JP3195328B2 - Ｘ線マスクおよびｘ線マスクの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の目的】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線マスクの改良に係
り、特に可視光透過率の高いＳｉＣ製Ｘ線透過膜を有す
るＸ線マスクおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路の高集積化に伴い、回路
パタ―ンの微細加工技術の中でも、感光剤にパタ―ンを
形成するリソグラフィ技術の重要性が高まっている。現
在、可視光を露光媒体とするフォトリソグラフィ技術が
量産ラインで使用されているが、波長によって決まる解
像力の限界に近付きつつ有り、原理的に解像力が飛躍的
に向上するＸ線リソグラフィ技術が急速な進展を見せて
いる。Ｘ線露光では、所定のパタ―ンが形成されたＸ線
露光マスクと試料とを１０μｍオ―ダ―の間隔で平行に
保持し、マスク背面よりＸ線を照射することにより、マ
スクパタ―ンが試料上の感光剤に等倍転写される。

【０００３】このようなな等倍転写方式では、Ｘ線マス
クパターンの寸法精度、位置精度がそのままデバイス精
度になるため、Ｘ線マスクのパターンにはデバイスの最
小線幅の１０分の１程度の寸法精度、位置精度が要求さ
れる。このため、Ｘ線リソグラフィの実現には、高精度
Ｘ線吸収体パターンを有したＸ線マスクの開発が最も重
要な鍵となっている。

【０００４】Ｘ線マスクは、一般に、シリコン等からな
るリング状のマスク支持体上に、Ｘ線に対する吸収率が
特に小さいＳｉＣ薄膜等のＸ線透過膜を具備し、このＸ
線透過膜上にＸ線に対する吸収率が大きい材料からなる
マスクパターンを形成した構造となっている。

【０００５】製造に際しては、通常図７(a) 乃至(e) に
示すような方法が用いられる。

【０００６】まず、図７(a) に示すごとく、マスク支持
体であるシリコン基板１表面にＬＰＣＶＤ法により、膜
厚１μｍのＳｉＣ膜（Ｘ線透過膜）２を堆積する。Ｘ線
透過膜はＸ線を透過し、かつアライメント光（可視光）
に対する透過性に優れ、引っ張り応力を有する自立支持
膜であることが要求される。その材料として、現在のと
ころ、ＳｉＣの他に、ＢＮ、Ｓｉ、ＳｉＮ、ダイヤモン
ドなどが報告されている。この後シリコン基板裏面に開
口部を有するＣｒ膜５を形成する。

【０００７】次に、図７(b) に示すように、ＳｉＣ膜２
上に膜厚０．５μｍのＷ膜７を堆積した。ここでＸ線吸
収体としては露光波長におけるＸ線吸収係数が大きいこ
と、微細加工が容易であることが要求される。また、Ｘ
線吸収体が厚さ１μm のＸ線透過膜という極薄膜上に存
在するために、Ｘ線吸収体の内部圧力は、１×１０^７Ｎ
／ｍ^２程度の低圧力であることが不可欠である。Ｘ線吸
収体の応力が大きいと、Ｘ線透過膜が変形し、その結果
Ｘ線吸収体パターンの位置歪が発生してしまう。そこで
応力制御が可能なスパッタリング法により内部応力を制
御して堆積される。

【０００８】次に、図７(c) に示すごとく、シリコンか
らなる補強枠９を直接接合によりシリコン基板１に接合
させる。

【０００９】そして図７(d) に示すように、電子ビーム
描画装置によりパターン描画を行い、レジストパターン
１０を形成する。

【００１０】次いで、図７(e) に示すように、ドライエ
ッチングにより、レジストパターン１０をマスクとして
Ｗ膜７を異方性エッチングによりパターニングする。

【００１１】そして最後に図７(f) に示すように、水酸
化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用いた液相エッチングによ
り、Ｃｒ膜５をマスクとしてシリコン基板１をエッチン
グし、３０ｍｍ径の開口部を形成する。

【００１２】ところで、Ｘ線透過膜はＸ線透過率を上げ
る目的から１μｍ程度と極薄である必要があるため、Ｘ
線吸収体パタ―ンの応力によるパタ―ンの位置歪みを小
さくすべく、ヤング率およびポアソン比が大きいＳｉＣ
がＸ線透過膜として用いられる。

