JPH0536591A

JPH0536591A - Ｘ線マスクの製造方法

Info

Publication number: JPH0536591A
Application number: JP3187631A
Authority: JP
Inventors: Masamitsu Ito; 正光伊藤; Shinji Sugihara; 真児杉原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1991-07-26
Filing date: 1991-07-26
Publication date: 1993-02-12

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】リフトオフ法によるＸ線吸収体薄膜パタ−ン
の形成に際し、マスクを薄く形成し、高精度のＸ線吸収
体薄膜パターンを形成する。【構成】Ｘ線吸収体パターンをリフトオフ法で形成す
るためのエッチングマスクとしてＣｒ、Ｃｒ合金または
Ｃｒ化合物を用いる。あるいは、Ｎｉ、Ｎｉ合金または
Ｎｉ化合物からなるマスクを形成するに際し、酸性溶液
を用いた液相エッチング法を用いる。あるいは、Ｃｒ、
Ｃｒ合金またはＣｒ化合物を用い、かつＸ線吸収体パタ
ーン形成後、硝酸第２セリウムアンモニウムを含む溶液
で洗浄する。あるいは、炭素膜、グラファイト膜、ダイ
ヤモンドライクカーボン膜あるいはダイヤモンド膜を、
エッチングのためのマスク材料として用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線露光用マスク（以
下Ｘ線マスク）の製造方法に係り、特にＸ線吸収体薄膜
パターン形成のためのエッチングマスクの高精度化に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路の高密度化および
高集積化への要求が高まるにつれて、回路パターンの微
細加工技術のなかでも、感光剤にパターンを形成するリ
ソグラフィ技術の研究開発が急速な進展を見せている。

【０００３】現在、量産ラインでは光を露光媒体とする
フォトリソグラフィ技術が主流であるが、解像力の限界
に近づきつつあり、このフォトリソグラフィ技術に代わ
るものとして、原理的に解像力が飛躍的に向上するＸ線
リソグラフィ技術の研究開発が急速な進展をみせてい
る。

【０００４】Ｘ線リソグラフィでは、光を用いた露光方
法とは異なり所定のパターンを縮小させて転写するよう
な技術は現在のところない。このため、Ｘ線露光では、
所定のパターンの形成されたＸ線露光用マスクと試料と
を１０μｍオーダーの間隔で平行に保持し、このＸ線マ
スクを通してＸ線を照射することにより露光対象物表面
に転写パターンを形成する１：１転写方式が採用されて
いる。

【０００５】この等倍転写方式では、Ｘ線マスクのパタ
ーンの寸法精度、位置精度がそのままデバイス精度にな
るため、Ｘ線マスクのパタ―ンにはデバイスの最小線幅
の１０分の１程度の寸法精度、位置精度が要求される。
このために、Ｘ線リソグラフィの実現のためには、高い
Ｘ線吸収体パターン位置精度を達成することのできるＸ
線マスクの開発が最も重要な鍵となっている。

【０００６】Ｘ線マスクは一般的には次のような構造を
有している。すなわち、リング状のマスク支持体上にＸ
線に対する吸収率の特に小さいＸ線透過性材料からなる
薄膜を形成し、このＸ線透過性薄膜上にＸ線に対する吸
収率の大きい材料からなるマスクパターン（Ｘ線吸収体
パターン）を形成した構造となっている。ここでマスク
支持体は、Ｘ線透過性薄膜が極めて薄く機械的強度が弱
いのを補強すべく、このＸ線透過性薄膜を支持するのに
用いられている。

【０００７】ところで、このＸ線露光用マスクは、従
来、図９(a) 乃至図９(e) に示すような方法で製造され
ている。

【０００８】まず、基板温度１２００℃の条件でＬＰＣ
ＶＤ法により、図９(a) に示すようにＳｉ基板１１上に
膜厚１μｍのＳｉＣ膜１２を形成する。この条件では、
多結晶構造を有し、内部応力３×１０⁹dyn ／cm²のＳ
ｉＣ膜が得られている。次に、Ｓｉ基板１１の裏面側に
開口部を有するＮｉ膜１３を形成する。ここで、ＳｉＣ
膜１２がＸ線透過性薄膜として用いられる。なお、Ｘ線
透過性薄膜には、Ｘ線を透過し且つアライメント光（可
視、赤外線）に対する透過性に優れ、引張り応力を有す
る自立支持膜であることが要求される。その材料とし
て、現在のところ、ＢＮ，Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｔｉ等が報告
されている。

【０００９】次いで、図９(b) に示すように、裏面側の
ＳｉＣ膜３の中央部を選択的に除去した後、表面側のＳ
ｉＣ膜１２上にＸ線吸収体としてＷ膜１４を形成する。
Ｘ線吸収体には、露光波長（約１nm程度）におけるＸ線
吸収係数が大きいこと、内部応力が低いこと、微細加工
が容易であることが要求される。その材料として、現在
のところＡｕ，Ｔａ，Ｗ，ＷＮx 等が報告されている。
Ｘ線吸収体の内部応力については、１×１０⁷dyn ／cm
²程度の低応力であることが不可欠であり、応力制御が
可能なスパッタリング法により内部応力を制御して堆積
される。そしてさらにこのＷ膜１４上に、電子ビ―ム描
画用のレジスト１５を塗布する。

【００１０】次いで、図９(c) に示すように、ＫＯＨ等
をエッチング液として用いた液相エッチング法により、
裏面のＮｉ膜１３をマスクとしてＳｉ基板１１をエッチ
ングする。

【００１１】この後、図９(d) に示すように、電子ビ―
ム描画法によりパタ―ン描画を行ない、レジスト１５に
所望のパタ―ンを形成する。

【００１２】最後に、図９(e) に示すように、ドライエ
ッチング法により、レジスト１５をマスクとしてＷ膜１
４を選択エッチングし、Ｘ線吸収体パタ−ンを得る。

【００１３】以上の様にしてＸ線マスクが製造される。

【００１４】このようにしてＸ線マスクが形成される
が、Ｘ線マスクの製造プロセスのうちで最も困難なプロ
セスはＸ線吸収体パターンの形成である。上述したプロ
セスのなかで、Ｘ線吸収体であるＷ膜の応力を小さくし
ても、Ｗ膜上に塗布したレジストの応力が大きいために
Ｘ線吸収体パターンの位置歪が発生するという問題があ
る。レジストのようなＸ線吸収体エッチングのマスクの
応力が大きくても、その膜厚を薄くする事ができるなら
ば問題はないが、Ｗ膜のドライエッチングの場合、レジ
ストとＷ膜との選択比が小さいためにレジストの膜厚は
１μm 以上と厚くしなければならないという問題があ
る。

【００１５】また、１ＧＤＲＡＭレベルのＸ線吸収体パ
ターンの最小線幅は０．１５μm であるので、厚さ１μ
m のレジストをマスクとして厚さ０．５μm のＷ膜をエ
ッチングする場合、そのアスペクト比は１０倍近くにも
なる。このようなアスペクト比の大きなエッチングで
は、マイクロローディング効果が顕著となる。すなわ
ち、微細パターンはエッチング速度が遅く、粗いパター
ンはエッチング速度が早いために、エッチングのエンド
ポイントがパターン寸法により異なってくる。さらにパ
ターンの断面形状もパターン寸法により異なってくる。
このマイクロローディング効果の影響を低減するために
はエッチングマスクの厚さを薄くすることである。しか
しながら、上述したようにＷ膜のドライエッチングの場
合、レジストとＷ膜との選択比が小さいためにレジスト
の膜厚は１μm 以上と厚くなってしまう。また、レジス
ト以外のマスク材としてＳｉＯ₂膜を用いた例もある
が、やはり選択比は小さくＷ膜と同程度の膜厚が必要と
なる。またエッチングマスクがＸ線吸収体上に残る場合
はその応力が問題となる。

【００１６】このように、Ｘ線吸収体エッチングのエッ
チングマスクは、極力薄く、しかも低応力であることが
求められていた。

【００１７】そこで、エッチングマスク材の膜厚を薄く
することのできるプロセスとして図１０に示すＡｕを用
いたリフトオフ法が知られている。ＡｕはＣＦ₄やＣＨ
Ｆ₃んどフッ素系のガスやＣｌ₂、Ｃｌ₂Ｆ₂などの塩
素系のガスを用いたプラズマエッチングにおいてもほと
んどエッチングされず、マスク材として適した材料であ
る。

【００１８】この方法では、図１０(a) に示すように、
まず被エッチング層２１の上層に後工程で除去可能なレ
ジストなどのパターン２２を形成する。

【００１９】次に、Ａｕ膜２３を図１０(b) に示すよう
に真空蒸着法により堆積する。

【００２０】この後、図１０(c) に示すように、レジス
トパターン２２を除去すると共に、レジストパターン２
２上のＡｕ膜２３をも除去し、被エッチング層２１上に
残留するＡｕパターン２３がマスクとなる。ここでＡｕ
膜の膜厚は０．１μm 程度であるため、レジストの膜厚
も０．２〜０．３μm 程度と薄膜でよい。

【００２１】Ａｕの膜厚が０．１μm 必要なのは、Ａｕ
膜が膜形成の初期段階では島状構造を示すため、ピンホ
ールの無い連続膜を形成しようとすると０．１μm 程度
の膜厚が必要となるためである。

【００２２】また、真空蒸着法により形成したＡｕ膜の
応力は１×１０⁸dyn ／cm²程度であり、前述のＸ線マ
スク形成の場合、Ｘ線吸収体の膜厚は０．５μm である
ため、Ｘ線吸収体の応力に影響を与えないためにはＡｕ
膜の厚さは０．０５μm 以下とする必要がある。しかし
ながら０．０５μm という厚さのＡｕ膜ではピンホール
が多くマスク材とならない。

【００２３】このような点から、Ａｕを用いたリフトオ
フ法を用いてもＸ線マスクを形成するに十分なＸ線吸収
体エッチングのためのマスク材料を作るのは困難な状況
にあった。

【００２４】そこでまた、エッチングマスク材の膜厚を
薄くすることのできるプロセスのもう１つの例として図
１１に示すＮｉを用いたリフトオフ法がある。ＮｉもＣ
Ｆ₄やＣＨＦ₃等のフッ素系のガスやＣｌ₂、Ｃｌ₂Ｆ
₂などの塩素系のガスを用いたプラズマエッチングにお
いてもほとんどエッチングされず、マスク材として適し
た材料である。このようなＮｉのエッチング耐性の高さ
ゆえにリフトオフ法が用いられているともいえる。

【００２５】この方法では、図１１(a) に示すように、
まず被エッチング層３１の上層に後工程で除去可能なレ
ジストなどのパターン３２を形成する。

【００２６】次に、Ｎｉ膜３３を図１１(b) に示すよう
に真空蒸着法により堆積する。

【００２７】この後、図１１(c) に示すように、レジス
トパターン３２を除去すると共に、レジストパターン３
２上のＮｉ膜３３をも除去し、被エッチング層３１上に
残留するＮｉパターン３３がマスクとなる。

【００２８】しかしながら、この方法も困難な面が多
い。１つにはＮｉ膜を堆積する際にレジストパターン側
壁にもＮｉ膜が付着してしまい、レジスト除去ができな
くなるという問題である。これはＮｉの堆積に際し、Ｎ
ｉ粒子の入射方向を平行にするのが困難であることによ
るものである。そこでレジストパターンの断面形状を上
部で太くし、下部で細く形状とすることにより側壁への
Ｎｉの付着を防止するようにしている。しかしながらこ
のような逆テーパ状のレジストパターン形状を得るのは
一般には困難であり、技術的制約が大きい。また、レジ
ストの除去には過酸化水素水と硫酸の混合液によるウエ
ットエッチングか酸素プラズマによるプラズマエッチン
グが用いられるが、レジストパターンの面積が大きくな
るとＮｉ膜が保護膜となり、レジスト除去が困難とな
る。

【００２９】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のＸ
線マスクの製造において、リフトオフ法によるＸ線吸収
体のパターン形成のための低応力でかつ膜厚の薄いマス
ク材料を形成するのは困難であるという問題があった。

【００３０】またＮｉ、Ｎｉ合金またはＮｉ化合物をマ
スク材料として用いる場合、リフトオフ法では前述した
ようにレジストパターンの断面形状が限定される等技術
的制約が大きく、Ｎｉ、Ｎｉ合金またはＮｉ化合物から
なるマスク材料を形成するのは極めて困難であった。

