ ‎٠‏ ويمكن أن يكون للجهاز ‎Saf‏ الضوثي ‎photovoltaic (PV) device‏ المبين في شكل 9 (و/ أو شكلي ‎)١١ - ٠١‏ مقاومة لوحية ‎sheet resistance‏ لا تزيد عن حوالي ‎YA‏ أوم/ مربع؛ والأفضل أل تزيد عن ‎Vo‏ أوم/ مربع؛ والأفضل من ذلك ‎UT‏ تزيد عن ؟١ ‎[as‏ مربع في بعض النماذج ‎bal‏ لهذا الاختراع. وعلاوة على هذاء يمكن أن يكون لنموذج شكل 4 (و/ أو شكل ‎)٠١‏ أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة ذات نفاذية تزيد عن ‎TAY‏ في شبه الموصل )0( جزء من أو في ‎٠‏ كل مدى الطول الموجي الذي يتراوح من حوالي 48+0- 100 نانو متر و/ أو ‎7٠0-456‏ نانو مترء ‎Cua‏ يمكن أن يكون ل ‎AM1.5‏ أشد كثافة ‎intensity‏ . وشكل ‎le ٠١‏ عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي ‎Lai photovoltaic device‏ لنموذج تمثيلي آخر أيضاً لهذا الاختراع. ونموذج شكل ‎٠١‏ مشابه تماماً لنموذج شكل 4 الذي سبقت مناقشته أعلاه؛ باستثناء غشاء ‎TCO‏ (؛ه). في نموذج شكل ‎«Vo‏ يشتمل غشاء ‎TCO‏ ‎Yaay‏
ا - )22( على طبقة أولى (؛ه) مصنعة من أو تشتمل على أكسيد معدني ‎TCO metal oxide‏ أول (مثل» ‎zine oxide‏ ؛ حيث يمكن أن يكون أو لا يكون مُشاباً ب له أو ما شابه ذلك) مجاورة وملامسة للطبقة (؛د)؛ وطبقة ثانية ‎(6a)‏ من أكسيد معدني ‎TCO metal oxide‏ ثانٍ (مثل؛ من ‎(oxide‏ مجاورة وملامسة للطبقة ‎(st)‏ و/ أو )0( ‎Sa)‏ يمكن حذف الطبقة (؛و)؛ كما في © النماذج السابقة). وتكون الطبقة ‎(ag)‏ أكثر سمكاً إلى حدٍ كبير من الطبقة (؛ه6) في بعض النماذج التمثيلية. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يكون لطبقة ‎TCO‏ الأولى )22( مقاومية أثل من طبقة ‎TCO‏ الثانية (584). وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يمكن أن تكون طبقة ‎TCO‏ الأولى )2( عبارة عن ‎zinc oxide + zinc oxide‏ مُشاب ب ‎(Al‏ أو ‎(ITO‏ حيث يتراوح سمكها من ‎“Vo‏ ‎٠‏ نانو متر ‎Se)‏ حوالي ‎٠١١‏ نانو متر) وتكون ذات مقاومية لا تزيد عن حوالي ‎١‏ أوم. سم؛ ‎٠‏ ويمكن أن تكون طبقة ‎TCO‏ الثانية (4ه6) مصنعة من ‎tin oxide‏ ويتراوح سمكها من حوالي ‎٠ -٠‏ نانو متر ‎Sa)‏ حوالي ‎"٠‏ نانو متر) وتكون ذات مقاومية تتراوح من حوالي ‎٠٠١ -٠١‏ أوم . سم؛ ومن الممكن أن تتراوح من حوالي 7- ‎٠٠١‏ أوم. سم. وتكون طبقة ‎TCO‏ الأولى )28( أكثر سمكاً وأعلى موصلية عن طبقة ‎TCO‏ الثانية )628( في بعض النماذج التمثيلية؛ وهذا يكون مفيداً حيث أن الطبقة (6ه) تكون أقرب للطبقة )££( الموصلة التي أساسها ‎Ag‏ وهذا يؤدي إلى ‎٠‏ تحسين كفاءة الجهاز ‎SLB‏ الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ وعلاوة على هذاء فإن هذا التصميم يعتبر متميزاً من حيث أن 5 للغشاء )©( يلتصق أو يلتحم جيداً بأكسيد القصدير ‎tin‏ ‎oxide‏ الذي يمكن أن يستخدم في الطبقة )688( أو يمكن أن تصنع منه. ويمكن ترسيب طبقتي
AT ‏4ه و/ أو )628( عن طريق الرش أو بأي أسلوب مناسب‎ TCO ‏الأولى (؛ه) مصنعة من أو تشتمل‎ TCO ‏وفي بعض الحالات التمثيلية؛ يمكن أن تكون الطبقة‎ ‏يمكن أن‎ dali) ‏وفي بعض الحالات‎ . zine oxide ‏بدلاً من‎ (indium tin oxide) ITO ‏على‎ ٠٠
Yaay
- ٠8 dn 70+ ‏من ذلك حوالي‎ Yay ‏أو‎ Sn ZV + dn 7960 ‏على حوالي‎ at ‏يشتمل أكسيد 170 للطبقة‎ .50786 ‏و‎ ‏7ج مفيداً من حيث أنه يمكن‎ IY ‏ويكون استخدام الثلاث طبقات العازلة هذه على الأقل مثل‎ ‏أكثر‎ photovoltaic device ‏خفض الانعكاسات مما يؤدي إلى الحصول على جهاز فلطائي ضوئي‎ ‏من أو تشتمل‎ Anime Sa) ‏كفاءة. وعلاوة على هذاء يمكن أن تكون طبقة التغطية العلوية د‎ © ‏؛ بشكل مستمر أو غير مستمرء‎ oxidation graded ‏متدرجة الأكسدة‎ (Cr ‏على أكسيد نلو أو‎ ‏في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وتحديداً؛ يمكن تصميم الطبقة ؛د بحيث تكون معدنية‎ ‏عند‎ Ag ‏التي أساسها‎ (a2) ‏بدرجة أكبر (أقل أكسدة 10 1688 ) عند موضع فيها أقرب للطبقة‎ ‏ولقد وجد أن هذا يكون مفيداً بالنسبة لأغراض‎ Ag ‏موضع فيها أبعد عن الطبقة )38( التي أساسها‎ ‏بدرجة كبيرة أثناء المعالجة ذات درجة الحرارة‎ Jani ‏الثبات الحراري من حيث أن طبقة التغليف لا‎ ٠ ‏الضوئي‎ ALLE ‏المرتفعة إلى حدٍ كبير التي يمكن أن تصاحب عملية تصنيع الجهاز‎ ‏أو أية عملية أخرى.‎ photovoltaic (PV) device ‏وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» وجد بشكل مثير للاهتمام أن أي سمك يتراوح من حوالي‎ ‏نانو متر)؛‎ ١460 Jie) ‏نانو متر‎ ١5١ IT ‏نانو مترء والأفضل من حوالي‎ 110 -٠
TCO ‏(؛ه) يكون مفيداً من حيث أن قمم ال 186 في هذا المدى. وبالنسبة لأغشية‎ TCO ‏لغشاء ال‎ No
TCO ‏يصل إلى حوالي 77,0 حتى تصل إلى أدناها عند سمك‎ Lay ‏تقل‎ Ise ‏الأرق؛ فإن قمم ال‎
TCO ‏نانو مترء فإنها تزداد ثانية حتى الوصول إلى غشاء‎ Te ‏نانو متر. وعند أقل من‎ ٠١ ‏حوالي‎ ‏نانو متر) فإنها تصبح جذابة؛‎ Ve -7١ ‏*؟ نانو متر (والأفضل‎ -١١ ‏(؛ه) بسمك يتراوح من‎ ‏ولكن طبقات التغليف هذه قد لا تكون مرغوبة في بعض الحالات التمثيلية غير الحصرية. ولهذاء‎ ‏الضوئية المشتملة على‎ ASU ‏للحصول على خفض في شدة تيار دائرة قصر للأجهزة‎ ٠
Yasay
—- ry -
‎CS/CdTe‏ في بعض الحالات التمثيلية؛ فإنه قد يتم توفير غشاء ‎(AF) TCO J‏ بسمك في المدى من حوالي ‎YO -١١‏ نانو مترء أو في المدى من حوالي ‎١١ -١"7١‏ نانو متر أو ‎١5١-١36‏
