RU2242291C2 - Способ и устройство для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель - Google Patents
Способ и устройство для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капельInfo
- Publication number
- RU2242291C2 RU2242291C2 RU2002113099/12A RU2002113099A RU2242291C2 RU 2242291 C2 RU2242291 C2 RU 2242291C2 RU 2002113099/12 A RU2002113099/12 A RU 2002113099/12A RU 2002113099 A RU2002113099 A RU 2002113099A RU 2242291 C2 RU2242291 C2 RU 2242291C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nozzle
- fog
- liquid
- radiation
- dense fog
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 51
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 11
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 abstract 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 6
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
- B05B7/24—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device
- B05B7/26—Apparatus in which liquids or other fluent materials from different sources are brought together before entering the discharge device
- B05B7/28—Apparatus in which liquids or other fluent materials from different sources are brought together before entering the discharge device in which one liquid or other fluent material is fed or drawn through an orifice into a stream of a carrying fluid
- B05B7/32—Apparatus in which liquids or other fluent materials from different sources are brought together before entering the discharge device in which one liquid or other fluent material is fed or drawn through an orifice into a stream of a carrying fluid the fed liquid or other fluent material being under pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/887—Nanoimprint lithography, i.e. nanostamp
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
- Y10S977/95—Electromagnetic energy
- Y10S977/951—Laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Nozzles (AREA)
Abstract
Данное изобретение относится к способу и устройству для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель и может быть применено для генерирования излучения в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра, который применяется, в частности, в литографии. Согласно изобретению, находящуюся под давлением жидкость (4) нагнетают в форсунку (10) с очень небольшим диаметром, открытую в вакуумную камеру. Излучение (42) генерируют посредством фокусирования лазерного излучения (36) на плотном тумане (23). Техническим результатом изобретения является простота и надежность. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Данное изобретение относится к способу и устройству для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель.
Настоящее изобретение можно применять для генерирования излучения в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра, называемого "СУФ"-излучением, то есть излучения с длиной волны, заключенной внутри диапазона между 8 и 25 нм.
Создаваемое согласно настоящему изобретению СУФ-излучение имеет много применений, в частности, в материаловедении, микрометрии и особенно в литографии для изготовления интегральных схем со сверхбольшой степенью интеграции (СБИС).
Другие применения включают осаждение на поверхности агрегатов, в основном - крупных и горячих агрегатов и реже мелких и холодных агрегатов, создаваемых всеми устройствами, известными из уровня техники.
Из уровня техники известны способы создания СУФ-излучения, например, способы, состоящие в использовании лазерного луча для облучения размещенной в вакууме мишени.
Когда облучение лазерным лучом осуществляют достаточно интенсивно, то мишень сильно ионизируется. Таким образом, создают плазму, в которой большое число частиц, возбужденных и/или ионизированных электромагнитным полем под действием лазерного луча и столкновений с другими частицами, теряют возбуждение или рекомбинируются с испусканием света в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра.
Известно множество мишеней, способных обеспечивать эффективное протекание подобного высокочастотного преобразования для создания максимально интенсивного СУФ-излучения.
Для осуществления литографической печати интегральных схем необходимо использовать мишень, которую можно облучать лазерным лучом для создания излучения в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра и которая является совместимой с промышленным оборудованием, используемым в литографии при промышленном применении. Этот тип мишени и соответствующее устройство должны удовлетворять следующим требованиям:
- количество и размер осколков, образуемых при взаимодействии мишени и лазерного луча, должны быть минимальными для исключения повреждения очень дорогой оптики литографических устройств;
- должна обеспечиваться возможность подачи материала, из которого выполнена мишень, постоянно или в импульсном режиме с высокой частотой, например, порядка 1 кГц, чтобы могло происходить постоянное обновление мишени за счет этого материала;
- поскольку лазер сфокусирован на мишени, то количество облучаемого материала должно быть достаточно большим для обеспечения образования интенсивного излучения в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра, что обуславливает два требования к мишени: во-первых, размеры этой мишени не должны быть малыми, во-вторых, средняя плотность мишени должна быть достаточно большой;
- мишень должна находиться в вакууме, в зоне, в которой давление составляет, например, порядка 10-2 Па, причем насосные средства, используемые для обеспечения такого давления, не должны создавать вибраций;
- перенос энергии между лазером и мишенью должен быть эффективным для обеспечения высокой эффективности преобразования;
- устройство для обновления материала мишени должно быть надежным в течение длительного времени, для этого, в частности, взаимодействие между лазером и мишенью должно иметь место на достаточно большом расстоянии от данного устройства для предотвращения преждевременного износа устройства за счет соударений с ионами, выбрасываемыми из плазмы, так как это приводит к образованию твердых осколков, возникающих вследствие эрозии форсунки.
Генерирование СУФ-излучения посредством облучения плотной струи ксеноновых агрегатов, на которой сфокусирован луч, излучаемый наносекундным лазером, раскрыто в документе [1], который, так же как другие источники, указан в конце данного описания.
Следует отметить, что эти ксеноновые агрегаты являются субмикрометровыми зернами и они получаются путем конденсации ксенона во время адиабатического расширения через форсунку в вакуумной камере.
Облучение этих агрегатов лазерным лучом в ближнем инфракрасном или в ближнем ультрафиолетовом диапазоне спектра создает плазму, которая излучает электромагнитные волны более высокой энергии в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра. Способ взаимодействия между лазером и мишенью, обусловливающий эффективность такого процесса преобразования, является особенно важным в случае облучения струи ксеноновых агрегатов.