【００３１】本発明の第１は、前記実情に鑑みてなされ
たもので、リフトオフ法によるＸ線吸収体薄膜パタ−ン
の形成に際し、マスクを薄く形成し、高精度のＸ線吸収
体薄膜パターンを形成することを目的とする。

【００３２】本発明の第２では、Ｎｉ、Ｎｉ合金または
Ｎｉ化合物からなるマスクを容易に高精度に形成する方
法を提供することを目的とする。

【００３３】本発明の第３では、マスク材料の残留もな
く高精度のＸ線マスクを提供することを目的とする。

【００３４】本発明の第４では、Ｘ線吸収体薄膜パター
ンの形成のためのマスクを薄くし、高精度のＸ線吸収体
薄膜パターンを形成することを目的とする。

【００３５】

【課題を解決するための手段】そこで本発明の第１で
は、Ｘ線吸収体パターンをリフトオフ法で形成するため
のエッチングマスクとしてＣｒ、Ｃｒ合金またはＣｒ化
合物を用いることを特徴とする。

【００３６】また本発明の第２では、Ｘ線吸収体パター
ンをリフトオフ法で形成するためのエッチングマスクと
してＮｉ、Ｎｉ合金またはＮｉ化合物からなるマスクを
形成するに際し、酸性溶液を用いた液相エッチング法を
用いることを特徴とする。

【００３７】さらに本発明の第３では、Ｘ線吸収体パタ
ーンをリフトオフ法で形成するためのエッチングマスク
としてＣｒ、Ｃｒ合金またはＣｒ化合物を用い、かつＸ
線吸収体パターン形成後、硝酸第２セリウムアンモニウ
ムを含む溶液で洗浄するようにしたことを特徴とする。

【００３８】本発明の第４では、Ｘ線吸収体パターンを
形成するためのエッチングマスクとして炭素膜、グラフ
ァイト膜、ダイヤモンドライクカーボン膜あるいはダイ
ヤモンド膜を、エッチングのためのマスク材料として用
いるようにしたことを特徴とする。

【００３９】

【作用】本発明の第１によれば、Ｘ線吸収体パターンを
リフトオフ法で形成するためのエッチングマスクとして
Ｃｒ、Ｃｒ合金またはＣｒ化合物を用いるようにしてい
るため、極薄膜のエッチングマスクを形成することがで
き、低応力で高精度のマスク形成を行う事が可能とな
る。

【００４０】すなわちＣｒのエッチング耐性はＡｕ膜と
同様、フッ素系のガスやＣｌ₂、Ｃｌ₂Ｆ₂などの塩素
系のガスを用いたプラズマエッチングにおいてもほとん
どエッチングされず、被エッチング層との選択比は非常
に大きくなり、エッチング速度の遅いＷなどの金属でも
選択比２０以上を確保することができる。またＳｉＯ2
などは１００以上の選択比を持たせることができる。

【００４１】このように極めて大きい選択比を持たせる
ことができるため、マスク材としてのＣｒの膜厚は極薄
でよいことになる。例えば厚さ０．５μm のＷ膜をエッ
チングするのに必要なＣｒマスクの膜厚は選択比だけか
らいうと０．０２５μm でよいことになる。また、この
膜はＡｕ膜に比べピンホールも小さい。

【００４２】したがって他の条件を考慮しても０．０３
μm 程度の極薄膜でエッチングマスクとして用いること
ができる。またＣｒ膜はレジスト剥離に用いられる過酸
化水素水と硫酸との混合液にも腐食されないため、レジ
ストを用いるリフトオフ法でこのＣｒパターンをパター
ニングする場合にも非常に適したものであるということ
ができる。

【００４３】さらに、本発明の第２の構成によれば、酸
性溶液を用いた液相エッチングを用いてエッチングマス
クとなるＮｉ，Ｎｉ合金またはＮｉ化合物をパターニン
グするようにしているため、レジストの種類を選択する
必要がなく、ほとんどのレジストを使用することができ
る。すなわち一般に樹脂は酸性溶液に対する強い耐性を
有しているため、ほとんどのレジストをマスクとして使
用することができる。また液相エッチングは一般に等方
的に進むので、レジストの線幅とＮｉの線幅とが異なっ
てくる。すなわちＮｉの線幅が小さくなるのである。し
かしながら前述したようにＮｉは、ＣＦ₄やＣＨＦ₃等
フッ素系のガスや、Ｃｌ₂、Ｃｌ₂Ｆ₂などの塩素系の
ガスを用いたプラズマエッチングにおいてもほとんどエ
ッチングされないため、被エッチング層との選択比は非
常に大きくなり、エッチング速度の遅いＷなどの金属で
も選択比２０以上を確保することができる。またＳｉＯ
2 などは１００以上の選択比を持たせることができる。
例えば、厚さ１μm の酸化シリコン膜をエッチングする
のに必要となるＮｉマスクの膜厚は１０nmでよい。すな
わち、等方的にエッチングが進んだとしても、レジスト
とＮｉとのパターン寸法変換差は２０nmに過ぎない。す
なわち、レジストパターン寸法で補正可能である。

【００４４】このように本発明の第２の方法によれば、
一般に用いられているレジストを用いてＮｉパターンを
容易に形成する事が可能となる。

【００４５】本発明の第３によれば、硝酸第２セリウム
アンモニウムを含む溶液はＷやＴａのエッチング速度は
１nm/min. 以下と極めて遅いのに対しＣｒパターンのエ
ッチング速度は５４０nm/min. と極めてはやく、ほぼ１
分でＣｒはすべて溶解するため、Ｘ線吸収体パターン形
成後、硝酸第２セリウムアンモニウムを含む溶液で洗浄
することにより、パターンに影響を与えることなくマス
ク表面に残留するＣｒのごみを除去することが可能であ
る。

【００４６】本発明の第４によれば、Ｘ線吸収体パター
ンを形成するためのエッチングマスクとして炭素膜、グ
ラファイト膜、ダイヤモンドライクカーボン膜あるいは
ダイヤモンド膜を、エッチングのためのマスク材料とし
て用いるようにしているため、低応力でかつ膜厚の薄い
エッチングマスクを得ることができる。

