RU2562923C2 - Способ изготовления подложки с маской для травления и способ изготовления продукта с рисунком. - Google Patents
Способ изготовления подложки с маской для травления и способ изготовления продукта с рисунком. Download PDFInfo
- Publication number
- RU2562923C2 RU2562923C2 RU2013139474/28A RU2013139474A RU2562923C2 RU 2562923 C2 RU2562923 C2 RU 2562923C2 RU 2013139474/28 A RU2013139474/28 A RU 2013139474/28A RU 2013139474 A RU2013139474 A RU 2013139474A RU 2562923 C2 RU2562923 C2 RU 2562923C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- diamond
- photoresist
- carbon
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 21
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 abstract 3
- 239000013039 cover film Substances 0.000 abstract 2
- 241000711981 Sais Species 0.000 abstract 1
- 238000010327 methods by industry Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- -1 Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
- B41N1/00—Printing plates or foils; Materials therefor
- B41N1/12—Printing plates or foils; Materials therefor non-metallic other than stone, e.g. printing plates or foils comprising inorganic materials in an organic matrix
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
- H01L21/76825—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by exposing the layer to particle radiation, e.g. ion implantation, irradiation with UV light or electrons etc.
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0323—Carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Изобретение относится к подложке с маской для травления, которая нанесена при помощи алмазоподобного углерода, и способу изготовления указанной подложки. Способ изготовления подложки с маской для травления включает подготовку подложки, нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки, экспонирование и проявление фоточувствительного материала для формирования рисунка в фоторезисте, формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте и отделение покрывающей пленки вместе с рисунком в фоторезисте для формирования рисунка из алмазоподобного углерода на поверхности подложки. Техническим результатом изобретения является создание подложки с маской для травления, обеспечивающей высокоточное нанесение рисунка. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 5 ил.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к подложке с маской для травления, которая нанесена при помощи алмазоподобного углерода, и способу изготовления указанной подложки.
Уровень техники
В изделиях промышленного производства, таких как компоненты электронных устройств, включая полупроводники и печатные платы, высокоточное нанесение рисунка осуществляется на подложке при помощи маски для травления с вытравливанием участков, отличных от участков маски для травления (например, JP 2001-160547 А и JP 2006-113498 А).
Маску для травления формируют, например, после образования фоточувствительного слоя из фоточувствительного материала на поверхности металлического слоя, осуществляя экспонирование для образования экспонированных участков и неэкспонированных участков на фоточувствительном слое с последующим проявлением, на основании разницы в растворимости проявителя между экспонированными участками и неэкспонированными участками.
Однако в последние годы, учитывая, что компоненты электронных устройств становятся более тонкими, необходимо осуществлять более высокоточное нанесение рисунка на подложки, следовательно, становится необходимым нанесение рисунка при помощи маски для травления.
Раскрытие изобретения
Настоящее изобретение было создано с учетом изложенной выше задачи из области техники, а целью настоящего изобретения является создание подложки с маской для травления, обеспечивающей высокоточное нанесение рисунка, а также способ изготовления указанной подложки.
В соответствии с настоящим изобретением предлагается способ изготовления подложки с маской для травления, который включает следующие этапы: подготовка подложки; нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки; осуществление экспонирования и проявления фоточувствительного материала с образованием рисунка в фоторезисте, формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте; отделение покрывающей пленки из алмазоподобного углерода, образовавшейся на рисунке в фоторезисте, вместе с рисунком в фоторезисте.
Таким образом, покрывающая пленка из алмазоподобного углерода, сформированная на рисунке в фоторезисте, отделяется вместе с рисунком в фоторезисте и, следовательно, становится возможным получение четкого рисунка. Другими словами, в соответствии с настоящим изобретением, используется так называемый метод обратной литографии, следовательно, не возникает проблема бокового подтравливания и, по сравнению с нанесением рисунка из алмазоподобного углерода путем травления, достигается более точное нанесение рисунка.