‏نانو متر. وشكل ‎١١‏ عبارةٍ عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ وفقاً © لنموذج تمثيلي آخر ‎Lad‏ لهذا الاختراع. ونموذج شكل ‎١١‏ مشابه تماماً لنماذج شكلي 4 - ‎١١‏ ‏التي سبقت مناقشتها أعلاه؛ باستثناء الاختلافات ‎Ad)‏ في الشكل. شكل ‎١١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎photovoltaic device (isa Ga‏ وفقاً لنموذج تمثيلي آخر أيضاً لهذا الاختراع. يمكن أن يشتمل الجهاز الفلطائي الضوئي المبين في شكل ‎١١‏ على: طبقة اختيارية مضادة للانعكاس ‎(AR)‏ (١أ)‏ على جانب سقوط الضوء للركيزة الزجاجية الأمامية ١؛‏ طبقة عازلة ‎dielectric layer ٠‏ أولى ) ‎(Iv‏ مصنعة من أو تشتمل على واحد أو أكثر من بين ‎silicon nitride‏ (مثل؛ م91 أو مكافئ كيميائي ‎Gulia‏ آخر)؛ ‎silicon oxide « silicon oxynitride‏ (مثل»؛ ‎SiO;‏ ‏أو مكافئ كيميائي مناسب آخر)؛ و/ أو ‎tin oxide‏ (مثل؛ ,500 أو مكافئ كيميائي مناسب آخر)؛ طبقة عازلة ‎dielectric layer‏ ثانية ‎(GF)‏ مصنعة من أو تشتمل على ‎oxide titanium‏ (مثل؛ ‎TiO,‏ أو مكافئ كيميائي مناسب آخر) و/ أو ‎niobium oxide‏ ؛ طبقة ثالثة (7ج) (يمكن أن تكون ‎٠‏ عازلة أو طبقة ‎(TCO‏ حيث يمكن أن تعمل اختيارياً كطبقة نواة ‎Ji)‏ طبقة مصنعة من أو تشتمل على ‎indium zinc > indium tin oxide ¢ tin oxide ¢ zinc aluminum oxide 6 zinc oxide‏ ‎oxide‏ « أو ما شابه ذلك) للطبقة التي أساسها الفضة ‎silver‏ (4 ج)؛ طبقة تغليف فوقية أو طبقة تلامس ؛د (حيث يمكن أن تكون عازلة أو موصلة) مصنعة من أو تشتمل على ‎oxide‏ من ‎Ni‏ و/ أو ‎«Ti «NiCr «Cr‏ أكسيد ‎zinc aluminum oxide «Ti‏ ¢ أو ما شابه ذلك؛ طبقة ‎TCO‏ ( ذه ‎Stig) ٠١‏ تشتمل على طبقة واحدة أو أكثر) مصنعة من أو تشتمل على ‎zine 6 zinc oxide‏
— og =
¢ indium tin oxide ¢ zinc tin oxide « indium tin oxide ¢ tin oxide ¢ aluminum oxide
‎indium zinc oxide‏ » و أو ‎zine gallium aluminum oxide‏ طبقة واقية اختيارية )5%( يمكن
‎zine ¢ zinc oxide ‏مصنعة من أو تشتمل على‎ Seid) ‏حالات معينة‎ ATCO ‏أن تكون‎ ¢ indium tin oxide ‏عماج‎ tin oxide «¢ indium tin oxide ‏صل‎ oxide ¢ aluminum oxide
‎oxide titanium « indium zinc oxide ©‏ » أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون موصلة إلى حدٍ ما؛ غشاء شبه موصل )0( مصنع من أو يشتمل على طبقة واحدة أو أكثر ‎a- «CdS/CdTe Jie‏
‎CdS ‏الغشاء )0( يمكن أن يصنع من طبقة مصنعة أو تشتمل على‎ (Sia) ‏أو ما شابه ذلك‎ (Si ‏أو‎ aluminum ‏من‎ (V) ‏مجاورة للطبقة‎ CdTe ‏مجاورة للطبقة (؛و)؛ وطبقة مصنعة أو تشتمل على‎
‏ما شابه ‎sell‏ مادة لاصقة اختيارية 4 مصنعة من أو تشتمل على بوليمر ‎PVB Jie‏ وركيزة خلفية
‎٠‏ زجاجية اختيارية ‎.١١‏ وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع» يمكن أن يتراوح سمك الطبقة العازلة ‎fr‏ من حوالي ‎١١ - ٠١‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎١8 -١١‏ نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة لاب من حوالي ‎Yo -٠١‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎١8 SY‏ نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة "ج من حوالي 0= ‎Yo‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎١5 =o‏ نانو
‏متر (وتكون الطبقة "ج أرق من ‎gaa)‏ الطبقتين ‎IY‏ و "ب أو كلتاهما في بعض النماذج
‎٠‏ التمثيلية)؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة ؛ج من حوالي 0— ‎٠١‏ نانو متر؛ والأفضل من حوالي ‎٠١ -‏ نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة ؛د من حوالي ‎١7‏ إلى © نانو مترء والأفضل
‏من حوالي ‎١,5‏ إلى ؟ نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك الغشاء ‎TCO‏ )22( من حوالي .5-
‏0 نانو مترء والأفضل من حوالي ‎١٠١ =O‏ نانو مترء ويمكن أن تكون له مقاومة لا تزيد عن
‏حوالي ‎٠٠١‏ ملي أوم في بعض الحالات التمثيلية؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة الحاجزة ؛و من
‎Yo‏ حوالي ‎٠ -٠١‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎٠ -7١‏ نانو متر ويمكن أن تكون ذات مقاومة
‎Yaay
١ —
لا تزيد عن حوالي ‎١‏ ميجا ‎asf‏ - سم في بعض الحالات التمثيلية. وعلاوة على هذاء يمكن تشكيل
سطح الزجاج ‎١‏ الأقرب إلى الشمس ليكون له نمط تكراري عن طريق الخدش أو ما شابه ذلك؛ في
بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع.
ويمكن أن توفر الطبقة الحاجزة الاختيارية (؛و) توافقاً جوهرياً لمعامل الانكسار ‎refraction‏ بين © غشاء شبه الموصل ‎Semiconductor‏ (*) (مثل؛ الجزء ‎(CdS‏ حتى الغشاء ‎TCO‏ )2£( في
بعض النماذج ‎All‏ من أجل تحسين النفاذية الإجمالية لأشعة الشمس التي تصل إلى شبه
الموصل.
وبالإشارة أيضاً إلى نماذج شكل ١١؛‏ يمكن ‎of‏ يشتمل غشاء شبه الموصل )0( على بنية شبه
موصلة ‎pin‏ أو ‎pn‏ واحدة؛ أو بنية شبه موصلة ترادفية في نماذج مختلفة لهذا الاختراع. ويمكن أن
‎٠‏ يضع غشاء شبه الموصل )0( أو يشتمل على سيليكون في بعض الحالات التمثيلية. وفي نماذج تمثيلية أخرى؛ يمكن أن يشتمل غشاء شبه الموصل )0( على طبقة أولى مصنعة من أو تشتمل على ‎CdS‏ (مثل؛ طبقة نافذة) قريبة أو أقرب إلى الطبقة (الطبقات) ؛ه و/ أو ؛و وطبقة شبه موصل 406 مصنعة من أو تشتمل على ‎Jia) CdTe‏ ¢ مادة ماصة رئيسية ‎main absorber‏ ) قريبة أو أقرب إلى الإلكترود أو الملامس الخلفي ‎back contact‏ .