В данном процессе поглощается большое количество лазерного света, что способствует образованию плазмы посредством нагревания агрегатов. Эффективность процесса преобразования обуславливается очень небольшими размерами агрегатов (менее 0,1 мкм), что способствует почти полному проникновению лазерного света в каждый агрегат.
Кроме того, локальная плотность атомов в каждом агрегате является очень высокой, так что в процессе преобразования участвует большое количество атомов. Кроме того, большое количество агрегатов, содержащих достаточно большое среднее количество атомов, внутри зоны фокусирования лазерного луча, приводит к очень сильному излучению в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра.
Другим преимуществом такого источника СУФ-излучения, основанного на облучении струи агрегатов наносекундным лазером, является почти полное отсутствие осколков материала, или, другими словами, быстрых фрагментов материала, излучаемых облучаемой струей, поскольку такие обломки могли бы повреждать оптику, предназначенную для собирания СУФ-излучения.
Вместе с тем большое количество осколков материала может создаваться за счет эрозии форсунки, когда она расположена слишком близко к зоне облучения. Информация, приведенная в документах [1] и [7], раскрывает, что облучаемая зона должна быть расположена на небольшом расстоянии от форсунки (1-2 мм), что приводит к образованию большого количества осколков вследствие эрозии форсунки.
Использование струи, которая создает обновляемую мишень, делает возможной работу с высокой частотой (порядка 1 кГц и выше), что подходит для литографических устройств для изготовления схем со сверхбольшой степенью интеграции (СБИС).
Использование ксенона в качестве агрегатного газа дает наилучшие результаты для излучения в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра, поскольку ксенон является газом, который (а) обеспечивает наивысшую степень конденсации и тем самым создает достаточно большой размер агрегатов, и (b) имеет большое число лучей излучения внутри представляющего интерес диапазона спектра.
Кроме того, зона взаимодействия между лазерным лучом и струей агрегатов является небольшой, так что можно сжимать максимальное количество СУФ-излучения при минимальных оптических аберрациях.
Однако источник СУФ-излучения, описанный в документе [1], имеет ряд ограничений и недостатков, а именно:
- расширительную форсунку необходимо сильно охлаждать, что требует использования значительных криогенных средств,
- надежность устройства генерирования агрегатов при охлаждении форсунки снижается из-за наличия большого градиента температур между охлаждаемым концом форсунки и механизмом перемещения импульсного клапана, на котором происходит местное повышение температуры;
- работа на высоких частотах (порядка 1 кГц) требует больших потоков газа, для чего необходимо использовать очень мощные насосные средства, которые могут вызывать вибрацию, нежелательную для выравнивания оптики литографического устройства, содержащего генерирование агрегатов;
- в случае использования ксенона, необходимо использовать средства для улавливания газа для минимизации стоимости процесса, что может быть неприемлемым в промышленных установках;
- процесс генерирования СУФ-излучения должен происходить внутри небольшой зоны с диаметром менее 1 мм, то есть, все то, что задействовано в процессе, является лишь небольшой частью газа внутри струи. Согласно документу [1], фиг.5 и документу [7], фиг.5, плотность агрегатов резко уменьшается с увеличением расстояния от форсунки. Поэтому возбуждение лазерным лучом должно происходить в непосредственной близости от форсунки, что приводит к сильной эрозии этой форсунки (которая обычно выполнена из металла) за счет столкновения с ионами, выходящими из плазмы. Эрозия форсунки значительно сокращает ее срок службы и надежность источника СУФ-излучения и создает большое количество осколков, которые могут повреждать оптику и маску литографического устройства.
В документе [2] раскрыт источник СУФ-излучения, в котором в качестве мишени используется струя микрокристаллов льда. Она состоит из последовательности микрокристаллов с очень высокой частотой повторения, в которой каждый микрокристалл имеет диаметр в несколько десятков микронов.
Эти микрокристаллы являются слишком большими для полного проникновения возбуждающего лазерного луча, в противоположность ксеноновым агрегатам. Уменьшение диаметра каждого микрокристалла могло бы повысить проницаемость, однако эффективность падает, поскольку в плазме уменьшается количество излучателей СУФ-фотонов.
Поэтому технология, описанная в документе [2], не удовлетворяет требованиям к источнику достаточно интенсивного СУФ-излучения.
В документе [3] описан другой источник СУФ-излучения, основанный на облучении непрерывной микроструи жидкого азота. Этот тип мишени также имеет недостаток, заключающийся в том, что она не содержит достаточно материала для обеспечения достаточно большого количества потенциальных СУФ-излучателей. Это обусловлено его относительно небольшим диаметром (около 10 мкм) струи жидкого азота.
Кроме того, источники, описанные в документах [2] и [3], являются не очень стабильными по интенсивности. В случае, описанном в документе [2], трудно облучать каждый микрокристалл одинаковым образом из-за проблемы синхронизации с лазером. В случае, описанном в документе [3], колебания интенсивности СУФ-излучения обусловлены нестабильностью непрерывной струи азота.
В документе [4] также описан источник СУФ-излучения, основанный на облучении газовой струи, которая увлекает с собой микрочастицы, например, металлические микрочастицы. Эта технология, аналогично технологии с использованием ксеноновых агрегатов, обеспечивает хорошую стабильность СУФ-излучения, однако имеет намного меньшую плотность частиц. В результате вырабатывается значительно меньше СУФ-излучения. Кроме того, несущий газ не участвует, непосредственно в генерировании СУФ-излучения. Поэтому имеется большое количество избыточного газа высокой частоты, который необходимо откачивать, что приводит к нежелательной вибрации, так же как в случае струи ксеноновых агрегатов.
