JP2013541844A - Ｅｕｖ非出力期間中のｌｐｐ駆動レーザー出力のための方法 - Google Patents

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Abstract

本明細書は、ターゲット材料の小滴を生成する小滴発生器と、小滴が事前選択場所に到達する場合に捕捉時間信号を供給するセンサと、センサと結合され、捕捉時間信号から遅延されたトリガ信号を発生させる遅延回路と、トリガ信号に応じてレーザーパルスを生成するレーザー源と、第１の遅延時間だけ捕捉時間から遅延されたトリガ信号を供給して、小滴上に集束される光パルスを発生させ、第２の遅延時間だけ捕捉時間から遅延されたトリガ信号を供給して、小滴上に集束されない光パルスを発生させるように遅延回路を制御するシステムと、を備えるデバイスを開示する。
【選択図】 図１

Description

（関連出願への相互参照）
本発明は、２０１１年６月９日出願の「ＥＵＶ Ｌｉｇｈｔ Ｓｏｕｒｃｅ ｗｉｔｈ Ｓｕｂｓｙｓｔｅｍ（ｓ） ｆｏｒ Ｍａｉｎｔａｉｎｉｎｇ ＬＰＰ Ｄｒｉｖｅ Ｌａｓｅｒ Ｏｕｔｐｕｔ Ｄｕｒｉｎｇ ＥＵＶ Ｎｏｎ−Ｏｕｔｐｕｔ Ｐｅｒｉｏｄｓ（ＥＵＶ非出力期間中にＬＰＰ駆動レーザー出力を維持するためのサブシステムを有するＥＵＶ光源）」米国特許出願第１３／１５７，２３３号、代理人整理番号２０１０−００１４−０２の優先権を主張し、更に２０１０年１０月４日出願の「ＥＵＶ Ｌｉｇｈｔ Ｓｏｕｒｃｅ ｗｉｔｈ ａ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ Ｄｒｉｖｅ Ｌａｓｅｒ（温度安定化駆動レーザーを有するＥＵＶ光源）」米国仮出願第６１／４０４，５６４号、代理人整理番号２０１０−００１４−０１の優先権を主張し、これらの開示内容全体は引用によって本明細書に組み込まれている。
本発明は、２０１０年６月２４日出願の「ＭＡＳＴＥＲ ＯＳＣＩＬＬＡＴＯＲ−ＰＯＷＥＲ ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ ＤＲＩＶＥ ＬＡＳＥＲ ＷＩＴＨ ＰＲＥ−ＰＵＬＳＥ ＦＯＲ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（ＥＵＶ光源のための予備パルスを用いる主発振器−電力増幅器駆動レーザー）」米国特許出願第６１／３９８，４５２号、代理人整理番号２００９−００３８−０１、２００７年１２月２０日に出願され、現在では２０１１年３月２９日に特許付与された米国特許第７，９１６，３８８号である「ＤＲＩＶＥ ＬＡＳＥＲ ＦＯＲ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（ＥＵＶ光源のための駆動レーザー）」米国特許出願第１２／００４，９０５号、代理人整理番号２００６−００６５−０１、２００７年４月１０日に出願され、現在では２０１０年３月２日に特許付与された米国特許第７，６７１，３４９号である「ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（レーザー生成プラズマＥＵＶ光源）」米国特許出願第１１／７８６，１４５号、代理人整理番号２００７−００１０−０２、２００７年７月１３日に出願され、２０１１年３月１日に特許付与された米国特許第７，８９７，９４７号である「ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＨＡＶＩＮＧ Ａ ＤＲＯＰＬＥＴ ＳＴＲＥＡＭ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＵＳＩＮＧ Ａ ＭＯＤＵＬＡＴＥＤ ＤＩＳＴＵＲＢＡＮＣＥ ＷＡＶＥ（変調擾乱波を用いて生成された小滴流を有するレーザー生成プラズマＥＵＶ光源）」米国特許出願第１１／８２７，８０３号、代理人整理番号２００７−００３０−０１、２００６年２月２１日に出願され、２００６年１１月１６日に米国第２００６／０２５５２９８−Ａ１号として公開された「ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＷＩＴＨ ＰＲＥ−ＰＵＬＳＥ（予備パルスを用いたレーザー生成プラズマＥＵＶ光源）」米国特許出願第１１／３５８，９８８号、代理人整理番号２００５−００８５−０１、２００５年２月２５日に出願され、現在では２００８年７月２９日に特許付与された米国特許第７，４０５，４１６号である「ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲ ＥＵＶ ＰＬＡＳＭＡ ＳＯＵＲＣＥ ＴＡＲＧＥＴ ＤＥＬＩＶＥＲＹ（ＥＵＶプラズマ源ターゲット送達のための方法及び装置）」米国特許出願第１１／０６７，１２４号、代理人整理番号２００４−０００８−０１、２００５年６月２９日に出願され、現在では２００８年５月１３日に特許付与された米国特許第７，３７２，０５６号である「ＬＰＰ ＥＵＶ ＰＬＡＳＭＡ ＳＯＵＲＣＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＴＡＲＧＥＴ ＤＥＬＩＶＥＲＹ ＳＹＳＴＥＭ（ＬＰＰ ＥＵＶプラズマ源材料ターゲット送達システム）」米国特許出願第１１／１７４，４４３号、代理人整理番号２００５−０００３−０１、２００６年２月２１日に出願され、現在では２００８年５月２７日に特許付与された米国第７，３７８，６７３号である「ＳＯＵＲＣＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＤＩＳＰＥＮＳＥＲ ＦＯＲ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（ＥＵＶ光源のためのプラズマ源材料滴出器）」米国特許出願第１１／３５８，９８３号、代理人整理番号２００５−０１０２−０１、２００６年２月２１日に出願され、現在では２００９年１０月６日に特許付与された米国第７，５９８，５０９号である「ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（レーザー生成プラズマＥＵＶ光源）」米国特許出願第１１／３５８，９９２号、代理人整理番号２００５−００８１−０１、２００５年６月２９日に出願され、現在では２００８年１０月２１日に特許付与された米国特許第７，４３９，５３０号である「ＬＰＰ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＤＲＩＶＥ ＬＡＳＥＲ ＳＹＳＴＥＭ（ＬＰＰ ＥＵＶ光源駆動レーザーシステム）」米国特許出願第１１／１７４，２９９号、代理人整理番号２００５−００４４−０１、２００６年４月１７日に出願され、現在では２００８年１２月１６日に特許付与された米国特許第７，４６５，９４６号である「ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥ ＦＵＥＬＳ ＦＯＲ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（ＥＵＶ光源のための代替燃料）」米国特許出願第１１／４０６，２１６号、代理人整理番号２００６−０００３−０１、２００６年１０月１３日に出願され、現在では２００９年２月１７日に特許付与された米国特許第７，４９１，９５４号である「ＤＲＩＶＥ ＬＡＳＥＲ ＤＥＬＩＶＥＲＹ ＳＹＳＴＥＭＳ ＦＯＲ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（ＥＵＶ光源のための駆動レーザー送達システム）」米国特許出願第１１／５８０，４１４号、代理人整理番号２００６−００２５−０１、２００６年１２月２２日に出願され、２００８年６月２６日に米国第２００８／０１４９８６２−Ａ１号として公開された「ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（レーザー生成プラズマＥＵＶ光源）」米国特許出願第１１／６４４，１５３号、代理人整理番号２００６−０００６−０１、２００６年８月１６日に出願され、現在では米国特許第７，８４３，６３２号である「ＥＵＶ ＯＰＴＩＣＳ（ＥＵＶ光学系）」米国特許出願第１１／５０５，１７７号、代理人整理番号２００６−００２７−０１、２００６年６月１４日に出願され、現在では２００９年４月１４日に特許付与された米国特許第７，５１８，７８７号である「ＤＲＩＶＥ ＬＡＳＥＲ ＦＯＲ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（ＥＵＶ光源のための駆動レーザー）」米国特許出願第１１／４５２，５５８号、代理人整理番号２００６−０００１−０１、２００５年８月９日にＷｅｂｂ他に特許付与された「ＬＯＮＧ ＤＥＬＡＹ ＡＮＤ ＨＩＧＨ ＴＩＳ ＰＵＬＳＥ ＳＴＲＥＴＣＨＥＲ（長遅延及び高ＴＩＳパルスストレッチャー）」米国特許第６，９２８，０９３号、２００６年３月３１日に出願され、現在では２００８年８月１日に特許付与された米国特許第７，４１５，０５６号である「ＣＯＮＦＯＣＡＬ ＰＵＬＳＥ ＳＴＲＥＴＣＨＥＲ（共焦点パルスストレッチャー）」米国出願第１１／３９４，５１２号、代理人整理番号２００４−０１４４−０１、２００５年５月２６日に出願され、２００５年１１月２４日に米国第２００５／０２５９７０９−Ａ１号として公開された「ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＦＯＲ ＩＭＰＬＥＭＥＮＴＩＮＧ ＡＮ ＩＮＴＥＲＡＣＴＩＯＮ ＢＥＴＷＥＥＮ Ａ ＬＡＳＥＲ ＳＨＡＰＥＤ ＡＳ Ａ ＬＩＮＥ ＢＥＡＭ ＡＮＤ Ａ ＦＩＬＭ ＤＥＰＯＳＩＴＥＤ ＯＮ Ａ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ（線ビームとして成形されたレーザーと基板上に堆積された膜との間の相互作用を実施するためのシステム及び方法）」米国出願第１１／１３８，００１号、代理人整理番号２００４−０１２８−０１、２００２年５月７日に出願され、現在では２００４年２月１７日に特許付与された米国特許第６，６９３，９３９号である「ＬＡＳＥＲ ＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＹ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＷＩＴＨ ＢＥＡＭ ＤＥＬＩＶＥＲＹ（ビーム送達を伴うレーザーリソグラフィ光源）」米国出願第１０／１４１，２１６号、２００３年９月２３日にＫｎｏｗｌｅｓ他に特許付与された「ＶＥＲＹ ＮＡＲＲＯＷ ＢＡＮＤ， ＴＷＯ ＣＨＡＭＢＥＲ， ＨＩＧＨ ＲＥＰ ＲＡＴＥ ＧＡＳ ＤＩＳＣＨＡＲＧＥ ＬＡＳＥＲ ＳＹＳＴＥＭ（超狭帯域２チャンバ高繰り返し率ガス放電レーザーシステム）」米国特許第６，６２５，１９１号、２００１年１１月３０日に出願され、現在では２００３年９月２３日に特許付与された米国特許第６，６２５，１９１号である米国出願第１０／０１２，００２号、代理人整理番号２００１−００９０−０１、２００３年４月１５日にＮｅｓｓ他に特許付与された「ＩＮＪＥＣＴＩＯＮ ＳＥＥＤＥＤ ＬＡＳＥＲ ＷＩＴＨ ＰＲＥＣＩＳＥ ＴＩＭＩＮＧ ＣＯＮＴＲＯＬ（正確なタイミング制御を用いた注入シードレーザー）」米国特許第６，５４９，５５１号、２００３年５月２０日にＭｙｅｒｓ他に特許付与された「ＶＥＲＹ ＮＡＲＲＯＷ ＢＡＮＤ， ＴＷＯ ＣＨＡＭＢＥＲ， ＨＩＧＨ ＲＥＰ ＲＡＴＥ ＧＡＳ ＤＩＳＣＨＡＲＧＥ ＬＡＳＥＲ ＳＹＳＴＥＭ（超狭帯域２チャンバ高繰り返し率ガス放電レーザーシステム）」米国特許第６，５６７，４５０号、米国出願第０９／９４３，３４３号、代理人整理番号２００１−００８４−０１、及び２００６年８月２５日に出願され、現在では２００９年１月１３日に特許付与された米国特許第７，４７６，８８６号である「ＳＯＵＲＣＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＣＯＬＬＥＣＴＩＯＮ ＵＮＩＴ ＦＯＲ Ａ ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（レーザー生成プラズマＥＵＶ光源のためのプラズマ源材料収集ユニット）」米国特許出願第１１／５０９，９２５号、代理人整理番号２００５−００８６−０１に関連し、これらの開示内容全体は、引用によって本明細書に組み込まれている。
（技術分野）
本出願は、プラズマ源材料から生成され、ＥＵＶ光源チャンバの外部での利用のため、例えば半導体集積回路製造フォトリソグラフィのために、中間的な場所に集光されて導かれる、例えば約１００ｎｍ及びそれ以下の波長のＥＵＶ光を供給する極紫外（「ＥＵＶ」）光源に関する。
フォトリソグラフィプロセスでは、基板、例えばシリコンウェハ内に極めて小さい特徴部を生成するために、極紫外（「ＥＵＶ」）光、例えば、約１３ｎｍの波長の光を含む約５〜１００ｎｍ又はそれ以下の波長を有する電磁放射線（場合によっては軟Ｘ線とも呼ばれる）を用いることができる。
ＥＵＶ光を生成する方法は、材料を、ＥＵＶ範囲内に輝線を有する元素、例えば、キセノン、リチウム、又は錫を有するプラズマ状態へと変換する段階を含むが、必ずしもそれに限定されない。多くの場合レーザー生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる１つのかかる方法では、例えば、材料の小滴、流れ、又は集塊の形態にあるターゲット材料をレーザービームで照射することによって所要のプラズマを生成することができる。
これまで、小滴流内の小滴が、レーザーパルスによって照射され、照射場所で各小滴からプラズマが形成されるＬＰＰシステムが開示されている。また、各小滴が、１つよりも多くの光パルスによって順次照明されるシステムが開示されてきた。幾つかの事例では、各小滴を、加熱する、膨張させる、気化させる、蒸発させる、電離させる、及び／又は弱いプラズマを発生させるために、いわゆる「予備パルス」に露光し、予備パルスによって影響を受けた材料のうちの大部分又は全てをプラズマへと変換し、それによってＥＵＶ光放出を生じさせるために、いわゆる「主パルス」に露光する場合がある。
上記に示したように、ＥＵＶ光を生成する１つの技法は、ターゲット材料を照射する段階を含む。この点に関して、例えば、赤外線波長、例えば約９．２μｍから１０．６μｍの範囲内の波長の光を出力するＣＯ２レーザーは、ＬＰＰプロセスにおいてターゲット材料を照射する駆動レーザーとしてある特定の利点を与えることができる。このことは、ある特定のターゲット材料、例えば錫を含む材料に特に当てはまる。例えば、１つの利点は、駆動レーザー入力パワーと出力ＥＵＶパワーとの間に比較的高い変換効率を生じる能力を含むことができる。
幾つかの事例では、ＬＰＰプロセスにおいて用いられる比較的高いパワーの主パルスを生成するために、発振器−増幅器構成を用いることが望ましい場合がある。一般的に、ＬＰＰ光源では、ＥＵＶ出力パワーは駆動レーザーパワーと共に増減し、その結果、比較的大きい増幅器が用いられる場合がある。例えば幾つかの構成では、パルス発振器出力によってシードされる１×１０5程度又はそれ以上のワンパスの小さい信号利得を有する多チャンバ増幅器が用いられる場合がある。
１６〜２０メートル又はそれ以上の折り返し長さを有する利得媒質に光を通過させるために数十個のミラーを含むことができる増幅器に加えて、増幅器と照射箇所との間のビームを拡大する、操向する、及び／又は集束させるために、レンズ、ミラー等の他の光学体が用いることができる。これらの光学体の全ては、パルスビームへの露光中に加熱され、この熱は、各光学体を拡大及び／又は歪曲させる可能性がある。一方で非露光期間中には、光学体は冷めて、高温時とは異なる挙動を示す可能性がある。温度変化は、時間尺度及び／又は規模の理由から補正するのが困難な熱過渡を引き起こす場合があり、未補正の熱過渡は、ビーム品質及びフォーカス性能に悪影響を及ぼす場合がある。光学体の最高温度を低下させるために冷却システムを用いることができるが、冷却システムは、光学体がパルスビームに所定の時間間隔の間に露光され、非露光期間が続き、更に露光が続く、照射サイクルに関連する、熱過渡を常に低減するわけではない。
動作中に、ＥＵＶ光源の出力は、ステッパ又はスキャナ等のリソグラフィ露光ツールが使用することができる。これらの露光ツールは、最初に、光源からのビームを均質化し、続いて、例えば反射マスクを用いてビーム断面のパターンをビームに与えることができる。パターン化されたビームは、続いてレジスト被覆ウェハの一部の上に投影される。レジスト被覆ウェハの最初の部分（多くの場合、露光視野と呼ばれる）が照明されると、２番目の露光視野を照射するためにウェハ、マスク、又はその両方を移動することができ、レジスト被覆ウェハの照射が完了するまで以下同様に続く。このプロセスの間に、一般的にスキャナは、各露光視野に対して光源からの所謂パルスバーストを必要とする。例えば、一般的なバーストは、約０．５秒の期間だけ続き、約４０ｋＨｚのパルス繰り返し率で約２０，００００個の光パルスを含むことができる。このプロセスでは、連続するバーストを、割り込み時間によって時間的に分割することができる。ほんの一瞬だけ続くことができる幾つかの割り込み時間の間に、露光ツールは、次の露光視野を照射する準備を整え、光源からの光を必要としない。露光ツールがウェハを交換する、又は計測、１つ又はそれ以上の保守機能、又は光源からの光を必要としない何らかの他のプロセスを実行する場合には、より長い割り込み時間が生じる場合がある。
前記のことを考慮して、本出願人は、ＥＵＶ非出力期間中にＬＰＰ駆動レーザー出力を維持するためのサブシステムを有するＥＵＶ光源を開示する。