‎٠‏ وبالإشارة أيضاً إلى شكل ‎VY‏ في بعض النماذج التمثيلية؛ يكون للطبقة العازلة الأولى ؟أ معامل انكسار ‎(n) refractive index‏ منخفض نسبياً (مثلاًء « تتراوح من حوالي ‎٠١١7‏ إلى ‎VY‏ والأفضل من حوالي ‎٠8‏ إلى 7,؟؛ والأفضل أيضاً من حوالي ‎YJ ٠,56‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي إلى ‎oY, 0 A‏ ويكون للطبقة العازلة الثانية "ب ‎Jules‏ انكسار ‎(n) refractive index‏ مرتفع نسبياً (مقارنة بالطبقة ؟أ) ‎Sa)‏ « تتراوح من حوالي 7,7 إلى ‎VT‏ والأفضل من حوالي ‎٠,3‏ إلى
؟؛ -
5,؟؛ والأكثر تفضيلاً من حوالي 95,؟ إلى 1,80( ويمكن على نحو اختياري أن يكون للطبقة العازلة الثالثة "ج معامل انكسار («) منخفض نسبياً (مقارنة بالطبقة ‎Nie) (of‏ « تتراوح من حوالي ‎٠8‏ إلى ‎VY‏ والأفضل من حوالي ‎٠,46‏ إلى ‎7.١‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي ؟ إلى ‎٠‏ وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتم دمج الطبقات ؟أ- 7ج لتكوين رصة ذات توافق جيد © المعامل الانكسار للأغراض المضادة للانعككاس وحيث تعمل أيضاً كطبقة واقية لمنع ارتحال الصوديوم من الزجاج ‎.١‏ وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتراوح سمك الطبقة العازلة الأولى "أ من حوالي 8- ‎pte SLT‏ والأفضل من حوالي ‎٠١ -٠١‏ نانو مترء ويتراوح سمك الطبقة العازلة الثانية "ب من حوالي ‎Ye =o‏ نانو ‎fia‏ والأفضل من حوالي ‎٠١ -٠١‏ نانو مترء وتكون الطبقة الثالثة ؟"ج أقل سمكاً ويتراوح سمكها من حوالي ‎Yo =F‏ نانو ‎jie‏ والأفضل من حوالي ‎Vo =o‏ ‎Ve‏ نانو مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي = ‎VE‏ نانو متر. وفي حين تكون الطبقات ‎ea CY‏ لاج عازلة في بعض نماذج هذا الاختراع؛ فإن واحدة أو اثنتين أو جميع هذه الطبقات الثلاث قد تكون عازلة أو ‎TCO‏ في بعض النماذج التمثيلية الأخرى لهذا الاختراع؛ بينما تكون الطبقة ؟أ عبارة عن أكسيد و أى ‎nitride‏ فلز أو ‎nitride‏ 100لاو في حالات تمثيلية أخرى. ويمكن ترسيب الطبقات
"أ- 7ج بالرش أو بأية طريقة أخرى مناسبة.
‎٠‏ وبالإشارة أيضاً إلى نموذج شكل ‎VY‏ يمكن تصنيع الطبقة (الطبقات) ‎TCO‏ (4ه) أو يمكن أن تشتمل على أي أكسيد ‎TCO‏ مناسب بما في ذلك على سبيل المثال لا الحصرء ‎zinc oxide‏ ¢ ‎tin oxide » zinc aluminum oxide‏ ¢ و/ أو ما شابه ذلك. ويمكن أن تشتمل طبقة أو غشاء ‎TCO‏ (؛ه) على عدة طبقات في بعض الحالات التمثيلية. على سبيل ‎Jad)‏ بعض الحالات؛ تشتمل طبقة ال ‎TCO‏ (4؛) على طبقة أولى من أكسيد معدني ‎TCO metal oxide‏ أول (مثل؛
‎zincoxide ٠‏ ) قريبة من طبقة ‎(af) Ag‏ وطبقة ‎Ag‏ فوقية ‎(of)‏ ؛ وطبقة ثانية من أكسيد معدني
‎١ —‏ — ‎TCO metal oxide‏ ثانٍ (مثل؛ ‎Au tin oxide‏ وملامسة للطبقة )5%( و/ أو 00 ويمكن أن يكون للجهاز ‎Sak‏ الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ المبين في شكل ‎١١‏ مقاومة لوحية ‎sheet resistance‏ لا تزيد عن حوالي ‎YA‏ أوم/ مربع» والأفضل أل تزيد عن حوالي ‎Vo‏ أوم/ مربع؛ والأفضل من ذلك ألا تزيد عن حوالي ‎١١‏ أوم/ مربع في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. © وعلاوة على هذاء يمكن أن يكون للنموذج المبين في شكل ‎١١‏ أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة تتميز بنفاذية أكبر من 780 إلى شبه الموصل )0( في ‎ha‏ من مدى الطول الموجي أو كل مدى الطول الموجي الذي يتراوح من حوالي 850؛- 100 نانو متر و/ أو +45- ‎٠٠٠‏ نانو متر؛ حيث 8141.5 يمكن أن يكون لها أشد كثافة ‎intensity‏ ؛ في بعض النماذج التمثلية لهذا ‎J‏ لاختراع. ‎٠‏ تتم مناقشة الأمثلة 0-8 أدناه؛ وتشتمل كل منها على سطح مُركب ‎TY‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎١‏ ‏كما هو مبين في الأشكال الواردة في هذا الطلب. في مثال ‎of‏ تم حفر السطح الخارجي ‎textured‏ ‎TY surface‏ للركيزة الزجاجية الأمامية المنفذة ‎١‏ بصورةٍ طفيفة حيث يتميز بسمات دقيقة تعمل كطبقة فردية بغلاف مضاد للانعكاس ‎antireflection coating‏ ذو مؤشر منخفض مناسب»؛ على سبيل المثال لاستخدامات الخلايا الشمسية ‎.CdTe solar cells‏ يتميز المثال )0( بسمات على ‎٠‏ السطح المركب ‎١‏ (أ) للركيزة الزجاجية الأمامية؛ التي يتم تشكيلها مرة أخرى بالحفرء والتي تحبس الضوء القادم؛ وتكسر الضوء في أشباه الموصلات عند زوايا مائلة؛ مناسبة؛ على سبيل ‎(Jia)‏ ‏لاستخدامات الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ الفردية و / أو ‎Adal‏ :8-5. وكان السطح الداخلي ١ب‏ للركيزةٍ الزجاجية ‎)١(‏ مسطحا في كل من الأمثلة ؛ و ©؛ مثل ما كما كان الإلكترود الأمامي ‎.Y front electrode‏
‎$f —‏ ل
‏في مثال ‎of‏ بالإشضارة إلى شكل ١١؛‏ كانت كومة الطبقة المتحركة مسن الزجاج ‎١‏ إلى الداخل تجاه شبه الموصل © زجاج ‎ada)‏ نيتريد السيليكون (سمكها ‎٠‏ نانومتر) ‎Jy‏ وطبقة «110 (سمكها ‎١١‏ نانومتر) "ب؛ و طبقة ‎ZnA10x‏ (سمكها ‎٠١‏ نانومتر) 7ج؛ وطبقة ‎Ag‏ (سمكها ‎١‏ نانومتر) ؛ ج؛ وطبقة ‎NiCrOx‏ (سمكها ‎١‏ نانومتر) £ د؛ و طبقة ‎ITO‏ (سمكها ‎١١١ ©‏ نانومتر) ؛ ‎ca‏ وطبقة *«500 ( سمكها ‎١٠‏ نانومتر) ؛ وء ثم شبه الموصل ‎/CdTe‏ 005. يتميز السطح المحفور ‎etched‏ ١أ‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎١‏ بمؤشر فعال وسمك يتراوح بين حوالي ‎Fe‏ .)2 1,47 و ‎٠١١‏ نانومتر؛ على التوالي. يعمل السطح المحفور ‎etched‏ كغلاف ‎AR‏ ‏(على الرغم من عدم وجود هذا الغلاف فعليا) وزيادة الانتقال بمعدل 7-7 / مما يتم اعتباره مفيداً للغاية؛ في جميع أنحاء منطقة الطول الموجي ١٠؛-١٠٠٠‏ نانومتر على النحو المبين في ‎Ye‏ الأشكال ‎LSAT -١١‏ هو مبين في الشكل ‎(V0‏ تسفر توليفة ‎TOC‏ التي أساسها ‎(Ag‏ والسطح الأمامي المركب عن انتقال معزز في الغشاء شبه الموصل ‎CdTe /CdS Semiconductor‏ 0« وخاصة في المنطقة من ‎=O‏ 00 نانومتر حيث يكون جهاز ‎CdTe‏ الفلطائي الضوئي ‎QE‏
‏والدفق الشمسي؛ ‎Haga‏ ‏يعتبر شكل ‎١١‏ هو أطياف الانتقال التي تم قياسها (1) والانعكاس ‎(R)‏ (7 من السطح الأول )؛ ‎No‏ مقابل الطول الموجي (نانو متر) ¢ وتبين النتائج من مثال ‎of‏ حيث يستخدم المثال غلاف ‎TCC‏ ¥ مقاومته ‎٠١‏ أوم / مربع أساسه ‎Ag‏ لركيزة زجاجية أمامية ‎١ front glass substrate‏ بها ‎zhu‏ ‏مركب ‎.١‏ على النحو المبين أعلاه؛ يتميز مثال ؛ بسطح مركب ١أ ‎JEL‏ متزايد بصورة طفيفة (1) وانعكاس منخفض بصورة طفيفة ‎(R)‏ في منطقة ‎=O‏ 700 نانو متر مقارنة بالمثال المقارن الموضح في شكل ‎١١‏ حيث لم يكن السطح ١آ‏ (السطح الأول) محفورا. يعتبر هذا ميزة في أنه يتم ‎٠‏ _انتاج المزيد من التيار في الغشاء شبه الموصل 0 للجهاز الفلطائي الضوئي. يعتبر شكل ‎١١5‏ هو
