RU98115283A - Устройство для умножения напряжения - Google Patents
Устройство для умножения напряженияInfo
- Publication number
- RU98115283A RU98115283A RU98115283/09A RU98115283A RU98115283A RU 98115283 A RU98115283 A RU 98115283A RU 98115283/09 A RU98115283/09 A RU 98115283/09A RU 98115283 A RU98115283 A RU 98115283A RU 98115283 A RU98115283 A RU 98115283A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- transistors
- input
- pumping
- channel
- Prior art date
Links
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 title 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 4
Claims (3)
1. Устройство для создания отрицательного высокого напряжения, в котором последовательно включены, по меньшей мере, четыре накачивающих транзистора (XI ... Х4), при этом первый накачивающий транзистор (XI) соединен непосредственно со входом (IN) и последний накачивающий транзистор (4) соединен непосредственно или опосредованно выходом (OUT) устройства, в котором затворы нечетных накачивающих транзисторов (XI, Х3) через первые конденсаторы (11, 31) соединены с первым входом (F2) тактовых сигналов и затворы четных накачивающих транзисторов (Х2, Х4) через другие первые конденсаторы (21, 41) соединены со вторым входом (F4) тактовых сигналов, в котором нечетные соединительные узлы (XI,Х2; Х3,Х4) последовательной схемы через вторые конденсаторы (12, 32) соединены с третьим входом (F3) тактовых сигналов и четные соединительные узлы (Х2,Х3; Х4,OUT соответственно, X4,Z) последовательной схемы через вторые конденсаторы (22, 42) соединены с четвертым входом (F1) тактовых сигналов и в котором накачивающие транзисторы (XI ... Х4) представляют собой высоковольтные транзисторы с n-канальной МОП-структурой, соответствующая образующая канал ванна которых соединена с соответствующим соединительным узлом последовательной схемы.
2. Устройство по п. 1, в котором затвор соответствующего накачивающего транзистора через соответствующий усилительный транзистор (Y1 ...Y4) соединен с соответствующим соединительным узлом со стороны следующего накачивающего транзистора и затвор соответствующего усилительного транзистора соединен с соответствующим соединительным узлом со стороны предыдущего накачивающего транзистора или со стороны входа (IN) устройства и в котором все усилительные транзисторы представляют собой высоковольтные транзисторы с n-канальной МОП-структурой, соответствующая образующая канал ванна которых соединена с соответствующим соединительным узлом последовательной схемы.
3. Устройство по п. 1 или 2, в котором последний накачивающий транзистор (XI) соединен опосредованно через выходной диод (Z) с выходом (OUT) устройства и в котором выходной диод (Z) представляет собой высоковольтный транзистор с n-канальной МОП-структурой, образующая канал ванна которого соединена с выходом устройства.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19601369.0 | 1996-01-16 | ||
| DE19601369A DE19601369C1 (de) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | Vorrichtung zur Spannungsvervielfachung, insb. verwendbar zur Erzeugung der Löschspannung für ein EEPROM |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98115283A true RU98115283A (ru) | 2000-06-10 |
| RU2159472C2 RU2159472C2 (ru) | 2000-11-20 |
Family
ID=7782884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98115283/09A RU2159472C2 (ru) | 1996-01-16 | 1996-12-10 | Устройство для умножения напряжения |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0875063B1 (ru) |
| JP (1) | JP3154727B2 (ru) |
| KR (1) | KR100397078B1 (ru) |
| CN (1) | CN1106647C (ru) |
| AT (1) | ATE181172T1 (ru) |
| DE (2) | DE19601369C1 (ru) |
| ES (1) | ES2135270T3 (ru) |
| IN (1) | IN191530B (ru) |
| RU (1) | RU2159472C2 (ru) |
| UA (1) | UA44823C2 (ru) |