米国特許出願第１３／１５７，２３３号公報 米国仮出願第６１／４０４，５６４号公報 米国特許出願第６１／３９８，４５２号公報 米国特許第７，９１６，３８８号公報 米国特許出願第１２／００４，９０５号公報 米国特許第７，６７１，３４９号公報 米国特許出願第１１／７８６，１４５号公報 米国特許第７，８９７，９４７号公報 米国特許出願第１１／８２７，８０３号公報 米国特許出願第２００６／０２５５２９８−Ａ１号公報 米国特許出願第１１／３５８，９８８号公報 米国特許第７，４０５，４１６号公報 米国特許出願第１１／０６７，１２４号公報 米国特許第７，３７２，０５６号公報 米国特許出願第１１／１７４，４４３号公報 米国特許第７，３７８，６７３号公報 米国特許出願第１１／３５８，９８３号公報 米国特許第７，５９８，５０９号公報 米国特許出願第１１／３５８，９９２号公報 米国特許第７，４３９，５３０号公報 米国特許出願第１１／１７４，２９９号公報 米国特許第７，４６５，９４６号公報 米国特許出願第１１／４０６，２１６号公報 米国特許第７，４９１，９５４号公報 米国特許出願第１１／５８０，４１４号公報 米国特許出願第２００８／０１４９８６２−Ａ１号公報 米国特許出願第１１／６４４，１５３号公報 米国特許第７，８４３，６３２号公報 米国特許出願第１１／５０５，１７７号公報 米国特許第７，５１８，７８７号公報 米国特許出願第１１／４５２，５５８号公報 米国特許第６，９２８，０９３号公報 米国特許第７，４１５，０５６号公報 米国出願第１１／３９４，５１２号公報 米国特許出願第２００５／０２５９７０９−Ａ１号公報 米国出願第１１／１３８，００１号公報 米国特許第６，６９３，９３９号公報 米国出願第１０／１４１，２１６号公報 米国特許第６，６２５，１９１号公報 米国出願第１０／０１２，００２号公報 米国特許第６，５４９，５５１号公報 米国特許第６，５６７，４５０号公報 米国出願第０９／９４３，３４３号公報 米国特許第７，４７６，８８６号公報 米国特許出願第１１／５０９，９２５号公報 米国特許出願第２０１０／０２９４９５３−Ａ１号公報 米国特許出願第１２／７２１，３１７号公報 米国特許第７，８７２，２４５号公報 米国出願第１２／２１４，７３６号公報 米国特許第７，０８７，９１４号公報 米国特許出願第１０／８０３，５２６号公報 米国特許第７，１６４，１４４号公報 米国出願第１０／９００，８３９号公報 米国特許出願第１２／６３８，０９２号公報 米国特許出願第１２／９８０，９３９号公報
本明細書に開示する第１の態様において、デバイスは、ターゲット材料の小滴を生成する小滴発生器と、小滴が事前選択場所に到達する場合に捕捉時間信号を供給するセンサと、センサと結合され、捕捉時間信号から遅延されたトリガ信号を発生させる遅延回路と、トリガ信号に応じてレーザーパルスを生成するレーザー源と、捕捉時間から第１の遅延時間だけ遅延されたトリガ信号を供給して、小滴上に集束される光パルスを発生させ、捕捉時間から第２の遅延時間だけ遅延されたトリガ信号を供給して、小滴上に集束されない光パルスを発生させるように遅延回路を制御するシステムと、を備えることができる。
本態様の１つの実施形態では、第１の遅延時間は、第２の遅延時間よりも長い。
本態様の別の実施形態では、第１の遅延時間は、第２の遅延時間よりも短い。
本態様の１つの実施例では、センサは、レーザー源及び検出器を備える。
本態様の特定の実施例では、遅延回路は、デジタルシフトレジスタを備える。
本明細書に更に開示する別の態様において、割り込み期間によって分離された少なくとも２つのバースト期間内にＥＵＶパルスを生成するための方法は、各バースト期間中及び割り込み期間中にターゲット材料小滴を発生させる段階と、各バースト期間中及び割り込み期間中にレーザーパルスを発生させる段階と、ＥＵＶ出力を生成するために、バースト期間中にレーザーパルスをそれぞれの小滴上に集束させる段階と、割り込み期間中にレーザー集束スポットと小滴との間に距離を発生させる段階とを含むことができる。
本態様の特定の実施例では、発生段階は、バースト期間の間に割り込み期間とは異なる、小滴位置に対するレーザートリガタイミングを与えることによって達成される。
本態様の１つの実施例では、小滴は、バースト期間中に照射箇所に向かって第１の経路に沿って移動し、発生段階は、割り込み期間中に照射箇所と交差しない第２の経路に小滴を経路変更することによって達成される。
本態様の特定の実施例では、レーザーパルスは、バースト期間中に照射箇所にある集束スポットに集束され、発生段階は、割り込み期間中に集束スポットを、照射箇所から離間した場所に移動させることによって達成される。
本明細書に更に開示する別の態様において、割り込み期間によって分離された少なくとも２つのバースト期間内にＥＵＶパルスを生成する極紫外（ＥＵＶ）光源は、各バースト期間中及び割り込み期間中にターゲット材料の小滴を生成する小滴発生器と、各バースト期間中及び割り込み期間中にレーザーパルスを生成するレーザー源と、レーザーパルスがターゲット材料と、ＥＵＶ出力を生成するように相互作用するバースト期間構成から、光パルスがターゲット材料と、ＥＵＶ出力を生成するように相互作用しない割り込み期間へとＥＵＶ光源を再構成するように動作可能なシステムとを備える。
本態様の１つの実施形態では、システムは、バースト期間の間に割り込み期間とは異なる、小滴位置に対するレーザートリガタイミングを与える。
本態様の特定の実施形態では、トリガタイミングは、割り込み期間内にバースト期間に対して遅延される。
本態様の特定の実施例では、トリガタイミングは、割り込み期間にバースト期間に対して進められる。
本態様の１つの実施例では、小滴は、バースト期間中に照射箇所に向かって第１の経路に沿って移動し、システムは、割り込み期間中に照射箇所と交差しない第２の経路へと小滴を経路変更する。
本態様の１つの実施形態では、システムは、割り込み期間中に小滴を帯電させ、電場、磁場、又はこれらの組み合わせからなる場のグループから選択された場を用いて、小滴を第１の経路から偏向する。
本態様の特定の実施形態では、小滴発生器はノズルを含み、システムは、ノズルを移動させるアクチュエータを備える。
本態様の１つの実施例では、システムは、小滴を経路変更するためのガス流を備える。
本態様の特定の実施例では、レーザーパルスは、バースト期間中に照射箇所にある集束スポットに集束され、システムは、割り込み期間中に集束スポットを、照射箇所から離間した場所に移動させる。
本態様の１つの構成では、レーザーパルスは、少なくとも１つの集束光学体を用いて集束され、システムは、少なくとも１つの集束光学体を移動させて集束スポットの場所を変更する。
本態様の特定の構成では、レーザーパルスは、少なくとも１つの操向光学体を用いて操向され、システムは、少なくとも１つの操向光学体を移動させて集束スポットの場所を変更する。
本態様の１つの実施形態では、システムは、バースト期間の間に割り込み期間とは異なる、小滴位置に対するレーザートリガタイミングを与え、レーザーパルスは、バースト期間中に照射箇所にある集束スポットに集束され、割り込み期間中に集束スポットを、照射箇所から離間した場所に移動させる。
レーザー生成プラズマＥＵＶ光源の実施例の簡略化した概略図である。 小滴補足時間信号を受け取る時にレーザートリガを発生させるための制御回路の実施例を示す。 シードレーザー及び増幅器を有するレーザー源の実施形態の簡略化した概略図である。 シードレーザー及び多チャンバ増幅器を有するレーザー源の別の実施形態の簡略化した概略図である。 予備パルスシードレーザー、主パルスシードレーザー、及び共通の増幅器を有するレーザー源の別の実施形態の簡略化した概略図である。 フォトリソグラフィにおいて用いられる光源の一般的な光出力シーケンスを示す。 集束光学体から発生する集束スポットが、レーザーパルスが小滴流中の小滴上に集束されてＥＵＶ放出プラズマが生成される第１の集束スポット位置（実線）から、集束スポットが小滴流中の小滴から離隔される第２の集束スポット位置（破線）へと移動される構成を示す。 集束光学体から発生する集束スポットが、レーザーパルスが小滴流中の小滴上に集束されてＥＵＶ放出プラズマが生成される第１の集束スポット位置（実線）から、集束スポットが小滴流中の小滴から離隔される第２の集束スポット位置（破線）へと操向される構成を示す。 小滴発生器の放出点を移動させることによって、小滴流が、ＥＵＶを発生させるための照射箇所と交差する第１の小滴流経路から、照射箇所と交差しない第２の小滴流経路へと経路変更される構成を示す。 小滴を帯電させ、帯電小滴を偏向することによって、小滴流が、ＥＵＶを発生させるための照射箇所と交差する第１の小滴流経路から、照射箇所と交差しない第２の小滴流経路へと経路変更される構成を示す。 小滴流が、ＥＵＶを発生させるための照射箇所と交差する第１の小滴流経路から、照射箇所と交差しない第２の小滴流経路へとガス流によって経路変更される構成を示す。 小滴流が、パルスのバースト中にＥＵＶを発生させるための照射箇所に移動することが許容され、割り込み時間中に照射箇所に移動することが阻止される構成を示す。
最初に図１を参照すると、ＥＵＶ光源の実施形態、例えばレーザー生成プラズマＥＵＶ光源２０の簡略化した概略図が示されている。図１に示すように、ＬＰＰ光源２０は、光を発生させ、この光をチャンバ２６に送達するためのシステム２２を含むことができる。光源２０では、光は、システム２２からチャンバ２６内へ１つ又はそれ以上のビーム経路に沿って進むことができ、照射領域２８においてそれぞれのターゲット小滴を照らす。図１に示すシステム２２での使用に適するものとすることができるレーザー構成の例を以下に詳細に説明する。