【００１３】このような状況の中で、Ｘ線透過膜にＳｉ
Ｃを用いたＸ線マスクの実用化に向けて解決すべき課題
としてＸ線透過膜の可視光透過率の高さは極めて重要で
ある。すなわち、Ｘ線マスクとウェハのアライメントは
Ｈｅ−Ｎｅレ―ザ―を用いて行うために、Ｘ線ステッパ
―により異なるが一般にＸ線透過膜は波長６３３ｎｍに
おいて７０％以上の透過率を有することが求められる。
これに対し、ＳｉＣやダイヤモンド膜は５０〜６０％の
程度の透過率しか得られない。これは、ＳｉＣやダイヤ
モンド膜の屈折率が２．３〜２．６と大きく、空気（Ｈ
ｅ雰囲気であることもある）とＸ線透過膜との界面での
反射率が大きいことに起因するものと考えられる。そこ
で形成したＸ線透過膜に反射防止膜を被着することによ
り可視光透過率を向上させるという提案がなされている
（第５１回応用物理学会講演予稿集、ｐ４５５）。

【００１４】反射防止膜の条件はその屈折率ｎがＸ線透
過膜の屈折率の平方根に近いことと、膜厚がλ／（４
ｎ）の奇数倍（λは波長）であることが求められる。す
なわち、屈折率が１．５〜１．６程度の膜が反射防止膜
として適しており、屈折率１．４５のＳｉＯ_２膜が用い
られてきた。また、この反射防止膜の膜厚はこの膜自体
での吸収を極力抑えるために、１０９ｎｍ（λ／４）と
している。

【００１５】しかしながら、Ｘ線透過膜の表面粗さは５
０ｎｍ（ｐ−ｖ）程度と大きいのに対し、この上層に形
成される反射防止膜は２１５ｎｍ程度の薄い膜厚である
ため、表面粗さはあまり改善されず、表面での散乱によ
る透過率の低下を阻むことができないという問題があっ
た。 また、表面を平滑化するために厚い反射防止膜を
形成することも考えられるが、応力の制御が非常に厳し
いものになる上、反射防止膜による光の吸収の影響が出
てしまうという問題がある。

【００１６】

【発明が解決しようとしている課題】上述したように、
従来Ｘ線透過膜の可視光透過率を向上させるため、Ｘ線
透過膜に反射防止膜を被着しているが、Ｘ線透過膜の表
面粗さが大きいため、反射防止膜を被着しても、表面で
の散乱による透過率の低下を阻むことができず反射防止
膜を被着することによっても十分な反射防止効果を得る
ことができないという問題がある。

【００１７】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、可視光透過率の高いＸ線透過膜を有するＸ線露光マ
スクを提供することを目的とする。

【００１８】すなわち本発明では、表面の平滑な反射防
止膜を形成することにより十分な反射防止効果を得、可
視光透過率の高いＸ線透過膜を有するＸ線露光マスクを
提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】そこで本発明では、反射
防止膜をＸ線透過膜の表面の粗さが十分に低減される程
度まで厚く形成し、この後所望の厚さまでエッチバック
することにより、表面の平滑な反射防止膜を得るように
している。

【００２０】

【作用】本発明によれば、反射防止膜をＸ線透過膜の表
面の粗さが十分に低減される程度まで厚く形成し、この
後所望の厚さまでエッチバックするようにしているた
め、所望の厚さであってかつ表面の平坦な反射防止膜を
形成することができ、十分な反射防止機能を発揮するこ
とができる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。

【００２２】（実施例１）本発明の第１の実施例では反
射防止膜として、ＳｉＯ_２膜２３を用い、さらにこのＳ
ｉＯ_２膜２３の形成に際し、表面が平滑となるまで十分
に厚く形成し、この後所望の厚さまでエッチバックする
ようにしたことを特徴とするものである。

【００２３】図１(a) 〜(j) は、本発明実施例のＸ線マ
スクの製造工程を示す断面図である。

【００２４】まず、ＲＦ誘導加熱方式の減圧ＣＶＤ（Ｌ
ＰＣＶＤ）装置を用い、グラファイト表面にＳｉＣをコ
ーティングしたサセプタ上に直径φ＝３インチ、厚さ５
５０μｍの面方位（１００）の両面研磨シリコン基板
（マスク基板支持体）２１を載置し、ＨＣｌガスにより
表面エッチングを行う。ここでは基板温度を１１００℃
とした。このようにしてシリコン基板２１表面に存在す
る自然酸化膜および重金属類の汚染物を除去した。これ
により、シリコン基板表面の清浄化処理が完了する。

