JPS5866296A - Ｘ線源装置 - Google Patents
Ｘ線源装置Info
- Publication number
- JPS5866296A JPS5866296A JP16441781A JP16441781A JPS5866296A JP S5866296 A JPS5866296 A JP S5866296A JP 16441781 A JP16441781 A JP 16441781A JP 16441781 A JP16441781 A JP 16441781A JP S5866296 A JPS5866296 A JP S5866296A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- target
- accelerated electron
- plasma generation
- ray source
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- Pending
Links
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- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 abstract description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 abstract description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
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- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線源装置に関する。
従来のＸ１ｔＩ源装置は、水冷回転ターゲットに１０〜
２０Ｋｅｖの加速電子を照射し、ターゲット材料によっ
て定まる特性ＸＩＩＡを発生させるのが通例である。
２０Ｋｅｖの加速電子を照射し、ターゲット材料によっ
て定まる特性ＸＩＩＡを発生させるのが通例である。
しかし、上記従来技術によるＸ線源装置では、より高い
輝度のＸ線が得られないという欠点があった。
輝度のＸ線が得られないという欠点があった。
本発明はかかる従来技術の一欠点をなくし、高輝度のＸ
線源を提供することを目的とする。
線源を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、高
周波によるプラズマ発生チェープと、該プラズマ発生チ
轟−プで発生したプラズマ流に加速電子を注入する電子
銃と、前記プラズマ流に注入された加速電子流を当てて
Ｘ線を発生するターゲッシとを具備することを特徴とす
る。
周波によるプラズマ発生チェープと、該プラズマ発生チ
轟−プで発生したプラズマ流に加速電子を注入する電子
銃と、前記プラズマ流に注入された加速電子流を当てて
Ｘ線を発生するターゲッシとを具備することを特徴とす
る。
以下実施例を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明によるＸ線源装置の概略図であり容器１
中にはマイクロ波によるプラズマ発生子、−ブ２が設け
られ、該プラズマ、チ瓢−ブで発生したプラズマ流中に
は外ｉからの放電又は電子線加速器よりの加速電子導入
端子４よりの加速電子が注入され、！ブラット５等によ
り制御されたプラズマ流中を流れて、メリエチレンシリ
コーン樹脂等によるターゲット５に照射されて、ｘＩＩ
Ｉ６がポリエチレンあるいはＢｅ等からなる悠７を通し
て放射される。ターゲット５は加速電子線照射により損
傷を受けるので、絶えず清浄する面を出スためにパルス
モータにより巻取り可能となっている。
中にはマイクロ波によるプラズマ発生子、−ブ２が設け
られ、該プラズマ、チ瓢−ブで発生したプラズマ流中に
は外ｉからの放電又は電子線加速器よりの加速電子導入
端子４よりの加速電子が注入され、！ブラット５等によ
り制御されたプラズマ流中を流れて、メリエチレンシリ
コーン樹脂等によるターゲット５に照射されて、ｘＩＩ
Ｉ６がポリエチレンあるいはＢｅ等からなる悠７を通し
て放射される。ターゲット５は加速電子線照射により損
傷を受けるので、絶えず清浄する面を出スためにパルス
モータにより巻取り可能となっている。
上記の如くプラズマ流をプ冒−プとしてターゲットに加
速電子を照射することにより高輝度のＸ線源を得ること
ができる。
速電子を照射することにより高輝度のＸ線源を得ること
ができる。
＃！１図は本発明によるＸｌｉ源装置の概略図である。
１・・・・・・真空容器
２・・・・・・プラズマ発生チューブ
３・・・・・・プラス、マ
４・・・・・・加速電子入力端子
５・・・・・・磁力発生器
６・・・・・・ターゲット
７−−− ・−” Ｘ ＠
８・・・・・・ｘｍ源
第１図
Claims (1)
- 高周波によるプラズマ発生チ纂−ブと、該プラズマ発生
チェープで１発生したプラズマ流に加速電子を注入する
電子銃と、前記プラズマ流に注入された加速電子流を当
ててＸ線を発生するターゲットとを具備せるｘ＠源装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16441781A JPS5866296A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | Ｘ線源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16441781A JPS5866296A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | Ｘ線源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866296A true JPS5866296A (ja) | 1983-04-20 |
Family
ID=15792746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16441781A Pending JPS5866296A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | Ｘ線源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866296A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2799667A1 (fr) * | 1999-10-18 | 2001-04-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie |
| US7339181B2 (en) | 2001-05-08 | 2008-03-04 | Powerlase Limited | High flux, high energy photon source |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP16441781A patent/JPS5866296A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2799667A1 (fr) * | 1999-10-18 | 2001-04-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie |
| WO2001030122A1 (fr) * | 1999-10-18 | 2001-04-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques notamment pour la lithographie a uv extreme |
| JP2003528710A (ja) * | 1999-10-18 | 2003-09-30 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ミクロン及びサブミクロンの小滴の濃霧を生成する方法及びその装置、並びに特にリソグラフィのための極紫外線の生成への応用 |
| US6647088B1 (en) | 1999-10-18 | 2003-11-11 | Commissariat A L'energie Atomique | Production of a dense mist of micrometric droplets in particular for extreme UV lithography |
| KR100711283B1 (ko) * | 1999-10-18 | 2007-04-25 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 | 극자외선 리소그래피에 특히 적합한 미세 방울로 된 짙은 안개의 제조 방법, 그의 제조 장치, 이를 이용한 극자외선 광원 장치 및 리소그래피 장치 |
| US7339181B2 (en) | 2001-05-08 | 2008-03-04 | Powerlase Limited | High flux, high energy photon source |
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