図１に更に示すように、ＥＵＶ光源２０は、例えば、ターゲット材料の小滴をチャンバ２６の内部の照射領域２８へと送達するターゲット材料送達システム２４を含むこともでき、この照射領域２８において、小滴は、１つ又はそれ以上の光パルス、例えば、ゼロ、１つ、又はそれ以上の予備パルス、及びその後の１つ又はそれ以上の主パルスと相互作用して、最終的にプラズマを生成してＥＵＶ放出を発生させることになる。様々な小滴滴出器構成及び関連する利点に関する更なる詳細は、２０１０年３月１０日に出願され、２０１０年１１月２５日に米国第２０１０／０２９４９５３−Ａ１号として公開された「ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（レーザー生成プラズマＥＵＶ光源）」米国特許出願第１２／７２１，３１７号、代理人整理番号２００８−００５５−０１、２００８年６月１９日に出願され、現在では２０１１年１月１８日に特許付与された米国特許第７，８７２，２４５号である「ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＦＯＲ ＴＡＲＧＥＴ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＤＥＬＩＶＥＲＹ ＩＮ Ａ ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（レーザー生成プラズマＥＵＶ光源におけるターゲット材料送達のためのシステム及び方法）」米国出願第１２／２１４，７３６号、代理人整理番号２００６−００６７−０２、２００７年７月１３日に出願され、現在では２０１１年３月１日に特許付与された米国特許第７，８９７，９４７号である「ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＨＡＶＩＮＧ Ａ ＤＲＯＰＬＥＴ ＳＴＲＥＡＭ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＵＳＩＮＧ Ａ ＭＯＤＵＬＡＴＥＤ ＤＩＳＴＵＲＢＡＮＣＥ ＷＡＶＥ（変調擾乱波を用いて生成された小滴流を有するレーザー生成プラズマＥＵＶ光源）」米国特許出願第１１／８２７，８０３号、代理人整理番号２００７−００３０−０１、２００６年２月２１日に出願され、２００６年１１月１６日に米国第２００６／０２５５２９８Ａ−１号として公開された「ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＷＩＴＨ ＰＲＥ−ＰＵＬＳＥ（予備パルスを用いたレーザー生成プラズマＥＵＶ光源）」米国特許出願第１１／３５８，９８８号、２００５年２月２５日に出願され、現在では２００８年７月２９日に特許付与された米国特許第７，４０５，４１６号である「ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲ ＥＵＶ ＰＬＡＳＭＡ ＳＯＵＲＣＥ ＴＡＲＧＥＴ ＤＥＬＩＶＥＲＹ（ＥＵＶプラズマ源ターゲット送達のための方法及び装置）」米国特許出願第１１／０６７，１２４号、及び２００５年６月２９日に出願され、現在では２００８年５月１３日に特許付与された米国特許第７，３７２，０５６号である「ＬＰＰ ＥＵＶ ＰＬＡＳＭＡ ＳＯＵＲＣＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＴＡＲＧＥＴ ＤＥＬＩＶＥＲＹ ＳＹＳＴＥＭ（ＬＰＰ ＥＵＶプラズマ源材料ターゲット送達システム）」米国特許出願第１１／１７４，４４３号、代理人整理番号２００５−０００３−０１に見出すことができ、これらの各々の開示内容は、引用によって本明細書に組み込まれている。
ターゲット材料は、錫、リチウム、キセノン、又はこれらの組み合わせを含むことができるが、必ずしもこれらに限定されない。ＥＵＶ放出元素、例えば、錫、リチウム、キセノン等は、液体小滴及び／又は液体小滴内に含まれる固体粒子の形態にあるものとすることができる。例えば、錫元素は、純錫として、錫化合物、例えば、ＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４として、錫合金、例えば、錫−ガリウム合金、錫−インジウム合金、錫−インジウム−ガリウム合金として、又はこれらの組み合わせとして用いることができる。用いられる材料に依存して、ターゲット材料は、照射領域２８に室温又はほぼ室温（例えば、錫合金、ＳｎＢｒ４）、高温（例えば純錫）、又は室温よりも低い温度（例えばＳｎＨ４）を含む様々な温度で与えることができ、幾つかの場合には、比較的高い揮発性のもの、例えばＳｎＢｒ４とすることができる。ＬＰＰ ＥＵＶ光源におけるこれらの材料の使用に関する更なる詳細は、２００６年４月１７日に出願され、現在では２００８年１２月１６日に特許付与された米国特許第７，４６５，９４６号である「ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥ ＦＵＥＬＳ ＦＯＲ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（ＥＵＶ光源のための代替燃料）」米国特許出願第１１／４０６，２１６号、代理人整理番号２００６−０００３−０１に提示されており、この開示内容は、引用によって本明細書に組み込まれている。
引き続き図１を参照すると、ＥＵＶ光源２０は、例えば、モリブデンとシリコンとの交番層を有し、幾つかの場合には１つ又はそれ以上の高温度拡散バリア層、平滑化層、キャッピング層、及び／又はエッチング停止層を有する傾斜多層被覆を有する長球面（すなわち、楕円がその主軸の回りに回転されたもの）の形態にある反射面を有する近法線入射コレクターミラー等の光学体３０を含むこともできる。図１は、光学体３０に、システム２２によって発生する光パルスが通過して照射領域２８に達することを可能にする開口部を形成できることを示す。図示のように、光学体３０は、例えば、照射領域２８内又はその近くに第１の焦点を有し、ＥＵＶ光を、ＥＵＶ光源２０から出力して、ＥＵＶ光を利用するデバイス、例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力することができる、いわゆる中間領域４０に第２の焦点を有する長球面ミラーとすることができる。ＥＵＶ光を利用するデバイスへの後続の送達のために光を中間の場所へと集光して導くために、長球面ミラーの代わりにその他の光学体を用いることができることは明らかであり、例えば、光学体は、放物線がその主軸の回りに回転されたものとすることができ、又は円環形断面を有するビームを中間の場所に送達するように構成することができ、例えば、引用によって本明細書に組み込まれている、２００６年８月１６日に出願され、現在では２０１０年１１月３０日に特許付与された米国特許第７，８４３，６３２号である「ＥＵＶ ＯＰＴＩＣＳ（ＥＵＶ光学系）」米国特許出願第１１／５０５，１７７号、代理人整理番号２００６−００２７−０１を参照されたい。
また、図１は、光源２０が、レーザー源システム２２と照射箇所２８との間でビームを拡大する、操向する、及び／又は集束させる段階等のビーム調節段階のための１つ又はそれ以上の光学体を含み得ることを示している。より詳細には、図１から分かるように、システム２２から出力されるビームをビームの伝播方向を横切る片方側又は両方側に拡大するために、例えば軸外放物面ミラーとすることができる２つのミラー４２、４４からなるビーム拡大器を用いることができる。ビームを拡大するために、レンズ、プリズム等を含む他の光学構成を用いることができること、又はビームを拡大及び操向するために、共通の単一又は複数の光学体を用いることができることを理解されたい。これらの光学体は、例えば、ミラーの場合には裏側の水路を用いて、及び／又は表面ガス流を用いて冷却することができる。
引き続き図１を参照すると、１つ又はそれ以上のミラー、プリズム、レンズ等を含むことができる操向システムを設けて、集束スポットをｘ方向及び／又はｙ方向に操向するように構成できる。これらの光学体は、ミラーの場合には裏側の水路を用いて及び／又は表面ガス流を用いて冷却することができる。図示する構成では、操向システムは、ミラー４６を２次元で独立に移動できるチップ−チルトアクチュエータ４８に取り付けられた第１の平面ミラー４６と、ミラー５０を２次元で独立に移動できるチップ−チルトアクチュエータ５２に取り付けられた第２の平面ミラー５０とを含む。しかしながら、他のシステムを用いることができ、例えば、操向を行うためのチップ−チルトアクチュエータを有する単一のミラーを用いることができ、又は１つのミラーがチルト調節を行い、第２のミラーがチップ調節だけを行うことができる。
また、図１は、ビームを照射箇所２８に集束させ、ｚ軸に沿って集束スポットの位置を調節するために、集束組立体５４を設けることができることを示している。図示の集束組立体５４では、集束スポットをｚ軸に沿って移動させるために矢印５６の方向に移動するアクチュエータに結合される集束レンズを用いることができる。単一のレンズが示されているが、１つ又はそれ以上のレンズ、ミラー等を有する他の集束構成を用いることができることを理解されたい。
本明細書で用いる「光学体」という用語及びその派生語は、入射光を反射及び／又は透過する、及び／又はそれに対して動作する１つ又はそれ以上の構成要素を含むが、必ずしもこれらに限定されず、１つ又はそれ以上のレンズ、窓、フィルタ、楔、プリズム、グリズム、グレーディング、透過ファイバ、エタロン、拡散器、ホモジナイザ、検出器及びその他の機器構成要素、開口部、アキシコン、及び多層ミラー、近法線入射ミラー、かすめ入射ミラー、鏡面反射体、拡散反射体を含むミラー、並びにこれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。更に、別途明示しない限り、本明細書で用いる「光学体」という用語又はその派生語のどちらも、単独で動作する構成要素、又はＥＵＶ出力光波長、照射レーザー波長、計測に適する波長、又は何らかの他の波長等の１つ又はそれ以上の特定の波長範囲内の利点に限定されることを意味しない。