【００４７】すなわち、炭素膜のエッチング耐性は、フ
ッ素系のガスやＣｌ₂、Ｃｌ₂Ｆ₂などの塩素系のガス
を用いたプラズマエッチングにおいても高いエッチング
耐性を有しており、被エッチング層との選択比は非常に
大きくなる。例えば、エッチング速度の遅いＷなどの重
金属でも選択比５以上を確保することができる。

【００４８】このように大きい選択比を持たせることが
できるため、マスク材としてのＣの膜厚は極薄でよいこ
とになる。例えば厚さ０．５μm のＷ膜をエッチングす
るのに必要なＣマスクの膜厚は選択比だけからいうと
０．１μmでよいことになる。このようなエッチング耐
性の高さは、プラズマＣＶＤ法等で形成する同じ炭素で
結晶構造の異なるグラファイト膜、ダイヤモンドライク
カーボン膜あるいはダイヤモンド膜についても同様に得
られる特性である。

【００４９】このようにＣ膜は０．１μm という極薄膜
で、エッチング用のマスク材料として用いることが可能
であり、しかも低応力であるため、Ｘ線吸収体のエッチ
ングマスクとして良好である。

【００５０】ここで、マスク支持体としては、例えばＳ
ｉが用いられる。Ｘ線透過性薄膜としては、例えばＳｉ
Ｃ，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＢＮ、ボロンド―プしたＳｉ等が挙げ
られる。Ｘ線吸収体薄膜として、Ｗ，Ｔa 及びその窒化
物（ＷＮ_x，ＴａＮ_x），炭化物（ＷＣ_x，ＴａＣ）等
の化合物或いは合金が挙げられるが、このうちでも特
に、高密度のＷ薄膜が望ましい。これらの薄膜は、例え
ばスパッタリング法により形成される。

【００５１】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。

【００５２】＜実施例１＞図１は本発明の第１の実施例
のＸ線マスクの製造工程を示す断面図である。

【００５３】ここではＸ線吸収体パターンの形成にリフ
トオフ法を用いるに際し、エッチングマスクとしてＣｒ
薄膜を用いるようにしたことを特徴とするものである。

【００５４】製造に際してはまず、高周波加熱方式のＬ
ＰＣＶＤ装置を用い、グラファイト表面にＳｉＣをコ―
ティングしたサセプタ上に、両面研磨を行った厚さ６０
０μm 、面方位（１００）の３インチＳｉ基板４１を設
置し、１００℃においてＨＣ１ガスによりＳｉ基板の気
相エッチングを施すことにより、Ｓｉ基板上に存在する
自然酸化膜及び重金属類の汚染物を除去した。これによ
り、Ｓｉ基板の表面マスク清浄化処理が完了する。

【００５５】次いで、図１(a) に示す如く、シリコン原
料としてシラン（ＳｉＨ₄）、炭素原料としてアセチレ
ン（Ｃ₂Ｈ₂）、キャリアガスとして水素（Ｈ₂）ガ
ス、添加ガスとして塩化水素（ＨＣｌ）を供給しつつ、
基板温度１０５０℃にて、Ｓｉ基板４１上にＳｉＣ膜４
２を１μｍ堆積する。

【００５６】この後、さらに、Ｓｉ基板４１の裏面に電
子ビームを用いた真空蒸着装置を用いて、Ｓｉ基板４１
の裏面に膜厚０．１μm のＣｒ膜４３を堆積した。

【００５７】そして、図１(b) に示すように、通常のフ
ォトリソグラフィ技術により中央部に直径２０mmの開口
部を有するレジストパターン４４を形成する。

【００５８】次いで、図１(c) に示すように、このレジ
ストパターン４４をマスクとして、硝酸第２セリウムア
ンモニウム溶液を用いた液相エッチングによりＣｒ膜４
３に開口部を形成した。

【００５９】この後、図１(d) に示すように、マグネト
ロンＤＣスパッタリング装置を用いて、ＳｉＣ膜４２の
裏面側に、Ｘ線吸収体として膜厚０．５μｍのＷ膜４５
を堆積する。ここでスパッタリング条件としては、電力
を１．７ｗ／cm²とし、ガス圧力を密度の大きいＷ膜を
形成できる低圧力側で、応力が０となる３mTorr となる
ようにした。このようにして形成したＷ膜４５の応力は
シリコン基板の反りから測定した結果２×１０⁷ N/m2
であった。次にＷ膜４５内にＡｒイオンをエネルギー１
８０ｋｅＶ，２×１０¹⁵atoms/cm²のドーズ量でイオン
注入を行い応力を０にする。この後、Ｗ膜４５上に電子
ビームレジスト４６として膜厚０．５μm のＳＡＬ６０
１を塗布した。

【００６０】次に、図１(e) に示すように、９５℃に加
熱した濃度３０％の水酸化カリウム溶液によりＣｒ膜４
３をマスクとしてシリコン基板４１を液相でエッチング
し除去した。これにより、直径２０mmの開口部を形成す
ることができた。

【００６１】この後、図１(f) に示すように、Ｗ膜４５
上に電子ビームレジスト４６に対し、電子ビーム描画装
置により描画して所望のレジストパターン（最小線幅
０．１５μm ）を形成する。そしてこの上層に真空蒸着
装置によってレジストパターン４６上にＣｒ膜４７を３
０nm堆積した。

【００６２】そして、図１(g) に示すように、過酸化水
素水と硫酸の混合液によりレジストパターン４６を剥離
した。これにより、レジストパターン４６上のＣｒ膜４
７はレジスト４６と共に除去され、Ｗ膜４５上のＣｒパ
ターン４７が残る。

【００６３】そして、図１(h) に示すように、Ｃｒパタ
ーン４７をマスクとして、ＳＦ₆＋＋Ｃｌ₂＋１０％Ｏ
₂をエッチングガスとして用いた異方性エッチングによ
りＷ膜４５をパターニングする。印加電力は２００Ｗ，
放電圧力は１０mTorr とした。また、試料としてはチラ
ーを用いて−３０℃まで冷却した。

【００６４】そして最後に、このようにしてて形成され
たＸ線マスクを液温２０℃に保持した１０％の硝酸第２
セリウムアンモニウム溶液に１分間浸漬することにより
Ｃｒを含むごみを除去し、超純水で１０分間洗浄し、最
後にスピン乾燥した。

