RU2562923C2 - Способ изготовления подложки с маской для травления и способ изготовления продукта с рисунком. - Google Patents

Способ изготовления подложки с маской для травления и способ изготовления продукта с рисунком. Download PDF

Info

Publication number
RU2562923C2
RU2562923C2 RU2013139474/28A RU2013139474A RU2562923C2 RU 2562923 C2 RU2562923 C2 RU 2562923C2 RU 2013139474/28 A RU2013139474/28 A RU 2013139474/28A RU 2013139474 A RU2013139474 A RU 2013139474A RU 2562923 C2 RU2562923 C2 RU 2562923C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
pattern
diamond
photoresist
carbon
Prior art date
Application number
RU2013139474/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2013139474A (ru
Inventor
Каку Шигета
Шинтаро Сугавара
Татсуо Шигета
Original Assignee
Тинк Лаборатори Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тинк Лаборатори Ко., Лтд. filed Critical Тинк Лаборатори Ко., Лтд.
Publication of RU2013139474A publication Critical patent/RU2013139474A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2562923C2 publication Critical patent/RU2562923C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
    • B41N1/00—Printing plates or foils; Materials therefor
    • B41N1/12—Printing plates or foils; Materials therefor non-metallic other than stone, e.g. printing plates or foils comprising inorganic materials in an organic matrix
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H01L21/76825—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by exposing the layer to particle radiation, e.g. ion implantation, irradiation with UV light or electrons etc.
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/032—Materials
    • H05K2201/0323—Carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

