WO2016079810A1 - 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法 - Google Patents

極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法 Download PDF

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隆之 薮
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    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Definitions

  • the present disclosure relates to an apparatus for generating extreme ultraviolet (EUV) light and a method thereof.
  • EUV extreme ultraviolet
  • an extreme ultraviolet (EUV) light generation apparatus that generates extreme ultraviolet (EUV) light with a wavelength of about 13 nm and reduced projection reflective optics (Reduced Projection Reflective Optics) to meet the demand for fine processing of 32 nm or less Development of a combined exposure apparatus is expected.
  • EUV extreme ultraviolet
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP plasma generated by discharge
  • Three types of devices have been proposed: a device of the Discharge Produced Plasma method and a device of the SR (Synchrotron Radiation) method using orbital radiation.
  • a target supplied to an inner plasma generation region is converted into a plasma by irradiation of laser light to generate a chamber, and the target is a droplet.
  • Droplet detection is performed between a stage to be moved, the target supply unit, and the plasma generation region, and arranged at a predetermined angle with respect to the substantially perpendicular direction, and detecting the droplets from the direction at the predetermined angle. And the droplet is detected in the droplet detector
  • the arithmetic control unit for controlling the irradiation timing of irradiating the laser light to the droplets in the plasma generating region may be provided.
  • An extreme ultraviolet light generation method is an extreme ultraviolet light generation method for plasmatizing a target in a plasma generation region by irradiation of laser light to generate extreme ultraviolet light, and the plasma generation region from the outside
  • Receiving information on a plasma generation area designation position for changing the position of the target moving a target supply unit that supplies the target as a droplet to the plasma generation area designation position based on the information; Moving the laser beam focusing optical system for focusing the laser beam to the plasma generation area designated position based on the information; and the target as the droplet by the target supply unit.
  • Detecting the droplet by a droplet detector disposed at a predetermined angle with respect to a direction substantially perpendicular to the trajectory of the droplet, and the droplet is detected in the droplet detector Calculating a delay time for determining a timing of outputting a trigger signal for causing the laser light to be oscillated to an external laser device based on the timing, the movement distance of the target supply unit, and the predetermined angle; and the droplet And outputting the trigger signal by adding the delay time to the timing at which the droplet is detected in the detector.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP-type EUV light generation system.
  • FIG. 2 shows the configuration of an EUV light generation apparatus including a droplet detector.
  • FIG. 3 is a view for explaining the configuration of a droplet detector provided in the EUV light generation apparatus shown in FIG.
  • FIG. 4 is a time chart relating to the output of the trigger signal in the EUV light generation controller shown in FIG.
  • FIG. 5A shows a diagram for explaining the configuration of the droplet detector.
  • FIG. 5B is a diagram for explaining the relationship between the detection optical axis of the droplet detector shown in FIG. 5A and the droplet trajectory.
  • FIG. 6 shows a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation system of the first embodiment.
  • FIG. 7 shows a flowchart for explaining the operation of the arithmetic control unit shown in FIG.
  • FIG. 8 is a flowchart for explaining the X position correction process in the arithmetic control unit shown in FIG.
  • FIG. 9 shows a flowchart for explaining the Y position correction process in the arithmetic control unit shown in FIG.
  • FIG. 10 shows a flowchart for explaining the Z position correction process in the operation control unit shown in FIG.
  • FIG. 11 shows a flowchart for explaining the EUV light generation process in the operation control unit shown in FIG.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation system of the second embodiment.
  • FIG. 13 shows a time chart relating to the output of the trigger signal in the operation control unit of the second embodiment.
  • FIG. 14A shows an enlarged view of the droplet detector of the third embodiment.
  • FIG. 14B shows a cross-sectional view of the droplet detector shown in FIG. 14A, taken along line AA.
  • FIG. 14C shows a cross-sectional view of the illumination light from the light source unit shown in FIG. 14A taken along the line MM.
  • FIG. 14D shows a waveform such as a passage timing signal generated by the light sensor shown in FIG. 14A.
  • FIG. 15A shows an enlarged view of the droplet detector of the fourth embodiment.