‎to _‏ _ رسما ‎Lily‏ للنسبة المئوية للانتقال ‎T)‏ 7( مقابل الطول الموجي (نانو متر) يوضح طيف الانتقال في خلية ‎CdS /CdTe‏ للجهاز الفولطائي الضوئي مقارنة بالمثال ؛ مقابل المثال المقارن. يبين شكل ‎Vo‏ (الانتقال المتوقع في الخلية ‎CdS /CdTe‏ للجهاز الفطائي الضوئي في الوحدة النمطية للخلية الشمسية ‎CdTe‏ لمثال ‎of‏ التي تشتمل على الركائز الأمامية المختلفة) أن مثال ؛ حقق © انتقال متزايد بحوالي ‎5.6٠0‏ -<00 نانو متر مدى طول ‎ase‏ وبالتالي قدرة خرج وحدة نمطية فولطائية ضوئية متزايدة مقارنة بالمثال المقارن دون السطح الأمامي المحفور ‎etched‏ (خط المنقط ‎(X‏ والمثال المقارن للركيزة السطحية ‎TCO‏ التقليدية (الخط المصمت 0( في مثال *؛ بالإشارة إلى ‎١١ Jal‏ كانت كومة الطبقة المتحركة من الزجاج ‎١‏ إلى الداخل تجاه شبه الموصل © من الزجاج ١؛‏ طبقة ‎silicon nitride‏ (سمكها ‎١١‏ ‎Ve‏ نانومتر) ‎ofY‏ وطبقة ‎TIOX‏ (سمكها ‎٠١‏ نانومتر) ‎goo‏ طبقة *70810 (سمكها ‎٠١‏ نانومتر) "ج؛ وطبقة ‎Ag‏ (سمكها ‎A‏ نانومتر) ؛ ج؛ وطبقة ‎NiCrOx‏ (سمكها ‎١‏ نانومتر) ؛ د؛ و طبقة 0 (سمكها ‎Ve‏ نانو متر) ؛ ه؛ وطبقة ‎SnOx‏ ( سمكها ‎٠١‏ نانو متر) ؛ و؛ ثم شبه الموصل ‎a-Si‏ يبين شكل ‎VE‏ نتائج تم قياسها ومتوقعة ؛ وطيف انتقال متكامل ومرئي تم قياسه وتشتت /انتشار الضوء المتوقع؛ وفقا لمثال 0 ‎Ve‏ يبين شكل ‎١4‏ أن الانتقال المتكامل الذي يشتمل على كل من ضوء الانتشار المرئي والمنتشر يصل إلى حوالي ‎١١‏ 7# أعلى من ضوء الانتقال المرئي فقط. وهذا يعني أن أكثر من ‎١7‏ 7 من الضوء في مناطق الأشعة تحت الحمراء القريبة والمرئي إما مبعثرة أو موزعة. يعمل الضوء المبعثر و / أو الموزع على زيادة المسار البصري في المواد الفطائية الضوئية ©؛ ويكون مطلوباً بصفة خاصة في الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ من نوع 8-51.
في حين قد تم وصف الاختراع فيما يتعلق ‎Lay‏ يمكن اعتبارهٍ في الوقت الراهن النموذج المفضل والأكثر قابلية للتطبيق العملي, إلا أنه يجب أن يفهم أن الاختراع لا يقتصر على النموذج الذي تم الكشف عنه؛ ولكن على العكس؛ تتجه النية ‎OF‏ يغطي الاختراع مختلف التعديلات والترتيبات المكافئة التي تم تضمينها داخل فحوى ومجال عناصر الحماية المرفقة. ‎Yaqy‏

Claims (1)

  1. ‎sy -‏ _ عناصر الحماية
    ‎-١ ١‏ جهاز ‎IA‏ ضوثي ‎photovoltaic device‏ يشتمل على:
    ‏" ركيزة زجاجية أمامية ‎front glass substrate‏ منفذة إلى ‎as‏ كبير ‎)١(‏ ؛ وبدءاً من الركيزة الزجاجية
    ‎glass substrate ¥‏ وعند الاتجاه للخارج:
    ‏؛ طبقة أولى ‎(IY)‏ تشتمل على واحد أو أكثر من بين ‎silicon ¢ silicon oxide ¢ silicon nitride‏
    ‎oxynitride ©‏ »و ‎tin oxide of‏ ؛
    ‎١‏ طبقة ثانية ("ب) تشتمل على ‎niobium oxide‏ ؛ حيث تتواجد الطبقة الأولى ‎(IY)‏ على الأقل ‎١‏ بين الركيزة الأمامية ‎)١(‏ والطبقة الثانية ‎(mY)‏
    ‎¢ zinc aluminum oxide ol [5 zinc oxide ‏تشتمل على‎ (V) ‏طبقة ثالثة‎ A
    ‏9 طبقة موصلة (؛ ج) تشتمل على فضة يتراوح سمكها من حوالي ؟ إلى ‎١١‏ نانو متر؛ حيث يتم ‎٠‏ توفير الطبقة الثالثة (7ج) على الأقل بين الطبقة الموصلة (؛ ج) التي تشتمل على الفضة ‎silver‏ ‎١١‏ والطبقة الثانية ("ب)؛
    ‎١‏ حيث تكون الطبقة الأولى (؟أ) ذات معامل انكسار ‎(n) refractive index‏ يتراوح من حوالي ‎١٠,“ ٠"‏ إلى 7,7 والطبقة الثانية ("ب) ذات معامل انكسار ‎(n) refractive index‏ يتراوح من ‎٠4‏ حوالي ‎YY‏ 1 وحيث تكون الطبقة ‎All‏ ("ب) ذات معامل انكسار ‎refractive index‏ ‎١٠‏ () أكبر من الطبقة الأولى (؟أ)؛ و 3 غشاء )28( من أكسيد موصل منفذ ‎(TCO)‏ يتم توفيره بين الطبقة الموصلة (؟ ج) التي تشتمل ‎IY‏ على الفضة ‎silver‏ وغشاء )0( من أشباه الموصلات للجهاز الفلطائي الضوئي؛ ‎VA‏ حيث يتم توفير كومة الطبقة التي تشتمل على الطبقة الأولى المذكورة؛ و الطبقة الثانية المذكورة؛ ‎١‏ و الطبقة الثالثة المذكورة؛ والطبقة الموصلة المذكورة التي تشتمل على الفضة ‎TCO silver‏ ‎Ye‏ المذكور على سطح داخلي (١ب)‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎)١(‏ المواجهة للغشاء شبه الموصل ‎Semiconductor 7١‏ )©( وسطح خارجي (١أ)‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎)١(‏ المواجهة للضوء
    ‎YY‏ العارض يكون مُركباً بحيث يعمل على تقليل فاقد انعكاس التدفق الشمسي العارض وزيادة ‎١"‏ امتصاص الفوتونات في الغشاء شبه الموصل ‎Semiconductor‏ . ‎١‏ ؟- الجهاز القلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎١٠‏ حيث ‎textured surface ‏الخارجي‎ average surface roughness ‏تتراوح قيمة متوسط خشونة السطح‎ Y ‏ميكرو متر. والأفضل من حوالي‎ ٠١ ‏إلى‎ ١6 ‏من حوالي‎ )١( ‏للركيزة الزجاجية الأمامية‎ )١( " ‏ميكرو متر.‎ em) ‎١‏ *- الجهاز القطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎٠‏ حيث ‏¥ يشتمل غشاء ‎TCO‏ (4ه) على واحد أو أكثر من بين ‎zinc aluminum 6 zinc oxide‏ ‎zinc gallium «indium tin oxide « indium zinc oxide » tin oxide ¢ oxide y
    ‎: . aluminum oxide ¢ ‎Gus) ‏وفقاً لعنصر الحماية رقم‎ photovoltaic (PV) device ‏+؛- الجهاز القلطائي الضوئي‎ ١ ‏والغشاء المصنع من أشباه‎ TCO ‏يشتمل أيضاً على طبقة واقية (؛و) يتم توفيرها بين الغشاء‎ ‏"| الموصلات. ‎—o ١‏ الجهاز ‎Saki‏ الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎٠‏ حيث " يشتمل الغشاء المصنع من أشباه الموصلات )0( على طبقة أولى تشتمل على ‎CdS‏ وطبقة ‏" - ثانية تشتمل على ‎.CdTe‏ ‎١‏ 1= الجهاز ‎(URN‏ الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎٠‏ حيث
    _— 4 ¢ _ " يشتمل الغشاء ‎TCO‏ )08( على طبقتين أولى وثانية مصنعتين أو تشتملان على أكاسيد ¥ معدنية ‎metal oxides‏ مختلفة. ‎=v)‏ الجهاز القلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ١؛‏ حيث ¥ تشتمل الطبقة الثانية ‎(Vf)‏ على ‎oxide titanium‏ . ‎١‏ +- الجهاز الفلطائي الضوثي ‎photovoltaic (PV) device‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎Cua)‏ ‎Y‏ تشتمل الطبقة الأولى ) ‎(fv‏ على واحد أو أكثر من بين ‎silicon nitride » silicon oxide‏ ¢ ‎silicon oxynitride 5 ~~ ¥‏ . ‎١‏ 4- الجهاز القلطائي ‎photovoltaic (PV) device (gall‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎Cus)‏ ‏" يشتمل أيضاً على طبقة تشتمل على أكسيد :10:0 و/ أو أكسيد ‎Ti‏ تتواجد فوق الطبقة الموصلة 1 المشتملة على الفضة ‎silver‏ وتتلامس معها مباشرة. ‎-٠ ١‏ الجهاز القلطائي ‎photovoltaic (PV) device sal‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎A‏ ‏حيث يكون للركيزة الأمامية ‎)١(‏ وجميع طبقات الجهاز ‎ALE‏ الضوئي ‎photovoltaic (PV)‏ ‎device YF‏ على جانب أمامي للغشاء المصنع من أشباه الموصلات )0( مجتمعة نسبة انعكاس ؛ - للأشعة 18 تبلغ حوالي 780 على الأقل في جزءٍ كبير إلى حدٍ ما على الأقل من نطاق للطول © الموجي للأشعة 18 يتراوح من حوالي ‎SV Eee‏ 300؟ نانو مترء أو حيث يكون للركيزة > الأمامية ‎)١(‏ وجميع طبقات الجهاز القلطائي الضوئي ‎photovoltaic (PV) device‏ على جانب أمامي للغشاء المصنع من أشباه الموصلات )0( مجتمعة نسبة انعكاس للأشعة ‎TR‏ تبلغ حوالي ‎A‏ 240 على الأقل في معظم نطاق للطول الموجي للأشعة ‎TR‏ على الأقل يتراوح من حوالي