Предпочтительно, подложка, на которую наносится фоточувствительный материал, содержит, по крайней мере, один материал, выбранный из группы, включающей: Cu, Ag, Al, Au, Pt, Pd, Zn, Mg, Fe, нержавеющую сталь, Ni, Ni-Cr, Sn, Ti, Ti - сплавы, Si, SiO2, стекло, Cr и Mo.
Предпочтительно, чтобы подложка имела амортизирующий слой, изготовленный из каучука или смолы с буферными свойствами. Другими словами, подложка может быть сформирована на амортизирующем слое из смолы или каучука с буферными свойствами. В качестве амортизирующего слоя может использоваться синтетический каучук, такой как силиконовый каучук, или эластичная синтетическая смола, такая как полиуретан или полистирен. Поскольку амортизирующий слой имеет достаточную толщину, которая обеспечивает его буферные свойства, упругость и толщину слоя специально не регламентируют, например толщина, приблизительно, от 1 до 5 см является достаточной. Примером подложки, имеющей амортизирующий слой из каучука или смолы с буферными свойствами, является плата для глубокой печати, описанная в JP 2009-093170 А.
В качестве указанного выше фоточувствительного материала может использоваться любой позитивный фоточувствительный материал или любой негативный фоточувствительный материал, однако негативный фоточувствительный материал является предпочтительным.
Предпочтительно, чтобы толщина покрывающей пленки из алмазоподобного углерода составляла от 0,1 мкм до нескольких десятков микрометров. Специфически, предпочтительно, чтобы толщина покрытия составляла от 0,1 мкм до 20 мкм, более предпочтительно, от 0,1 мкм до 5 мкм.
В соответствии с настоящим изобретением предлагается способ изготовления указанного продукта с рисунком, включающий следующие этапы: нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки; осуществление экспонирования и проявления фоточувствительного материала с образованием рисунка в фоторезисте; формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте; отделение покрывающей пленки из алмазоподобного углерода, образовавшейся на рисунке в фоторезисте вместе с рисунком в фоторезисте; травление подложки и удаление рисунка из алмазоподобного углерода при помощи кислородного озоления.
Продукт с рисунком, соответствующий настоящему изобретению, может применяться в качестве различных промышленных продуктов с рисунком, таких как различные электронные компоненты, включая полупроводниковые компоненты и печатные платы.
Настоящее изобретение имеет существенное преимущество, поскольку предлагает подложку с маской для травления, которая обеспечивает получение высокоточного рисунка, а также способ изготовления указанной подложки.
Краткое описание чертежей
Фиг. 1 представляют собой пояснительные диаграммы, схематически иллюстрирующие в качестве примера подложку с маской для травления и продукт с нанесенным рисунком, заявленные в соответствии с настоящим изобретением.
Фиг. 1(a) представляет собой боковую проекцию основной детали в положении, в котором фоточувствительный материал наносится на поверхность подложки.
Фиг. 1(b) представляет собой боковую проекцию основной части в положении, в котором осуществляется экспонирование и проявление фоточувствительного материала для формирования рисунка в фоторезисте.
Фиг. 1(c) представляет собой боковую проекцию основной детали в положении, в котором на поверхности подложки и рисунка в фоторезисте формируется покрывающая пленка из алмазоподобного углерода.
Фиг. 1(d) представляет собой боковую проекцию основной детали в положении, в котором покрывающую пленку из алмазоподобного углерода, сформированную на рисунке в фоторезисте отделяют вместе с рисунком в фоторезисте.
Фиг. 1(e) представляет собой боковую проекцию основной детали в положении, при котором подложка подвергается травлению.
Фиг. 1(f) представляет собой боковую проекцию основной детали в положении, при котором рисунок из алмазоподобного углерода удаляют при помощи кислородного озоления.
Фиг. 2 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую основные последовательные этапы способа изготовления подложки с маской для травления, представленной на Фиг. 1.
Фиг. 3 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую основные последовательные этапы способа производства продукта с нанесенным рисунком, заявленным в соответствии с настоящим изобретением.