  • FIG. 15B shows a cross-sectional view taken along line BB of the droplet detector shown in FIG. 15A.
  • FIG. 15C shows a cross-sectional view taken along line NN of the slit plate shown in FIG. 15A.
  • FIG. 15D shows the waveform of the passage timing signal etc. generated by the light sensor shown in FIG. 15A.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation system of the fifth embodiment.
  • FIG. 17 is a view for explaining the configuration of an image measuring instrument provided in the EUV light generation apparatus shown in FIG.
  • FIG. 18 is a flowchart for explaining droplet velocity measurement processing in the droplet measurement control unit shown in FIG.
  • FIG. 19 shows an image of a droplet taken by the imaging unit of the image measuring device shown in FIG.
  • FIG. 20 shows a block diagram showing a hardware environment of each control unit.
  • the target 27 supplied to the internal plasma generation region 25 is plasmatized by the irradiation of the laser light 33, and the chamber 2 in which the EUV light is generated
  • the direction substantially perpendicular to the trajectory F of the target supply unit 26 for supplying the target 27 to the plasma generation region 25 by outputting into the chamber 2 and the trajectory F of the droplet 271 output from the target supply unit 26
  • a droplet detector 41 for detecting the droplet 271 from a direction
  • a calculation control unit that controls the irradiation timing of irradiating the laser light 33 to the droplet 271 in the plasma generation region 25 by adding a delay time to the timing at which the droplet 271 is detected in the droplet detector 41.
  • the EUV light generation apparatus 1 in the present disclosure is most suitable for the droplet 271 even when the target supply unit 26 moves in a situation where the detection optical axis of the droplet detector 41 is inclined and installed.
  • the pulsed laser light 33 can be emitted at the timing of
  • the "target” is an irradiation target of the laser beam introduced into the chamber.
  • the target irradiated with the laser light is plasmatized to emit EUV light.
  • Drlet is a form of target supplied into the chamber.
  • Laser is radiation emitted from a plasmad target. The radiation contains EUV light.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP EUV light generation system.
  • the EUV light generation device 1 may be used with at least one laser device 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation system 1 may include a chamber 2 and a target supply unit 26. Chamber 2 may be sealable.
  • the target supply unit 26 may be attached, for example, to penetrate the wall of the chamber 2.
  • the material of the target material supplied from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may be transmitted through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed inside the chamber 2, for example.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately stacked may be formed.
  • the EUV collector mirror 23 is preferably arranged, for example, such that its first focal point is located at the plasma generation region 25 and its second focal point is located at the intermediate focusing point (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided in the central portion of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include an EUV light generation controller 5, a target sensor 4 and the like.
  • the target sensor 4 may have an imaging function, and may be configured to detect the presence, trajectory, position, velocity, etc. of the target 27.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a connection part 29 that brings the inside of the chamber 2 into communication with the inside of the exposure apparatus 6. Inside the connection portion 29, a wall 291 having an aperture 293 may be provided. The wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focus position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like.
  • the laser light traveling direction control unit 34 may include an optical element for defining the traveling direction of the laser light, and an actuator for adjusting the position, attitude, and the like of the optical element.
  • the pulse laser beam 31 output from the laser device 3 may pass through the window 21 as the pulse laser beam 32 and enter the chamber 2 through the laser beam direction control unit 34.
  • the pulsed laser beam 32 may travel along the at least one laser beam path in the chamber 2, be reflected by the laser beam focusing mirror 22, and be irradiated to the at least one target 27 as the pulsed laser beam 33.
  • the target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
  • the target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulsed laser light 33.
  • the target 27 irradiated with the pulsed laser light is plasmatized, and the EUV light 251 can be emitted from the plasma along with the emission of light of other wavelengths.
  • the EUV light 251 may be selectively reflected by the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be collected at an intermediate collection point 292 and output to the exposure apparatus 6. Note that a plurality of pulses included in the pulsed laser light 33 may be irradiated to one target 27.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process image data or the like of the target 27 captured by the target sensor 4.