    Zo. ‏نأنو متر.‎ YOu ‏ال‎ 9 ON ‏وفقاً لعنصر الحماية رقم‎ photovoltaic (PV) device ‏الجهاز القلطائي الضوئي‎ -١١ ١ a-Si ‏أو‎ «CdTe ‏و/أو‎ CdS ‏حيث يشتمل الغشاء المصنع من أشباه الموصلات )0( على‎ " ؛١ ‏وفقاً لعنصر الحماية رقم‎ photovoltaic (PV) device ‏الضوئي‎ (ULB ‏الجهاز‎ -١؟‎ ١ metal ‏(4؛ه) المذكور على طبقة أولى تشتمل على أكسيد معدني‎ TCO ‏حيث يشتمل الغشاء‎ Y ‏ثان؛ ويكون للطبقة الأولى‎ metal oxide ‏وطبقة ثانية تشتمل على أكسيد معدني‎ Js oxide Y ‏وحيث‎ (TCO ‏مقاومة أقل إلى حدٍ كبير من تلك التي للطبقة الثانية للغشاء‎ TCO ‏للغشاء‎ ؛‎ TCO ‏أقرب إلى الركيزة الأمامية من الطبقة الثانية للغشاء‎ TCO ‏تتواجد الطبقة الأولى للغشاء‎ ©
SA109300073A 2008-02-01 2009-01-31 إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه SA109300073B1 (ar)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/068,117 US8203073B2 (en) 2006-11-02 2008-02-01 Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA109300073B1 true SA109300073B1 (ar) 2012-11-03

Family

ID=40952591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA109300073A SA109300073B1 (ar) 2008-02-01 2009-01-31 إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8203073B2 (ar)
EP (1) EP2248182A2 (ar)
BR (1) BRPI0907004A2 (ar)
SA (1) SA109300073B1 (ar)
WO (1) WO2009099509A2 (ar)

Families Citing this family (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
US20080308145A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8071179B2 (en) 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
FR2919110A1 (fr) * 2007-07-16 2009-01-23 Saint Gobain Substrat de face avant d'ecran plasma, utilisation et procede de fabrication
US8759671B2 (en) 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
WO2009111194A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-11 Arkema Inc. High efficiency photovoltaic modules
US8642138B2 (en) 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US8003432B2 (en) 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US9087943B2 (en) 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US7855089B2 (en) 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US7863074B2 (en) * 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US7910399B1 (en) 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US8741689B2 (en) 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) * 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8003430B1 (en) 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8022291B2 (en) * 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
US20100141608A1 (en) * 2008-12-09 2010-06-10 Lili Huang Index Matching For Touch Screens
US20100258174A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-14 Michael Ghebrebrhan Global optimization of thin film photovoltaic cell front coatings
US8241943B1 (en) 2009-05-08 2012-08-14 Stion Corporation Sodium doping method and system for shaped CIGS/CIS based thin film solar cells
US8372684B1 (en) 2009-05-14 2013-02-12 Stion Corporation Method and system for selenization in fabricating CIGS/CIS solar cells
TW201101513A (en) * 2009-05-18 2011-01-01 First Solar Inc Cadmium stannate TCO structure with diffusion barrier layer and separation layer
TW201101514A (en) * 2009-05-18 2011-01-01 First Solar Inc Silicon nitride diffusion barrier layer for cadmium stannate TCO
TW201112439A (en) * 2009-06-22 2011-04-01 First Solar Inc Method and apparatus for annealing a deposited cadmium stannate layer
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
KR101134595B1 (ko) * 2009-07-29 2012-04-09 삼성코닝정밀소재 주식회사 태양전지 기판, 태양전지 기판 제조 방법 및 태양전지
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
EP2478565A2 (en) * 2009-09-18 2012-07-25 Oerlikon Solar AG, Trübbach High efficiency micromorph tandem cells
US8829342B2 (en) * 2009-10-19 2014-09-09 The University Of Toledo Back contact buffer layer for thin-film solar cells
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US20110186120A1 (en) * 2009-11-05 2011-08-04 Guardian Industries Corp. Textured coating with various feature sizes made by using multiple-agent etchant for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US8502066B2 (en) * 2009-11-05 2013-08-06 Guardian Industries Corp. High haze transparent contact including insertion layer for solar cells, and/or method of making the same
US20110168252A1 (en) * 2009-11-05 2011-07-14 Guardian Industries Corp. Textured coating with etching-blocking layer for thin-film solar cells and/or methods of making the same
WO2011075579A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 First Solar, Inc. Photovoltaic device including doped layer
US20110146768A1 (en) * 2009-12-21 2011-06-23 Ppg Industries Ohio, Inc. Silicon thin film solar cell having improved underlayer coating
US8294027B2 (en) 2010-01-19 2012-10-23 International Business Machines Corporation Efficiency in antireflective coating layers for solar cells
US8859880B2 (en) * 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
US8834976B2 (en) 2010-02-26 2014-09-16 Guardian Industries Corp. Articles including anticondensation and/or low-E coatings and/or methods of making the same
US8293344B2 (en) 2010-02-26 2012-10-23 Guardian Industries Corp. Articles including anticondensation coatings and/or methods of making the same
US8741687B2 (en) * 2010-03-18 2014-06-03 First Solar, Inc. Photovoltaic device with crystalline layer
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US8257561B2 (en) 2010-03-30 2012-09-04 Primestar Solar, Inc. Methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device