В документах [5] и [6] упоминается об излучении рентгеновских лучей агрегатами, например, агрегатами криптона, ксенона или аргона.
В основу настоящего изобретения положена задача создать способ и устройство, образующие технологию для генерирования СУФ-излучения, которые бы имели почти все преимущества указанных выше известных технологий и были бы свободны от описанных ограничений и недостатков этих известных технологий.
Поставленная задача решается за счет того, что в способе согласно изобретению используют мишень, состоящую из плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель жидкости. Эффективность преобразования этой мишени в области сверхультрафиолетового диапазона спектра больше или аналогична эффективности преобразования, обеспечиваемой с помощью известных технологий.
В целом данное изобретение относится к способу и устройству для создания плотного тумана из капель жидкости, при этом этот способ и это устройство можно использовать, в частности, для генерирования СУФ-излучения. Предложенные способ и устройство являются очень надежными и очень простыми, что существенно для промышленного применения.
В частности, задачей данного изобретения является создание способа образования тумана, состоящего из капель жидкости, при этом этот способ характеризуется тем, что жидкость нагнетают под давлением примерно от 5×105 до 107 Па и нагнетаемую таким образом жидкость впрыскивают в форсунку с диаметром в диапазоне от 20 мкм до 1 мм, которая из-за этого открывается в камеру, в которой давление меньше или равно 10-2 Па, за счет чего образуется плотный туман из капель жидкости на выходе из форсунки, при этом размер капель составляет порядка 10-30 мкм, и этот плотный туман расположен вблизи и вдоль центральной линии форсунки, причем средняя плотность тумана больше или равна 1020 молекул/см3.
Согласно предпочтительному варианту осуществления способа согласно настоящему изобретению форсунку подогревают. При создании плотного тумана поглощается тепло, которое обычно компенсируют путем подвода тепла. Количество подводимого тепла может быть снижено за счет использования криогенной жидкости (сжиженного газа).
Кроме того, предпочтительно подавать в форсунку количество тепла, большее чем количество тепла, поглощаемое при создании плотного тумана, для улучшения равномерности распределения капель жидкости в пространстве.
На полученном таким образом плотном тумане можно фокусировать лазерный луч, при этом этот лазерный луч способен взаимодействовать с плотным туманом для генерирования излучения в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра.
Лазерный луч предпочтительно фокусируют на плотном тумане на расстоянии от форсунки в диапазоне от около 1 мм до около 10 мм.
Вместе с тем, не выходя за рамки объема настоящего изобретения, для фокусировки лазерного луча можно использовать большее расстояние от форсунки вплоть до нескольких сантиметров.
Генерируемое излучение в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра можно использовать для облучения подложки, на которую нанесен фоторезисторный слой.
Положенная в основу данного изобретения задача решается также за счет того, что предложено устройство для создания тумана, состоящего из капель жидкости, при этом это устройство характеризуется тем, что содержит:
- резервуар, предназначенный для содержания жидкости;
- средство нагнетания содержащейся в резервуаре жидкости путем воздействия на нее давления примерно от 5×105 до 107 Па;
- соединенную с резервуаром форсунку с диаметром от 20 мкм до 1 мм;
- соединенную с форсункой вакуумную камеру;
- насосное средство для создания в этой камере давления, меньшего или равного 10-2 Па, причем устройство выполнено с возможностью создания плотного тумана из капель жидкости в вакуумной камере на выходе из форсунки с размером капель порядка 10-30 мкм, и этот плотный туман расположен вблизи и вдоль центральной оси форсунки.
Согласно одному из конкретных вариантов осуществления устройства согласно изобретению, это устройство также содержит средство для подогрева форсунки.
Средство нагнетания содержит, например, средство для впрыска сжатого газа в резервуар.
Согласно конкретному варианту осуществления устройства по настоящему изобретению форсунка снабжена импульсным средством для создания плотного тумана в форме импульсов.
В устройстве согласно изобретению можно, например, использовать в качестве жидкости воду.
Данное изобретение относится также к источнику излучения в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра, при этом устройство содержит:
- устройство согласно изобретению для создания плотного тумана,
- средство для создания лазерного луча, обеспечивающее взаимодействие луча с плотным туманом, созданным с помощью устройства, и
- средство для фокусирования лазерного луча на созданном плотном тумане.
Данное изобретение относится также к литографическому устройству для обработки полупроводниковых подложек, которое содержит:
- средство для размещения полупроводниковой подложки, на которую нанесен фоторезисторный слой, который подлежит облучению в соответствии с заданным узором,
- маску, содержащую заданный узор в увеличенном виде,
- источник излучения в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра,
- оптическое средство для передачи излучения на маску, при этом маска создает изображение в увеличенном виде, и
- оптическое средство для уменьшения этого изображения и проектирования уменьшенного изображения на фоторезисторный слой, при этом источник излучения в этом устройстве является источником излучения, согласно настоящему изобретению.
Настоящее изобретение будет понятно специалисту в данной области из приведенного ниже описания конкретных неограничивающих примеров выполнения, приведенных только в иллюстративных целях и не имеющих ограничительного характера, со ссылками на прилагаемые фигуры чертежей, на которых:
фиг.1 изображает конкретный вариант выполнения устройства для создания плотного тумана из капель, согласно настоящему изобретению;
фиг.2 - форсунку, образующую часть устройства по фиг.1; и
фиг.3 - вариант литографического устройства, согласно настоящему изобретению.