【００２５】ついで図１(a) に示すごとく、前記シリコ
ン基板表面に膜厚１μｍのＳｉＣ膜２２を堆積した後、
ＬＰＣＶＤ法により、反射防止膜として酸化シリコン
（ＳｉＯ_２）２３を６００ｎｍ堆積する。堆積条件は、
原料ガスにＳｉ（ＯＣ_２Ｈ_５） _４を用い、基板温度７５
０℃、圧力１．０Ｔｏｒｒとした。このとき酸化シリコ
ン膜表面は、ＳｉＣ膜２２表面の凹凸を吸収し十分に平
滑な状態となっている。このときの堆積膜厚と表面粗さ
との関係を測定した結果を図２に示す。この図から６０
０ｎｍ以上堆積すれば十分な平滑度を得ることができる
ことが分かる。

【００２６】ついで図１(b) に示すようにＣＦ_４＋Ｏ_２
の混合ガスをエッチングガスとして用いたケミカルドラ
イエッチングにより、所望の厚さである２１５nmまでエ
ッチングした。エッチング条件はＣＦ_４ガスの流量を２
０ｓｃｃｍ、Ｏ_２流量を１０ｓｃｃｍとし、圧力１００
ｍＴｏｒｒで行った。このようにして得られた酸化シリ
コン膜表面の表面粗さをＳＴＭを用いて測定したとこ
ろ、１０ｎｍ（ｐ−ｖ）と十分に平滑化されていること
がわかる。この時エッチバック後の膜厚と平坦度との関
係を測定した結果を図３に示す。この結果から、エッチ
バックによりさらに平坦性が向上することがわかる。そ
して電子ビームを用いた真空蒸着装置を用いてシリコン
基板２１の裏面に膜厚０．１μｍのＣｒ膜２４を堆積さ
せ、通常のフォトリソグラフィ―技術により、裏面のＣ
ｒ膜２４の中央部に３０ｍｍ径の開口部を有するレジス
トパターン２５を形成する。

【００２７】次に、図１(c) に示すように、硝酸第２セ
リウムアンモニウム溶液によりレジストパターン２５を
マスクとしてＣｒ膜２４を液相エッチングした。

【００２８】この後、マグネトロンＤＣスパッタリング
装置により、ＳｉＣ膜２２上に膜厚０．５μｍのＷ膜２
６を堆積した。スパッタリングの電力は１ｋｗとし、ガ
ス圧力を、密度の大きいＷ膜を形成できる低圧力側で、
応力がゼロとなる３ｍＴｏｒｒ とした。形成したＷ膜
２６の応力はＳｉ基板２１の反りから測定した結果、３
×１０^８ｄｙｎ ／ｃｍ^２であった。

【００２９】次に、図１(d) に示すごとく、エネルギ―
１８０ｋe ＶでＷ膜２６に３×１０ ^１５ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ^２のド―ズ量でＡｒイオンをイオン注入し、Ｗ膜２６
の応力をゼロにした。そしてＷ膜２６上にスパッタリン
グ法によりエッチングマスクとして膜厚５０nmの酸化ア
ルミニウム膜２７を堆積する。

【００３０】この後、図１(e) に示すごとく、ＳｉＯ_２
膜でコ―ティングされたシリコンからなる補強枠２８と
マスク支持体であるＳｉ基板２１とを、接着剤を用いる
ことなく直接接合により接着した。直接接合とは接着面
を鏡面とすることにより、接着面の間で働く原子間力に
より接着する方法である。接合は、補強枠２８を弾性体
である厚さ１ｍｍのバイトン製のゴムを用いたステージ
上に保持し、１．０ｋｇ／ｃｍ_２の加圧力を１分間印加
した。またこの直接接合は、接着面に空気が残るのを防
ぐために真空中で行った。最後に、４００℃で、３分間
の熱処理を行った。ここで熱処理を加えるのは、熱処理
を行うことにより接着強度が増すためである。