CN101877386A (zh) * 2010-06-04 2010-11-03 北京大学 基于介观光学结构的万向太阳能电池
WO2011160017A2 (en) * 2010-06-17 2011-12-22 University Of Florida Research Foundation, Inc. Enhanced thin film solar cell performance using textured rear reflectors
GB201011729D0 (en) * 2010-07-13 2010-08-25 Pilkington Group Ltd Transparent front electrode for a photovoltaic device
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
US8445309B2 (en) 2010-08-20 2013-05-21 First Solar, Inc. Anti-reflective photovoltaic module
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US9566765B2 (en) * 2010-10-08 2017-02-14 Guardian Industries Corp. Radiation curable adhesives for reflective laminated solar panels, laminated solar panels including radiation curable adhesives, and/or associated methods
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
CN102610663A (zh) * 2011-01-25 2012-07-25 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜
BE1019826A3 (fr) * 2011-02-17 2013-01-08 Agc Glass Europe Substrat verrier transparent conducteur pour cellule photovoltaique.
US20120024695A1 (en) * 2011-03-14 2012-02-02 Primestar Solar, Inc. Systems and methods for high-rate deposition of thin film layers on photovoltaic module substrates
US20130005135A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Guardian Industries Corp. Planar patterned transparent contact, devices with planar patterned transparent contacts, and/or methods of making the same
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
US20130074905A1 (en) * 2011-09-26 2013-03-28 Benyamin Buller Photovoltaic device with reflective stack
US9079384B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Apple Inc. Touch sensor panel having an index matching passivation layer
TWI442587B (zh) * 2011-11-11 2014-06-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 外殼面板及使用該外殼面板的電子設備
KR101349596B1 (ko) * 2011-11-25 2014-01-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
US20130146875A1 (en) 2011-12-13 2013-06-13 Universal Display Corporation Split electrode for organic devices
EP2803246B1 (de) * 2012-01-10 2017-05-03 Saint-Gobain Glass France Transparente scheibe mit elektrisch leitfähiger beschichtung
KR101589854B1 (ko) * 2012-01-10 2016-01-28 쌩-고벵 글래스 프랑스 도전성 코팅을 갖는 투명한 창유리
US20140102504A1 (en) * 2012-10-15 2014-04-17 Kehinde Orekoya Full Surface Contact Twin Solar Cell
US9379259B2 (en) * 2012-11-05 2016-06-28 International Business Machines Corporation Double layered transparent conductive oxide for reduced schottky barrier in photovoltaic devices
US9557871B2 (en) 2015-04-08 2017-01-31 Guardian Industries Corp. Transparent conductive coating for capacitive touch panel or the like
US9354755B2 (en) 2012-11-27 2016-05-31 Guardian Industries Corp. Projected capacitive touch panel with a silver-inclusive transparent conducting layer(s)
US10216347B2 (en) 2012-11-27 2019-02-26 Guardian Glass, LLC Transparent conductive coating for capacitive touch panel with silver having adjusted resistance
US10248274B2 (en) 2012-11-27 2019-04-02 Guardian Glass, LLC Transparent conductive coating for capacitive touch panel and method of making same
US9733779B2 (en) 2012-11-27 2017-08-15 Guardian Industries Corp. Projected capacitive touch panel with silver-inclusive transparent conducting layer(s), and/or method of making the same
US10222921B2 (en) 2012-11-27 2019-03-05 Guardian Glass, LLC Transparent conductive coating for capacitive touch panel with silver having increased resistivity
US20160147125A1 (en) * 2014-11-24 2016-05-26 Freescale Semiconductor, Inc. Electronic devices wth transparent conducting electrodes, and methods of manufacture thereof
JP6048526B2 (ja) * 2015-03-26 2016-12-21 Tdk株式会社 透明導電体及びタッチパネル
US10133108B2 (en) 2015-04-08 2018-11-20 Guardian Glass, LLC Vending machines with large area transparent touch electrode technology, and/or associated methods
TW201722704A (zh) 2015-10-15 2017-07-01 聖高拜塑膠製品公司 季節性太陽能控制複合物
JP6601199B2 (ja) 2015-12-11 2019-11-06 Ｔｄｋ株式会社 透明導電体
CN106098816A (zh) * 2016-07-13 2016-11-09 盐城普兰特新能源有限公司 一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法
CA2967004A1 (en) * 2017-05-11 2018-11-11 Dayan Ban Cascade-type hybrid energy cells for driving wireless sensors
US10987902B2 (en) 2017-07-10 2021-04-27 Guardian Glass, LLC Techniques for laser ablation/scribing of coatings in pre- and post-laminated assemblies, and/or associated methods
US11148228B2 (en) 2017-07-10 2021-10-19 Guardian Glass, LLC Method of making insulated glass window units
FR3071357B1 (fr) * 2017-09-20 2019-11-22 Total Sa Laminat flexible de cellules photovoltaiques et procede associe
US10539864B2 (en) 2018-02-08 2020-01-21 Guardian Glass, LLC Capacitive touch panel having diffuser and patterned electrode
US20220013674A1 (en) * 2018-09-24 2022-01-13 First Solar, Inc. Photovoltaic Devices with Textured TCO Layers, and Methods of Making TCO Stacks
CN114792739B (zh) * 2022-04-12 2024-08-16 大连大学 基于光子晶体复合结构的太阳能电池下表面光学增反器

Family Cites Families (137)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL127148C (ar) * 1963-12-23
US4155781A (en) * 1976-09-03 1979-05-22 Siemens Aktiengesellschaft Method of manufacturing solar cells, utilizing single-crystal whisker growth
US4162505A (en) * 1978-04-24 1979-07-24 Rca Corporation Inverted amorphous silicon solar cell utilizing cermet layers
US4163677A (en) * 1978-04-28 1979-08-07 Rca Corporation Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier
US4213798A (en) * 1979-04-27 1980-07-22 Rca Corporation Tellurium schottky barrier contact for amorphous silicon solar cells
JPS56138701A (en) * 1980-03-31 1981-10-29 Minolta Camera Co Ltd Antireflection film
DE3280112D1 (de) 1981-07-17 1990-03-15 Kanegafuchi Chemical Ind Amorpher halbleiter und photovoltaische einrichtung aus amorphem silizium.