| WO (1) | WO1997026657A1 (ru) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6130574A (en) * | 1997-01-24 | 2000-10-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit configuration for producing negative voltages, charge pump having at least two circuit configurations and method of operating a charge pump |
| KR100466198B1 (ko) * | 1997-12-12 | 2005-04-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 승압회로 |
| JP4393182B2 (ja) | 2003-05-19 | 2010-01-06 | 三菱電機株式会社 | 電圧発生回路 |
| DE102005033003A1 (de) * | 2005-07-14 | 2007-01-25 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltungsanordnung zur Potenzialerhöhung |
| US7855591B2 (en) * | 2006-06-07 | 2010-12-21 | Atmel Corporation | Method and system for providing a charge pump very low voltage applications |
| CN101662208B (zh) * | 2008-08-26 | 2013-10-30 | 天利半导体（深圳）有限公司 | 一种实现正负高压的电荷泵电路 |
| US20130257522A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Tyler Daigle | High input voltage charge pump |
| US9766171B2 (en) | 2014-03-17 | 2017-09-19 | Columbia Insurance Company | Devices, systems and method for flooring performance testing |
| RU2762290C9 (ru) * | 2020-11-30 | 2022-01-31 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Новосибирский Государственный Технический Университет" | Инвертирующий повышающий преобразователь постоянного напряжения |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5077691A (en) * | 1989-10-23 | 1991-12-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Flash EEPROM array with negative gate voltage erase operation |
| KR920006991A (ko) * | 1990-09-25 | 1992-04-28 | 김광호 | 반도체메모리 장치의 고전압발생회로 |
-
1996
- 1996-01-16 DE DE19601369A patent/DE19601369C1/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-10 JP JP52557597A patent/JP3154727B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-10 CN CN96199658A patent/CN1106647C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-10 RU RU98115283/09A patent/RU2159472C2/ru active
- 1996-12-10 KR KR10-1998-0705437A patent/KR100397078B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-12-10 ES ES96946073T patent/ES2135270T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-10 UA UA98073807A patent/UA44823C2/uk unknown
- 1996-12-10 DE DE59602202T patent/DE59602202D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-10 WO PCT/DE1996/002387 patent/WO1997026657A1/de active IP Right Grant
- 1996-12-10 AT AT96946073T patent/ATE181172T1/de active
- 1996-12-10 EP EP96946073A patent/EP0875063B1/de not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-07 IN IN35CA1997 patent/IN191530B/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE125643T1 (de) | Ladungspumpvorrichtung. | |
| KR890013862A (ko) | 전압레벨 변환회로 | |
| KR980005030A (ko) | 승압된 백게이트 바이어스를 갖는 다단 승압 회로 | |
| KR100399693B1 (ko) | 챠지 펌프 회로 | |
| KR870006724A (ko) | 스위칭 회로 | |
| KR920005319A (ko) | 반도체소자의 고전압 발생회로 | |
| RU98115283A (ru) | Устройство для умножения напряжения | |
| KR880012014A (ko) | Bimos 논리회로 | |
| KR910002127A (ko) | 전원절환회로 | |
| KR890005995A (ko) | 바이폴라-상보형 금속 산화물 반도체 인버터 | |
| KR19990044906A (ko) | 3치출력회로 | |
| ATE420485T1 (de) | Ladungspumpenvorrichtung | |
| RU2159472C2 (ru) | Устройство для умножения напряжения | |
| KR970077963A (ko) | 전류전달회로 및 이를 사용한 전류전압변환회로 | |
| KR940010531A (ko) | 전력 전압보다 작은 진폭을 갖는 입력 신호를 위한 버퍼 회로 | |
| KR100573780B1 (ko) | 전하펌프 | |
| KR950026101A (ko) | 링 발진 회로 | |
| KR100530933B1 (ko) | 레벨 변환 회로 | |
| KR940004967A (ko) | 노이즈 경감 회로를 갖는 출력 버퍼 회로 | |
| KR890004495A (ko) | 리셋트신호 발생회로 | |
| JPH04117716A (ja) | 出力回路 | |
| SU743200A1 (ru) | Элемент с трем состо ни ми | |
| SU1262721A1 (ru) | Логический элемент на КМДП-транзисторах | |
| KR970051095A (ko) | 챠지펌프 회로 | |
| KR970024538A (ko) | 아날로그 지연회로 |