  • the EUV light generation controller 5 may perform at least one of timing control for outputting the target 27 and control of the output direction of the target 27, for example.
  • the EUV light generation controller 5 performs at least one of, for example, control of the oscillation timing of the laser device 3, control of the traveling direction of the pulse laser beam 32, and control of the focusing position of the pulse laser beam 33. It is also good.
  • the various controls described above are merely exemplary, and other controls may be added as needed.
  • EUV light generation apparatus including droplet detector [4.1 Configuration] The configuration of the EUV light generation apparatus 1 including the droplet detector 41 will be described using FIGS. 2 and 3.
  • the direction in which the EUV light 252 is derived from the chamber 2 of the EUV light generation apparatus 1 toward the exposure apparatus 6 is taken as the Z axis.
  • the X axis and the Y axis are axes orthogonal to the Z axis and orthogonal to each other. The same applies to the coordinate axes of FIG. 2 in the subsequent drawings.
  • the chamber 2 of the EUV light generation system 1 may be formed, for example, in the shape of a hollow sphere or cylinder.
  • the central axis direction of the cylindrical chamber 2 may be a direction for leading the EUV light 252 to the exposure apparatus 6.
  • a target supply path 2 a for supplying a target 27 from the outside of the chamber 2 to the inside of the chamber 2 may be provided on the side surface of the cylindrical chamber 2.
  • the target supply path 2a may be formed in a cylindrical shape.
  • a target supply hole 2b may be provided at the tip of the target supply path 2a.
  • the central axis direction of the cylindrical target supply path 2 a may be substantially orthogonal to the direction of leading the EUV light 252 to the exposure apparatus 6.
  • the central axis direction of the cylindrical target supply path 2a may be substantially orthogonal to the irradiation direction of the pulse laser beam 33 from the laser beam focusing optical system 22a described later. If the chamber 2 has a hollow sphere shape, the target supply path 2a may be provided on the wall of the chamber 2 and at a position where the window 21 and the connection portion 29 are not installed.
  • a laser beam focusing optical system 22 a an EUV focusing optical system 23 a, a target recovery unit 28, a plate 225 and a plate 235, and a manipulator 226 may be provided.
  • the plate 235 may be fixed to the inner surface of the chamber 2. At the center of the plate 235, a hole 235a through which the pulse laser beam 33 can pass may be provided in the thickness direction. The opening direction of the hole 235a may be substantially the same as the axis passing through the through hole 24 and the plasma generation region 25 in FIG.
  • An EUV focusing optical system 23 a may be provided on one surface of the plate 235. The other surface of the plate 235 may be provided with a plate 225 via a manipulator 226.
  • the EUV focusing optical system 23 a provided on one surface of the plate 235 may include the EUV focusing mirror 23 and the holder 231.
  • the holder 231 may hold the EUV collector mirror 23.
  • the holder 231 holding the EUV collector mirror 23 may be fixed to the plate 235.
  • the plate 225 provided on the other side of the plate 235 may be changeable in position and attitude by the manipulator 226.
  • the manipulator 226 may include an actuator that moves the plate 225 in three axial directions of X, Y, and Z directions.
  • the actuator of the manipulator 226 may be connected to an EUV light generation controller 5 described later.
  • the manipulator 226 may move the plate 225 based on the control signal of the EUV light generation controller 5. Thereby, the position and attitude of the plate 225 may be changed.
  • the plate 225 may be provided with a laser beam focusing optical system 22 a.
  • the laser beam focusing optical system 22 a may emit the pulse laser beam 33 toward the plasma generation region 25 in a direction substantially parallel to the Z axis.
  • the laser beam focusing optical system 22 a may include the laser beam focusing mirror 22, the holder 223 and the holder 224.
  • the laser beam focusing mirror 22 may include an off-axis paraboloidal mirror 221 and a flat mirror 222.
  • the holder 223 may hold the off-axis paraboloidal mirror 221.
  • the holder 223 holding the off-axis paraboloidal mirror 221 may be fixed to the plate 225.
  • the holder 224 may hold the flat mirror 222.