Изобретение относится к подложке с маской для травления, которая нанесена при помощи алмазоподобного углерода, и способу изготовления указанной подложки. Способ изготовления подложки с маской для травления включает подготовку подложки, нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки, экспонирование и проявление фоточувствительного материала для формирования рисунка в фоторезисте, формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте и отделение покрывающей пленки вместе с рисунком в фоторезисте для формирования рисунка из алмазоподобного углерода на поверхности подложки. Техническим результатом изобретения является создание подложки с маской для травления, обеспечивающей высокоточное нанесение рисунка. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к подложке с маской для травления, которая нанесена при помощи алмазоподобного углерода, и способу изготовления указанной подложки.
Уровень техники
В изделиях промышленного производства, таких как компоненты электронных устройств, включая полупроводники и печатные платы, высокоточное нанесение рисунка осуществляется на подложке при помощи маски для травления с вытравливанием участков, отличных от участков маски для травления (например, JP 2001-160547 А и JP 2006-113498 А).
Маску для травления формируют, например, после образования фоточувствительного слоя из фоточувствительного материала на поверхности металлического слоя, осуществляя экспонирование для образования экспонированных участков и неэкспонированных участков на фоточувствительном слое с последующим проявлением, на основании разницы в растворимости проявителя между экспонированными участками и неэкспонированными участками.
Однако в последние годы, учитывая, что компоненты электронных устройств становятся более тонкими, необходимо осуществлять более высокоточное нанесение рисунка на подложки, следовательно, становится необходимым нанесение рисунка при помощи маски для травления.
Раскрытие изобретения
Настоящее изобретение было создано с учетом изложенной выше задачи из области техники, а целью настоящего изобретения является создание подложки с маской для травления, обеспечивающей высокоточное нанесение рисунка, а также способ изготовления указанной подложки.
В соответствии с настоящим изобретением предлагается способ изготовления подложки с маской для травления, который включает следующие этапы: подготовка подложки; нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки; осуществление экспонирования и проявления фоточувствительного материала с образованием рисунка в фоторезисте, формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте; отделение покрывающей пленки из алмазоподобного углерода, образовавшейся на рисунке в фоторезисте, вместе с рисунком в фоторезисте.
Таким образом, покрывающая пленка из алмазоподобного углерода, сформированная на рисунке в фоторезисте, отделяется вместе с рисунком в фоторезисте и, следовательно, становится возможным получение четкого рисунка. Другими словами, в соответствии с настоящим изобретением, используется так называемый метод обратной литографии, следовательно, не возникает проблема бокового подтравливания и, по сравнению с нанесением рисунка из алмазоподобного углерода путем травления, достигается более точное нанесение рисунка.
Предпочтительно, подложка, на которую наносится фоточувствительный материал, содержит, по крайней мере, один материал, выбранный из группы, включающей: Cu, Ag, Al, Au, Pt, Pd, Zn, Mg, Fe, нержавеющую сталь, Ni, Ni-Cr, Sn, Ti, Ti - сплавы, Si, SiO2, стекло, Cr и Mo.
Предпочтительно, чтобы подложка имела амортизирующий слой, изготовленный из каучука или смолы с буферными свойствами. Другими словами, подложка может быть сформирована на амортизирующем слое из смолы или каучука с буферными свойствами. В качестве амортизирующего слоя может использоваться синтетический каучук, такой как силиконовый каучук, или эластичная синтетическая смола, такая как полиуретан или полистирен. Поскольку амортизирующий слой имеет достаточную толщину, которая обеспечивает его буферные свойства, упругость и толщину слоя специально не регламентируют, например толщина, приблизительно, от 1 до 5 см является достаточной. Примером подложки, имеющей амортизирующий слой из каучука или смолы с буферными свойствами, является плата для глубокой печати, описанная в JP 2009-093170 А.
В качестве указанного выше фоточувствительного материала может использоваться любой позитивный фоточувствительный материал или любой негативный фоточувствительный материал, однако негативный фоточувствительный материал является предпочтительным.
Предпочтительно, чтобы толщина покрывающей пленки из алмазоподобного углерода составляла от 0,1 мкм до нескольких десятков микрометров. Специфически, предпочтительно, чтобы толщина покрытия составляла от 0,1 мкм до 20 мкм, более предпочтительно, от 0,1 мкм до 5 мкм.
В соответствии с настоящим изобретением предлагается способ изготовления указанного продукта с рисунком, включающий следующие этапы: нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки; осуществление экспонирования и проявления фоточувствительного материала с образованием рисунка в фоторезисте; формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте; отделение покрывающей пленки из алмазоподобного углерода, образовавшейся на рисунке в фоторезисте вместе с рисунком в фоторезисте; травление подложки и удаление рисунка из алмазоподобного углерода при помощи кислородного озоления.
