JPS61153935A - プラズマｘ線発生装置 - Google Patents
プラズマｘ線発生装置Info
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- JPS61153935A JPS61153935A JP59273222A JP27322284A JPS61153935A JP S61153935 A JPS61153935 A JP S61153935A JP 59273222 A JP59273222 A JP 59273222A JP 27322284 A JP27322284 A JP 27322284A JP S61153935 A JPS61153935 A JP S61153935A
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- Japan
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- plasma
- mercury
- laser
- liquid metal
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21B—FUSION REACTORS
- G21B1/00—Thermonuclear fusion reactors
- G21B1/11—Details
- G21B1/19—Targets for producing thermonuclear fusion reactions, e.g. pellets for irradiation by laser or charged particle beams
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
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- Optics & Photonics (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、レーザーや荷電粒子ビームによシ生成され九
プラズマからＸ線を得るプラズマＸ線発生装置に関する
。
プラズマからＸ線を得るプラズマＸ線発生装置に関する
。
ターゲット上にレーザー光や荷電粒子ビームを集光照射
すると、高温高密度のプラズマを瞬時に生成することが
できる。このプラズマをＸ線源として利用すると（ｌ）
：高輝度のＸ線が得られる、（２）：線源が点光源に近
い、（３）”短パルスである、（４）： ＹＡＧ レ
ーザー等のくり返しの大きいレーザーを使えば、＜シ返
しの大きいＸ線源となる、などの特徴を持つＸ線発生装
置が得られ、Ｘ線リングラフイーや種々の測定に利用で
きる。従来、この糧の実験は主として固体平面ターゲラ
）Ｋレーザー光を照射して行なわれていた（例えば、８
ｏｖ。
すると、高温高密度のプラズマを瞬時に生成することが
できる。このプラズマをＸ線源として利用すると（ｌ）
：高輝度のＸ線が得られる、（２）：線源が点光源に近
い、（３）”短パルスである、（４）： ＹＡＧ レ
ーザー等のくり返しの大きいレーザーを使えば、＜シ返
しの大きいＸ線源となる、などの特徴を持つＸ線発生装
置が得られ、Ｘ線リングラフイーや種々の測定に利用で
きる。従来、この糧の実験は主として固体平面ターゲラ
）Ｋレーザー光を照射して行なわれていた（例えば、８
ｏｖ。
Ｐｈｙｓ、Ｔｅｃｈ、Ｐｈｙｓ、 ２８ （７） 、
Ｐ２Ｓ５（１９８３）。
Ｐ２Ｓ５（１９８３）。
しかし、この方法は実用に供するには次の様な欠点があ
る。すなわちターゲット物質の補充に手間がかかること
、特に、真空容器内にセットされたターゲットをすべて
打ち尽くした後、真空を破る必要があり、かなりの時間
損失がある。またプラズマ化した物質がレーザー入射窓
やＸ線取出窓に付着し、レーザー照射パワーの損失や窓
の破壊及びＸ線の減衰などにつながる。プラズマ物質の
窓への付着を防ぐための一方法として、次の様な提案が
なされている（例えば、特公昭５８−１５８８４２号公
報）。すなわちプラズマ化後の生成物がガス化する様な
物質（例えば、氷、アンモニアの固体、アルゴン、クリ
プトン、キセノン固体。
る。すなわちターゲット物質の補充に手間がかかること
、特に、真空容器内にセットされたターゲットをすべて
打ち尽くした後、真空を破る必要があり、かなりの時間
損失がある。またプラズマ化した物質がレーザー入射窓
やＸ線取出窓に付着し、レーザー照射パワーの損失や窓
の破壊及びＸ線の減衰などにつながる。プラズマ物質の
窓への付着を防ぐための一方法として、次の様な提案が
なされている（例えば、特公昭５８−１５８８４２号公
報）。すなわちプラズマ化後の生成物がガス化する様な
物質（例えば、氷、アンモニアの固体、アルゴン、クリ
プトン、キセノン固体。
炭酸ガスの固体など）をターゲットとして使用する方法
である。しかし、この方法はターゲットを低温に冷やす