ビーム調節に関する更なる詳細は、２００４年３月１７日に出願され、現在では２００６年８月８日に特許付与された米国特許第７，０８７，９１４号である「ＨＩＧＨ ＲＥＰＥＴＩＴＩＯＮ ＲＡＴＥ ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（高繰り返し率レーザー生成プラズマＥＵＶ光源）」米国特許出願第１０／８０３，５２６号、２００４年７月２７日に出願され、現在では２００７年１月１６日に特許付与された米国特許第７，１６４，１４４号である「ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（ＥＵＶ光源）」米国出願第１０／９００，８３９号、代理人整理番号２００４−００４４−０１、及び２００９年１２月１５日出願の「ＢＥＡＭ ＴＲＡＮＳＰＯＲＴ ＳＹＳＴＥＭ ＦＯＲ ＥＸＴＲＥＭＥ ＵＬＴＲＡＶＩＯＬＥＴ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（極紫外光源のためのビーム転送システム）」米国特許出願第１２／６３８，０９２号、代理人整理番号２００９−００２９−０１に提示されており、これらの開示内容は、引用によって本明細書に組み込まれている。
引き続き図１を参照すると、小滴５８が照射箇所２８の上流の事前選択場所６０に到達した場合に捕捉時間信号を供給するためのセンサを用いることができることが分かる。例えば、事前選択場所は、照射箇所から数ミリメートルとすることができ、プラズマが照射箇所に存在しない場合に事前選択場所において小滴捕捉が発生するように位置決めすることができる。光源２０では、図示のように、センサは、事前選択場所６０を通してビーム６４を導くレーザー源等の光源６２を含むことができる。例えば、レーザーは、半導体レーザーとすることができる。フォト検出器アレイ、アバランシェフォトダイオード、又は光電子増倍管等の検出器６６は、ビーム６４を監視して、小滴５８が事前選択場所６０を通過した場合にアナログ信号出力を通信チャネル６８上に、例えば、有線リンク、無線リンク等の上に発生させるように向きを定めることができる。次に、アナログ信号は、制御回路７０で処理することができ、制御回路７０は、レーザー源２２の発射を開始するレーザートリガ信号を発生させる。更に図示されるように、制御回路７０は、通信チャネル７２を介してトリガ信号を出力することができる。制御回路７０を露光ツール制御システム７６に通信可能に接続するために、通信チャネル７４を設けることができる。以下に詳細に説明するように、遅延回路は、このリンクを用いて露光ツールからのバースト開始コマンド及びバースト停止コマンドを処理することができる。
図２は、適切な制御回路７０の実施例を詳細に示す。図示のように、検出器６６（図１参照）からの通信チャネル６８上のアナログ出力は、通信チャネル８２上にデジタル出力を生成するアナログ−デジタルコンバータ８０に入力することができる。次に、通信チャネル８２上のデジタル出力は、例えばデジタルシフトレジスタを含むことができる遅延回路部分８４に入力することができる。遅延回路部分８４は、捕捉場所６０（図１参照）から照射箇所２８までの小滴の飛行時間に関連する時間だけ入力信号から遅延された信号を通信チャネル８６上に出力することができる。図示のように、次に、通信チャネル８６上の出力は、例えばデジタルマイクロプロセッサを含むことができる論理回路８８に入力することができる。
引き続き図２を参照すると、論理回路８８は、露光ツール制御システム７６からの入力を受信するための通信チャネル７４を含むこともできることが分かる。特に、この入力は、露光ツールからのバースト開始コマンド及びバースト停止コマンドを含むことができる。これらの入力を用いて、論理回路８８は、後続の命令シーケンスを実行することができる。露光ツールからバースト開始コマンドを受信すると、論理回路８８は、通信チャネル８６を通信チャネル７２に出力し、バースト停止コマンドを受信するまで捕捉小滴及び後続の小滴を照射するようにレーザー源２２（図１参照）をトリガする。
露光ツールからバースト停止コマンドを受信すると、論理回路８８は、論理回路がバースト開始コマンドを受信する、通信チャネル８６からの入力を通信チャネル９２に送る。次に、通信チャネル９２上の信号は、例えばデジタルシフトレジスタを含むことができる遅延回路部分９４によって受信される。次に、遅延回路部分９４は、レーザービームが照射箇所に遅れて到達して小滴に当たり損なうのに十分な時間だけ通信チャネル９２の入力信号から遅延された信号を、通信チャネル７２上に出力することができる。例えば、４０ｋＨｚのレーザーパルス繰り返し率を想定すると、各小滴の間の時間間隔は約２５μｓであり、遅延回路部分９４に適する遅延は、小滴の時間間隔の約半分、すなわち約１２．５μｓとすることができる。
前述の構成を用いて、レーザー源２２は、バースト停止コマンドとバースト開始コマンドとの間の割り込み時間ｔの間に光パルスを出力し続ける。これらの出力パルスは、１つ又はそれ以上の光学体を照射するが、小滴からプラズマを生成することはない。従って光学体の温度を維持することができ、コレクターミラー３０（図１に示す）等の隣接する光学体を汚染又は損傷する可能性がある、プラズマによって発生するデブリ及びイオンを生成することなく、熱過渡が低減される。更にこの構成では、小滴発生器は、割り込み時間間隔の間に間断なく小滴を生成し続けることができ、小滴発生器を停止して再開させる段階に関連する複雑性が低下する。
前述のように、通信チャネル７２上のトリガ信号出力を用いて、図１に示すレーザー源２２の発射を開始することができる。図３は、レーザー源２２の実施例を詳細に示す。図３に示すように、レーザー源２２は、増幅器１０４を通るビーム経路１０２上に導かれる出力を生成するシードレーザー１００を含むことができる。
１つの構成では、シードレーザー１００は、無線周波数（ＲＦ）放電によってポンピングされる準大気圧、例えば０．０５〜０．２ａｔｍのＣＯ2を含む気密ガスを有するＣＯ2レーザーとすることができる。この構成を用いると、シードレーザーは、波長１０．５９１０３５２μｍを有する１０Ｐ（２０）線等の主線のうちの１つに自己同調することができる。通信チャネル７２上のトリガ信号を受信すると、利得媒質のポンピングを開始することができ、パルスレーザー出力が生じる。もしくは、シードレーザー光学空洞の品質Ｑを制御するために、音響−光学変調（ＡＯＭ）スイッチを設けることができる。この場合、利得媒質は、例えば連続ＲＦポンピングによって、シードレーザーがトリガ信号を受信する前にポンピング状態にすることができ、通信線７２上のトリガ信号は、Ｑスイッチを作動させるために用いることができる。もくしは、トリガ信号は、利得媒質ポンピングを開始することができ、Ｑスイッチは、所定の遅延の後に作動される。この構成では、増幅器チャンバ１０４の利得媒質は、シードレーザー１００によってトリガ信号を受信した場合にポンピング状態とすることができる（連続ポンピング又はパルスポンピングのいずれかを利用して）。
図３に示すレーザー源２２では、前述のＣＯ2を含む利得媒質を有するシードレーザーと一緒に使用するのに適する増幅器１０４は、ＤＣ励起又はＲＦ励起によってポンピングされるＣＯ2ガスを含む利得媒質を含むことができる。１つの特定の実施例では、増幅器は、軸流ＲＦポンピング（連続した又はパルス変調を含む）ＣＯ2増幅ユニットを含むことができる。ファイバ形態、ロッド形態、平板形態、又は円盤形態の活性媒質を有する他の種類の増幅ユニットを用いることができる。幾つかの場合には、固体活性媒質を用いることができる。
図４は、図１に示す光源２０で用いる光源２２’の別の実施例を示す。図４に示すように、光源２２’は、ビーム経路１０２’上に導かれ、増幅器１０４’を通る出力を生成するシードレーザー１００を含むことができる。更に図示するように、増幅器１０４’は、各々が独自のチャンバ、活性媒質、及び励起源、例えばポンピング電極を有する２つ（又はそれ以上）の増幅ユニット１０６、１０８を有することができる。例えば、シードレーザー１００が前述のＣＯ2を含む利得媒質を含む場合、増幅ユニット１０６、１０８にとして使用するのに適するレーザーは、ＤＣ励起又はＲＦ励起によってポンピングされるＣＯ2ガスを含む活性媒質を含むことができる。１つの特定の実施例では、増幅器は、約１０〜２５メートルの総利得長を有し、比較的高いパワー、例えば１０ｋＷ又はそれ以上で協働して作動する４つ又は５つ等の複数の軸流ＲＦポンピング（連続又はパルス）ＣＯ2増幅ユニットを含むことができる。ファイバ形態、ロッド形態、平板形態、又は円盤形態の活性媒質を有する他の種類の増幅ユニットを用いることができる。幾つかの場合には、固体活性媒質を用いることができる。