Продукт с рисунком, соответствующий настоящему изобретению, может применяться в качестве различных промышленных продуктов с рисунком, таких как различные электронные компоненты, включая полупроводниковые компоненты и печатные платы.
Настоящее изобретение имеет существенное преимущество, поскольку предлагает подложку с маской для травления, которая обеспечивает получение высокоточного рисунка, а также способ изготовления указанной подложки.
Краткое описание чертежей
Фиг. 1 представляют собой пояснительные диаграммы, схематически иллюстрирующие в качестве примера подложку с маской для травления и продукт с нанесенным рисунком, заявленные в соответствии с настоящим изобретением.
Фиг. 1(a) представляет собой боковую проекцию основной детали в положении, в котором фоточувствительный материал наносится на поверхность подложки.
Фиг. 1(b) представляет собой боковую проекцию основной части в положении, в котором осуществляется экспонирование и проявление фоточувствительного материала для формирования рисунка в фоторезисте.
Фиг. 1(c) представляет собой боковую проекцию основной детали в положении, в котором на поверхности подложки и рисунка в фоторезисте формируется покрывающая пленка из алмазоподобного углерода.
Фиг. 1(d) представляет собой боковую проекцию основной детали в положении, в котором покрывающую пленку из алмазоподобного углерода, сформированную на рисунке в фоторезисте отделяют вместе с рисунком в фоторезисте.
Фиг. 1(e) представляет собой боковую проекцию основной детали в положении, при котором подложка подвергается травлению.
Фиг. 1(f) представляет собой боковую проекцию основной детали в положении, при котором рисунок из алмазоподобного углерода удаляют при помощи кислородного озоления.
Фиг. 2 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую основные последовательные этапы способа изготовления подложки с маской для травления, представленной на Фиг. 1.
Фиг. 3 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую основные последовательные этапы способа производства продукта с нанесенным рисунком, заявленным в соответствии с настоящим изобретением.
Фиг. 4 представляет собой увеличенное изображение поверхности подложки с маской для травления, изготовленной в соответствии с приведенным ниже примером.
Фиг. 5 представляет собой увеличенное изображение поверхности продукта с рисунком, изготовленной в соответствии с приведенным ниже примером.
Осуществление изобретения
Осуществление настоящего изобретения описано ниже, однако является по существу одним из вариантов осуществления изобретения. Изобретение может быть осуществлено с внесением различных изменений без отклонения от существа и основной технической концепции настоящего изобретения.
На Фиг. 1 под номером 10 обозначена подложка с маской для травления. Под номером 12 представлена подложка, содержащая, по крайней мере, один материал, выбранный из группы, включающей Cu, Ag, Al, Au, Pt, Pd, Zn, Mg, Fe, нержавеющую сталь, Ni, Ni-Cr, Sn, Ti, Ti - сплавы, Si, SiO2, стекло, Cr и Mo.
Кроме того, подложка может иметь амортизирующий слой, сформированный из каучука или смолы, обладающей буферными свойствами. Другими словами, подложка может быть сформирована на амортизирующем слое из каучука или резины, обладающей буферными свойствами.
Сначала фоточувствительный материал 14 наносят на поверхность подложки 12 (как показано на Фиг. 1(a) и Фиг. 2 - стадия 100). Осуществляют экспонирование и проявление фоточувствительного материала с формированием рисунка на фоторезисте 16 (Фиг. 1(b) и Фиг. 2 - стадия 102). В качестве фоточувствительного материала может использоваться любая позитивная фоточувствительная композиция или любая негативная фоточувствительная композиция, однако негативная фоточувствительная композиция является предпочтительной.
Затем на поверхности подложки 12 и поверхности рисунка в фоторезисте 16 (Фиг. 1(c) и Фиг. 2 - стадия 104) формируют покрывающую пленку из алмазоподобного углерода. Покрывающая пленка из алмазоподобного углерода может быть сформирована при помощи газофазного химического осаждения или напыления.
После этого покрывающую пленку из алмазоподобного углерода, сформированную на поверхности рисунка в фоторезисте, отделяют вместе с рисунком в фоторезисте с образованием рисунка 20 из алмазоподобного углерода на поверхности подложки (Фиг. 1(d) и Фиг. 2 - стадия 106).
Для получения продукта с рисунком, заявленного в соответствии с настоящим изобретением, после указанных выше стадий 100-106 дополнительно подвергают подложку 12 травлению (Фиг. 1(e) и Фиг. 3 - стадия 108) с образованием вытравленного рисунка 22, а рисунок алмазоподобного углерода удаляют при помощи кислородного озоления (Фиг. 1(f) и Фиг. 3 - стадия 110). Затем, на завершающем этапе, поверхность подложки с вытравленным рисунком, сформированную в течение указанного процесса, полируют для получения готового продукта с рисунком 24, заявленного в соответствии с настоящим изобретением.
Примеры
Настоящее изобретение более детально описывается в примере, представленном исключительно с иллюстративной целью, но не как ограничивающим сущность изобретения.