Фиг. 4 представляет собой увеличенное изображение поверхности подложки с маской для травления, изготовленной в соответствии с приведенным ниже примером.
Фиг. 5 представляет собой увеличенное изображение поверхности продукта с рисунком, изготовленной в соответствии с приведенным ниже примером.
Осуществление изобретения
Осуществление настоящего изобретения описано ниже, однако является по существу одним из вариантов осуществления изобретения. Изобретение может быть осуществлено с внесением различных изменений без отклонения от существа и основной технической концепции настоящего изобретения.
На Фиг. 1 под номером 10 обозначена подложка с маской для травления. Под номером 12 представлена подложка, содержащая, по крайней мере, один материал, выбранный из группы, включающей Cu, Ag, Al, Au, Pt, Pd, Zn, Mg, Fe, нержавеющую сталь, Ni, Ni-Cr, Sn, Ti, Ti - сплавы, Si, SiO2, стекло, Cr и Mo.
Кроме того, подложка может иметь амортизирующий слой, сформированный из каучука или смолы, обладающей буферными свойствами. Другими словами, подложка может быть сформирована на амортизирующем слое из каучука или резины, обладающей буферными свойствами.
Сначала фоточувствительный материал 14 наносят на поверхность подложки 12 (как показано на Фиг. 1(a) и Фиг. 2 - стадия 100). Осуществляют экспонирование и проявление фоточувствительного материала с формированием рисунка на фоторезисте 16 (Фиг. 1(b) и Фиг. 2 - стадия 102). В качестве фоточувствительного материала может использоваться любая позитивная фоточувствительная композиция или любая негативная фоточувствительная композиция, однако негативная фоточувствительная композиция является предпочтительной.
Затем на поверхности подложки 12 и поверхности рисунка в фоторезисте 16 (Фиг. 1(c) и Фиг. 2 - стадия 104) формируют покрывающую пленку из алмазоподобного углерода. Покрывающая пленка из алмазоподобного углерода может быть сформирована при помощи газофазного химического осаждения или напыления.
После этого покрывающую пленку из алмазоподобного углерода, сформированную на поверхности рисунка в фоторезисте, отделяют вместе с рисунком в фоторезисте с образованием рисунка 20 из алмазоподобного углерода на поверхности подложки (Фиг. 1(d) и Фиг. 2 - стадия 106).
Для получения продукта с рисунком, заявленного в соответствии с настоящим изобретением, после указанных выше стадий 100-106 дополнительно подвергают подложку 12 травлению (Фиг. 1(e) и Фиг. 3 - стадия 108) с образованием вытравленного рисунка 22, а рисунок алмазоподобного углерода удаляют при помощи кислородного озоления (Фиг. 1(f) и Фиг. 3 - стадия 110). Затем, на завершающем этапе, поверхность подложки с вытравленным рисунком, сформированную в течение указанного процесса, полируют для получения готового продукта с рисунком 24, заявленного в соответствии с настоящим изобретением.
Примеры
Настоящее изобретение более детально описывается в примере, представленном исключительно с иллюстративной целью, но не как ограничивающим сущность изобретения.