  • a holder 224 holding the flat mirror 222 may be fixed to the plate 225.
  • the off-axis paraboloidal mirror 221 may be disposed to face the window 21 and the flat mirror 222 provided on the bottom of the chamber 2 respectively.
  • the plane mirror 222 may be disposed to face the hole 235a and the off-axis paraboloidal mirror 221, respectively.
  • the positions and attitudes of the off-axis paraboloidal mirror 221 and the plane mirror 222 can be adjusted as the EUV light generation controller 5 changes the position and attitude of the plate 225 via the manipulator 226.
  • the adjustment may be performed such that pulse laser light 33 which is a reflected light of the pulse laser light 32 incident on the off-axis paraboloidal mirror 221 and the plane mirror 222 is condensed on the plasma generation region 25.
  • the target recovery unit 28 may be disposed on the extension of the traveling direction of the droplets 271 output into the chamber 2.
  • the laser light traveling direction control unit 34, the EUV light generation control unit 5, the target generator 7, and the droplet detector 41 may be provided outside the chamber 2.
  • the laser beam direction control unit 34 may be provided between the window 21 provided on the bottom of the chamber 2 and the laser device 3.
  • the laser light traveling direction control unit 34 may include a high reflection mirror 341 and a high reflection mirror 342, and a holder 343 and a holder 344.
  • the holder 343 may hold the high reflection mirror 341.
  • the holder 344 may hold the high reflection mirror 342.
  • the positions and orientations of the holder 343 and the holder 344 may be changeable by an actuator (not shown) connected to the EUV light generation controller 5.
  • the high reflection mirror 341 may be disposed to face the emission port of the laser device 3 to which the pulse laser light 31 is output and the high reflection mirror 342, respectively.
  • the high reflection mirror 342 may be disposed to face the window 21 of the chamber 2 and the high reflection mirror 341, respectively.
  • the positions and attitudes of the high reflection mirror 341 and the high reflection mirror 342 can be adjusted as the positions and attitudes of the holder 343 and the holder 344 are changed by the EUV light generation controller 5. The adjustment may be performed such that the pulse laser light 32 which is the reflected light of the pulse laser light 31 incident on the high reflection mirror 341 and the high reflection mirror 342 passes through the window 21 provided on the bottom of the chamber 2 .
  • the target generator 7 may be provided at the end of the target supply path 2 a of the chamber 2.
  • the target generator 7 may include a target supply unit 26, a temperature control mechanism 71, a pressure control mechanism 72, a droplet forming mechanism 73, and a stage 74.
  • the target supply unit 26 may include a tank 261 and a nozzle 262.
  • the tank 261 may be formed in a hollow cylindrical shape.
  • the target 27 may be accommodated inside the hollow tank 261.
  • At least the inside of the tank 261 that contains the target 27 may be made of a material that does not easily react with the target 27.
  • the material which hardly reacts with the target 27 may be, for example, any of SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 , molybdenum, tungsten and tantalum.
  • the nozzle 262 may be provided on the bottom of the cylindrical tank 261.
  • the nozzle 262 may be disposed inside the chamber 2 through the target supply hole 2 b of the chamber 2.
  • the target supply hole 2b may be closed by the target supply unit 26 being installed. Thereby, the inside of the chamber 2 can be isolated from the atmosphere.
  • At least the inner surface of the nozzle 262 may be made of a material that does not easily react with the target 27.
  • One end of the pipe-shaped nozzle 262 may be fixed to the hollow tank 261.
  • a nozzle hole 262a may be provided at the other end of the pipe-like nozzle 262, as shown in FIG. 3, a nozzle hole 262a may be provided.
  • the tank 261 at one end of the nozzle 262 may be located outside the chamber 2, and the nozzle hole 262 a at the other end of the nozzle 262 may be located inside the chamber 2.
  • a plasma generation region 25 inside the chamber 2 may be located on an extension of the nozzle 262 in the central axial direction.
  • the insides of the tank 261, the nozzle 262, the target supply path 2a, and the chamber 2 may communicate with each other.
