RU2002113099A - Способ и устройство для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель - Google Patents

Способ и устройство для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель

Info

Publication number
RU2002113099A
RU2002113099A RU2002113099/09A RU2002113099A RU2002113099A RU 2002113099 A RU2002113099 A RU 2002113099A RU 2002113099/09 A RU2002113099/09 A RU 2002113099/09A RU 2002113099 A RU2002113099 A RU 2002113099A RU 2002113099 A RU2002113099 A RU 2002113099A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nozzle
fog
dense fog
liquid
spectrum
Prior art date
Application number
RU2002113099/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2242291C2 (ru
Inventor
Мартин Шмидт
Оливье СЮБЛЕМОНТЬЕ
Original Assignee
Коммиссариат А Л'Энержи Атомик
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR9912949A external-priority patent/FR2799667B1/fr
Application filed by Коммиссариат А Л'Энержи Атомик filed Critical Коммиссариат А Л'Энержи Атомик
Publication of RU2002113099A publication Critical patent/RU2002113099A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2242291C2 publication Critical patent/RU2242291C2/ru

Links

Claims (12)

1. Способ создания тумана (23), состоящего из капель жидкости (4), отличающийся тем, что жидкость (4) нагнетают под давлением от 5×105 до 107 Па в форсунку (10) диаметром от 20 мкм до 1 мм, открытую в зону с давлением меньшим или равным 10-2 Па, и создают в зоне выхода из форсунки (10) плотный туман (23) из капель жидкости размером от 10 до 30 мкм, при средней плотности тумана большей или равной 1020 молекул/см3, который локализован вдоль центральной оси (X) форсунки.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что форсунку (10) нагревают.
3. Способ по любому из п.1 или 2, отличающийся тем, что лазерный луч (36) фокусируют на полученном плотном тумане (23), обеспечивая взаимодействие его с плотным туманом и генерацию излучения (42) в сверх ультрафиолетовом диапазоне спектра.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что лазерный луч (36) фокусируют на плотном тумане (23) на расстоянии (D) от форсунки (10), равном 1 - 10 мм.
5. Способ по любому из п.3 или 4, отличающийся тем, что излучение (42), генерируемое в сверх ультрафиолетовом диапазоне спектра, используют для освещения подложки (48), на которую нанесен фоторезисторный слой.
6. Устройство (А) для создания тумана (23), состоящего из капель жидкости (4), отличающееся тем, что оно включает резервуар (2), который содержит жидкость (4), форсунку (10) с диаметром от 20 мкм до 1 мм, соединенную с резервуаром, средство (6) нагнетания жидкости, содержащейся в резервуаре, в форсунку путем воздействия давлением величиной от 5×105 до 107 Па, вакуумную камеру (20), включающую форсунку, и насосное средство (22) для образования в вакуумной камере давления, меньшего или равного 10-2 Па, и создания плотного тумана (23) из капель жидкости в вакуумной камере на выходе из форсунки (10) с размером капель от 10 до 30 мкм, при средней плотности тумана больше или равной 1020 молекул/см3, локализованного вдоль центральной оси (X) форсунки.
7. Устройство по п.6, отличающееся тем, что дополнительно включает средство (24) нагревания форсунки (10).
8. Устройство по любому из пп.6-7, отличающееся тем, что средство (6) нагнетания содержит средство для впрыска сжатого газа в резервуар (2).
9. Устройство по любому из пп.6-8, отличающееся тем, что форсунка (10) снабжена импульсным средством (30) для создания плотного тумана в форме импульсов.
10. Устройство по любому из пп.6-9, в котором жидкость (4) является водой.
11. Источник света в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне спектра, содержащий устройство (А) по любому из пп. 6-9, средство (34) генерирования лазерного луча (36), который может взаимодействовать с плотным туманом (23), генерированным с использованием устройства, и средство (38) фокусирования лазерного луча на этом плотном тумане.
12. Литографическое устройство для полупроводниковых подложек, содержащее средство (46) для опоры полупроводниковой подложки (48), на которую нанесен фоторезистивный слой, подлежащий освещению в соответствии с заданным узором, маску (52), содержащую заданный узор в увеличенном виде, источник (44) света в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне спектра, оптическое средство (54) для передачи света на маску, при этом маска обеспечивает изображение узора в увеличенном виде, и оптическое средство (56) для уменьшения изображения и проецирования уменьшенного изображения на фоторезистивный слой, при этом источник в этом устройстве соответствует п.11.
RU2002113099/12A 1999-10-18 2000-10-17 Способ и устройство для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель RU2242291C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9912949A FR2799667B1 (fr) 1999-10-18 1999-10-18 Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
FR99/12949 1999-10-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2002113099A true RU2002113099A (ru) 2003-11-10
RU2242291C2 RU2242291C2 (ru) 2004-12-20