Подготовили подложку (алюминиевый пустотелый валик) с окружностью 600 мм и длиной 1,100 мм. Для осуществления этапов по формированию медного покрывающего слоя и никелевого покрывающего слоя, как описано ниже, применяли прибор Boomerang Line (оборудование для автоматизированной лазерной гравировки печатных форм компании THINK LABORATORY Co., Ltd.). Для начала подложку (алюминиевый пустотелый валик) помещали в ванну для нанесения медного покрытия и весь пустотелый валик погружали в раствор для формирования медного покрывающего слоя толщиной 80 мкм при 20 А/дм и 6,0 В. Был получен однородный медный покрывающий слой без каких-либо выступов и углублений. Поверхность медного покрывающего слоя полировали шлифовальной машиной с 4 головками (шлифовальная машина изготовлена THINK LABORATORY Co., Ltd.) для получения идеально гладкого медного покрывающего слоя. Затем подложку помещали в ванную для нанесения никелевого покрытия и весь пустотелый валик погружали в раствор для формирования никелевого покрывающего слоя толщиной 20 мкм при 2 А/дм и 7,0 В. Был получен однородный никелевый покрывающий слой без каких-либо выступов и углублений. Полученный, как указано выше, никелевый покрывающий слой использовали в качестве подложки, фоточувствительную пленку (термически устойчивая пленка TSER-NS, производится THINK LABORATORY Co., Ltd.) наносили на поверхность подложки (при помощи фонтанного станка) и высушивали. Толщина полученной фоточувствительной пленки, измеренная при помощи шкалы для толщины пленки (F20, производится компанией Fillmetrics, Inc. и поставляется на рынок фирмой Matsushita Techno Trading Co., Ltd.) составляла 7 мкм. Затем осуществляли лазерное экспонирование и проявляли изображение. Для осуществления указанного выше лазерного экспонирования использовали прибор Laser Stream FX, а предварительное экспонирование рисунка осуществляли при условиях экспонирования 300 мДж/см2. Кроме того, указанное выше проявление рисунка осуществляли при помощи проявителя TDL (проявитель, производимый компанией THINK LABORATORY Co., Ltd.) с соотношением разведения проявителя (неразведенный раствор: вода = 1:7), проявление осуществляли при 24°C в течение 90 секунд для формирования предварительного рисунка в фоторезисте.
Покрывающая пленка из алмазоподобного углерода была сформирована при помощи газофазного химического осаждения на поверхности никелевого покрывающего слоя и рисунка в фоторезисте. Был сформирован промежуточный слой толщиной 0,1 мкм в атмосфере аргон/водород с использованием гексаметилдисилоксана в качестве материального газа при температуре формирования пленки от 80-120°C в течение периода времени, достаточного для формирования пленки и составлявшего 60 минут. Затем формировали слой из алмазоподобного углерода толщиной 5 мкм с использованием толуола в качестве материального газа при температуре формирования пленки от 80-120°C в течение периода времени, достаточного для формирования пленки и составлявшего 180 минут.
Затем подложку обрабатывали ультразвуком в водном растворе гидроксида натрия в течение 30 минут. Затем покрывающую пленку из алмазоподобного углерода, сформированную на рисунке в фоторезисте, отделяли вместе с рисунком в фоторезисте с получением подложки с маской для травления, имевшей рисунок из алмазоподобного углерода на поверхности подложки.
Поверхность подложки с маской для травления изучали под световым микроскопом. В результате наблюдения было установлено, что была изготовлена подложка с высокоточной маской для травления, представленная на Фиг. 4. На Фиг. 4 ширина линий рисунка 20 из алмазоподобного углерода составляет 10 мкм.
Затем на подложку с маской для травления путем распыления наносили реактив для травления: азотная кислота (5%) + перекись водорода (5%) для протравливания никелевого слоя, который и является подложкой.
Затем, после вытравливания никелевого слоя подложку с маской для травления переносили в специальную камеру и осуществляли кислородное озоление в отношении рисунка 20 из алмазоподобного углерода для его удаления. Поверхность никелевого слоя со сформированным вытравленным рисунком 22 полировали шлифовальной машиной с 4 головками (шлифовальная машина изготовлена THINK LABORATORY Co., Ltd.) для получения продукта с высокоточным рисунком (см. Фиг. 5). Согласно Фиг. 5 поверхность продукта с рисунком при изучении под световым микроскопом имела ширину линий и глубину вытравленного рисунка 22, соответственно, 14 мкм и 5 мкм.
Кроме того, подложки с масками для травления изготавливали по аналогии с представленным выше примером с использованием Ni также для случаев, когда Cu, Ag, Al, Au, Pt, Pd, Zn, Mg, Fe, нержавеющая сталь, Ni-Cr, Sn, Ti, Ti сплавы, Si, SiO2, стекло, Cr и Mo, соответственно, использовались в качестве подложки. Поверхности указанных подложек с масками для травления изучали под световым микроскопом. В результате наблюдения было установлено, что были изготовлены подложки с высокоточными масками для травления.