  • the nozzle holes 262 a may be formed in such a shape as to jet the molten target 27 into the chamber 2 in a jet form.
  • the temperature control mechanism 71 may control the temperature of the tank 261.
  • the temperature control mechanism 71 may include a heater 711 and a heater power supply 712, as shown in FIG.
  • the heater 711 may be fixed to the outer side surface of the cylindrical tank 261.
  • the heater 711 fixed to the tank 261 may heat the tank 261.
  • the heater 711 that heats the tank 261 may be connected to the heater power supply 712.
  • the heater power supply 712 may supply power to the heater 711.
  • the heater power supply 712 that supplies power to the heater 711 may be connected to the EUV light generation controller 5.
  • the heater power supply 712 may control the power supply to the heater 711 by the EUV light generation controller 5.
  • a temperature sensor (not shown) may be fixed to the outer side surface of the cylindrical tank 261.
  • the temperature sensor fixed to the tank 261 may be connected to the EUV light generation controller 5.
  • the temperature sensor may detect the temperature of the tank 261 and output a detection signal to the EUV light generation controller 5.
  • the EUV light generation controller 5 can adjust the power supplied to the heater 711 based on the detection signal output from the temperature sensor.
  • the temperature adjustment mechanism 71 can adjust the temperature of the tank 261 based on the control signal of the EUV light generation controller 5.
  • the pressure adjustment mechanism 72 may adjust the pressure in the tank 261.
  • the pressure control mechanism 72 may include a pressure controller 721, a pipe 722, and a gas cylinder 723 as shown in FIG.
  • the pipe 722 may connect the pressure regulator 721, which is the bottom of the cylindrical tank 261 and opposite to the nozzle 262.
  • the pipe 722 can communicate the target supply unit 26 including the tank 261 with the pressure regulator 721.
  • the pipe 722 may be covered with a heat insulating material or the like (not shown).
  • the pipe 722 may be provided with a heater (not shown).
  • the temperature in the pipe 722 may be kept substantially the same as the temperature in the tank 261 of the target supply unit 26.
  • the gas cylinder 723 may be filled with an inert gas such as helium or argon.
  • the gas cylinder 723 may supply the inert gas into the tank 261 via the pressure regulator 721.
  • the pressure regulator 721 may be provided on the bottom of the cylindrical tank 261 on the opposite side of the nozzle 262 via the pipe 722.
  • the pressure regulator 721 may internally include a solenoid valve for air supply and exhaust, a pressure sensor, and the like.
  • the pressure regulator 721 may detect the pressure in the tank 261 using a pressure sensor.
  • the pressure regulator 721 may be connected to the gas cylinder 723.
  • the pressure regulator 721 may charge the inert gas charged in the gas cylinder 723 into the tank 261.
  • the pressure regulator 721 may be connected to an exhaust pump (not shown).
  • the pressure regulator 721 may operate the exhaust pump to exhaust the gas in the tank 261.
  • the pressure regulator 721 may pressurize or depressurize the pressure in the tank 261 by supplying the gas into the tank 261 or exhausting the gas in the tank 261.
  • the pressure regulator 721 may be connected to the EUV light generation controller 5.
  • the pressure regulator 721 may output a detection signal of the detected pressure to the EUV light generation controller 5.
  • the pressure controller 721 may receive the control signal output from the EUV light generation controller 5.
  • the control signal output from the EUV light generation controller 5 controls the operation of the pressure regulator 721 so that the pressure in the tank 261 becomes the target pressure based on the detection signal output from the pressure regulator 721. It may be a control signal for
  • the pressure regulator 721 may supply gas into the tank 261 or exhaust gas in the tank 261 based on the control signal of the EUV light generation controller 5. Thereby, the pressure in the tank 261 can be adjusted to the target pressure.
  • the pressure adjusting mechanism 72 can adjust the pressure in the tank 261 with the pressure adjuster 721 based on the control signal of the EUV light generation controller 5.
  • the droplet forming mechanism 73 may periodically divide the flow of the target 27 jetted from the nozzle 262 in a jet form to form the droplet 271.