Устройство А для создания тумана, согласно настоящему изобретению, показано схематично на фиг.1. Часть устройства схематично показана на фиг.2. Устройство А содержит резервуар 2, который выполнен с возможностью содержания жидкости 4, которую используют для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель.
Устройство А также содержит средство нагнетания содержащейся в резервуаре 2 жидкости 4. Это средство нагнетания схематично обозначено стрелкой 6 на фиг.1 и в описываемом примере выполнено с возможностью направления в резервуар сжатого газа.
Этот сжатый газ, подаваемый из соответствующего средства, не изображенного на фиг.1, является инертным газом, таким как, например, воздух, азот или аргон.
Давление газа, действующего на жидкость, устанавливают в диапазоне от 5×105 до 107 Па.
Сжатый газ направляют в верхнюю часть резервуара 2 через трубку 8.
Устройство А, согласно изобретению, также содержит форсунку 10, которая соединена с дном резервуара 2 через трубку 12. Эта форсунка 10 изготовлена, например, из металла, керамики или кварца.
На фиг.1 и 2 форсунка 10 показана в вертикальном положении, однако возможна любая другая ее ориентация. В зависимости от конструктивных потребностей, она может быть, например, расположена горизонтально.
В нижней части 14 форсунки 10 образовано отверстие 16, которое может иметь цилиндрическую, коническую или экспоненциальную форму.
Диаметр верхнего конца 18 этого отверстия 16 выбран в диапазоне от 20 мкм до 1 мм. Этот диаметр называют "диаметром форсунки".
Форсунка 10 выполнена с возможностью открываться в вакуумную камеру 20. Эта вакуумная камера 20 снабжена насосным средством 22, способным создавать давление, равное около 10-2 Па.
При работе устройства А жидкость, например, вода, подаваемая в форсунку 10, с силой выбрасывается через отверстие 16 в форсунке 10 в вакуумную камеру 20, за счет чего в этой вакуумной камере 20 образуется туман 23 высокой плотности, или плотный туман из микрометровых и субмикрометровых частиц или капель жидкости.
Диаметры этих частиц или капель составляют порядка от 10 до 30 мкм.
Туман 23 расположен вдоль центральной оси Х форсунки, которая также является центральной осью отверстия 16 в форсунке 10.
В устройстве А, согласно настоящему изобретению, показанном на фиг.1 и 2, нет необходимости в охлаждении форсунки 10 для получения плотного и сильно направленного тумана 23.
Предпочтительно предусмотреть средство 24 подогрева форсунки. В показанном на фиг.2 примере, это средство 24 подогрева содержит нагревательную ленту 26, которая намотана в образованной в нижней части 14 форсунки 10 круговой канавке 28, ось которой совпадает с центральной осью Х форсунки.
В устройстве А также может быть предусмотрено не изображенное на фигуре средство создания электрического тока, проходящего через нагревательную ленту 26.
Нагревание форсунки 10 может улучшать равномерность образования капель жидкости и обеспечивать компенсацию тепла, поглощенного жидкостью во время образования плотного тумана. В частности, эта улучшенная равномерность повышает эффективность взаимодействия между лазерным лучом и каплями в конкретном способе использования образованного плотного тумана, который будет описан ниже и относится к генерированию СУФ-излучения с использованием этого взаимодействия.
Например, можно использовать средство 24 подогрева для нагревания форсунки 10 до температуры, меньшей или равной 300°С.
Размер капель жидкости, содержащихся в плотном тумане 23, зависит от температуры форсунки 10 и геометрических размеров и конструктивных особенностей этой форсунки (в частности, от формы отверстия 16 в форсунке).
Эти параметры предпочтительно оптимизировать в зависимости от свойств используемой жидкости, например, ее вязкости, давления пара и точки кипения этой жидкости.
Если, например, используется вода, то предпочтительно использовать резервуар 2 и трубку 12, изготовленные из алюминия или нержавеющей стали или покрытые изнутри тефлоном (состав, продаваемый под этой торговой маркой), с целью предотвращения внутренней коррозии резервуара 2 и трубки 12.
В рамках настоящего изобретения можно создавать плотный непрерывный туман из капель жидкости или импульсный туман.
Например, импульсный туман можно создавать посредством размещения внутри форсунки 10 поршня 30, при этом конец поршня 30 направлен к отверстию 16 и выполнен с возможностью периодического закрывания отверстия 16, а также размещения внутри форсунки 10 обозначенного стрелкой 32 на фиг.2 средства, которое может быть выполнено специалистами в данной области техники для приведения в режим колебаний поршня 30 вдоль центральной оси Х форсунки.
Например, это колебательное средство может быть электромагнитным или пьезоэлектрическим.
Импульсная частота поршня 30 может быть порядка 20 Гц, однако ее можно увеличить до 1 кГц с использованием техники для приведения в режим колебаний, известной для специалистов в данной области техники.
Туман 23 из микрометровых и субмикрометровых капель по своим свойствам близок к струе очень больших агрегатов, однако имеет намного более ярко выраженную направленность.
Например, в случае использования воды, половинный угол α расхождения (см. фиг.2) тумана 23 составляет порядка 1°.
Для применения изобретения для генерирования СУФ-излучения можно обеспечить взаимодействие лазерного луча возбуждения на расстоянии D от форсунки 10 и тем самым предотвратить эрозию этой форсунки плазмой, возникающей в результате взаимодействия между жидкостью (водой) и лазерным лучом.