Family

ID=9551032

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002113099/12A RU2242291C2 (ru) 1999-10-18 2000-10-17 Способ и устройство для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6647088B1 (ru)
EP (1) EP1222842B1 (ru)
JP (1) JP2003528710A (ru)
KR (1) KR100711283B1 (ru)
CN (1) CN1185911C (ru)
AU (1) AU7801900A (ru)
DE (1) DE60001981T2 (ru)
FR (1) FR2799667B1 (ru)
RU (1) RU2242291C2 (ru)
TW (1) TW503130B (ru)
WO (1) WO2001030122A1 (ru)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6831963B2 (en) 2000-10-20 2004-12-14 University Of Central Florida EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions
AU1241401A (en) * 1999-10-27 2001-05-08 Jmar Research, Inc. Method and radiation generating system using microtargets
WO2002019781A1 (en) 2000-08-31 2002-03-07 Powerlase Limited Electromagnetic radiation generation using a laser produced plasma
SE520087C2 (sv) * 2000-10-13 2003-05-20 Jettec Ab Förfarande och anordning för alstring av röntgen- eller EUV- strålning samt användning av den
FR2823949A1 (fr) * 2001-04-18 2002-10-25 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
US7405416B2 (en) * 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
US20060255298A1 (en) * 2005-02-25 2006-11-16 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse
GB0111204D0 (en) 2001-05-08 2001-06-27 Mertek Ltd High flux,high energy photon source
US7239686B2 (en) * 2002-05-13 2007-07-03 Jettec Ab Method and arrangement for producing radiation
US6912267B2 (en) * 2002-11-06 2005-06-28 University Of Central Florida Research Foundation Erosion reduction for EUV laser produced plasma target sources
DE10260376A1 (de) * 2002-12-13 2004-07-15 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Tröpfchen-Targets
DE10306668B4 (de) * 2003-02-13 2009-12-10 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von intensiver kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Plasmas
ATE476859T1 (de) * 2003-03-18 2010-08-15 Koninkl Philips Electronics Nv Einrichtung und verfahren zur erzeugung von extrem-ultraviolett-und/oder weicher röntgenstrahlung mittels eines plasmas
EP1612848B1 (en) * 2003-03-26 2013-09-25 Osaka University Extreme ultraviolet light source, extreme ultraviolet light source targets and methods of manufacturing an extreme ultraviolet light source target
DE10314849B3 (de) 2003-03-28 2004-12-30 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Stabilisierung der Strahlungsemission eines Plasmas
JP2004337091A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Olympus Corp 細胞培養装置
DE10326279A1 (de) * 2003-06-11 2005-01-05 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Plasma-basierte Erzeugung von Röntgenstrahlung mit einem schichtförmigen Targetmaterial
EP1642482B1 (en) 2003-06-27 2013-10-02 Bruker Advanced Supercon GmbH Method and device for producing extreme ultraviolet radiation or soft x-ray radiation
FR2859545B1 (fr) * 2003-09-05 2005-11-11 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de lithographie par rayonnement dans l'extreme utraviolet
DE102004005241B4 (de) * 2004-01-30 2006-03-02 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Einrichtung zur plasmabasierten Erzeugung weicher Röntgenstrahlung
DE102004005242B4 (de) 2004-01-30 2006-04-20 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung
DE102004036441B4 (de) 2004-07-23 2007-07-12 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Dosieren von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung
DE102004037521B4 (de) 2004-07-30 2011-02-10 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung zur Bereitstellung von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung
WO2006093687A1 (en) * 2005-02-25 2006-09-08 Cymer, Inc. Method and apparatus for euv light source target material handling
US7609816B2 (en) * 2006-05-19 2009-10-27 Colorado State University Research Foundation Renewable laser target
MX2008015769A (es) * 2006-07-20 2009-01-07 Sca Hygiene Prod Ab Un aparato y metodo para formar nucleos absorbentes expuestos al aire.
US20080237498A1 (en) * 2007-01-29 2008-10-02 Macfarlane Joseph J High-efficiency, low-debris short-wavelength light sources
JP2008193014A (ja) * 2007-02-08 2008-08-21 Komatsu Ltd Ｌｐｐ型ｅｕｖ光源装置用ターゲット物質供給装置及びシステム
RU2345345C1 (ru) * 2007-08-14 2009-01-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова" Способ наземных испытаний объектов авиационной техники, подвергающихся обледенению, и устройство для его осуществления
US20090052134A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Casteel Jordan B Liquid-cooled grounded heatsink for diode rectifier system
US7872245B2 (en) * 2008-03-17 2011-01-18 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source
ATE528694T1 (de) * 2008-07-18 2011-10-15 Koninkl Philips Electronics Nv Vorrichtung zur erzeugung von extremer uv- strahlung mit einem kontaminationsfänger und verfahren zur reinigung von zinn in einer solchen vorrichtung
EP2159638B1 (en) * 2008-08-26 2015-06-17 ASML Netherlands BV Radiation source and lithographic apparatus
JP5486795B2 (ja) * 2008-11-20 2014-05-07 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置及びそのターゲット供給システム
JP5455661B2 (ja) * 2009-01-29 2014-03-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5670619B2 (ja) * 2009-02-06 2015-02-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US8138487B2 (en) * 2009-04-09 2012-03-20 Cymer, Inc. System, method and apparatus for droplet catcher for prevention of backsplash in a EUV generation chamber
WO2010137625A1 (ja) 2009-05-27 2010-12-02 ギガフォトン株式会社 ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置
EP2475229A4 (en) * 2009-09-01 2015-03-18 Ihi Corp PLASMA LIGHT SOURCE
KR20120113237A (ko) * 2010-01-07 2012-10-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Ｅｕｖ 방사선 소스 및 리소그래피 장치
US9307625B2 (en) 2011-04-05 2016-04-05 Eth Zurich Droplet dispensing device and light source comprising such a droplet dispensing device
NL2009358A (en) 2011-09-23 2013-03-26 Asml Netherlands Bv Radiation source.
JP5901210B2 (ja) * 2011-10-06 2016-04-06 浜松ホトニクス株式会社 放射線発生装置及び放射線発生方法
US9462667B2 (en) 2012-02-08 2016-10-04 Asml Netherlands B.V. Radiation source and lithographic apparatus
EP2853139B1 (en) 2012-05-21 2016-07-13 ASML Netherlands B.V. Radiation source
WO2014075881A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-22 Asml Netherlands B.V. Radiation source and method for lithography
CN104932089B (zh) * 2015-07-07 2017-05-31 中国科学院光电研究院 一种高频、高速、尺寸稳定的液滴阵列产生装置
JP2019507667A (ja) * 2015-12-04 2019-03-22 メドスプレイ ビーヴイＭｅｄｓｐｒａｙ Ｂｖ 流体のスプレー装置
US11086226B1 (en) * 2020-06-03 2021-08-10 Lawrence Livermore National Security, Llc Liquid tamped targets for extreme ultraviolet lithography