US4378460A (en) * 1981-08-31 1983-03-29 Rca Corporation Metal electrode for amorphous silicon solar cells
US4554727A (en) * 1982-08-04 1985-11-26 Exxon Research & Engineering Company Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces
JPS59175166A (ja) * 1983-03-23 1984-10-03 Agency Of Ind Science & Technol アモルファス光電変換素子
US4598306A (en) * 1983-07-28 1986-07-01 Energy Conversion Devices, Inc. Barrier layer for photovoltaic devices
JPH0680837B2 (ja) 1983-08-29 1994-10-12 通商産業省工業技術院長 光路を延長した光電変換素子
JPS6068663A (ja) 1983-09-26 1985-04-19 Komatsu Denshi Kinzoku Kk アモルフアスシリコン太陽電池
US4598396A (en) * 1984-04-03 1986-07-01 Itt Corporation Duplex transmission mechanism for digital telephones
US4689438A (en) * 1984-10-17 1987-08-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPS61108176A (ja) 1984-11-01 1986-05-26 Fuji Electric Co Ltd 粗面化方法
DE3446807A1 (de) * 1984-12-21 1986-07-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Duennschichtsolarzelle mit n-i-p-struktur
US4663495A (en) * 1985-06-04 1987-05-05 Atlantic Richfield Company Transparent photovoltaic module
GB2188924B (en) * 1986-04-08 1990-05-09 Glaverbel Matted glass, process of producing matted glass, photo-voltaic cell incorporating a glass sheet, and process of manufacturing such a cell
DE3704880A1 (de) 1986-07-11 1988-01-21 Nukem Gmbh Transparentes, leitfaehiges schichtsystem
AU616736B2 (en) * 1988-03-03 1991-11-07 Asahi Glass Company Limited Amorphous oxide film and article having such film thereon
EP0364780B1 (en) * 1988-09-30 1997-03-12 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Solar cell with a transparent electrode
US4940495A (en) 1988-12-07 1990-07-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photovoltaic device having light transmitting electrically conductive stacked films
JP3117446B2 (ja) 1989-06-15 2000-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物導電膜の成膜加工方法
US5073451A (en) * 1989-07-31 1991-12-17 Central Glass Company, Limited Heat insulating glass with dielectric multilayer coating
EP0436741B1 (en) * 1989-08-01 1996-06-26 Asahi Glass Company Ltd. DC sputtering method and target for producing films based on silicon dioxide
DE4000664A1 (de) 1990-01-11 1991-07-18 Siemens Ag Transparente elektrode aus leitfaehigem oxid fuer photodioden und verfahren zu ihrer herstellung
WO1992007386A1 (en) * 1990-10-15 1992-04-30 United Solar Systems Corporation Monolithic solar cell array and method for its manufacture
DE4126738A1 (de) * 1990-12-11 1992-06-17 Claussen Nils Zr0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-haltiger keramikformkoerper
US5171411A (en) 1991-05-21 1992-12-15 The Boc Group, Inc. Rotating cylindrical magnetron structure with self supporting zinc alloy target
US5256858A (en) * 1991-08-29 1993-10-26 Tomb Richard H Modular insulation electrically heated building panel with evacuated chambers
US5699035A (en) 1991-12-13 1997-12-16 Symetrix Corporation ZnO thin-film varistors and method of making the same
JP2974485B2 (ja) 1992-02-05 1999-11-10 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造法
US5230746A (en) * 1992-03-03 1993-07-27 Amoco Corporation Photovoltaic device having enhanced rear reflecting contact
US5344718A (en) 1992-04-30 1994-09-06 Guardian Industries Corp. High performance, durable, low-E glass
FR2710333B1 (fr) * 1993-09-23 1995-11-10 Saint Gobain Vitrage Int Substrat transparent muni d'un empilement de couches minces agissant sur le rayonnement solaire et/ou infra-rouge.
CN1112734C (zh) * 1993-09-30 2003-06-25 佳能株式会社 具有三层结构表面覆盖材料的太阳能电池组件
JP3029178B2 (ja) * 1994-04-27 2000-04-04 キヤノン株式会社 薄膜半導体太陽電池の製造方法
GB9500330D0 (en) * 1995-01-09 1995-03-01 Pilkington Plc Coatings on glass
FR2730990B1 (fr) * 1995-02-23 1997-04-04 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent a revetement anti-reflets
EP0733931B1 (en) * 1995-03-22 2003-08-27 Toppan Printing Co., Ltd. Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same
FR2734811B1 (fr) * 1995-06-01 1997-07-04 Saint Gobain Vitrage Substrats transparents revetus d'un empilement de couches minces a proprietes de reflexion dans l'infrarouge et/ou dans le domaine du rayonnement solaire
CZ297518B6 (cs) * 1995-09-15 2007-01-03 Rhodia Chimie Podklad opatřený povlakem, majícím fotokatalytické vlastnosti, zasklívací materiál obsahující uvedený podklad, použití uvedeného podkladu, způsob výroby tohoto podkladu, disperze protento způsob a použití této disperze při uved
JP3431776B2 (ja) * 1995-11-13 2003-07-28 シャープ株式会社 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置
DE19604699C1 (de) * 1996-02-09 1997-11-20 Ver Glaswerke Gmbh Wärmedämmendes Schichtsystem für transparente Substrate
US6433913B1 (en) * 1996-03-15 2002-08-13 Gentex Corporation Electro-optic device incorporating a discrete photovoltaic device and method and apparatus for making same
GB9619134D0 (en) * 1996-09-13 1996-10-23 Pilkington Plc Improvements in or related to coated glass
US6406639B2 (en) * 1996-11-26 2002-06-18 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method of partially forming oxide layer on glass substrate
US6123824A (en) * 1996-12-13 2000-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photo-electricity generating device
DE19713215A1 (de) 1997-03-27 1998-10-08 Forschungszentrum Juelich Gmbh Solarzelle mit texturierter TCO-Schicht sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen TCO-Schicht für eine solche Solarzelle
JP3805889B2 (ja) * 1997-06-20 2006-08-09 株式会社カネカ 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JPH1146006A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
US6222117B1 (en) * 1998-01-05 2001-04-24 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device, manufacturing method of photovoltaic device, photovoltaic device integrated with building material and power-generating apparatus
US6596135B1 (en) 1998-03-05 2003-07-22 Asahi Glass Company, Limited Sputtering target, transparent conductive film, and method for producing the same
JP4010053B2 (ja) * 1998-04-15 2007-11-21 旭硝子株式会社 太陽電池用カバーガラス及びその製造方法並びに太陽電池
US6344608B2 (en) * 1998-06-30 2002-02-05 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element
FR2781062B1 (fr) * 1998-07-09 2002-07-12 Saint Gobain Vitrage Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
WO2000013237A1 (fr) 1998-08-26 2000-03-09 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Dispositif photovoltaique
JP2000091084A (ja) 1998-09-16 2000-03-31 Trustees Of Princeton Univ ホ―ル注入性改良電極
FR2791147B1 (fr) * 1999-03-19 2002-08-30 Saint Gobain Vitrage Dispositif electrochimique du type dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables
TW463528B (en) * 1999-04-05 2001-11-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element and their preparation
NO314525B1 (no) * 1999-04-22 2003-03-31 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm
US6380480B1 (en) * 1999-05-18 2002-04-30 Nippon Sheet Glass Co., Ltd Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device
US6187824B1 (en) * 1999-08-25 2001-02-13 Nyacol Nano Technologies, Inc. Zinc oxide sol and method of making
DE19958878B4 (de) * 1999-12-07 2012-01-19 Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh Dünnschicht-Solarzelle
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US6524647B1 (en) 2000-03-24 2003-02-25 Pilkington Plc Method of forming niobium doped tin oxide coatings on glass and coated glass formed thereby
TW532048B (en) 2000-03-27 2003-05-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element