  • the droplet forming mechanism 73 may form the droplets 271 by, for example, a continuous jet method.
  • the nozzle 262 may be vibrated to provide a standing wave to the flow of the jetted target 27, and the target 27 may be periodically separated.
  • the separated target 27 can form a free interface by its own surface tension to form a droplet 271.
  • the droplet formation mechanism 73 may include a piezo element 731 and a piezo power source 732 as shown in FIG.
  • the piezo element 731 may be fixed to the outer side surface of the pipe-like nozzle 262.
  • the piezo element 731 fixed to the nozzle 262 may cause the nozzle 262 to vibrate.
  • the piezo element 731 that vibrates the nozzle 262 may be connected to a piezo power source 732.
  • the piezo power supply 732 may supply power to the piezo element 731.
  • the piezo power supply 732 for supplying power to the piezo element 731 may be connected to the EUV light generation controller 5.
  • the piezo power supply 732 may control the power supply to the piezo element 731 by the EUV light generation controller 5.
  • the droplet forming mechanism 73 can form the droplets 271 based on the control signal of the EUV light generation controller 5.
  • the droplet trajectory F may be a trajectory in which the droplets 271 output from the nozzle holes 262 a move toward the plasma generation region 25.
  • the direction in which the droplets 271 output from the nozzle holes 262 a move toward the plasma generation region 25 is also referred to as “the traveling direction of the droplets”.
  • the stage 74 may move the target supply unit 26 in two axial directions of the X direction and the Z direction.
  • the stage 74 may move the target supply unit 26 along a two-dimensional plane which is an XZ plane.
  • the stage 74 may move the target supply unit 26 in a direction substantially perpendicular to the direction of the droplet trajectory F.
  • the stage 74 may be connected to the EUV light generation controller 5.
  • the control signal output from the EUV light generation controller 5 may be input to the stage 74.
  • the control signal output from the EUV light generation controller 5 is a control signal for adjusting the position of the target supply unit 26 so that the droplet 271 output into the chamber 2 reaches the target position. It is also good.
  • the stage 74 may move the target supply unit 26 based on the control signal of the EUV light generation controller 5. Thereby, the position in the X direction and the Z direction of the droplet 271 outputted into the chamber 2 can be adjusted so that the droplet 271 reaches a target position.
  • the droplet detector 41 may detect the droplets 271 output into the chamber 2.
  • the droplet detector 41 may be provided at a predetermined position on the side surface of the target supply path 2a as shown in FIG.
  • the droplet detector 41 may be located between the target supply unit 26 and the plasma generation region 25.
  • the droplet detector 41 may include a light source unit 411 and a light receiving unit 412, as shown in FIG.
  • the light source unit 411 and the light receiving unit 412 may be disposed to face each other across the droplet trajectory F, which is the traveling path of the droplets 271 output into the chamber 2.
  • the facing direction of the light source unit 411 and the light receiving unit 412 is described as being a direction substantially orthogonal to the X direction, but the description in FIG. 2 and FIG. It is not a description for specifying the facing direction of the light source unit 411 and the light receiving unit 412.
  • the light source unit 411 may emit illumination light, which is continuous light, to the droplets 271 traveling on the droplet trajectory F.
  • the continuous light irradiated to the droplet 271 may be continuous laser light.
  • the light source unit 411 may include a light source 411a, an illumination optical system 411b, and a window 411c.
  • the light source 411a may be, for example, a light source that outputs continuous laser light, such as a CW (Continuous Wave) laser output device.
  • the beam diameter of the continuous laser beam may be sufficiently larger than the diameter (for example, 20 ⁇ m) of the droplet 271.
  • the illumination optical system 411b may include an optical element such as a lens.
  • the optical element may be a reflective optical element such as a mirror in addition to a transmissive optical element such as a lens.
  • the illumination optical system 411b may condense the continuous laser light emitted from the light source 411a at the droplet passing position P on the droplet trajectory F via the window 411c.
  • the light source unit 411 can emit continuous laser light toward the droplet passing position P on the droplet trajectory F.
  • the continuous laser light emitted from the light source unit 411 can illuminate the droplet 271.