必要があり、そのための装置が複雑になる。更に、ター
ゲットの供給のための装置も複雑なものになる（例えば
、日本原子力学会誌。
である。しかし、この方法はターゲットを低温に冷やす
必要があり、そのための装置が複雑になる。更に、ター
ゲットの供給のための装置も複雑なものになる（例えば
、日本原子力学会誌。
２６（７）、Ｐ５９４（１９８４））。
〔発明の目的〕
この発明は、前述した従来技術の欠点を改良したもので
、しテザーまたは荷電粒子ビームを用いた劣化が少なく
、高くり返しが可能でターゲット物質の供給が容易で構
成の簡単な高輝度Ｘ線源として優れたプラズマＸ線発生
装置を提供することを目的としている。
、しテザーまたは荷電粒子ビームを用いた劣化が少なく
、高くり返しが可能でターゲット物質の供給が容易で構
成の簡単な高輝度Ｘ線源として優れたプラズマＸ線発生
装置を提供することを目的としている。
かかる目的を達成するために本発明では、ターゲット物
質に液体金属（例えば、水銀）を用い、この液体金属を
細管またはオリスイスを通してレーザーパルス（あるい
は荷電粒子ビームパルス）に同期させて真空容器内圧供
給するようにしている。
質に液体金属（例えば、水銀）を用い、この液体金属を
細管またはオリスイスを通してレーザーパルス（あるい
は荷電粒子ビームパルス）に同期させて真空容器内圧供
給するようにしている。
この供給は具体的には液滴小球の形でなされ、各液滴を
レーザーで照射してプラズマ化してＸ線を得る。なお、
プラズマ化した物質は飛行中あるいは窓などに衝突した
後、再結合して中性化するが窓や真空容器に液体金属と
反応して合金を作らない物質を用いることＫよシ、ター
ゲット物質は窓に付着することなく下に流れ、窓の劣化
を防止することができる。
レーザーで照射してプラズマ化してＸ線を得る。なお、
プラズマ化した物質は飛行中あるいは窓などに衝突した
後、再結合して中性化するが窓や真空容器に液体金属と
反応して合金を作らない物質を用いることＫよシ、ター
ゲット物質は窓に付着することなく下に流れ、窓の劣化
を防止することができる。
また、液滴の発生とレーザーパルスを同期させるためＫ
は、例えば、細管やオリフィスあるいはそこを流れる液
体金属に機械振動を加えたり、液体金属溜にパルス的に
圧力を加えてもよい。
は、例えば、細管やオリフィスあるいはそこを流れる液
体金属に機械振動を加えたり、液体金属溜にパルス的に
圧力を加えてもよい。
本発明によれば、劣化が少なく、くり返し使用可能で、
しかもターゲット物質の供給が容易で、構成の簡単な高
輝度のＸ線源を得ることができる。
しかもターゲット物質の供給が容易で、構成の簡単な高
輝度のＸ線源を得ることができる。
本発明の実施例について詳細に説明する。第１図は真空
容器１の上部に細管２を配置し、ターゲット用の水銀を
溜めである供給用水銀溜３から液体金属としての水銀を
供給するようになっている。
容器１の上部に細管２を配置し、ターゲット用の水銀を
溜めである供給用水銀溜３から液体金属としての水銀を
供給するようになっている。
容器１の側面にはレーザー入射窓４と、ビームダンパー
を構成するレーザー透過窓５が設けられている。レーザ
ー入射窓４からはプラズマ生成用ビームとしてのレーザ
ー８を集光用レンズ６を介して水銀の小滴９に照射する
ようになっている。
を構成するレーザー透過窓５が設けられている。レーザ
ー入射窓４からはプラズマ生成用ビームとしてのレーザ
ー８を集光用レンズ６を介して水銀の小滴９に照射する
ようになっている。
水銀の小滴９は、表面強力忙よシ細管２の先端に導びか
れ、この細管２の先端に設けられたピエゾ素子１０の加
振によって滴下させる。この時の水銀の供給量ｑは、水
銀溜の水銀表面と細管の先端との高差をｈｌ、細管の内
径をり、長さをｌとすると ここでダ、ρは水銀の粘性率、質量密度をＰ・は水銀溜
の圧力（一般には大気圧）を表わしている。
れ、この細管２の先端に設けられたピエゾ素子１０の加
振によって滴下させる。この時の水銀の供給量ｑは、水
銀溜の水銀表面と細管の先端との高差をｈｌ、細管の内
径をり、長さをｌとすると ここでダ、ρは水銀の粘性率、質量密度をＰ・は水銀溜
の圧力（一般には大気圧）を表わしている。
ピエゾ振動子１０で細管に機械的振動（振動数ｆ）を与
えると、水銀は細管から飛び出した後周期１／ｆの間隔
で、小滴９に分裂する。この間隔をレーザーパルスに同
期する様に設定しておく。また、この時の小滴の大きさ
ｄは次の様になる。
えると、水銀は細管から飛び出した後周期１／ｆの間隔
で、小滴９に分裂する。この間隔をレーザーパルスに同
期する様に設定しておく。また、この時の小滴の大きさ
ｄは次の様になる。
ｄはレーザー光の集光径程度に選べばよいから、小滴が
安定にできる範囲で細管サイズやｈｌを選定すればよい
。
安定にできる範囲で細管サイズやｈｌを選定すればよい
。
レーザーのくり返しが小さい時（１０Ｈｚ以下）には上
記の方法は使えない。水銀の表面張力をσとすると 上式を満たす様にｌ ｌ Ｄ 、 ｈ、などを選定して