Кроме того, подложку с маской для травления изготавливали по аналогии с представленным выше примером с применением Ni, за тем исключением, что в качестве подложки использовался валик, в котором никелевая втулка толщиной 0,4 мм была установлена на силиконовую смолу. В конкретном примере подложка, имеющая амортизирующий слой из силиконовой смолы, использовалась для изготовления подложки с маской для травления по аналогии с приведенным выше примером. Полученную подложку с маской для травления изучали под электронным микроскопом. Было установлено, что подложка имеет высокоточный рисунок из алмазоподобного углерода.
Перечень цифровых обозначений:
10 - подложка с маской для травления; 12 - подложка, 14 - фоточувствительный материал, 16 - рисунок в фоторезисте; 18 - покрывающая пленка из алмазоподобного углерода, 20 - рисунок из алмазоподобного углерода, 22 - вытравленный рисунок, 24 - продукт с рисунком.
Claims (6)
1. Способ изготовления подложки с маской для травления, включающий подготовку подложки;
нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки;
экспонирование и проявление фоточувствительного материала для формирования рисунка в фоторезисте;
формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте; и
отделение покрывающей пленки из алмазоподобного углерода, сформированной на поверхности рисунка в фоторезисте, вместе с рисунком в фоторезисте.
нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки;
экспонирование и проявление фоточувствительного материала для формирования рисунка в фоторезисте;
формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте; и
отделение покрывающей пленки из алмазоподобного углерода, сформированной на поверхности рисунка в фоторезисте, вместе с рисунком в фоторезисте.
2. Способ изготовления подложки с маской для травления по п. 1, в котором подложка, на которую наносят фоточувствительный материал, содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей Cu, Ag, Al, Au, Pt, Pd, Zn, Mg, Fe, нержавеющую сталь, Ni, Ni-Cr, Sn, Ti, Ti - сплавы, Si, SiO2, стекло, Cr и Mo.
3. Способ изготовления подложки с маской для травления по п. 1, в котором указанная подложка включает амортизирующий слой, сформированный из каучука или смолы с буферными свойствами.
4. Способ изготовления подложки с маской для травления по п. 1, в котором фоточувствительный материал представляет собой негативную фоточувствительную композицию.
5. Способ изготовления подложки с маской для травления по п. 1, в котором толщина покрывающей пленки из алмазоподобного углерода составляет от 0,1 мкм до нескольких десятков микрометров.
6. Способ изготовления продукта с рисунком, предназначенного для применения в качестве электронного компонента, включающий нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки;
экспонирование и проявление фоточувствительного материала для формирования рисунка в фоторезисте;
формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте;
отделение покрывающей пленки из алмазоподобного углерода, сформированной на поверхности рисунка в фоторезисте, вместе с рисунком в фоторезисте для формирования рисунка из алмазоподобного углерода на поверхности подложки;
травление подложки; и
удаление рисунка из алмазоподобного углерода при помощи кислородного озоления.