  • the light receiving unit 412 may receive the continuous laser beam emitted from the light source unit 411 and detect the light intensity of the continuous laser beam.
  • the light receiving unit 412 may include a light sensor 412a, a light receiving optical system 412b, and a window 412c.
  • the light receiving optical system 412 b may be an optical system such as a collimator.
  • the optical system such as the collimator may be configured by an optical element such as a lens.
  • the light receiving optical system 412 b may guide the continuous laser light emitted from the light source unit 411 to the light sensor 412 a via the window 412 c.
  • the light sensor 412a may be a light receiving element including a photodiode.
  • the light sensor 412a may detect the light intensity of the continuous laser light guided by the light receiving optical system 412b.
  • the light sensor 412 a may be connected to the EUV light generation controller 5.
  • the light sensor 412 a may output a detection signal of the detected light intensity to the EUV light generation controller 5.
  • the light receiving unit 412 can detect the light intensity of the continuous laser light emitted from the light source unit 411 and output the light intensity to the EUV light generation control unit 5.
  • the light intensity at the light receiving portion 412 of the continuous laser light blocked by the droplet 271 may decrease.
  • the light receiving unit 412 can output a signal according to the change in light intensity due to the passage of the droplet 271 to the EUV light generation controller 5.
  • the signal according to the change of the light intensity by the droplet 271 is also called a "pass timing signal.”
  • the droplet detector 41 can detect the droplets 271 traveling from the target supply unit 26 toward the plasma generation region 25 and output a passage timing signal to the EUV light generation controller 5.
  • the EUV light generation controller 5 can detect the timing at which the droplet 271 traveling from the target supply unit 26 toward the plasma generation region 25 is detected.
  • the timing at which the droplet 271 has passed the droplet passing position P on the droplet trajectory F can be detected.
  • the timing at which the droplet detector 41 detects the droplet 271 is also referred to as “detection timing”.
  • the detection timing may be timing when the passage timing signal falls below a threshold.
  • the EUV light generation controller 5 may control the operations of the target generator 7 and the droplet detector 41 in an integrated manner.
  • the EUV light generation controller 5 may control the operation of the temperature control mechanism 71 including the heater power 712 by outputting a control signal to the heater power 712.
  • the EUV light generation controller 5 may output a control signal to the pressure regulator 721 to control the operation of the pressure regulation mechanism 72 including the pressure regulator 721.
  • the EUV light generation controller 5 may control the operation of the droplet forming mechanism 73 including the piezo power supply 732 by outputting a control signal to the piezo power supply 732.
  • the EUV light generation controller 5 may control the operation of the stage 74 by outputting a control signal to the stage 74.
  • the EUV light generation controller 5 may send and receive control signals with the exposure apparatus controller 61 that is a controller of the exposure apparatus 6. Thereby, the EUV light generation controller 5 may control the overall operation of the EUV light generation system 11 on the basis of a command from the exposure apparatus 6.
  • the EUV light generation controller 5 may control the stage 74 and the manipulator 226 based on the instruction of the exposure apparatus 6 regarding the instruction of the plasma generation instruction position.
  • the EUV light generation controller 5 may exchange control signals with the laser device 3. Thereby, the EUV light generation controller 5 may control the operation of the laser device 3.
  • the EUV light generation controller 5 may transmit and receive control signals to and from the respective actuators of the laser beam traveling direction controller 34 and the laser beam focusing optical system 22a.
  • the EUV light generation controller 5 may adjust the traveling direction and the focusing position of the pulse laser beams 31 to 33.
  • the EUV light generation controller 5 may send and receive control signals between the target generator 7 and the droplet detector 41. Thereby, the EUV light generation controller 5 may control the operations of the target generator 7 and the droplet detector 41.
  • the hardware configuration of the EUV light generation controller 5 will be described later with reference to FIG.
  • the EUV light generation controller 5 may generate a droplet detection signal based on the passage timing signal output from the droplet detector 41.
  • the timing at which the EUV light generation controller 5 generates a droplet detection signal is also referred to as “generation timing”.