Подготовили подложку (алюминиевый пустотелый валик) с окружностью 600 мм и длиной 1,100 мм. Для осуществления этапов по формированию медного покрывающего слоя и никелевого покрывающего слоя, как описано ниже, применяли прибор Boomerang Line (оборудование для автоматизированной лазерной гравировки печатных форм компании THINK LABORATORY Co., Ltd.). Для начала подложку (алюминиевый пустотелый валик) помещали в ванну для нанесения медного покрытия и весь пустотелый валик погружали в раствор для формирования медного покрывающего слоя толщиной 80 мкм при 20 А/дм и 6,0 В. Был получен однородный медный покрывающий слой без каких-либо выступов и углублений. Поверхность медного покрывающего слоя полировали шлифовальной машиной с 4 головками (шлифовальная машина изготовлена THINK LABORATORY Co., Ltd.) для получения идеально гладкого медного покрывающего слоя. Затем подложку помещали в ванную для нанесения никелевого покрытия и весь пустотелый валик погружали в раствор для формирования никелевого покрывающего слоя толщиной 20 мкм при 2 А/дм и 7,0 В. Был получен однородный никелевый покрывающий слой без каких-либо выступов и углублений. Полученный, как указано выше, никелевый покрывающий слой использовали в качестве подложки, фоточувствительную пленку (термически устойчивая пленка TSER-NS, производится THINK LABORATORY Co., Ltd.) наносили на поверхность подложки (при помощи фонтанного станка) и высушивали. Толщина полученной фоточувствительной пленки, измеренная при помощи шкалы для толщины пленки (F20, производится компанией Fillmetrics, Inc. и поставляется на рынок фирмой Matsushita Techno Trading Co., Ltd.) составляла 7 мкм. Затем осуществляли лазерное экспонирование и проявляли изображение. Для осуществления указанного выше лазерного экспонирования использовали прибор Laser Stream FX, а предварительное экспонирование рисунка осуществляли при условиях экспонирования 300 мДж/см2. Кроме того, указанное выше проявление рисунка осуществляли при помощи проявителя TDL (проявитель, производимый компанией THINK LABORATORY Co., Ltd.) с соотношением разведения проявителя (неразведенный раствор: вода = 1:7), проявление осуществляли при 24°C в течение 90 секунд для формирования предварительного рисунка в фоторезисте.
Покрывающая пленка из алмазоподобного углерода была сформирована при помощи газофазного химического осаждения на поверхности никелевого покрывающего слоя и рисунка в фоторезисте. Был сформирован промежуточный слой толщиной 0,1 мкм в атмосфере аргон/водород с использованием гексаметилдисилоксана в качестве материального газа при температуре формирования пленки от 80-120°C в течение периода времени, достаточного для формирования пленки и составлявшего 60 минут. Затем формировали слой из алмазоподобного углерода толщиной 5 мкм с использованием толуола в качестве материального газа при температуре формирования пленки от 80-120°C в течение периода времени, достаточного для формирования пленки и составлявшего 180 минут.
Затем подложку обрабатывали ультразвуком в водном растворе гидроксида натрия в течение 30 минут. Затем покрывающую пленку из алмазоподобного углерода, сформированную на рисунке в фоторезисте, отделяли вместе с рисунком в фоторезисте с получением подложки с маской для травления, имевшей рисунок из алмазоподобного углерода на поверхности подложки.
Поверхность подложки с маской для травления изучали под световым микроскопом. В результате наблюдения было установлено, что была изготовлена подложка с высокоточной маской для травления, представленная на Фиг. 4. На Фиг. 4 ширина линий рисунка 20 из алмазоподобного углерода составляет 10 мкм.
Затем на подложку с маской для травления путем распыления наносили реактив для травления: азотная кислота (5%) + перекись водорода (5%) для протравливания никелевого слоя, который и является подложкой.
Затем, после вытравливания никелевого слоя подложку с маской для травления переносили в специальную камеру и осуществляли кислородное озоление в отношении рисунка 20 из алмазоподобного углерода для его удаления. Поверхность никелевого слоя со сформированным вытравленным рисунком 22 полировали шлифовальной машиной с 4 головками (шлифовальная машина изготовлена THINK LABORATORY Co., Ltd.) для получения продукта с высокоточным рисунком (см. Фиг. 5). Согласно Фиг. 5 поверхность продукта с рисунком при изучении под световым микроскопом имела ширину линий и глубину вытравленного рисунка 22, соответственно, 14 мкм и 5 мкм.
Кроме того, подложки с масками для травления изготавливали по аналогии с представленным выше примером с использованием Ni также для случаев, когда Cu, Ag, Al, Au, Pt, Pd, Zn, Mg, Fe, нержавеющая сталь, Ni-Cr, Sn, Ti, Ti сплавы, Si, SiO2, стекло, Cr и Mo, соответственно, использовались в качестве подложки. Поверхности указанных подложек с масками для травления изучали под световым микроскопом. В результате наблюдения было установлено, что были изготовлены подложки с высокоточными масками для травления.
Кроме того, подложку с маской для травления изготавливали по аналогии с представленным выше примером с применением Ni, за тем исключением, что в качестве подложки использовался валик, в котором никелевая втулка толщиной 0,4 мм была установлена на силиконовую смолу. В конкретном примере подложка, имеющая амортизирующий слой из силиконовой смолы, использовалась для изготовления подложки с маской для травления по аналогии с приведенным выше примером. Полученную подложку с маской для травления изучали под электронным микроскопом. Было установлено, что подложка имеет высокоточный рисунок из алмазоподобного углерода.
Перечень цифровых обозначений:
10 - подложка с маской для травления; 12 - подложка, 14 - фоточувствительный материал, 16 - рисунок в фоторезисте; 18 - покрывающая пленка из алмазоподобного углерода, 20 - рисунок из алмазоподобного углерода, 22 - вытравленный рисунок, 24 - продукт с рисунком.