Это расстояние D показано на фиг.2. Это расстояние является расстоянием между нижним концом 14 форсунки 10 и центральной осью Y лазерного луча, сфокусированного на плотном тумане 23.
Расстояние D можно выбрать в диапазоне от 2 до 10 мм.
Кроме того, капли жидкости, впрыснутые в вакуумную камеру 20, могут проходить почти полностью через зону фокусирования лазерного луча, тем самым значительно сокращая количество материала, не участвующего в генерировании СУФ-излучения.
Строгая локализация тумана 23 из капель воды также обеспечивается использованием насосного средства 22 криогенного типа.
Следует отметить, что насосное средство 22 соединено с внутренним пространством вакуумной камеры 20 через отверстие, которое расположено противоположно нижнему концу 14 форсунки 10 и через которое геометрически проходит центральная ось X.
Используемые согласно настоящему изобретению криогенные насосные средства являются недорогими и очень эффективными, а также не создают вибраций.
С целью обеспечения непрерывного действия устройства образующийся лед можно затем удалять из вакуумной камеры 20 с помощью различных методов, например, с использованием включающего воздушный шлюз устройства (не изображено).
Ниже приводится описание применения плотного тумана 23 из капель жидкости для генерирования СУФ-излучения. Для генерирования СУФ-излучения полученный туман 23 возбуждают лазерным облучением, например, так, как описано в документе [1].
Например, используют наносекундный лазер 34 типа Nd:YAG или эксимерного типа с длительностью импульсов между 0,1 нс и 100 нс и энергией в импульсе более 10 мДж.
Луч 36, выдаваемый лазером 34, фокусируют на тумане 23 с использованием линзы 38 или зеркала для получения лазерной освещенности на этом тумане между 1010 и 1014 Вт/см2.
В описываемом примере лазерный луч 36 входит в вакуумную камеру 20 через установленный на стенке вакуумной камеры порт 40, прозрачный для этого лазерного луча.
Испускаемое каплями жидкости интенсивное СУФ-излучение на фиг.1 обозначено направленными в разные стороны стрелками 42. Однако наибольшее количество излучения в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра образует полусфера плазмы, расположенная напротив лазерного луча.
На одной или нескольких стенках камеры 20 предусмотрены одно или несколько портов (не изображены) для отвода образуемого СУФ-излучения для его использования.
Для применения СУФ-излучения для нанолитографии предпочтительно, если длина волны СУФ-излучения, испускаемого туманом 23, находится внутри диапазона между 10 и 14 нм, который является оптимальным диапазоном длин волн отражательной оптики, предусмотренной для этой нанолитографии. Возможно также использовать другие близкие к этому диапазону значения длин волн.
Например, такие длины волн можно получать с использованием воды в качестве жидкости для генерирования излучения кислородного перехода О5+ls22p-ls24d, который расположен на 13 нм.
Следует отметить, что вода имеет преимущество, заключающееся в том, что она недорогая. В противоположность ксенону она не требует устройства для организации повторного использования.
Однако можно использовать другие жидкости, смеси жидкостей или жидкие растворы с целью оптимизации генерирования СУФ-излучения с длиной волны в диапазоне между 10 и 14 нм или ближе к другой длине волны, если это необходимо.
Плотный туман из микрометровых и субмикрометровых капель жидкости, полученный в вакууме, согласно изобретению, имеет преимущества струи ксеноновых агрегатов (степень взаимодействия тумана и лазера, вызывающего поглощение, близка к 1, и отсутствуют твердые осколки, которые могут повреждать оптику обработки СУФ-излучения).
Однако используемое для создания этого плотного тумана устройство согласно настоящему изобретению является более простым и более надежным, чем устройство, используемое для создания ксеноновых агрегатов.
Согласно документу [1] в принципе возможно создание струи из агрегатов воды, однако техника создания такой струи была бы сложной, поскольку для этого было бы необходимо воду газифицировать и сохранять в газообразном состоянии до адиабатического расширения с помощью форсунки.
Кроме того, было бы необходимо использовать криогенное охлаждение форсунки, так же как в случае использования ксенона, для создания больших агрегатов. Получение достаточно больших агрегатов воды с использованием этой техники было бы очень сложным.
На фиг.3 схематично показано использование для нанолитографии СУФ-излучения, полученного с помощью устройства, согласно настоящему изобретению.
Показанное схематично на фиг.3 нанолитографическое устройство содержит устройство 44 для генерирования СУФ-излучения, аналогичное источнику СУФ-излучения, описанному применительно к фиг.1.
Показанное на фиг.3 нанолитографическое устройство содержит также опору 46 для подлежащей обработке полупроводниковой подложки 48, которая покрыта фоторезисторным слоем 50, который подлежит облучению в соответствии с заданным узором.
Устройство по фиг.3 также содержит:
- маску 52, включающую заданный узор в увеличенном виде;
- оптику 54, выполненную с возможностью преобразования выходящего из устройства 44 СУФ-излучения 43 и доставки этого излучения 43 к маске 52, которая затем обеспечивает изображение узора в увеличенном виде;
- оптику 56, выполненную с возможностью уменьшения этого увеличенного изображения и проектирования уменьшенного изображения на фоторезисторный слой 50.
Опора 46, маска 52 и оптика 54 и 56 расположены в вакуумной камере (не изображена), которая предпочтительно является вакуумной камерой, в которой создается СУФ-излучение 43.