US6576349B2 (en) 2000-07-10 2003-06-10 Guardian Industries Corp. Heat treatable low-E coated articles and methods of making same
US7267879B2 (en) * 2001-02-28 2007-09-11 Guardian Industries Corp. Coated article with silicon oxynitride adjacent glass
US6521883B2 (en) * 2000-07-18 2003-02-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
US6963168B2 (en) 2000-08-23 2005-11-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL display device having certain relationships among constituent element refractive indices
US6784361B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-31 Bp Corporation North America Inc. Amorphous silicon photovoltaic devices
JP2002260448A (ja) 2000-11-21 2002-09-13 Nippon Sheet Glass Co Ltd 導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置
JP2002170431A (ja) 2000-11-29 2002-06-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 電極基板およびその製造方法
KR100768176B1 (ko) * 2001-02-07 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막
WO2002063340A1 (fr) 2001-02-07 2002-08-15 Kyoto Semiconductor Corporation Radiametre et element de detection de radiations
US6774300B2 (en) * 2001-04-27 2004-08-10 Adrena, Inc. Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure
WO2002091483A2 (en) * 2001-05-08 2002-11-14 Bp Corporation North America Inc. Improved photovoltaic device
US6589657B2 (en) * 2001-08-31 2003-07-08 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Anti-reflection coatings and associated methods
JP4162447B2 (ja) 2001-09-28 2008-10-08 三洋電機株式会社 光起電力素子及び光起電力装置
US6936347B2 (en) * 2001-10-17 2005-08-30 Guardian Industries Corp. Coated article with high visible transmission and low emissivity
FR2832706B1 (fr) * 2001-11-28 2004-07-23 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode
US6830817B2 (en) * 2001-12-21 2004-12-14 Guardian Industries Corp. Low-e coating with high visible transmission
KR100835920B1 (ko) 2001-12-27 2008-06-09 엘지디스플레이 주식회사 터치패널 일체형 액정패널
US7037869B2 (en) * 2002-01-28 2006-05-02 Guardian Industries Corp. Clear glass composition
US7144837B2 (en) 2002-01-28 2006-12-05 Guardian Industries Corp. Clear glass composition with high visible transmittance
US7169722B2 (en) * 2002-01-28 2007-01-30 Guardian Industries Corp. Clear glass composition with high visible transmittance
US6919133B2 (en) * 2002-03-01 2005-07-19 Cardinal Cg Company Thin film coating having transparent base layer
KR100505536B1 (ko) * 2002-03-27 2005-08-04 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 투명한 도전성 박막, 그것의 제조방법, 그것의 제조를위한 소결 타겟, 디스플레이 패널용의 투명한 전기전도성기재, 및 유기 전기루미네선스 디바이스
FR2844136B1 (fr) * 2002-09-03 2006-07-28 Corning Inc Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques
FR2844364B1 (fr) * 2002-09-11 2004-12-17 Saint Gobain Substrat diffusant
US7141863B1 (en) 2002-11-27 2006-11-28 University Of Toledo Method of making diode structures
TW583466B (en) * 2002-12-09 2004-04-11 Hannstar Display Corp Structure of liquid crystal display
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
TWI232066B (en) * 2002-12-25 2005-05-01 Au Optronics Corp Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light
JP4241446B2 (ja) * 2003-03-26 2009-03-18 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
JP5068946B2 (ja) * 2003-05-13 2012-11-07 旭硝子株式会社 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
US20040244829A1 (en) 2003-06-04 2004-12-09 Rearick Brian K. Coatings for encapsulation of photovoltaic cells
GB2405030A (en) 2003-08-13 2005-02-16 Univ Loughborough Bifacial thin film solar cell
US7087309B2 (en) * 2003-08-22 2006-08-08 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Coated article with tin oxide, silicon nitride and/or zinc oxide under IR reflecting layer and corresponding method
US7153579B2 (en) 2003-08-22 2006-12-26 Centre Luxembourgeois de Recherches pour le Verre et la Ceramique S.A, (C.R.V.C.) Heat treatable coated article with tin oxide inclusive layer between titanium oxide and silicon nitride
JP4761706B2 (ja) * 2003-12-25 2011-08-31 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
US8524051B2 (en) * 2004-05-18 2013-09-03 Centre Luxembourg de Recherches pour le Verre et al Ceramique S. A. (C.R.V.C.) Coated article with oxidation graded layer proximate IR reflecting layer(s) and corresponding method
US20050257824A1 (en) * 2004-05-24 2005-11-24 Maltby Michael G Photovoltaic cell including capping layer
US7700869B2 (en) * 2005-02-03 2010-04-20 Guardian Industries Corp. Solar cell low iron patterned glass and method of making same
US7531239B2 (en) * 2005-04-06 2009-05-12 Eclipse Energy Systems Inc Transparent electrode
US7700870B2 (en) 2005-05-05 2010-04-20 Guardian Industries Corp. Solar cell using low iron high transmission glass with antimony and corresponding method
US7743630B2 (en) 2005-05-05 2010-06-29 Guardian Industries Corp. Method of making float glass with transparent conductive oxide (TCO) film integrally formed on tin bath side of glass and corresponding product
US8093491B2 (en) 2005-06-03 2012-01-10 Ferro Corporation Lead free solar cell contacts
US7597964B2 (en) * 2005-08-02 2009-10-06 Guardian Industries Corp. Thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating
JP2007067194A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Fujifilm Corp 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子
US20070184573A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Guardian Industries Corp., Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device
US20070193624A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Guardian Industries Corp. Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same
US7557053B2 (en) * 2006-03-13 2009-07-07 Guardian Industries Corp. Low iron high transmission float glass for solar cell applications and method of making same
US8648252B2 (en) * 2006-03-13 2014-02-11 Guardian Industries Corp. Solar cell using low iron high transmission glass and corresponding method
US20080047602A1 (en) * 2006-08-22 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same
US20080047603A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same
WO2008063305A2 (en) * 2006-11-02 2008-05-29 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) * 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
US20080223436A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Back reflector for use in photovoltaic device
US20080308145A1 (en) 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009099509A2 (en) 2009-08-13
BRPI0907004A2 (pt) 2015-07-07
WO2009099509A3 (en) 2009-11-26
EP2248182A2 (en) 2010-11-10
US20080210303A1 (en) 2008-09-04
US8203073B2 (en) 2012-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SA109300073B1 (ar) إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه
US8076571B2 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105302A1 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8133747B2 (en) Textured rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS solar cell
US8022291B2 (en) Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
US20080302414A1 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080223436A1 (en) Back reflector for use in photovoltaic device
US20080105298A1 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
JP2010534929A (ja) 太陽電池の前面基板と太陽電池の前面基板の使用方法
WO2008063305A2 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20110180130A1 (en) Highly-conductive and textured front transparent electrode for a-si thin-film solar cells, and/or method of making the same
WO2013046386A1 (ja) 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法