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5866296A (ja) * 1981-10-15 1983-04-20 Seiko Epson Corp Ｘ線源装置
JPS58188040A (ja) * 1982-04-28 1983-11-02 Toshiba Corp Ｘ線発生装置
DE3586244T2 (de) * 1984-12-26 2000-04-20 Toshiba Kawasaki Kk Vorrichtung zur Erzeugung von Weich-Röntgenstrahlen durch ein Hochenergiebündel.
JPS61153935A (ja) * 1984-12-26 1986-07-12 Toshiba Corp プラズマｘ線発生装置
JPH01109646A (ja) * 1987-10-22 1989-04-26 Fujitsu Ltd レーザプラズマｘ線源
JPH02267895A (ja) * 1989-04-08 1990-11-01 Seiko Epson Corp Ｘ線発生装置
US5577091A (en) 1994-04-01 1996-11-19 University Of Central Florida Water laser plasma x-ray point sources
JPH08138594A (ja) * 1994-11-11 1996-05-31 Olympus Optical Co Ltd 軟ｘ線光源装置
US5577092A (en) 1995-01-25 1996-11-19 Kublak; Glenn D. Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources
SE510133C2 (sv) * 1996-04-25 1999-04-19 Jettec Ab Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål
JPH10221499A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Hitachi Ltd レーザプラズマｘ線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法
US6011267A (en) * 1998-02-27 2000-01-04 Euv Llc Erosion resistant nozzles for laser plasma extreme ultraviolet (EUV) sources
US6180952B1 (en) * 1998-04-03 2001-01-30 Advanced Energy Systems, Inc. Holder assembly system and method in an emitted energy system for photolithography
WO1999051357A1 (en) * 1998-04-03 1999-10-14 Advanced Energy Systems, Inc. Energy emission system for photolithography
EP1083777A4 (en) * 1998-05-29 2004-03-05 Nippon Kogaku Kk LASER EXCITED PLASMA LIGHT SOURCE, LIGHTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
JP2001108799A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Nikon Corp Ｘ線発生装置、ｘ線露光装置及び半導体デバイスの製造方法
US6377651B1 (en) * 1999-10-11 2002-04-23 University Of Central Florida Laser plasma source for extreme ultraviolet lithography using a water droplet target
US6324256B1 (en) * 2000-08-23 2001-11-27 Trw Inc. Liquid sprays as the target for a laser-plasma extreme ultraviolet light source
US6479830B1 (en) * 2000-11-01 2002-11-12 Trw Inc. Low-sputter-yield coating for hardware near laser-produced plasma

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2002113099A (ru) Способ и устройство для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель
RU2242291C2 (ru) Способ и устройство для создания плотного тумана из микрометровых и субмикрометровых капель
US6493423B1 (en) Method of generating extremely short-wave radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, extremely short-wave radiation source unit and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit
US20170028626A1 (en) Compact Drop-on-Demand Apparatus Using Light Actuation Through Optical Fibers
JP3943089B2 (ja) Ｘ線放射線または極紫外線放射線を発生するための方法および装置
KR100588113B1 (ko) 리소그래피 투영장치용 방사원
KR100760197B1 (ko) 표면상에 마스킹 패턴을 형성하는 방법
CN101687102B (zh) 激光产生的等离子体euv光源
US6538257B2 (en) Method of generating extremely short-wave radiation, and extremely short-wave radiation source unit
US6977383B2 (en) Method and apparatus for generating a membrane target for laser produced plasma
JP2003506886A (ja) 表面にマスキングパターンを形成する方法
TWI234518B (en) Laser working method, method for producing ink jet recording utilizing the same, and ink jet recording method produced by such method
WO1998058806A1 (fr) Reticulation d'encre u.v.
CN110402125B (zh) 增材打印设备和由增材打印设备进行的增材打印方法
JP2009205953A (ja) 極端紫外光源装置
KR100632825B1 (ko) 잉크젯 헤드의 제조 방법 및 잉크젯 헤드
KR20090017406A (ko) 프린터
ATE525678T1 (de) Euv-lichtquelle, euv-belichtungsanlage und verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
Lapczyna et al. Direct fabrication of micro mesas by VUV laser ablation of polymers: PMMA (polymethylmethacrylate).
Rebollar et al. Laser interactions with organic/polymer materials
US6475285B2 (en) Deposition apparatus
JP3621587B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法
MXPA00006536A (es) Metodo de trabajo con laser, metodo para la produccion de cabeza de registro de chorros de tinta que emplea dicho metodo, y cabeza de registro de chorros de tinta producida por dicho metodo.
JP2005519738A (ja) 光学表面の汚染除去を行う方法及び装置
US20200147865A1 (en) Use of a dispenser attachment for a device for writing 3d structures by means of laser lithography, and dispenser attachment