В данном описании делались ссылки на следующие документы:
1. US-A-5577092.
2. US-A-5577091.
3. PCT/SE97/00697.
4. ЕР-А-0858249.
5. McPherson et al., "Multiphoton-induced X-ray emission and amplification from clusters". Applied Physics B57, 1993, с.667-347.
6. McPherson et al., "Multiphoton-induced X-ray emission from Kr clusters on M-Shell (-100Δ) and L-Shell (~6Δ) transitions". Physical review letters, vol.72, No.12, 1994, с.1810-1813.
7. Kubiak et al., "Scale-up of a cluster jet laser plasma source for extreme ultraviolet Lithography", SPIE Conference on Emerging Lithographic Technologies III, март 1999, с. 669-678.
Claims (10)
1. Способ создания тумана (23), состоящего из капель жидкости (4), отличающийся тем, что жидкость (4) нагнетают под давлением от 5×105 до 107 Па в форсунку (10) диаметром от 20 мкм до 1 мм, открытую в зону с давлением, меньшим или равным 10-2 Па, и создают в зоне выхода из форсунки (10) плотный туман (23) из капель жидкости размером от 10 мкм до 30 мкм при средней плотности тумана, большей или равной 1020 молекул/см3, который локализован вдоль центральной оси (X) форсунки.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что форсунку (10) нагревают.
3. Способ по любому из п.1 или 2, отличающийся тем, что лазерный луч (36) фокусируют на полученном плотном тумане (23), обеспечивая взаимодействие его с плотным туманом и генерацию излучения (42) в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что лазерный луч (36) фокусируют на плотном тумане (23) на расстоянии (D) от форсунки (10), равном 1-10мм.
5. Способ по п.3 или 4, отличающийся тем, что излучение (42), генерируемое в сверхультрафиолетовом диапазоне спектра, используют для освещения подложки (48), на которую нанесен фоторезисторный слой.
6. Устройство (А) для создания тумана (23), состоящего из капель жидкости (4), отличающееся тем, что оно включает - резервуар (2), который содержит жидкость (4), форсунку (10) диаметром от 20 мкм до 1 мм, соединенную с резервуаром, средство (6) нагнетания жидкости, содержащейся в резервуаре, в форсунку путем воздействия давлением величиной от 5×105 до 107 Па, вакуумную камеру (20), включающую форсунку, и насосное средство (22) для образования в вакуумной камере давления, меньшего или равного 10-2 Па, и создания плотного тумана (23) из капель жидкости в вакуумной камере на выходе из форсунки (10) с размером капель от 10 мкм до 30 мкм при средней плотности тумана, большей или равной 1020 молекул/см3, локализованного вдоль центральной оси (X) форсунки.
7. Устройство по п.6, отличающееся тем, что дополнительно включает средство (24) нагревания форсунки (10).
8. Устройство по любому из пп.6 и 7, отличающееся тем, что средство (6) нагнетания содержит средство для впрыска сжатого газа в резервуар (2).
9. Устройство по любому из пп.6-8, отличающееся тем, что форсунка (10) снабжена импульсным средством (30) для создания плотного тумана в форме импульсов.
10. Устройство по любому из пп.6-9, в котором жидкость (4) является водой.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR99/12949 | 1999-10-18 | ||
| FR9912949A FR2799667B1 (fr) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2002113099A RU2002113099A (ru) | 2003-11-10 |
| RU2242291C2 true RU2242291C2 (ru) | 2004-12-20 |
Family
ID=9551032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2002113099/12A RU2242291C2 (ru) | 1999-10-18 | 2000-10-17 | Способ и устройство для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6647088B1 (ru) |
| EP (1) | EP1222842B1 (ru) |
| JP (1) | JP2003528710A (ru) |
| KR (1) | KR100711283B1 (ru) |
| CN (1) | CN1185911C (ru) |
| AU (1) | AU7801900A (ru) |
| DE (1) | DE60001981T2 (ru) |
| FR (1) | FR2799667B1 (ru) |
| RU (1) | RU2242291C2 (ru) |
| TW (1) | TW503130B (ru) |
| WO (1) | WO2001030122A1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8182735B2 (en) | 2006-07-20 | 2012-05-22 | Sca Hygiene Products Ab | Apparatus and method for forming air-laid absorbent cores |
| RU2710563C2 (ru) * | 2015-12-04 | 2019-12-27 | Медспрай Бв | Распылитель для жидкости |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6831963B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-12-14 | University Of Central Florida | EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions |
| EP1232516A4 (en) * | 1999-10-27 | 2003-03-12 | Jmar Res Inc | METHOD AND SYSTEM FOR GENERATING RADIATION USING MICROCIBLES |
| EP1316245A1 (en) | 2000-08-31 | 2003-06-04 | Powerlase Limited | Electromagnetic radiation generation using a laser produced plasma |
| SE520087C2 (sv) * | 2000-10-13 | 2003-05-20 | Jettec Ab | Förfarande och anordning för alstring av röntgen- eller EUV- strålning samt användning av den |
| FR2823949A1 (fr) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie |
| US20060255298A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-11-16 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse |
| US7405416B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
| GB0111204D0 (en) | 2001-05-08 | 2001-06-27 | Mertek Ltd | High flux,high energy photon source |
| WO2003096764A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-20 | Jettec Ab | Method and arrangement for producing radiation |
| US6912267B2 (en) * | 2002-11-06 | 2005-06-28 | University Of Central Florida Research Foundation | Erosion reduction for EUV laser produced plasma target sources |
| DE10260376A1 (de) * | 2002-12-13 | 2004-07-15 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Tröpfchen-Targets |