【００３１】次に、図１(f) に示すごとく、Ｗ膜２６上
に電子ビ―ムレジスト２９として膜厚０．５μｍの化学
増幅型のレジスト（ＳＡＬ６０１）を塗布し、Ｎ_２雰囲
気中１５０℃にてベ―キングすることにより電子ビ―ム
レジスト２９中の溶媒を除去した後、電子ビ―ム描画装
置によりレジスト２９を描画して所望のパタ―ン（最小
線幅０．１５μｍ）を形成した。このときのドーズ量は
１３μＣ／ｃｍ_２とした。 さらに、図１(g) に示すよ
うに、ＥＣＲ型プラズマエッチング装置により、エッチ
ングガスＣｌ_２＋Ｈ_２を用いて、レジスト２９をマスク
として酸化アルミニウム２７をエッチングした。

【００３２】そして図１(h) に示すように、酸化アルミ
ニウム膜パターン２７をマスクとしてＷ膜２６を異方性
エッチングした。このときのエッチングガスとしてはＳ
Ｆ_６＋ＣＨＦ_３の混合ガスを用い圧力は３０ｍＴｏｒ
ｒ、印加電力は２００Ｗとした。

【００３３】Ｗ膜（ＳｉＯ_２も同様）表面では、エッチ
ャントとしてのフッ素粒子による反応性イオンエッチン
グが進んでいるため、エッチング速度が早いのに対し、
酸化アルミニウムでは物理的なスパッタリングによるエ
ッチング進行のみであるため、エッチング速度が遅い。
この条件におけるエッチング速度と選択比とを測定した
結果を図６に示す。これらの結果から、Ｗ膜のエッチン
グに際し酸化アルミニウム膜は十分な選択比（＝２０）
を得ることができることがわかる。

【００３４】次に、図１(i) に示すごとく、９５℃に加
熱した濃度３０％の水酸化カリウム溶液により、Ｃｒ膜
２４をマスクとしてＳｉ基板２１を液相でエッチング除
去した。これにより、３０ｍｍ径の開口部を形成した。

【００３５】さらに、図１(j) に示すごとく、反射防止
膜としての酸化シリコン膜２３を反応性スパッタリング
法により、Ｘ線透過膜のＸ線吸収体パターンのある面と
は反対側に膜厚２１５ｎｍとなるように堆積した。

【００３６】以上の工程により、形成したＸ線マスクの
可視光透過率を測定したところ、６３３ｎｍの波長にお
いて９２％であった。このＸ線マスクを評価するため、
Ｘ線マスク中の面内パタ―ンの位置ずれを測定した。測
定領域はマスク中の十字パタ―ンを含む２０×２０ｍｍ
の領域とし、このマスク中の十字パタ―ンの、設計値に
対する位置ずれをニコン社製「光波３Ｉ」により測定評
価したところ０．０３μｍ（３σ）以下と、格段に小さ
い値であった。さらに、ＳＥＭによりＸ線吸収体パター
ンの形状を観察したところ、エッジラフネスもなく、
０．１５μm の線幅の微細パターンが良好に形成されて
いることも確認できた。

【００３７】なお前記実施例では、反射防止膜として酸
化シリコン膜を用いた場合について説明したが、この他
酸化クロムや酸化アルミニウム、窒化ケイ素等他の材料
を用いても良い。

【００３８】さらに反射防止膜の堆積方法としては、Ｌ
ＰＣＶＤ法のほか、スパッタリング法、ＣＶＤ法などを
用いても良く、またエッチバック工程におけるエッチン
グ方法としても、反応性イオンエッチングやＥＣＲエッ
チング、イオンミリング等を用いても良い。

【００３９】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
について説明する。

【００４０】この例では反射防止膜として、実施例１の
ＳｉＯ_２膜２３の形成に際し、回転塗布法を用いて表面
が平滑となるようににしたことを特徴とするものであ
る。他の工程については実施例１と同様である。

【００４１】図４(a) 〜(j) は、本発明実施例のＸ線マ
スクの製造工程を示す断面図である。 実施例１と同様
にまず、ＲＦ誘導加熱方式の減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）
装置を用い、グラファイト表面にＳｉＣをコーティング
したサセプタ上に直径φ＝３インチ、厚さ５５０μｍの
面方位（１１１）の両面研磨シリコン基板（マスク基板
支持体）３１を載置し、ＨＣｌガスにより表面エッチン
グを行う。ここでは基板温度を１１００℃とした。この
ようにしてシリコン基板３１表面に存在する自然酸化膜
および重金属類の汚染物を除去した。これにより、シリ
コン基板表面の清浄化処理が完了する。