、表面張力により水銀が細管から飛び出さないようにし
ておき、レーザーパルスに同期させ細管に適度な強度の
１パルスの振動を与えると、細管から小滴が一つ飛び出
す。この径は振動強度によシ異なるが細管の内径に近い
値になる。以上の様にして真空容器内に水銀の小滴をレ
ーザーパルスに同期して供給し、この小滴にレーザー光
を集光照射することにより、水銀をプラズマ化しＸ線を
発生させる。
記の方法は使えない。水銀の表面張力をσとすると 上式を満たす様にｌ ｌ Ｄ 、 ｈ、などを選定して
、表面張力により水銀が細管から飛び出さないようにし
ておき、レーザーパルスに同期させ細管に適度な強度の
１パルスの振動を与えると、細管から小滴が一つ飛び出
す。この径は振動強度によシ異なるが細管の内径に近い
値になる。以上の様にして真空容器内に水銀の小滴をレ
ーザーパルスに同期して供給し、この小滴にレーザー光
を集光照射することにより、水銀をプラズマ化しＸ線を
発生させる。
ピエゾ素子ｌＯは、第２図に示すようにセラミック部１
６とその厚み方向に振動するように、両面に設けた電極
１７．１８で構成されている。電極１７には細管２の端
部に設けたつば部１９に絶縁されて固設されており、電
極１８には容器側の支持部２０に絶縁されて固設されて
いる。
６とその厚み方向に振動するように、両面に設けた電極
１７．１８で構成されている。電極１７には細管２の端
部に設けたつば部１９に絶縁されて固設されており、電
極１８には容器側の支持部２０に絶縁されて固設されて
いる。
このピエゾ素子１０は、交流電圧を発生する駆動電源２
１の印加で振動する。すなわちこの駆動電源２１の印加
する交流電圧で細管２の先端が振動し、細管２内の水銀
は小滴９となって滴下する。
１の印加で振動する。すなわちこの駆動電源２１の印加
する交流電圧で細管２の先端が振動し、細管２内の水銀
は小滴９となって滴下する。
この水銀の小滴９にレーザー光を同期して照射するため
に、駆動電源２１の交流信号２２を波形整形器２３で矩
形波信号２４とし、この矩形波信号２４をモノマルチバ
イブレータ２５に入力してパルス信号ｚｓＫする。この
パルス信号２６のパルス発生時間を小滴９の位置とレー
ザー光の発射時間を一致させるために遅延させる遅延回
路２７を介して同期パルス信号２８を得る。この同期パ
ルス信号２８によってレーザー装置２９は駆動され、小
滴９にレーザー光８を照射してプラズマ化しＸ線を発生
させる。発生したＸ線は第２図に示すように真空容器の
周囲に数ケ所設けたＸ線取シ出し窓１３に取り付けられ
たポリエチレンの薄膜等１５を通して取シ出され利用す
る。
に、駆動電源２１の交流信号２２を波形整形器２３で矩
形波信号２４とし、この矩形波信号２４をモノマルチバ
イブレータ２５に入力してパルス信号ｚｓＫする。この
パルス信号２６のパルス発生時間を小滴９の位置とレー
ザー光の発射時間を一致させるために遅延させる遅延回
路２７を介して同期パルス信号２８を得る。この同期パ
ルス信号２８によってレーザー装置２９は駆動され、小
滴９にレーザー光８を照射してプラズマ化しＸ線を発生
させる。発生したＸ線は第２図に示すように真空容器の
周囲に数ケ所設けたＸ線取シ出し窓１３に取り付けられ
たポリエチレンの薄膜等１５を通して取シ出され利用す
る。
例えば、Ｘ線取シ出し窓１３の中にはＸ線を照射して半
導体装置を製造する、例えば半導体チップ３０が配置さ
れている。
導体装置を製造する、例えば半導体チップ３０が配置さ
れている。
このプラズマ化した水銀は再結合にょシ中性の水銀原子
だ戻るがガラスやポリエチレン１５の窓等圧付着するこ
とはなく、真空容器の底７に流れていく。
だ戻るがガラスやポリエチレン１５の窓等圧付着するこ
とはなく、真空容器の底７に流れていく。
次に本発明の他の実施例について説明する。第４図は水
銀の小滴９を作るのにピエゾ素子を用いる代りに、水銀
溜に圧力を加える様にした例である。尚、前述の実施例
と同−構成部分圧ついては同一符号を附して説明する。
銀の小滴９を作るのにピエゾ素子を用いる代りに、水銀
溜に圧力を加える様にした例である。尚、前述の実施例
と同−構成部分圧ついては同一符号を附して説明する。
この実施例では、水銀溜３の上部に内部と連通ずる配管
３１と、この配管３１に流れるガス流を断続する高速電
磁バルブ３２と、配管３１に流すガスを印加するガスボ
ンベ３３とで構成されている。
３１と、この配管３１に流れるガス流を断続する高速電
磁バルブ３２と、配管３１に流すガスを印加するガスボ
ンベ３３とで構成されている。
この高速電磁バルブ３２は、所定のタイミングで水銀の
小滴９の滴下位置とレーザー照射時間とが一致するよう
に図示しない駆動制御装置を設けて駆動されるようにな
っている。水銀溜３に圧力をパルス的に加えるために、
高速電磁バルブ３２とガスボンベ３３を使用している。
小滴９の滴下位置とレーザー照射時間とが一致するよう
に図示しない駆動制御装置を設けて駆動されるようにな