【００６５】以上の工程により形成したＸ線マスクのパ
ターン位置歪みを、ニコン社製「光波３ｌ」と指称され
ているレーザ干渉測長器によって測定した結果、０．０
３μm （３σ）という高い位置精度を達成することがで
きた。

【００６６】また、このＸ線マスクを用いて、ピーク波
長１nmの放射光を光源としてレジスト（ＰＭＭＡ）上に
パターン転写を行った。そしてＳＥＭ観察を行った結
果、最小線幅０．１５μm のレジストパターンがエッジ
ラフネスもなく、良好に形成されていることが確認され
た。また、形成したＸ線吸収体パターンの断面を同様に
ＳＥＭにより観察したところ、やはり、０．１５μmの
ライン＆スペースが寸法変換差０．０１μm 以内という
高精度で形成されており、エッジラフネスもなく、垂直
形状のＷパターンとなっていた。このことから硝酸第２
セリウムアンモニウム溶液に１分間浸漬することにより
Ｃｒを含むごみが良好に除去され、Ｘ線吸収体の損傷も
まったくないこともわかる。

【００６７】なお、最後の硝酸第２セリウムアンモニウ
ム溶液による洗浄は、必要に応じて取捨選択可能であ
る。

【００６８】ここでＣｒ膜の膜厚は０．１μm と極めて
薄くしたが、これはＷやＴａに対するエッチング耐性が
高いのみならず、従来から用いられていたＡｕ膜等に比
べ、薄くてもピンホールのない緻密な薄膜形成を行う事
ができるためでもある。比較のために真空蒸着法で形成
したＣｒ膜とＡｕ膜のピンホールの有無を測定するため
比抵抗と膜厚との関係を測定したその結果を図２に示
す。すなわち比抵抗が大きいほどピンホールなどの欠陥
が多く、連続膜になっていないことを示す。

【００６９】図２からＣｒ膜もＡｕ膜も蒸着の初期段階
は非常に比抵抗が大きく、結晶粒間に隙間が多い状態で
連続膜を成していないが、膜厚が増加するにつれ、比抵
抗は減少していき、Ａｕ膜は０．０９μm 程度で比抵抗
の減少が止まっており、０．０３μm という極薄膜で連
続膜となっていることがわかる。また真空蒸着法により
形成した金属薄膜の応力は一般に０．５〜３×１０⁸ N
/m²であり、このＣｒ膜も０．８×１０⁸ N/m²であっ
た。この値は、０．０３μm という極薄膜で、エッチン
グ用のマスク材料として用いることができることからみ
て、Ｘ線吸収体パターン形成のためのマスクとして十分
な値である。また、Ｃｒ膜はレジスト剥離に用いられる
過酸化水素水と硫酸の混合液にも腐食されないので、レ
ジストを用いるリフトオフ法には非常に適している。

【００７０】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば、電子ビームレジストとしても
ＳＡＬ６０１に限定されるものではなく、ノボラック系
レジストのＣＭＳなどでも良い。またＸ線吸収体もＷに
限らず、Ｔａ，Ａｕ及びこれらの窒化物及び炭化物を用
いることもできる。Ｘ線透過性薄膜としてＳｉＣ膜を用
いたが、ＳｉＮ_x，ＢＮ，ボロンド―プしたＳｉ基板を
用いることができる。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。

【００７１】＜実施例２＞次に、本発明の第２の実施例
について図面を参照しつつ、詳細に説明する。

【００７２】図３(a) 乃至(d) は本発明の第２の実施例
の酸化シリコン膜パターンの形成工程を示す図である。

【００７３】この例では、酸化シリコンパターン形成の
ためのエッチングマスクとして、Ｎｉマスクを形成する
に際し、液相エッチングを用いたことを特徴とするもの
である。

【００７４】まず、反応性スパッタリング法によって、
シリコン基板５１上にエッチングストッパーとして厚さ
５０nmのＡｌ₂Ｏ₃膜５２を形成する。ここでターゲッ
トにアルミニウムを用いスパッタリングガスとしてはＡ
ｒ＋Ｏ₂の混合ガス、印加電力を１．７ｗ／cm²とし
た。次に、被エッチング層である厚さ１μm のＳｉＯ₂
膜５３をやはり反応性スパッタリング法によって形成し
た。スパッタリングターゲットにＳｉＯ₂を用い、スパ
ッタリングガスにＡｒ＋Ｏ₂の混合ガス、印加電力を
１．７ｗ／cm²とした。そしてこのＳｉＯ₂膜５３の上
層に厚さ２０nmのＮｉ膜５４を電子ビームを用いた真空
蒸着によって形成した（図３(a) ）。ここで膜厚のモニ
ターには水晶振動子膜厚計を用いた。蒸着中の真空度は
５×１０^-7Torrとした。

【００７５】次に、図３(b) に示すように、Ｎｉ膜５４
上にエキシマレーザを用いた光露光装置によって０．４
μm のライン＆スペースレジストパターン５５を形成す
る。ここでレジストとしては化学増幅型のＸＰ８８４３
を用い、膜厚は０．８μm とした。

【００７６】そして、図３(c) に示すように、２０％の
硝酸溶液を用いてレジスト５５をマスクとしてＮｉ膜５
４を液相エッチングした。エッチング時間は４０秒であ
った。このエッチングにより線幅０．３８μm のＮｉパ
ターン５４が形成された。次にＯ₂プラズマを用いたア
ッシングによりレジストパターン５５を除去した。

【００７７】この後、図３(d) に示すように、Ｎｉマス
ク５４を用いてＳｉＯ₂膜５３をエッチングした。エッ
チング装置は平行平板型を用い、電極の直径は３００n
m、エッチングガスとしてはＣＦ₄＋Ｏ₂（３０％）の
混合ガスを用い、圧力は１０mTorr 、印加電力は２００
Ｗとした。これにより、Ｎｉ膜５４をマスクとした線幅
０．３８μm のＳｉＯ₂膜パターン５３を形成すること
ができた。

【００７８】硝酸溶液に対するＮｉに対するノボラック
系レジストのエッチング選択性を測定するために図４
に、３０％の硝酸溶液を用いてＮｉおよびノボラック系
レジストをエッチングしたときのエッチング深さを測定
した結果を示す。この結果レジストはＮｉに比べ極めて
エッチング速度が遅いことがわかる。またＮｉは１分程
度で５０nmもエッチングされる。