【００４２】ついで図４(a) に示すごとく、前記シリコ
ン基板表面に膜厚１μｍのＳｉＣ膜３２を堆積する。

【００４３】この後、図４(b) に示すように、回転塗布
法により、反射防止膜として酸化シリコン（ＳｉＯ_２）
３３を膜厚１０９ｎｍとなるように塗布形成する。形成
条件は東京応化製のＳｉＯ_２被膜形成塗布液（ＳｉＯ_２
濃度５％）を回転数３０００ｒｐｍで回転塗布し、２５
０℃の窒素雰囲気中で３０分間加熱処理を行った。この
ときのＳｉＯ_２膜の表面粗さをＳＴＭを用いて測定した
ところ、１ｎｍ（ｐ−ｖ）と平坦な状態であった。Ｓｉ
Ｃ膜の表面粗さとＳｉＯ_２膜塗布後の表面粗さとの関係
を測定した結果を図５に示す。この結果から大幅に表面
が平滑化されていることがわかる。そしてさらにこの上
層に酸化アルミニウム膜３４をスパッタリング法によっ
て形成する。このときターゲットとしては酸化アルミニ
ウムを用い、スパッタリングガスとしてはＡｒガスを用
いた。ここで酸化アルミニウム３４はＷ膜のパターニン
グに際してのエッチングストッパとしての役割を果た
す。

【００４４】そしてさらに図４(c) に示すように、電子
ビームを用いた真空蒸着装置を用いてシリコン基板３１
の裏面に膜厚０．１μm のＣｒ膜３５を堆積させ、通常
のフォトリソグラフィ―技術により、裏面のＣｒ膜３５
の中央部に３０ｍｍ径の開口部を有するレジストパター
ン６を形成する。

【００４５】次に、図４(d) に示すように、硝酸第２セ
リウムアンモニウム溶液によりレジストパターン３６を
マスクとしてＣｒ膜３５を液相エッチングした。

【００４６】この後、図４(e) に示すごとく、マグネト
ロンＤＣスパッタリング装置により、酸化アルミニウム
膜３４上に膜厚０．５μｍのＷ膜３７を堆積した。スパ
ッタリングの電力は１ｋｗとし、ガス圧力を、密度の大
きいＷ膜を形成できる低圧力側で、応力がゼロとなる３
ｍｍＴｏｒｒとした。形成したＷ膜３７の応力はＳｉ基
板３１の反りから測定した結果、３×１０^８ｄｙｎ／ｃ
ｍ^２であった。次に、エネルギ―１８０ｋe ＶでＷ膜３
７に３×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２のド―ズ量でＡｒ
イオンをイオン注入し、Ｗ膜３７の応力をゼロにした。
そしてＷ膜３７上にスパッタリング法によりエッチング
マスクとして膜厚５０ｎｍの酸化アルミニウム膜３８を
堆積する。

【００４７】さらに、図４(f) に示すごとく、ＳｉＯ_２
膜でコ―ティングされたシリコンからなる補強枠３９と
マスク支持体であるＳｉ基板３１とを、接着剤を用いる
ことなく直接接合により接着した。

【００４８】次に、図４(g) に示すごとく、酸化アルミ
ニウム膜３８上に電子ビ―ムレジスト４０として膜厚
０．５μｍの化学増幅型のレジスト（ＳＡＬ６０１）を
塗布し、Ｎ_２雰囲気中１５０℃にてベ―キングすること
により電子ビ―ムレジスト４０中の溶媒を除去した後、
電子ビ―ム描画装置によりレジスト４０を描画して所望
のパタ―ン（最小線幅０．１５μｍ）を形成した。この
ときのドーズ量は１３μＣ／ｃｍ^２とした。

【００４９】さらに、図４(h) に示すように、ＥＣＲ型
プラズマエッチング装置により、エッチングガスＣｌ_２
＋Ｈ_２を用いて、レジスト４０をマスクとして酸化アル
ミニウム膜３８をエッチングした。

【００５０】そして図４(i) に示すように、酸化アルミ
ニウム膜パターン３８をマスクとしてＷ膜３７を異方性
エッチングした。このときのエッチングガスとしてはＳ
Ｆ_６＋ＣＨＦ_３の混合ガスを用い圧力は２０ｍＴｏｒ
ｒ、印加電力は２００Ｗとした。

【００５１】次に、図４(j) に示すごとく、９５℃に加
熱した濃度３０％の水酸化カリウム溶液により、Ｃｒ膜
３５をマスクとしてＳｉ基板３１を液相でエッチング除
去した。これにより、３０mm径の開口部を形成した。