Claims (6)

1. Способ изготовления подложки с маской для травления, включающий подготовку подложки;
нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки;
экспонирование и проявление фоточувствительного материала для формирования рисунка в фоторезисте;
формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте; и
отделение покрывающей пленки из алмазоподобного углерода, сформированной на поверхности рисунка в фоторезисте, вместе с рисунком в фоторезисте.
2. Способ изготовления подложки с маской для травления по п. 1, в котором подложка, на которую наносят фоточувствительный материал, содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей Cu, Ag, Al, Au, Pt, Pd, Zn, Mg, Fe, нержавеющую сталь, Ni, Ni-Cr, Sn, Ti, Ti - сплавы, Si, SiO2, стекло, Cr и Mo.
3. Способ изготовления подложки с маской для травления по п. 1, в котором указанная подложка включает амортизирующий слой, сформированный из каучука или смолы с буферными свойствами.
4. Способ изготовления подложки с маской для травления по п. 1, в котором фоточувствительный материал представляет собой негативную фоточувствительную композицию.
5. Способ изготовления подложки с маской для травления по п. 1, в котором толщина покрывающей пленки из алмазоподобного углерода составляет от 0,1 мкм до нескольких десятков микрометров.
6. Способ изготовления продукта с рисунком, предназначенного для применения в качестве электронного компонента, включающий нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки;
экспонирование и проявление фоточувствительного материала для формирования рисунка в фоторезисте;
формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте;
отделение покрывающей пленки из алмазоподобного углерода, сформированной на поверхности рисунка в фоторезисте, вместе с рисунком в фоторезисте для формирования рисунка из алмазоподобного углерода на поверхности подложки;
травление подложки; и
удаление рисунка из алмазоподобного углерода при помощи кислородного озоления.
RU2013139474/28A 2011-02-10 2012-02-08 Способ изготовления подложки с маской для травления и способ изготовления продукта с рисунком. RU2562923C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-026688 2011-02-10
JP2011026688A JP2012169316A (ja) 2011-02-10 2011-02-10 エッチングマスク付基材及びその製造方法
PCT/JP2012/052859 WO2012108464A1 (ja) 2011-02-10 2012-02-08 エッチングマスク付基材及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013139474A RU2013139474A (ru) 2015-03-20
RU2562923C2 true RU2562923C2 (ru) 2015-09-10