【００７９】＜実施例３＞次に、本発明の第３の実施例
としてＸ線マスクの製造工程について説明する。この例
では酸性溶液を用いた液相エッチングで形成したＮｉ膜
パターンを用いて、Ｘ線吸収体パターンを形成すること
を特徴とするものである。

【００８０】すなわちまず、前処理として高周波加熱方
式のＬＰＣＶＤ装置を用い、グラファイト表面にＳｉＣ
をコーティングしたサセプタ上に支持体として面方位
（１００）のシリコン基板６１を設置し、１１００℃に
加熱しＨＣｌガスを導入して気相エッチングを行い、シ
リコン基板上に存在する自然酸化膜および重金属類の汚
染物を除去する。

【００８１】次に、図５(a) に示すように、シリコン原
料としてシラン（ＳｉＨ₄）、炭素原料としてアセチレ
ン（Ｃ₂Ｈ₂）、キャリアガスとして水素（Ｈ₂）ガ
ス、添加ガスとして塩化水素（ＨＣｌ）を供給しつつ、
基板温度１１００℃にて、Ｓｉ基板６１上にＳｉＣ膜６
２を１μｍ堆積する。次いで電子ビーム蒸着装置を用い
てＳｉ基板の裏面にＣｒ膜６３を堆積する。

【００８２】続いて、図５(b) に示すように、通常のフ
ォトリソグラフィ技術によりＣｒ膜６３の中央部に直径
２０mmの開口部を有するレジストパターン６４を形成す
る。次いで、図５(c) に示すように、このレジストパタ
ーン６４をマスクとして、硝酸第２セリウムアンモニウ
ム溶液を用いた液相エッチングによりＣｒ膜６３に開口
部を形成した。

【００８３】この後、図５(d) に示すように、マグネト
ロンＤＣスパッタリング装置を用いて、ＳｉＣ膜６２の
裏面側に、Ｘ線吸収体として膜厚０．５μｍのＷ膜６５
を堆積する。ここでスパッタリング条件としては、電力
を１ｋｗとし、ガス圧力を密度の大きいＷ膜を形成でき
る低圧力側で、応力が０となる３mTorr となるようにし
た。このようにして形成したＷ膜６５の応力はシリコン
基板の反りから測定した結果２×１０⁷ N/m²であっ
た。次にＷ膜６５内にＡｒイオンをエネルギー１８０ｋ
ｅＶ，２×１０¹⁵atoms/cm²のドーズ量でイオン注入を
行い応力を０にする。この後、Ｗ膜６５上に電子ビーム
を用いた真空蒸着装置によってＮｉ膜６６を１０nm堆積
する。

【００８４】次に、図５(e) に示すように、シリコンか
らなる補強枠６７とマスク支持体であるシリコン基板６
１とを接着剤を用いない直接接合により接着し、この後
４００℃３分間の熱処理を行い接着強度を高める。

【００８５】この後、図５(f) に示すように、Ｗ膜６５
上に電子ビームレジスト６８として膜厚０．５μm のＣ
ＭＳ（クロロメチル化ポリスチレン）を塗布し、Ｎ₂雰
囲気中で１５０℃のベーキングを行い電子ビームレジス
ト中の溶媒を除去した後、電子ビーム描画装置により描
画して所望のレジストパターン（最小線幅０．１５μm
）を形成する。Ｎｉエッチングは等方性エッチングで
あるために生じるパターンの細りは、あらかじめレジス
トパターン６８をその分だけ大きくしておくことにより
補正した。ここではＮｉ膜の膜厚は１０nmであるため、
レジストを２０nm大きくしておいた。

【００８６】そして、図５(g) に示すように、レジスト
６８をマスクとして、濃度３０％の硝酸溶液を用いてＮ
ｉ膜６６を液相エッチングする。

【００８７】そして、図５(h) に示すように、酸素アッ
シングによりレジスト６８を除去した後、マグネトロン
反応性イオンエッチング装置により、エッチングガスと
してＳＦ₆＋Ｃｌ₂＋１０％Ｏ₂を使用しＮｉ膜６６を
マスクとしてＷ膜６５を異方性エッチングによりパター
ニングする。ここで圧力は１０mTorr 、印加電力は２０
０Ｗとした。また、試料はチラーを用いて−３０℃まで
冷却した。

【００８８】最後に、図５(i) に示すように、９５℃に
加熱した濃度３０％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液に
よりＣｒ膜６３をマスクとしてシリコン基板６１を液相
エッチング（バックエッチ）し直径２０mmの開口部を形
成する。

【００８９】このようにして形成したＸ線マスクを用い
て、ピーク波長１nmの放射光を光源としてレジスト（Ｐ
ＭＭＡ）上にパターン転写を行った。その結果、最小線
幅０．１５μm のレジストパターンがエッジラフネスも
なく、良好に形成されていることがＳＥＭ観察により確
認された。また、形成したＸ線吸収体パターンの断面を
同様にＳＥＭにより観察したところ、やはり、０．１５
μm のライン＆スペースが寸法変換差０．０１μm 以内
という高精度で形成されており、エッジラフネスもな
く、垂直形状のＷパターンとなっていた。

【００９０】＜実施例４＞次に、本発明の第４の実施例
としてＸ線マスクの製造工程について説明する。この例
ではスパッタリング法で形成したＣ膜をエッチングマス
クを用いてＸ線吸収体パターンを形成することを特徴と
するものである。

【００９１】すなわちまず、前処理として高周波加熱方
式のＬＰＣＶＤ装置を用い、グラファイト表面にＳｉＣ
をコーティングしたサセプタ上に支持体として面方位
（１００）のシリコン基板７１を設置し、１１００℃に
加熱しＨＣｌガスを導入して気相エッチングを行い、シ
リコン基板上に存在する自然酸化膜および重金属類の汚
染物を除去する。

【００９２】次に、図６(a) に示すように、シリコン原
料としてシラン（ＳｉＨ₄）、炭素原料としてアセチレ
ン（Ｃ₂Ｈ₂）、キャリアガスとして水素（Ｈ₂）ガ
ス、添加ガスとして塩化水素（ＨＣｌ）を供給しつつ、
基板温度１１００℃にて、Ｓｉ基板７１上にＳｉＣ膜７
２を１μｍ堆積する。