図４に示す実施形態では、通信チャネル７２からのトリガ信号は、利得媒質のポンピングを開始することができ、パルスレーザー出力が生じる。もしくは、シードレーザー光学空洞の品質Ｑを制御するために、音響−光学変調（ＡＯＭ）スイッチを設けることができる。この場合、利得媒質は、例えば連続的なＲＦポンピングによって、シードレーザーがトリガ信号を受信する前にポンピング状態にすることができ、通信線７２上のトリガ信号は、Ｑスイッチを作動させるために用いることができる。もしくは、トリガ信号は、利得媒質ポンピングを開始することができ、Ｑスイッチは、所定の遅延の後に作動される。この構成では、増幅器チャンバ１０６、１０８の利得媒質は、シードレーザー１００によってトリガ信号を受信した場合にポンピング状態とすることができる（連続ポンピング又はパルスポンピングのいずれかを用いて）。
図５は、図１に示す光源２０に用いるレーザー源２２’の別の実施例を示す。図５に示すように、レーザー源２２’は、光学体１２４を通るビーム経路１２２上に導かれ、共通の増幅器１０４''を通る出力を生成する予備パルスシードレーザー１２０を含むことができる（増幅器１０４、１０４’に関しては前記を参照）。また、レーザー源２２’は、光学体１２４によって共通のビーム経路１２２上に反射され、共通増幅器１２６を通る出力をビーム経路１２２上に生成する主パルスシードレーザー１２８を含むこともできる。図５に示される構成では、光学体１２２は、ダイクロイックビームコンバイナ、偏光識別ビームコンバイナ、又は部分反射ビームコンバイナとすることができる。この構成は、予備パルスシードレーザー出力が光学体１２４を透過し、主パルスシードレーザー出力が光学体１２４によって反射されるように修正できることを理解されたい。
図５に示す構成では、無線周波数放電によってポンピングされる、準大気圧、例えば０．０５〜０．２ａｔｍのＣＯ2を含む気密ガスを有するＣＯ2レーザー等の可変予備パルスシードレーザー１２０を用いることができる。例えば、予備パルスレーザーの光学空洞を形成するために、可動格子を出力カプラと一緒に使用することができる。中心波長測定信号に応じて格子を移動させるために、ステッパモータ、圧電要素／積層体、又はステッパモータ／圧電体の組み合わせを含むことができるアクチュエータを用いることができる。１つの構成では、主パルスシードレーザー１２８は、無線周波数放電によってポンピングされる、準大気圧、例えば０．０５〜０．２ａｔｍのＣＯ2を含む気密ガスを有するＣＯ2レーザーとすることができる。この構成を用いると、主シードレーザーは、波長１０．５９１０３５２を有する１０Ｐ（２０）線等の主線のうちの１つに自己同調することができる。一般的に、予備パルスシードレーザー１２０は、通信チャネル７２のトリガ信号に応答して発射され、次に、所定の遅延の後に主パルスシードレーザー１２８が発射される。予備パルスシードレーザー１２０と主パルスシードレーザー１２８との間の遅延は約１０００ｎｓとすることができ、一般的にＥＵＶ出力のエネルギー又は効率を最適化するように設定される。
図５に示す実施形態では、通信チャネル７２からのトリガ信号は、予備パルスシードレーザー１２０の利得媒質のポンピングを開始することができ、パルスレーザー出力が生じる。もしくは、予備パルスシードレーザー１２０の光学空洞の品質Ｑを制御するために、音響−光学変調（ＡＯＭ）スイッチを設けることができる。この場合、利得媒質は、例えば連続的なＲＦポンピングによって、シードレーザーがトリガ信号を受信する前にポンピング状態にすることができ、通信線７２上のトリガ信号は、Ｑスイッチを作動させるために用いることができる。もしくは、トリガ信号は、利得媒質ポンピングを開始することができ、Ｑスイッチは、所定の遅延の後に作動される。この構成では、増幅器チャンバ１０４''の利得媒質は、予備パルスシードレーザー１２０によってトリガ信号を受信した場合にポンピング状態とすることができる（連続ポンピング又はパルスポンピングのいずれかを用いて）。
図６は、図１に示す光源２０の一般的な光出力を示す。この図から分かるように、シーケンスは露光ツール（図示せず）からのバースト開始コマンド１５０で開始することができ、この時点で光源２０は、パルスのバースト１５２を露光ツールに出力することができ、バースト停止コマンド１５４が送出されるまで固定の繰り返し率で出力することができる。例えば、一般的なバーストは、約０．５秒の期間だけ続き、約４０ｋＨｚのパルス繰り返し率で約２０，０００個の光パルスを含むことができる。露光ツールは、バーストの最初の部分を位置合わせ、計測等の設定作業に用い、バーストの後続部分を、レジスト被覆ウェハ上の露光視野を照明するために用いることができる。レジスト被覆ウェハの最初の部分を照明し終わると、割り込み時間ｔ1を発生させることができ、この間にウェハ、マスク、又はその両方が、２番目の露光視野を照射する位置へと移動される。一般的に同じウェハ上の各露光視野の間の割り込みは、ほんの一瞬だけ続くことができる。割り込み時間では、露光ツールは、光源からの光を必要としない。図６は、露光ツール（図示せず）からの別のバースト開始コマンド１５６の送出により割り込み時間ｔ1を終了することができ、この時点で光源２０は、露光ツールにパルスのバースト１５８を固定の繰り返し率で出力して、バースト停止コマンド１６０が送出されるまで２番目の露光視野を照明することを示している。次に、バースト１５８には、別の割り込み時間ｔ2が続き、この間にウェハ、マスク、又はその両方が、３番目の露光視野を照射する位置へと移動する。
引き続き図６を参照すると、露光ツール（図示せず）からの別のバースト開始コマンド１６２の送出によって割り込み時間ｔ2を終了することができ、この時点で光源２０は、露光ツールにパルスのバースト１６４を固定の繰り返し率で出力して、バースト停止コマンド１６６が送出されるまで３番目の露光視野を照明することを示している。次に、バースト１６４には、割り込み時間ｔ1及びｔ2よりも長くすることができ、露光ツールによるウェハの交換、又は様々な計測機能、１つもしくはそれ以上の保守機能、又は光源からの光を必要としない何らかの他のプロセスの実施に関連する時間に対応することができる別の割り込み時間ｔ3が続く。
更に図示するように、露光ツール（図示せず）からの別のバースト開始コマンド１６８の送出により割り込み時間ｔ3を終了することができ、この時点で光源２０は、露光ツールにパルスのバースト１７０を固定の繰り返し率で出力することができ、バースト停止コマンド１７２が送出されるまで３番目の露光視野を照明することができる。
ＥＵＶ出力パルスエネルギーは、指定された積算エネルギー又は積算照射量が供給されるようにバースト内で変化させることができる。幾つかの実施例では、５００パルスの移動窓を用いてバースト内で照射量を実質的に一定に維持するようになっている。例えば、５００パルス窓の総エネルギーを測定することができ、その結果は、次のパルスのエネルギー目標を作るために用いることができる。次のパルスの後で、このプロセスは繰り返される。パルスエネルギーは、増幅器利得媒質をポンピングするために用いられるＲＦパルスを変調すること、又は予備パルスシード出力と主パルスシード出力との間の遅延を調節することを含む様々な方法で調節できる。照射量制御に関するより詳細な情報は、２００６年１２月２２日に出願され、２００８年６月２６日に米国第２００８／０１４９８６２−Ａ１号として公開された「ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ（レーザー生成プラズマＥＵＶ光源）」米国特許出願第１１／６４４，１５３号に見出すことができ、この開示内容は、引用によって本明細書に組み込まれている。
図７から図１２は、光学体の温度変化に起因する熱過渡を低減するために、割り込み時間ｔの間に駆動レーザー源が光パルスを継続的に出力する代替的な装置及び方法を示す。これらの装置及び方法では、小滴発生器は、割り込み時間間隔の間に間断なく小滴を生成し続けることができ、小滴発生器を停止及び再開することに関連する複雑さが低減される。更にこれらの装置及び方法では、割り込み時間ｔの間に実質的なプラズマ量が生成されず、コレクターミラー３０（図１に示す）等の隣接する光学体を汚染又は損傷する可能性があるプラズマ発生デブリ及びイオンの量が低下する。より詳細には、図７から図１２に示す実施形態では、バースト期間中にはレーザーパルスがそれぞれの小滴上に集束されてＥＵＶ出力を生成し、割り込み期間中にはレーザー集束スポットと小滴との間に距離が設けられる。図７から図１２に示す構成は、図１に示す制御回路７０を参照して説明したように、バースト期間に割り込み期間のタイミングとは異なるレーザータイミングを必ずしも必要としないことを理解されたい。以下に説明する構成では、これらの装置及び方法を、例えば、レーザー源をトリガするために小滴捕捉を使用しない「開ループ」構成において、又は割り込み期間中に小滴捕捉制御ループが停止するシステムにおいて用いることができる。幾つかの場合には、割り込み期間中に、小滴を偏向する又は小滴が捕捉位置に到達するのを阻止することによって、小滴捕捉制御ループを停止することができる。