| DE10306668B4 (de) * | 2003-02-13 | 2009-12-10 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung von intensiver kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Plasmas |
| WO2004084592A2 (en) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Device for and method of generating extreme ultraviolet and/or soft x-ray radiation by means of a plasma |
| EP1612848B1 (en) | 2003-03-26 | 2013-09-25 | Osaka University | Extreme ultraviolet light source, extreme ultraviolet light source targets and methods of manufacturing an extreme ultraviolet light source target |
| DE10314849B3 (de) | 2003-03-28 | 2004-12-30 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Stabilisierung der Strahlungsemission eines Plasmas |
| JP2004337091A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Olympus Corp | 細胞培養装置 |
| DE10326279A1 (de) * | 2003-06-11 | 2005-01-05 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Plasma-basierte Erzeugung von Röntgenstrahlung mit einem schichtförmigen Targetmaterial |
| AU2003264266A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-21 | Aixuv Gmbh | Method and device for producing extreme ultraviolet radiation or soft x-ray radiation |
| FR2859545B1 (fr) * | 2003-09-05 | 2005-11-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de lithographie par rayonnement dans l'extreme utraviolet |
| DE102004005241B4 (de) * | 2004-01-30 | 2006-03-02 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Einrichtung zur plasmabasierten Erzeugung weicher Röntgenstrahlung |
| DE102004005242B4 (de) | 2004-01-30 | 2006-04-20 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung |
| DE102004036441B4 (de) * | 2004-07-23 | 2007-07-12 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Dosieren von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung |
| DE102004037521B4 (de) | 2004-07-30 | 2011-02-10 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung zur Bereitstellung von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung |
| WO2006093687A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-08 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for euv light source target material handling |
| US7609816B2 (en) * | 2006-05-19 | 2009-10-27 | Colorado State University Research Foundation | Renewable laser target |
| US20080237498A1 (en) * | 2007-01-29 | 2008-10-02 | Macfarlane Joseph J | High-efficiency, low-debris short-wavelength light sources |
| JP2008193014A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-21 | Komatsu Ltd | Ｌｐｐ型ｅｕｖ光源装置用ターゲット物質供給装置及びシステム |
| RU2345345C1 (ru) * | 2007-08-14 | 2009-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова" | Способ наземных испытаний объектов авиационной техники, подвергающихся обледенению, и устройство для его осуществления |
| US20090052134A1 (en) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Casteel Jordan B | Liquid-cooled grounded heatsink for diode rectifier system |
| US7872245B2 (en) * | 2008-03-17 | 2011-01-18 | Cymer, Inc. | Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
| KR101642269B1 (ko) * | 2008-07-18 | 2016-07-26 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 오염 포획자를 포함하는 극자외선 방사 발생 장치 |
| EP2159638B1 (en) * | 2008-08-26 | 2015-06-17 | ASML Netherlands BV | Radiation source and lithographic apparatus |
| JP5486795B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2014-05-07 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置及びそのターゲット供給システム |
| JP5455661B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2014-03-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
| JP5670619B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2015-02-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
| US8138487B2 (en) * | 2009-04-09 | 2012-03-20 | Cymer, Inc. | System, method and apparatus for droplet catcher for prevention of backsplash in a EUV generation chamber |
| JPWO2010137625A1 (ja) | 2009-05-27 | 2012-11-15 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置 |
| CN102484938B (zh) * | 2009-09-01 | 2014-12-10 | 株式会社Ihi | 等离子体光源 |
| US20120280148A1 (en) * | 2010-01-07 | 2012-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Euv radiation source and lithographic apparatus |
| JP6057221B2 (ja) * | 2011-04-05 | 2017-01-11 | イーティーエイチ・チューリッヒ | 液滴供給装置および該液滴供給装置を備える光源 |
| NL2009358A (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-26 | Asml Netherlands Bv | Radiation source. |
| JP5901210B2 (ja) | 2011-10-06 | 2016-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線発生装置及び放射線発生方法 |
| JP6116593B2 (ja) | 2012-02-08 | 2017-04-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 放射源及びリソグラフィ装置 |
| KR102072064B1 (ko) * | 2012-05-21 | 2020-01-31 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스 |
| NL2011663A (en) * | 2012-11-15 | 2014-05-19 | Asml Netherlands Bv | Radiation source and method for lithography. |
| CN104932089B (zh) * | 2015-07-07 | 2017-05-31 | 中国科学院光电研究院 | 一种高频、高速、尺寸稳定的液滴阵列产生装置 |
| US11086226B1 (en) * | 2020-06-03 | 2021-08-10 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Liquid tamped targets for extreme ultraviolet lithography |
| CN112835274A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-05-25 | 芶富均 | 一种液态金属靶极紫外光源系统 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5866296A (ja) * | 1981-10-15 | 1983-04-20 | Seiko Epson Corp | Ｘ線源装置 |
| JPS58188040A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Toshiba Corp | Ｘ線発生装置 |
| JPS61153935A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | プラズマｘ線発生装置 |
| EP0186491B1 (en) * | 1984-12-26 | 1992-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for producing soft x-rays using a high energy beam |