【００９３】次いで図６(b) に示すように、回転塗布に
よりＳｉＯ₂膜７３を膜厚１０９nmとなるように形成し
た。形成条件は、東京応化工業株式会社製のＳｉＯ2 被
膜形成塗布液（ＳｉＯ₂濃度５％）を回転数３０００ｒ
ｐｍにて回転塗布し、その後窒素雰囲気中で２５０℃３
０分の加熱処理を行った。そして、反応性スパッタリン
グ法により窒化アルミニウム膜７４を厚さ３０nmとなる
ように形成した。ここででスパッタリングターゲットと
してはアルミニウムを用い、スパッタリングガスにＡｒ
とＮ₂の混合ガスを用いた。

【００９４】続いて、図６(c) に示すように、シリコン
基板７１の裏面に電子ビームを用いた真空蒸着装置を用
いてＣｒ膜７５を０．１μm 堆積させる。

【００９５】この後、図６(d) に示すように、通常のフ
ォトリソグラフィ技術によりＣｒ膜７５の中央部に直径
３０mmの開口部を有するレジストパターン７６を形成す
る。そして、図６(e) に示すように、このレジストパタ
ーン７６をマスクとして、硝酸第２セリウムアンモニウ
ム溶液を用いた液相エッチングによりＣｒ膜７５に開口
部を形成した。

【００９６】この後、図６(f) に示すように、マグネト
ロンＤＣスパッタリング装置を用いて、ＳｉＯ2 膜７３
の上に、Ｘ線吸収体として膜厚０．５μｍのＷ膜７７を
堆積する。ここでスパッタリング条件としては、電力を
１ｋｗとし、ガス圧力を密度の大きいＷ膜を形成できる
低圧力側で、応力が０となる３mTorr となるようにし
た。このようにして形成したＷ膜２５の応力はシリコン
基板の反りから測定した結果３×１０⁷ N/m2 であっ
た。次にＷ膜７７内にＡｒイオンをエネルギー１８０ｋ
ｅＶ，３×１０¹⁵atoms/cm²のドーズ量でイオン注入を
行い応力を０にする。この後、Ｗ膜７７上にスパッタリ
ング法によりエッチングマスクとしてのＣ膜７８を０．
１５μm 堆積する。

【００９７】次に、図６(g) に示すように、シリコンか
らなる補強枠７９とマスク支持体であるシリコン基板７
１とを接着剤を用いない直接接合により接着し、この後
４００℃３分間の熱処理を行い接着強度を高める。

【００９８】この後、図６(h) に示すように、Ｃ膜７８
上に電子ビームレジスト８０として膜厚０．５μm の化
学増幅型のレジスト（ＳＡＬ６０１）を塗布し、電子ビ
ーム描画装置によりレジスト８０を描画して所望のレジ
ストパターン（最小線幅０．１５μm ）を形成する。ド
ーズ量は１３μＣ／cm²とした。

【００９９】そして、図６(i) に示すように、ＥＣＲ型
プラズマエッチング装置により、エッチングガスとして
Ｏ₂を用い、レジスト８０をマスクとして、Ｃ膜７８を
エッチングする。

【０１００】そして、図６(j) に示すように、酸素アッ
シングによりレジスト８０を除去した後、エッチングガ
スとしてＳＦ₆＋Ｃｌ₂を使用しＣ膜７８をマスクとし
てＷ膜７７を異方性エッチングによりパターニングす
る。ここで圧力は２０mTorr 、印加電力は２００Ｗとし
た。

【０１０１】ついで、図６(k) に示すように、９５℃に
加熱した濃度３０％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液に
よりＣｒ膜７５をマスクとしてシリコン基板７１を液相
エッチング（バックエッチ）し直径３０mmの開口部を形
成する。

【０１０２】最後に、図６(l) に示すように、反射防止
膜としてのＳｉＯ2 膜８１を反応性スパッタリング法に
よりＸ線透過性膜のＸ線吸収体パターンのある面とは反
対側に厚さ１０９nmとなるように形成した。成膜条件は
スパッタリングターゲットにＳｉＯ2 を用い、スパッタ
リングガスにＡｒとＯ₂の混合ガスを用いた。

【０１０３】以上の工程により形成したＸ線マスクのパ
ターン位置歪みを、ニコン社製「光波３ｌ」と指称され
ているレーザ干渉測長器によって測定した結果、０．０
３μm （３σ）という高い位置精度を達成することがで
きた。

【０１０４】また、このＸ線マスクを用いて、ピーク波
長１nmの放射光を光源としてレジスト（ＰＭＭＡ）上に
パターン転写を行った。そしてＳＥＭ観察を行った結
果、最小線幅０．１５μm のレジストパターンがエッジ
ラフネスもなく、良好に形成されていることが確認され
た。

【０１０５】ここでエッチングガスとしてＳＦ₆＋Ｃｌ
₂の混合ガスを使用したときのＣ膜のエッチング速度
と、Ｗのエッチング速度に対する選択比との関係を測定
した結果を図７に示す。この結果からエッチング速度の
遅いＷ膜に対しても選択比５以上を確保することができ
ることがわかる。例えば厚さ０．５μm のＷ膜をエッチ
ングするのに必要となるＣマスクの膜厚は選択比の点だ
けからいうと０．１μmでよい。

【０１０６】またスパッタリング法により形成した膜厚
２００nmのＣ膜の応力のスパッタリング圧力依存性を測
定した結果を図８に示す。５mTorr以上のスパッタリン
グ圧力領域で１×１０⁸Ｎ／cm²以下の応力となること
がわかる。エッチングマスクとしては膜厚が０．１μm
と極薄でよいことから、十分な低応力であることがわか
る。

【０１０７】このようにＣ膜は０．１μm という極薄膜
でエッチング用のマスク材として用いる事が可能であ
り、しかも低応力であるため、Ｘ線吸収体のエッチング
マスクとして極めて有効である。

【０１０８】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えばＸ線吸収体のエッチングマスク
であるＣ膜は、グラファイト、ダイヤモンドライクカー
ボン膜、ダイヤモンド膜等でも良い。また、このＣ膜の
エッチングもレジストをマスクとするだけでなく、Ｓｉ
Ｏ2 膜をマスクとしてもよい。さらにまた、Ｘ線吸収体
薄膜としてはＷに限らず、Ｔａ，Ｍｏ及びこれらの窒化
物及び炭化物を用いることもできる。Ｘ線透過性薄膜と
してＳｉＣ膜を用いたが、ＳｉＮx ，ＢＮ，ボロンド―
プしたＳｉ基板を用いることができる。