っている。水銀溜３に圧力をパルス的に加えるために、
高速電磁バルブ３２とガスボンベ３３を使用している。
水銀溜３に加える圧力の変化の大きさΔＰが水銀溜３の
基本圧力式より十分小さければ、圧力変動の周波数をｆ
とすれば、（２）式の関係がそのままあてはまる。また
、くシ返しが小さい時には、（３）式の関係を満たす様
に細管等の条件を選んでおき、レーザーパルスに同期し
て水銀溜にパルス圧力ΔＰを加え（４）式を満たす様に
ΔＰを選ぶと、水銀はレーザーパルスに同期して細管の
出口から飛び出す。この時、小滴の径は圧力を加える時
間ΔｔやΔＰなどで決まるが、細管の径が最大の要素と
なる。
基本圧力式より十分小さければ、圧力変動の周波数をｆ
とすれば、（２）式の関係がそのままあてはまる。また
、くシ返しが小さい時には、（３）式の関係を満たす様
に細管等の条件を選んでおき、レーザーパルスに同期し
て水銀溜にパルス圧力ΔＰを加え（４）式を満たす様に
ΔＰを選ぶと、水銀はレーザーパルスに同期して細管の
出口から飛び出す。この時、小滴の径は圧力を加える時
間ΔｔやΔＰなどで決まるが、細管の径が最大の要素と
なる。
また、水銀溜に圧力を加える構成としてはピエゾ素子等
の音響素子を水銀溜の内壁の一部に配置してもよい。前
述した実施例ではプラズマ生成用ビームにレーザーを使
用したが、電子ビーム、軽イオンビーム、重イオンビー
ム等の荷電粒子ビームを使用してもよい。
の音響素子を水銀溜の内壁の一部に配置してもよい。前
述した実施例ではプラズマ生成用ビームにレーザーを使
用したが、電子ビーム、軽イオンビーム、重イオンビー
ム等の荷電粒子ビームを使用してもよい。
以上の様に本発明を用いれば、レーザーまたは荷電粒子
ビームを用いた劣化が少なく、高くシ返し可能で、ター
ゲット物質の供給が容易で構成の簡単な高輝度Ｘ線源を
得ることができる。
ビームを用いた劣化が少なく、高くシ返し可能で、ター
ゲット物質の供給が容易で構成の簡単な高輝度Ｘ線源を
得ることができる。
水銀供給用細管の代わりにオリフィスを使用してもよい
。また水銀の供給は図の様に上部からでなくても横方向
から供給する様にしてもよい。液体金属は、水銀以外に
もガリウム、セシウム、インジウム、カリウムなぞの金
属を用いてもよい。
。また水銀の供給は図の様に上部からでなくても横方向
から供給する様にしてもよい。液体金属は、水銀以外に
もガリウム、セシウム、インジウム、カリウムなぞの金
属を用いてもよい。
この時、液体金属と容器、窓等との反応に注意して材質
を選ぶ必要がある。また、窓からの液体金属の離脱をす
みやかに行なわせる丸めに窓等を加熱して液体金属の粘
性を下げたシ、蒸発させたシする手段を用いてもよい。
を選ぶ必要がある。また、窓からの液体金属の離脱をす
みやかに行なわせる丸めに窓等を加熱して液体金属の粘
性を下げたシ、蒸発させたシする手段を用いてもよい。
Ｘ線を発生させる真空容器内は、必ずしも真空である必
要はなく、必要ならばＨｅ等のガスを低圧力で封入して
もよい。
要はなく、必要ならばＨｅ等のガスを低圧力で封入して
もよい。
また連続的なビーム（レーザー）を使用する場合には機
械振動、圧力パルス等を用いることなく細管から飛び出
した液体金属が小滴に分裂する前の位置で照射する様に
すればよい。
械振動、圧力パルス等を用いることなく細管から飛び出
した液体金属が小滴に分裂する前の位置で照射する様に
すればよい。
第１図は本発明の実施例の構成を示す断面図、第２図は
回路図、第３図は部分断面図、第４図は本発明の他の実
施例の構成を示す断面図である。 １・・・プラズマ生成用真空容器、２・・・供給用細管
。 ３・・・供給用液体金属溜、４・・・レーザー入射窓、
５・・・レーザー透過窓またはビームダンパー、６・・
・集光用レンズ、８・・・レーザー光、９・・・液体金
属小滴、１０・・・ピエゾ素子、３２・・・高速電磁パ
ルプ、３３・・・ガスボンベ。
回路図、第３図は部分断面図、第４図は本発明の他の実
施例の構成を示す断面図である。 １・・・プラズマ生成用真空容器、２・・・供給用細管
。 ３・・・供給用液体金属溜、４・・・レーザー入射窓、
５・・・レーザー透過窓またはビームダンパー、６・・
・集光用レンズ、８・・・レーザー光、９・・・液体金
属小滴、１０・・・ピエゾ素子、３２・・・高速電磁パ
ルプ、３３・・・ガスボンベ。
Claims (3)
- （１）ターゲットにプラズマ生成用ビームを照射し、プ
ラズマ化することによりＸ線を発生させるものにおいて
、前記ターゲットとして液体金属を用い、この液体金属
をプラズマ発生容器中に前記プラズマ生成用ビームに同
期して供給するよう構成したことを特徴とするプラズマ
Ｘ線発生装置。 - （２）液体金属を水銀としたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のプラズマＸ線発生装置。 - （３）プラズマ発生容器を真空容器としたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のプラズマＸ線発生装置