| JPH01109646A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Fujitsu Ltd | レーザプラズマｘ線源 |
| JPH02267895A (ja) * | 1989-04-08 | 1990-11-01 | Seiko Epson Corp | Ｘ線発生装置 |
| US5577091A (en) | 1994-04-01 | 1996-11-19 | University Of Central Florida | Water laser plasma x-ray point sources |
| JPH08138594A (ja) * | 1994-11-11 | 1996-05-31 | Olympus Optical Co Ltd | 軟ｘ線光源装置 |
| US5577092A (en) | 1995-01-25 | 1996-11-19 | Kublak; Glenn D. | Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources |
| SE510133C2 (sv) * | 1996-04-25 | 1999-04-19 | Jettec Ab | Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål |
| JPH10221499A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | レーザプラズマｘ線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法 |
| US6011267A (en) * | 1998-02-27 | 2000-01-04 | Euv Llc | Erosion resistant nozzles for laser plasma extreme ultraviolet (EUV) sources |
| US6180952B1 (en) * | 1998-04-03 | 2001-01-30 | Advanced Energy Systems, Inc. | Holder assembly system and method in an emitted energy system for photolithography |
| JP2002510548A (ja) * | 1998-04-03 | 2002-04-09 | アドヴァンスト エナジー システムズ インコーポレイテッド | フォトリソグラフィ用のエネルギー放出システム |
| AU3957599A (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-20 | Nikon Corporation | Laser-excited plasma light source, exposure apparatus and its manufacturing method, and device manufacturing method |
| JP2001108799A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置、ｘ線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| US6377651B1 (en) * | 1999-10-11 | 2002-04-23 | University Of Central Florida | Laser plasma source for extreme ultraviolet lithography using a water droplet target |
| US6324256B1 (en) * | 2000-08-23 | 2001-11-27 | Trw Inc. | Liquid sprays as the target for a laser-plasma extreme ultraviolet light source |
| US6479830B1 (en) * | 2000-11-01 | 2002-11-12 | Trw Inc. | Low-sputter-yield coating for hardware near laser-produced plasma |
-
1999
- 1999-10-18 FR FR9912949A patent/FR2799667B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-09 AU AU78019/00A patent/AU7801900A/en not_active Abandoned
- 2000-10-17 DE DE60001981T patent/DE60001981T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-17 US US10/089,098 patent/US6647088B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-17 TW TW089121707A patent/TW503130B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-10-17 WO PCT/FR2000/002890 patent/WO2001030122A1/fr active IP Right Grant
- 2000-10-17 RU RU2002113099/12A patent/RU2242291C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2000-10-17 KR KR1020027004856A patent/KR100711283B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-17 JP JP2001531345A patent/JP2003528710A/ja not_active Ceased
- 2000-10-17 EP EP00968058A patent/EP1222842B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-17 CN CNB008144427A patent/CN1185911C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8182735B2 (en) | 2006-07-20 | 2012-05-22 | Sca Hygiene Products Ab | Apparatus and method for forming air-laid absorbent cores |
| RU2710563C2 (ru) * | 2015-12-04 | 2019-12-27 | Медспрай Бв | Распылитель для жидкости |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60001981D1 (de) | 2003-05-08 |
| JP2003528710A (ja) | 2003-09-30 |
| FR2799667B1 (fr) | 2002-03-08 |
| CN1185911C (zh) | 2005-01-19 |
| TW503130B (en) | 2002-09-21 |
| AU7801900A (en) | 2001-04-30 |
| DE60001981T2 (de) | 2003-12-18 |
| EP1222842B1 (fr) | 2003-04-02 |
| EP1222842A1 (fr) | 2002-07-17 |
| WO2001030122A1 (fr) | 2001-04-26 |
| KR20020042720A (ko) | 2002-06-05 |
| US6647088B1 (en) | 2003-11-11 |
| KR100711283B1 (ko) | 2007-04-25 |
| FR2799667A1 (fr) | 2001-04-20 |
| CN1379968A (zh) | 2002-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2242291C2 (ru) | Способ и устройство для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель | |
| US6493423B1 (en) | Method of generating extremely short-wave radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, extremely short-wave radiation source unit and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit | |
| EP1109427B1 (en) | Method for emitting radiation for use in lithographic projection apparatus | |
| US6304630B1 (en) | Method of generating EUV radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, EUV radiation source unit, and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit | |
| EP1460886B1 (en) | Extreme UV radiation source and semiconductor exposure device | |
| JP3943089B2 (ja) | Ｘ線放射線または極紫外線放射線を発生するための方法および装置 | |
| US7067832B2 (en) | Extreme ultraviolet light source | |
| US5577092A (en) | Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources | |
| JP5073146B2 (ja) | Ｘ線発生方法および装置 | |
| US20040129896A1 (en) | Method and device for generating extreme ultravilolet radiation in particular for lithography | |
| KR100777414B1 (ko) | 방사선 발생 장치, 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및그에 의해 제조되는 디바이스 | |
| JP4995379B2 (ja) | 光源装置及びそれを用いた露光装置 | |
| JP2021513097A (ja) | Ｅｕｖチャンバにおける構造物表面の洗浄 | |
| JP2001311799A (ja) | 平版投影装置用の照射源 | |
| JP4963149B2 (ja) | 光源装置及びそれを用いた露光装置 | |
| JP2000089000A (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| JP2021501907A (ja) | 極端紫外線光源のチャンバ内の光学系の表面の洗浄 | |
| JP3897287B2 (ja) | Ｌｐｐ光源装置 | |
| Hansson et al. | Xenon liquid-jet laser plasma source for EUV lithography | |
| JPS595621A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| Tomie et al. | Particle-cluster tin target for a high-conversion efficiency LPP source for EUVL | |
| JP4604233B2 (ja) | 薄膜形成装置並びに薄膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20091018 |