【０１０９】さらに、補強枠も、シリコンに限定される
こと無く、シリコン化合物やパイレックスガラスなどの
ガラスでもよい。さらに、反射防止膜上に被着する有る
化合物も、窒化アルミニウムに限らず、酸化アルミニウ
ムなどを用いても良い。また、裏面の反射防止膜の形成
方法についても、反応性スパッタリングに限らず、ＣＶ
Ｄ法、蒸着法、ＬＰＤ法等を用いても良い。

【０１１０】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。なお本発明の
方法は、Ｘ線マスクの製造のみならず、微細パターンの
エッチングにも適用可能であることはいうまでもない。

【０１１１】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の第１
によれば、光吸収体パターンなどのパターン形成のため
のマスク材料にＣｒやＣｒ合金やＣｒ化合物を用いるこ
とにより、極薄膜のエッチングマスクを形成することが
可能となり、高いＸ線吸収体パターン位置精度を有する
Ｘ線マスクの形成が可能となる。

【０１１２】また本発明の第２によれば、光吸収体パタ
ーンなどのパターン形成のためのエッチングマスクとし
て最適なＮｉ，Ｎｉ合金またはＮｉ化合物を用いたマス
クをリフトオフ法を用いることなく容易に高精度に形成
することができる。

【０１１３】さらにまた本発明の第３によれば、マスク
材料にＣｒやＣｒ合金やＣｒ化合物を用いて光吸収体パ
ターンなどのパターンを形成したのち硝酸第２セリウム
アンモニウム溶液で洗浄することにより、Ｘ線吸収体パ
ターンなどに損傷を与えることなくＣｒを含むごみが良
好に除去され、信頼性の高いＸ線マスクを得ることがで
きる。

【０１１４】本発明の第４によれば、Ｘ線吸収体パター
ンを形成するためのエッチングマスクとして炭素膜、グ
ラファイト膜、ダイヤモンドライクカーボン膜あるいは
ダイヤモンド膜を、エッチングのためのマスク材料とし
て用いるようにしているため、エッチングマスクを薄膜
化し、Ｘ線吸収体パターン形成の精度を大幅に向上する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例のＸ線マスクの製造工程
図

【図２】真空蒸着法で形成したＣｒ膜とＡｕ膜の比抵抗
と膜厚との関係を示す図。

【図３】本発明の第２の実施例のエッチング方法を示す
工程図

【図４】Ｎｉとレジストのエッチング時間とエッチング
深さとの関係を測定した結果を示す図。

【図５】本発明の第３の実施例のＸ線マスクの製造工程
図。

【図６】本発明の第４の実施例のＸ線マスクの製造工程
図。

【図７】Ｃ膜のエッチング速度とＷ膜との選択比を示す
図。

【図８】Ｃ膜の応力のスパッタ圧力依存性を示す図。

【図９】従来例のＸ線マスクの製造工程図

【図１０】従来例のＸ線マスクの製造工程図

【図１１】従来例のＸ線マスクの製造工程図

【符号の説明】

１シリコン基板２Ｘ線透過膜４Ｘ線吸収膜パターン４１Ｓｉ基板４２ＳｉＣ膜４３Ｃｒ膜４４レジストパターン４５Ｗ膜４６電子ビームレジスト４７Ｃｒ膜５１シリコン基板５２Ａｌ₂Ｏ₃膜５３ＳｉＯ₂膜５４Ｎｉ膜５５レジストパターン６１Ｓｉ基板６２ＳｉＣ膜６３Ｃｒ膜６４レジストパターン６５Ｗ膜６６Ｎｉ膜６７補強枠７１Ｓｉ基板７２ＳｉＣ膜７３ＳｉＯ₂膜７４窒化アルミニウム膜７５Ｃｒ膜７６レジストパターン７７Ｗ膜７８Ｃ膜７９補強枠８０電子ビームレジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスク支持体上にＸ線透過性薄膜を形成
するＸ線透過性薄膜形成工程と、前記Ｘ線透過性薄膜上にＣｒ、Ｃｒ合金またはＣｒ化合
物からなるマスクパターンを形成するマスクパターン形
成工程と、この上層にＸ線吸収体薄膜を形成するＸ線吸収体薄膜形
成工程と、前記マスクパターンをエッチング除去することにより、
前記マスクパターン上の前記Ｘ線吸収体薄膜を除去し、
前記Ｘ線吸収体薄膜を所望の形状にパタ―ニングするリ
フトオフ工程とを含むことを特徴とするＸ線マスクの製
造方法。
【請求項２】マスク支持体上にＸ線透過性薄膜を形成
するＸ線透過性薄膜形成工程と、前記Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収体薄膜を形成するＸ線
吸収体薄膜形成工程と、前記Ｘ線吸収体薄膜上にＮｉまたはＮｉ合金またはＮｉ
化合物を堆積し、酸性溶液を用いて液相エッチングし、
所望の形状にパタ―ニングしてマスクパターンを形成す
るマスクパターン形成工程と、前記マスクパターンをマスクとして前記Ｘ線吸収体薄膜
をパターニングするＸ線吸収体薄膜パタ―ン形成工程と
を含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項３】マスク支持体上にＸ線透過性薄膜を形成
するＸ線透過性薄膜形成工程と、Ｃｒ、Ｃｒ合金またはＣｒ化合物からなるマスクパター
ンを用いて前記Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収体薄膜パタ
ーンを形成するＸ線吸収体薄膜パターン形成工程と、硝酸第２セリウムアンモニウムを用いて洗浄する洗浄工
程とを含むＸ線マスクの製造方法。
【請求項４】マスク支持体上にＸ線透過性薄膜を形成
するＸ線透過性薄膜形成工程と、前記Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収体薄膜を形成するＸ線
吸収体薄膜形成工程と、前記Ｘ線吸収体薄膜上に炭素膜、グラファイト膜または
ダイヤモンドライクカーボン膜またはダイヤモンド膜か
らなるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工
程と、前記マスクパターンをマスクとして前記Ｘ線吸収体薄膜
をパターニングするＸ線吸収体薄膜パタ―ン形成工程と
を含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。