экспонирование и проявление фоточувствительного материала для формирования рисунка в фоторезисте;
формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте;
отделение покрывающей пленки из алмазоподобного углерода, сформированной на поверхности рисунка в фоторезисте, вместе с рисунком в фоторезисте для формирования рисунка из алмазоподобного углерода на поверхности подложки;
травление подложки; и
удаление рисунка из алмазоподобного углерода при помощи кислородного озоления.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011026688A JP2012169316A (ja) | 2011-02-10 | 2011-02-10 | エッチングマスク付基材及びその製造方法 |
JP2011-026688 | 2011-02-10 | ||
PCT/JP2012/052859 WO2012108464A1 (ja) | 2011-02-10 | 2012-02-08 | エッチングマスク付基材及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013139474A RU2013139474A (ru) | 2015-03-20 |
RU2562923C2 true RU2562923C2 (ru) | 2015-09-10 |
Family
ID=46638677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013139474/28A RU2562923C2 (ru) | 2011-02-10 | 2012-02-08 | Способ изготовления подложки с маской для травления и способ изготовления продукта с рисунком. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9188873B2 (ru) |
EP (1) | EP2674969A4 (ru) |
JP (1) | JP2012169316A (ru) |
KR (1) | KR20140036130A (ru) |
CN (1) | CN103329254B (ru) |
RU (1) | RU2562923C2 (ru) |
WO (1) | WO2012108464A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2774070C1 (ru) * | 2018-11-14 | 2022-06-15 | Сэн-Гобэн Гласс Франс | Способ селективного травления слоя или пакета слоев на стеклянной подложке |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104220647B (zh) * | 2013-02-12 | 2017-09-29 | 株式会社新克 | 连续镀覆用图案形成滚筒及其制造方法 |
WO2015076180A1 (ja) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | 株式会社シンク・ラボラトリー | パターン付ロール及びその製造方法 |
DE102015104416A1 (de) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Mehrschichtkörper und Verfahren zu dessen Herstellung |
RU2610782C1 (ru) * | 2015-11-11 | 2017-02-15 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ изготовления резистной маски с расширенным диапазоном разрешения изображения |
EP3392052A4 (en) * | 2015-12-16 | 2019-10-16 | Think Laboratory Co., Ltd. | SOLDER FREE OFFSET CYLINDRICAL PRINTING PLATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND REPRODUCTIVE PROCESSING METHOD |
JP6792106B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2020-11-25 | スピードファム株式会社 | ワークキャリア及びワークキャリアの製造方法 |
CN108190830A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000010300A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Think Laboratory Co Ltd | クッション性を有する印刷版の製造方法 |
US6673684B1 (en) * | 2002-07-31 | 2004-01-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of diamond as a hard mask material |
JP2010094807A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Think Laboratory Co Ltd | 凹部付き発熱ロール |
RU2400790C1 (ru) * | 2009-04-13 | 2010-09-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА") | Способ взрывной литографии пленочных островковых структур |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6348829A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
JPH01104761A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-21 | Ricoh Co Ltd | パターン化ダイヤモンド状炭素膜の製法 |
JPH01276138A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Fujitsu Ltd | 膜面保護フレーム付ペリクル |
JPH0536591A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Toshiba Corp | X線マスクの製造方法 |
JPH05279854A (ja) * | 1992-04-01 | 1993-10-26 | Sharp Corp | ダイヤモンド膜の形成方法 |
JP3233707B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2001-11-26 | 日本特殊陶業株式会社 | ダイヤモンドの選択形成法 |
JP3597664B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2004-12-08 | 株式会社東芝 | 磁気ヘッドの製造方法 |
JP3760688B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2006-03-29 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 炭化けい素半導体素子の製造方法 |
JP3430091B2 (ja) | 1999-12-01 | 2003-07-28 | Necエレクトロニクス株式会社 | エッチングマスク及びエッチングマスクを用いたコンタクトホールの形成方法並びにその方法で形成した半導体装置 |