Family

ID=46638677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013139474/28A RU2562923C2 (ru) 2011-02-10 2012-02-08 Способ изготовления подложки с маской для травления и способ изготовления продукта с рисунком.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9188873B2 (ru)
EP (1) EP2674969A4 (ru)
JP (1) JP2012169316A (ru)
KR (1) KR20140036130A (ru)
CN (1) CN103329254B (ru)
RU (1) RU2562923C2 (ru)
WO (1) WO2012108464A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2774070C1 (ru) * 2018-11-14 2022-06-15 Сэн-Гобэн Гласс Франс Способ селективного травления слоя или пакета слоев на стеклянной подложке

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101648544B1 (ko) * 2013-02-12 2016-08-17 가부시키가이샤 씽크. 라보라토리 연속 도금용 패터닝 롤 및 그 제조 방법
JPWO2015076180A1 (ja) * 2013-11-25 2017-03-16 株式会社シンク・ラボラトリー パターン付ロールの製造方法
DE102015104416A1 (de) * 2015-03-24 2016-09-29 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Mehrschichtkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
RU2610782C1 (ru) * 2015-11-11 2017-02-15 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" Способ изготовления резистной маски с расширенным диапазоном разрешения изображения
JPWO2017104327A1 (ja) * 2015-12-16 2018-10-04 株式会社シンク・ラボラトリー シームレスオフセット円筒状印刷版及びその製造方法並びに再生処理方法
JP6792106B2 (ja) * 2017-03-30 2020-11-25 スピードファム株式会社 ワークキャリア及びワークキャリアの製造方法
CN108190830A (zh) * 2017-12-29 2018-06-22 长沙新材料产业研究院有限公司 一种高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000010300A (ja) * 1998-06-18 2000-01-14 Think Laboratory Co Ltd クッション性を有する印刷版の製造方法
US6673684B1 (en) * 2002-07-31 2004-01-06 Advanced Micro Devices, Inc. Use of diamond as a hard mask material
JP2010094807A (ja) * 2008-09-19 2010-04-30 Think Laboratory Co Ltd 凹部付き発熱ロール
RU2400790C1 (ru) * 2009-04-13 2010-09-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА") Способ взрывной литографии пленочных островковых структур

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6348829A (ja) * 1986-08-19 1988-03-01 Toshiba Corp ドライエツチング方法
JPH01104761A (ja) * 1987-10-14 1989-04-21 Ricoh Co Ltd パターン化ダイヤモンド状炭素膜の製法
JPH01276138A (ja) * 1988-04-28 1989-11-06 Fujitsu Ltd 膜面保護フレーム付ペリクル
JPH0536591A (ja) * 1991-07-26 1993-02-12 Toshiba Corp Ｘ線マスクの製造方法
JPH05279854A (ja) * 1992-04-01 1993-10-26 Sharp Corp ダイヤモンド膜の形成方法
JP3233707B2 (ja) * 1992-12-25 2001-11-26 日本特殊陶業株式会社 ダイヤモンドの選択形成法
JP3597664B2 (ja) * 1997-03-14 2004-12-08 株式会社東芝 磁気ヘッドの製造方法
JP3760688B2 (ja) * 1999-08-26 2006-03-29 富士電機ホールディングス株式会社 炭化けい素半導体素子の製造方法
JP3430091B2 (ja) 1999-12-01 2003-07-28 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 エッチングマスク及びエッチングマスクを用いたコンタクトホールの形成方法並びにその方法で形成した半導体装置
JP3697426B2 (ja) 2002-04-24 2005-09-21 株式会社東芝 パターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP4483518B2 (ja) 2004-10-18 2010-06-16 Ｊｓｒ株式会社 エッチングマスク組成物
JP2007242596A (ja) 2006-02-09 2007-09-20 Univ Of Tokyo プロセスプラズマ発生装置及び材料プロセシング方法
JPWO2007135901A1 (ja) * 2006-05-19 2009-10-01 株式会社シンク・ラボラトリー グラビア製版ロール及びその製造方法
JP5198998B2 (ja) 2007-09-20 2013-05-15 株式会社シンク・ラボラトリー クッション性を有するグラビア版及びその製造方法
JP2009090663A (ja) * 2007-09-20 2009-04-30 Think Laboratory Co Ltd グラビア両面同時印刷装置
JP5272936B2 (ja) * 2009-07-14 2013-08-28 富士電機株式会社 パターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000010300A (ja) * 1998-06-18 2000-01-14 Think Laboratory Co Ltd クッション性を有する印刷版の製造方法
US6673684B1 (en) * 2002-07-31 2004-01-06 Advanced Micro Devices, Inc. Use of diamond as a hard mask material
JP2010094807A (ja) * 2008-09-19 2010-04-30 Think Laboratory Co Ltd 凹部付き発熱ロール
RU2400790C1 (ru) * 2009-04-13 2010-09-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА") Способ взрывной литографии пленочных островковых структур