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59273222A JPS61153935A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | プラズマｘ線発生装置 |
| DE3586244T DE3586244T2 (de) | 1984-12-26 | 1985-12-23 | Vorrichtung zur Erzeugung von Weich-Röntgenstrahlen durch ein Hochenergiebündel. |
| EP85309408A EP0186491B1 (en) | 1984-12-26 | 1985-12-23 | Apparatus for producing soft x-rays using a high energy beam |
| US06/813,544 US4723262A (en) | 1984-12-26 | 1985-12-26 | Apparatus for producing soft X-rays using a high energy laser beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59273222A JPS61153935A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | プラズマｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61153935A true JPS61153935A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17524809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59273222A Pending JPS61153935A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | プラズマｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61153935A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS646349A (en) * | 1986-09-11 | 1989-01-10 | Hoya Corp | Laser plasma x-ray generator and x-ray ejection port opening/closing mechanism |
| JPH03199372A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-08-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザ蒸着用ターゲットおよびレーザ蒸着方法と装置 |
| JP2002197930A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Asahi Tec Corp | 懸垂吊状耐張碍子装置 |
| JP2003066200A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-03-05 | Koninkl Philips Electronics Nv | 液体金属ターゲットを備えたｘ線源 |
| JP2003528710A (ja) * | 1999-10-18 | 2003-09-30 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ミクロン及びサブミクロンの小滴の濃霧を生成する方法及びその装置、並びに特にリソグラフィのための極紫外線の生成への応用 |
| JP2004505421A (ja) * | 2000-07-28 | 2004-02-19 | ジェテック、アクチボラグ | Ｘ線またはｅｕｖ放射線発生方法および装置 |
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| JP2007200615A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
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| JP2013541844A (ja) * | 2010-10-04 | 2013-11-14 | サイマー インコーポレイテッド | Ｅｕｖ非出力期間中のｌｐｐ駆動レーザー出力のための方法 |
-
1984
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