JP3697426B2 (ja) | 2002-04-24 | 2005-09-21 | 株式会社東芝 | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP4483518B2 (ja) | 2004-10-18 | 2010-06-16 | Jsr株式会社 | エッチングマスク組成物 |
JP2007242596A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-09-20 | Univ Of Tokyo | プロセスプラズマ発生装置及び材料プロセシング方法 |
JPWO2007135901A1 (ja) * | 2006-05-19 | 2009-10-01 | 株式会社シンク・ラボラトリー | グラビア製版ロール及びその製造方法 |
JP5198998B2 (ja) | 2007-09-20 | 2013-05-15 | 株式会社シンク・ラボラトリー | クッション性を有するグラビア版及びその製造方法 |
JP2009090663A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-30 | Think Laboratory Co Ltd | グラビア両面同時印刷装置 |
JP5272936B2 (ja) * | 2009-07-14 | 2013-08-28 | 富士電機株式会社 | パターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法 |
-
2011
- 2011-02-10 JP JP2011026688A patent/JP2012169316A/ja active Pending
-
2012
- 2012-02-08 US US13/980,695 patent/US9188873B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-08 KR KR1020137017467A patent/KR20140036130A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-02-08 CN CN201280005495.6A patent/CN103329254B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-08 RU RU2013139474/28A patent/RU2562923C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2012-02-08 EP EP12745078.1A patent/EP2674969A4/en not_active Withdrawn
- 2012-02-08 WO PCT/JP2012/052859 patent/WO2012108464A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000010300A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Think Laboratory Co Ltd | クッション性を有する印刷版の製造方法 |
US6673684B1 (en) * | 2002-07-31 | 2004-01-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of diamond as a hard mask material |
JP2010094807A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Think Laboratory Co Ltd | 凹部付き発熱ロール |
RU2400790C1 (ru) * | 2009-04-13 | 2010-09-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА") | Способ взрывной литографии пленочных островковых структур |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2774070C1 (ru) * | 2018-11-14 | 2022-06-15 | Сэн-Гобэн Гласс Франс | Способ селективного травления слоя или пакета слоев на стеклянной подложке |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012169316A (ja) | 2012-09-06 |
RU2013139474A (ru) | 2015-03-20 |
US20130337231A1 (en) | 2013-12-19 |
EP2674969A4 (en) | 2017-04-26 |
US9188873B2 (en) | 2015-11-17 |
EP2674969A1 (en) | 2013-12-18 |
KR20140036130A (ko) | 2014-03-25 |
WO2012108464A1 (ja) | 2012-08-16 |
CN103329254B (zh) | 2016-10-19 |
CN103329254A (zh) | 2013-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2562923C2 (ru) | Способ изготовления подложки с маской для травления и способ изготовления продукта с рисунком. | |
JP5873894B2 (ja) | Liga技術における単層又は複数層の金属構造の製造方法及びそれにより得られる構造 | |
US8070970B2 (en) | UV-LIGA process for fabricating a multilayer metal structure having adjacent layers that are not entirely superposed, and the structure obtained | |
JP2012154964A (ja) | パターン付ロール及びその製造方法 | |
WO2007138747A1 (ja) | レジスト膜剥離方法、マスクブランクスの製造方法および転写マスクの製造方法 | |
KR20090079284A (ko) | 오프셋 인쇄용 요판의 제조 방법 | |
KR20130050393A (ko) | 패턴 형성방법, 기판 제조방법, 및 몰드 제조방법 | |
JP2010135609A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20110003084A (ko) | 오프셋 인쇄용 요판 및 그 제조 방법 | |
KR20130060999A (ko) | 패턴 형성 방법 | |
KR101648544B1 (ko) | 연속 도금용 패터닝 롤 및 그 제조 방법 | |
JP2014077186A (ja) | メタルマスクの製造方法 | |
JP5992515B2 (ja) | パターン付ロールの製造方法 | |
JP2011040656A (ja) | 微細構造体形成方法 | |
JPWO2015076180A1 (ja) | パターン付ロールの製造方法 | |
JPS5821739A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
KR100727371B1 (ko) | 다층 감광막을 이용한 금속마스크 제작방법 및 금속마스크 | |
JP2014118582A (ja) | 摺動面被覆用微細金属パターンシート及びその製造方法 | |
JP4164592B2 (ja) | スタンパの製造方法 | |
TWI269778B (en) | A manufacturing method of a cavity | |
JP2001350269A (ja) | 半田印刷用マスクの製造方法 | |
US20090277795A1 (en) | Process for fabricating molding stamp | |
JPS61267762A (ja) | フォトマスクブランクとフォトマスクの製造方法 | |
TW202335066A (zh) | 使用極薄光阻的電路基板全板鍍銅減除法製程 | |
JP6119144B2 (ja) | ステンシルマスクブランク、ステンシルマスク、及び、ステンシルマスク製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HE9A | Changing address for correspondence with an applicant | ||
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20210209 |