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2774070C1 (ru) * 2018-11-14 2022-06-15 Сэн-Гобэн Гласс Франс Способ селективного травления слоя или пакета слоев на стеклянной подложке

Also Published As

Publication number Publication date
US9188873B2 (en) 2015-11-17
EP2674969A4 (en) 2017-04-26
CN103329254A (zh) 2013-09-25
RU2013139474A (ru) 2015-03-20
EP2674969A1 (en) 2013-12-18
US20130337231A1 (en) 2013-12-19
WO2012108464A1 (ja) 2012-08-16
KR20140036130A (ko) 2014-03-25
CN103329254B (zh) 2016-10-19
JP2012169316A (ja) 2012-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2562923C2 (ru) Способ изготовления подложки с маской для травления и способ изготовления продукта с рисунком.
EP1835339B1 (fr) Procédé de fabrication par technologie de type liga d'une structure métallique monocouche ou multicouche, et structure obtenue
EP2004881B1 (fr) Procede de fabrication par liga-uv d'une structure metallique multicouche a couches adjacentes non entierement superposees, et structure obtenue
JP2012154964A (ja) パターン付ロール及びその製造方法
WO2007138747A1 (ja) レジスト膜剥離方法、マスクブランクスの製造方法および転写マスクの製造方法
KR101105422B1 (ko) 오프셋 인쇄용 요판의 제조 방법
KR20140033736A (ko) 도금방식으로 성장시킨 메탈 마스크와 그 제작방법
KR20130050393A (ko) 패턴 형성방법, 기판 제조방법, 및 몰드 제조방법
JP2010135609A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010247500A (ja) マスク及びマスクの製造方法
KR20110003084A (ko) 오프셋 인쇄용 요판 및 그 제조 방법
KR20130060999A (ko) 패턴 형성 방법
KR101648544B1 (ko) 연속 도금용 패터닝 롤 및 그 제조 방법
JP5992515B2 (ja) パターン付ロールの製造方法
WO2015076180A1 (ja) パターン付ロール及びその製造方法
JP2011040656A (ja) 微細構造体形成方法
KR100727371B1 (ko) 다층 감광막을 이용한 금속마스크 제작방법 및 금속마스크
JP2014077186A (ja) メタルマスクの製造方法
JP4164592B2 (ja) スタンパの製造方法
TWI269778B (en) A manufacturing method of a cavity
US20090277795A1 (en) Process for fabricating molding stamp
JPS61267762A (ja) フォトマスクブランクとフォトマスクの製造方法
JP6119144B2 (ja) ステンシルマスクブランク、ステンシルマスク、及び、ステンシルマスク製造方法
JPS61119062A (ja) 金属配線パタ−ンの形成方法
KR20080012484A (ko) 포토마스크 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
HE9A Changing address for correspondence with an applicant
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210209