【００５２】さらに、図４(j) に示すごとく、反射防止
膜としての酸化シリコン膜４１を反応性スパッタリング
法により、Ｘ線透過膜のＸ線吸収体パターンのある面と
は反対側に膜厚１０９ｎｍとなるように堆積した。

【００５３】以上の工程により、形成したＸ線マスクの
可視光透過率を測定したところ、６３３ｎｍの波長にお
いて９２％であった。このＸ線マスクを評価するため、
Ｘ線マスク中の面内パタ―ンの位置ずれを測定した。測
定領域はマスク中の十字パタ―ンを含む２０×２０mmの
領域とし、このマスク中の十字パタ―ンの、設計値に対
する位置ずれをニコン社製「光波３Ｉ」により測定評価
したところ０．０３μｍ（３σ）以下と、格段に小さい
値であった。さらに、ＳＥＭによりＸ線吸収体パターン
の形状を観察したところ、エッジラフネスもなく、０．
１５μm の線幅の微細パターンが良好に形成されている
ことも確認できた。

【００５４】なお、上記実施例では、エッチングストッ
パおよびＸ線吸収体薄膜のパターニングにおけるマスク
の材料として酸化アルミニウムを用いているが、窒化ア
ルミニウムを用いてもよい。

【００５５】

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれば
平坦かつ均一な反射防止膜を有するＸ線マスクを形成す
ることができるため、可視光透過率の高いＸ線透過膜を
有するＸ線露光マスクを得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例のＸ線露光マスクの製造
工程図。

【図２】本発明の第１の実施例の方法における酸化シリ
コン膜の堆積膜厚と表面粗さとの関係を示す図。

【図３】本発明の第１の実施例の方法における酸化シリ
コン膜のエッチバック工程における膜厚と表面粗さとの
関係を示す図。

【図４】本発明の第２の実施例のＸ線露光マスクの製造
工程図。

【図５】本発明の第２の実施例におけるＳｉＣ膜の表面
粗さとＳｉＯ_２膜の表面粗さとの関係を示す図。

【図６】エッチング速度と選択比とを測定した結果を示
す図。

【図７】従来例のＸ線マスクの製造工程図

【符号の説明】

１ シリコン基板 ２ ＳｉＣ膜 ５ Ｃｒ膜 ７ Ｗ膜 ９ 補強枠 １０ レジストパターン ２１ シリコン基板 ２２ ＳｉＣ膜 ２３ 酸化シリコン膜 ２４ Ｃｒ膜 ２５ レジストパターン ２６ Ｗ膜 ２７ 酸化アルミニウム膜（エッチングマスク） ２８ 補強枠 ２９ 電子ビームレジスト ３１ シリコン基板 ３２ ＳｉＣ膜 ３３ 酸化シリコン膜（回転塗布膜） ３４ 酸化アルミニウム膜 ３５ Ｃｒ膜 ３６ レジストパターン ３７ Ｗ膜 ３８ 酸化アルミニウム膜（エッチングマスク） ３９ 補強枠 ４０ 電子ビームレジス ４１ 酸化シリコン膜

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−241019（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−173618（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−222521（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−48476（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−177530（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−27713（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｘ線透過性薄膜上に、酸化アルミニウム
   からなる反射防止膜をＸ線透過膜の表面の粗さが十分に
   低減される程度まで厚く形成する反射防止膜堆積工程
   と、 前記反射防止膜を所望の厚さまでエッチバックするエッ
   チング工程と、 前記反射防止膜上にＸ線吸収体薄膜を形成するＸ線吸収
   体薄膜形成工程と、 前記反射防止膜をエッチングストッパとして前記Ｘ線吸
   収体薄膜を所望の形状のパターンにエッチングするＸ線
   吸収体形成工程とを含むことを特徴とするＸ線マスクの
   製造方法。
2. 【請求項２】 前記Ｘ線吸収体薄膜形成工程の後、 前記Ｘ線吸収体薄膜上に酸化アルミニウム層を堆積し、
   所望の形状の酸化アルミニウム層パターンを形成する酸
   化アルミニウム層パターン形成工程と、 前記酸化アルミニウム層パターンをマスクとして前記Ｘ
   線吸収体薄膜を所望の形状のパターンにエッチングする
   Ｘ線吸収体形成工程とを含むことを特徴とする請求項１
   記載のＸ線マスクの製造方法。