図７から開始すると、集束光学体２０２、例えばレンズによって発生する集束スポットが、レーザーパルスが小滴流２０６の小滴上に集束されてＥＵＶ放出プラズマが生成される第１の集束スポット位置２０４（実線）から、集束光学体２０２を矢印２１０の方向に移動させることによって確立される、集束スポットが小滴流中の小滴から離隔される第２の集束スポット位置２０８（破線）へと移動される構成２００が示されている。光学体２０２を移動させるために、ステッパモータ、圧電要素／積層体、又はステッパモータ／圧電体の組み合わせを含むことができるアクチュエータ（図示せず）を用いることができる。この構成では、アクチュエータは、第１の集束スポット位置２０４と第２の集束スポット位置２０８との間の距離が、割り込み期間中にレーザーパルスと小滴との間の相互作用による実質的なプラズマ生成を防止するために、小滴上の強度を低下させるのに十分であるように光学体２０２を移動させることができる。光学体２０２の移動は、割り込み期間中にレーザーと小滴との相互作用を防止するために単独で行うこと、又は前述のように、バースト期間の間に割り込み期間とは異なる、小滴位置に対するレーザートリガタイミングを生成するシステムと一緒に使用することができる。例えば、２つの方法を一緒に用いて、集束スポットと小滴との間に１つの方法を利用して得られるものよりも大きな離間距離を形成することができる。
図８は、集束光学体２５２、例えばレンズによって発生する集束スポットが、レーザーパルスが小滴流の小滴上に集束してＥＵＶ放出プラズマが生成される第１の集束スポット位置２５４（実線２５６）から、第２の集束スポット位置２５８（破線２６０）へ操向される構成２５０を示している。この操向は、レーザーパルスが集束スポットに到達する時に、集束スポットが小滴流の小滴から離隔される位置にビームをＸ方向及び／又はＹ方向に操向するように、図１に示す操向光学体４６及び／又は操向光学体５０等の操向光学体を移動させることによって確立することができる。この構成では、ビームは、第１の集束スポット位置２５４と第２の集束スポット位置２５８との間の距離が、割り込み期間中にレーザーパルスと小滴との間の相互作用による実質的なプラズマ生成を防止するために小滴上の強度を低下させるのに十分であるように操向することができる。操向光学体の移動は、割り込み期間中にレーザー小滴の相互作用を防止するために単独で行うこと、又は集束光学体の移動（図７及び前記の説明を参照）と一緒に使用すること、及び／又は前述のようの、バースト期間の間に割り込み期間とは異なる、小滴位置に対するレーザートリガタイミングを生成するシステムと一緒に使用することができる。例えば、複数の方法を一緒に用いて、集束スポットと小滴との間に１つの方法を利用して得られるものよりも大きな離間距離を形成することができる。
図９は、小滴流３０２が、パルスのバースト中にＥＵＶを発生させるための照射箇所３０６と交差する第１の小滴流経路３０４から、割り込み時間中に照射箇所３０６と交差しない第２の小滴流経路３０８へと経路変更される構成３００を示している。より詳細には、図示のように、ノズル出力先端部等の放出点３１０を有する小滴発生器を用いて小滴流を生成することができる。バースト期間中には、放出点３１０を、パルスレーザービームが集束される照射箇所３０６に向かって小滴流を移動させる第１の位置に維持することができる。割り込み期間の開始時、例えば、露光ツールからのバースト停止コマンドの受信時に、小滴が照射箇所３０６にある集束スポットを通過しないように、放出点３１０を、例えば、第１の場所（実線）から離間した第２の場所（破線）へと矢印３１２の方向に移動させることができる。小滴が照射箇所３０６にある集束スポットを通過する代わりに、レーザーパルスが集束スポットに到達する時点での小滴の集束スポットまでの最も近い接近点は、割り込み期間中にレーザーパルスと小滴との間の相互作用による実質的なプラズマ生成を防止するために小滴上の強度を低下させるのに十分な距離だけ集束スポットから離隔される。
放出点の移動は、ノズル先端部を、例えば、その他の小滴発生器に対して移動させること及び／又は小滴発生器の一部又は全てを移動させることで行うことができる。例えば、ステッパモータ、圧電要素／積層体、又はステッパモータ／圧電体の組み合わせを含むことができるアクチュエータ（図示せず）を用いて照射箇所３０６に対して放出点３１０を移動させることができる。
代替的な構成では（図示せず）、放出点３１０は、小滴流移動方向に移動させることができる。具体的には、バースト期間中に、放出点３１０を、集束レーザービームパルスと同時に照射箇所３０６に到達する小滴流を生じる第１の位置に維持することができる。割り込み期間の開始時、例えば、露光ツールからのバースト停止コマンドの受信時に、小滴が、集束レーザービームパルスの前又は後に照射箇所３０６に到達して、結果的に実質的なプラズマ生成が生じないように、放出点３１０を小滴移動方向の第２の場所へ移動させることができる。
代替的な構成では（図示せず）、割り込み期間中に、小滴形成のタイミングを、バースト期間に対して進める又は遅らせることができる。より具体的には、図１に示すターゲット材料送達システム２４に関して、引用によって組み込まれた出願によって詳細に説明されるように、制御された小滴流を発生させるためにターゲット材料に外乱を加えることができる。例えば、圧電材料等のアクチュエータを用いて、液体プラズマ源材料を周期的に変動させて、材料に制御された小滴流を形成するようにさせることができる。この周期的な外乱は、例えば、正弦波、パルス、振幅変調又は周波数変調された信号、又は制御された小滴流を生成する何らかの他の信号とすることができる。バースト期間中に、周期的な外乱をターゲット材料に加えて、集束レーザービームパルスと同時に照射箇所に到達する制御された小滴流を生成することができる。割り込み期間の開始時、例えば、露光ツールからのバースト停止コマンドの受信時に、小滴が、集束レーザービームパルスの前又は後に照射箇所３０６に到達して、結果的に実質的なプラズマ生成が生じないように、周期的な外乱を修正すること、例えば遅らせる又は進めることができる。このシステムは、例えば、レーザー源をトリガするために小滴捕捉を使用しない「開ループ」構成において、又は割り込み期間中に小滴捕捉制御ループが停止するシステムにおいて用いることができる。
前記の又は以下に説明する小滴流を修正するための異なる方法は、割り込み期間中にレーザー小滴相互作用を防止するために単独で又は組み合わせて実施することができ、又は集束光学体の移動（図７及び前記の説明を参照）、操向光学体の移動（図８及び前記の説明を参照）、及び／又は前述のように割り込み期間とは異なるバースト期間の間に小滴位置に対するレーザートリガタイミングを生成するシステムと一緒に使用することができる。例えば、複数の方法を一緒に用いて、集束スポットと小滴との間に１つの方法を利用して得られるものよりも大きな離間距離を形成することができる。
図１０は、小滴流３２２が、パルスのバースト中にＥＵＶを発生させるための照射箇所３２６と交差する第１の小滴流経路３２４から、割り込み時間中に照射箇所３２６と交差しない第２の小滴流経路３２８へと経路変更される構成３２０を示している。図示のように、構成３２０は、帯電小滴を生成するためのシステム３３０と、帯電小滴を初期経路から経路変更するように帯電小滴に作用する偏向器３３２とを含むことができる。帯電小滴を生成するためのシステム３３０は、小滴形成の前又は後に小滴を帯電させることができ、小滴発生器から離間すること、又はこれと一体とすることができる。１つの構成では、小発生器の放出点に隣接して帯電リングが配置される。偏向器３３２は、１つ又はそれ以上の磁石、電磁石、帯電要素又は帯電格子、離間した帯電板ペア、又はこれらの組み合わせを含むことができる。偏向器は、電場、磁場、又はこれらの組み合わせからなる場の群から選択された場を発生させる反発力又は引力によって小滴を偏向するように作動できる。別の構成（図示せず）では、帯電小滴は、照射箇所と交差しない第１の小滴流経路（すなわち、割り込み時間中に用いられる経路）から、パルスのバースト中にＥＵＶを生成するための照射箇所と交差する第２の小滴流経路へ経路変更できる。
別の代替的な構成（図示せず）では、１つ又はそれ以上の磁石、電磁石、帯電要素又は帯電格子、離間した帯電板ペア、又はこれらの組み合わせによって発生する場を変化させることによって、帯電小滴を、小滴流の方向に加速又は減速することができる。具体的には、バースト期間中に、非帯電小滴が、集束レーザービームパルスと同時に照射箇所３０６に到達する。割り込み期間の開始時、例えば露光ツールからのバースト停止コマンドの受信時に、小滴を帯電させることができ、その後、小滴は集束レーザービームパルスの前又は後に照射箇所３０６に到達して、結果的に実質的なプラズマ生成が生じないように加速又は減速することができる。
図１１は、小滴流３４２が、パルスのバースト中にＥＵＶを発生させるための照射箇所３４６と交差する第１の小滴流経路３４４から、割り込み時間中に照射箇所３４６と交差しない第２の小滴流経路３４８へ経路変更される構成３４０を示している。図示のように、構成３４０は、小滴を初期経路から経路変更するために矢印３５２の方向にガス流３５０を生成するシステムを含むことができる。例えば、システムは、ポンプと、誘導ガス流を生成するための管等の誘導デバイスとを含むことができる。ガスは、水素、ヘリウム等の緩衝ガス、又はハロゲン等の洗浄ガス及び／又はチャンバ内で無害のガス等のチャンバ内に存在する及び／又は有用な任意の他のガスとすることができる。もしくは、既存の緩衝／洗浄ガスからガス流を発生させて小滴を経路変更するために、吸引口（図示せず）を設けることができる。別の代替的な形態として、照射箇所と交差しない第１の小滴流経路（すなわち、割り込み時間中に用いられる経路）から、パルスのバースト中にＥＵＶを発生させるための照射箇所と交差する第２の小滴流経路へ小滴を導くために、ガス流（図示せず）を用いることができる。
別の代替的な構成（図示せず）では、小滴流移動方向に小滴を加速又は減速するようにガス流を用いることができる。例えば、小滴流の一部は、細長い管を通って移動することができ、ガスを管内で小滴流に沿って導くことが可能になる。バースト期間中には、ガス流は停止され、小滴は、集束レーザービームパルスと同時に照射箇所３０６に到達する。割り込み期間の開始時、例えば、露光ツールからのバースト停止コマンドの受信時に、小滴は集束レーザービームパルスの前又は後に照射箇所３０６に到達して、結果的に実質的なプラズマ生成が生じないように、ガス流を用いて小滴を加速又は減速することができる。
図１２は、小滴流３５２が、パルスのバースト中にＥＵＶを発生させるための照射箇所３５６と交差する第１の小滴流経路３５４に沿って移動することを許容し、割り込み時間中に経路３５４に沿って移動するのを妨害する構成３５０を示している。図示のように、構成３４０は、小滴が小滴経路３５４に沿って妨害されることなく移動することを可能にする第１の位置から、小滴が妨害物に衝突して捕捉又は偏向される第２の位置へと矢印３６０の方向に可動なプレート又は皿等の妨害部材３５８を有する妨害システムを含むことができる。使用時には、小滴は、バースト期間中に照射箇所３０６に到達し、照射箇所３０６において集束レーザービームパルスによって照射されて、ＥＵＶ放出プラズマが生じる。割り込み期間の開始時、例えば、露光ツールからのバースト停止コマンドの受信時に、小滴は照射箇所３０６に到達して、結果的に実質的なプラズマ生成が生じないように妨害部材が小滴を捕捉するように移動する。
米国特許法第１１２条を満たすことが必要とされる、本明細書で詳細に説明及び例示した特定の実施形態は、上述の実施形態の態様のあらゆる上述の目的、及び上述の実施形態の態様により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的にために解決すべき問題を完全に達成することができるが、述の実施形態のここで説明した態様は、請求した本発明によって広く考察された内容を単に例示しかつ代表することは、当業者によって理解されるであろう。単数形でのこのような請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が「１つ及び１つのみ」であることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、「１つ又はそれよりも多い」を意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる実施形態の上述の態様の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び／又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び／又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態のいずれかの態様として本明細書で説明した装置又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において開示する実施形態の態様によって解決するように求められる各及び全て問題に対処することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が「〜のための手段」という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が「作用」ではなく「段階」として列挙されていない限り、米国特許法第１１２条第６項の規定に基づいて解釈されないものとする。

Claims (21)

  1. ターゲット材料の小滴を生成する小滴発生器と、
    小滴が事前選択場所に到達する場合に捕捉時間信号を供給するセンサと、
    前記センサと結合され、前記捕捉時間信号から遅延されたトリガ信号を発生させる遅延回路と、
    トリガ信号に応じてレーザーパルスを生成するレーザー源と、
    前記捕捉時間から第１の遅延時間だけ遅延されたトリガ信号を供給して、小滴上に集束される光パルスを発生させ、前記捕捉時間から第２の遅延時間だけ遅延されたトリガ信号を供給して、小滴上に集束されない光パルスを発生させるように前記遅延回路を制御するシステムと、
    を備えるデバイス。
  2. 前記第１の遅延時間は、前記第２の遅延時間よりも長い、請求項１に記載のデバイス。
  3. 前記第１の遅延時間は、前記第２の遅延時間よりも短い、請求項１に記載のデバイス。
  4. 前記センサは、レーザー源及び検出器を備える、請求項１に記載のデバイス。
  5. 前記遅延回路は、デジタルシフトレジスタを備える、請求項１に記載のデバイス。
  6. 割り込み期間によって分離された少なくとも２つのバースト期間内にＥＵＶパルスを生成するための方法であって、
    各バースト期間中及び前記割り込み期間中にターゲット材料小滴を発生させる段階と、
    各バースト期間中及び前記割り込み期間中にレーザーパルスを発生させる段階と、
    ＥＵＶ出力を生成するために、バースト期間中にレーザーパルスをそれぞれの小滴上に集束させる段階と、
    割り込み期間中にレーザー集束スポットと小滴との間に距離を発生させる段階と、
    を含む方法。
  7. 前記発生段階は、前記バースト期間の間に前記割り込み期間とは異なる、小滴位置に対するレーザートリガタイミングを与えることによって達成される、請求項６に記載の方法。
  8. 小滴は、バースト期間中に照射箇所に向かって第１の経路に沿って移動し、前記発生段階は、前記割り込み期間中に該照射箇所と交差しない第２の経路に小滴を経路変更することによって実現される、請求項６に記載の方法。
  9. 前記レーザーパルスは、バースト期間中に照射箇所にある集束スポットに集束され、前記発生段階は、前記割り込み期間中に該集束スポットを、該照射箇所から離間した場所に移動させることによって実現される、請求項６に記載の方法。
  10. 割り込み期間によって分離された少なくとも２つのバースト期間内にＥＵＶパルスを生成する極紫外（ＥＵＶ）光源であって、
    各バースト期間中及び前記割り込み期間中にターゲット材料の小滴を生成する小滴発生器と、
    各バースト期間中及び前記割り込み期間中にレーザーパルスを生成するレーザー源と、
    レーザーパルスがターゲット材料と、ＥＵＶ出力を生成するように相互作用するバースト期間構成から、光パルスがターゲット材料と、ＥＵＶ出力を生成するように相互作用しない割り込み期間へと前記ＥＵＶ光源を再構成するように動作可能なシステムと、
    を備えるＥＵＶ光源。
  11. 前記システムは、前記バースト期間の間に前記割り込み期間とは異なる、小滴位置に対するレーザートリガタイミングを与える、請求項１０に記載のＥＵＶ光源。
  12. 前記トリガタイミングは、前記割り込み期間内に前記バースト期間に対して遅延される、請求項１１に記載のＥＵＶ光源。
  13. 前記トリガタイミングは、前記割り込み期間に前記バースト期間に対して進められる、請求項１１に記載のＥＵＶ光源。
  14. 小滴は、バースト期間中に照射箇所に向かって第１の経路に沿って移動し、前記システムは、前記割り込み期間中に前記照射箇所と交差しない第２の経路へと小滴を経路変更する、請求項１０に記載のＥＵＶ光源。
  15. 前記システムは、前記割り込み期間中に小滴を帯電させ、電場、磁場、又はこれらの組み合わせからなる場のグループから選択された場を用いて、小滴を前記第１の経路から偏向する、請求項１４に記載のＥＵＶ光源。
  16. 前記小滴発生器はノズルを含み、前記システムは、該ノズルを移動させるアクチュエータを備える、請求項１４に記載のＥＵＶ光源。
  17. 前記システムは、小滴を経路変更するためのガス流を備える、請求項１４に記載のＥＵＶ光源。
  18. 前記レーザーパルスは、バースト期間中に照射箇所にある集束スポットに集束され、前記システムは、前記割り込み期間中に該集束スポットを、該照射箇所から離間した場所に移動させる、請求項１０に記載のＥＵＶ光源。
  19. 前記レーザーパルスは、少なくとも１つの集束光学体を用いて集束され、前記システムは、少なくとも１つの集束光学体を移動させて前記集束スポットの場所を変更する、請求項１８に記載のＥＵＶ光源。
  20. 前記レーザーパルスは、少なくとも１つの操向光学体を用いて操向され、前記システムは、少なくとも１つの操向光学体を移動させて前記集束スポットの場所を変更する、請求項１８に記載のＥＵＶ光源。
  21. 前記システムは、前記バースト期間の間に前記割り込み期間とは異なる、小滴位置に対するレーザートリガタイミングを与え、前記レーザーパルスは、バースト期間中に照射箇所にある集束スポットに集束され、前記割り込み期間中に該集束スポットを、該照射箇所から離間した場所に移動させる、請求項１０に記載のＥＵＶ光源。
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