  • the EUV light generation controller 5 may output a trigger signal to the laser device 3 at a timing delayed by the delay time Tdl after the droplet detection signal is generated.
  • the trigger signal output from the EUV light generation controller 5 may be a signal that gives the opportunity for the laser device 3 to emit a pulsed laser beam 31 by performing laser oscillation.
  • the delay time Tdl may be a delay time for synchronizing the timing at which the pulse laser light 33 is focused on the plasma generation region 25 with the timing at which the droplet 271 reaches the plasma generation region 25.
  • the droplet 271 that has passed the droplet passing position P on the droplet trajectory F reaches the plasma generation region 25, the droplet 271 can be irradiated with the pulsed laser light 33.
  • the EUV light generation controller 5 may store the delay time Tdl input in advance. That is, the EUV light generation controller 5 can control the irradiation timing of the pulsed laser light 33 based on the generation timing and the delay time Tdl.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the output timing of the laser device 3 controlled by the EUV light generation controller 5.
  • the EUV light generation controller 5 may control the timing at which the laser device 3 outputs a laser.
  • the passage timing signal output from the droplet measurement instrument 41 may be input to the EUV light generation controller 5.
  • the light intensity of the passage timing signal input when the droplet 271 passes through the droplet passage position P is the passage when the droplet 271 does not pass through the droplet passage position P as described above It may exhibit a lower value than the light intensity of the timing signal.
  • the EUV light generation controller 5 may determine that the droplet 271 has passed the droplet passing position P, when the light intensity of the input passing timing signal indicates a value lower than the threshold voltage Vs. .
  • the EUV light generation controller 5 may generate a droplet detection signal on the assumption that the droplet 271 that has passed through the droplet passage position P is detected.
  • the threshold voltage Vs may be a threshold that is predetermined and input based on the range in which the light intensity of the passage timing signal can be obtained when the droplet 271 passes the droplet passage position P.
  • the droplet detection signal may be a signal indicating that the droplet 271 that has passed through the droplet passage position P is detected.
  • the EUV light generation controller 5 may output the trigger signal to the laser device 3 at a timing delayed by the delay time Tdl from the timing at which the droplet detection signal is generated.
  • the trigger signal may be a signal that gives the laser device 3 an opportunity to output the pulsed laser beam 31.
  • the delay time Tdl may be a delay time for synchronizing the timing at which the pulse laser light 33 is focused on the plasma generation region 25 with the timing at which the droplet 271 reaches the plasma generation region 25.
  • the EUV light generation controller 5 controls the timing at which the laser device 3 outputs the laser by outputting the trigger signal to the laser device 3 in synchronization with the change in the light intensity of the input passage timing signal. It can.
  • the EUV light generation controller 5 sets the pulse laser light 33 in the plasma generation area 25 at the timing when the droplet 271 that has passed the droplet passage position P reaches the plasma generation area 25 when the laser device 3 performs laser output.
  • the timing can be controlled to be collected.
  • the pulse laser light 33 can be emitted to the droplets 271.
  • the droplet detector 41 may be inclined on the side surface portion of the target supply path 2a (see FIG. 2) for convenience of arrangement with the other configuration of the EUV light generation apparatus 1. Specifically, as shown in FIG. 5A, the facing direction of the light source unit 411 and the light receiving unit 412 in the droplet detector 41 is a predetermined angle ( ⁇ in the drawing) with respect to the direction substantially orthogonal to the droplet trajectory F. It may be arranged at an incline.
  • the detection optical axis shown in FIG. 5A refers to the optical path axis of the illumination light detected by the light receiving unit 412 among the illumination light emitted from the light source unit 411.
  • the detection optical axis may be set to be inclined at a predetermined angle ( ⁇ in the drawing) with respect to the direction substantially orthogonal to the droplet trajectory F when the droplet detector 41 is arranged to be inclined as shown in FIG. 5A.
  • the exposure apparatus control unit 61 can output information on the plasma generation instruction position (Xc, Yc, Zc).
  • the target supply unit 26 can move based on the plasma generation instruction position (Xc, Yc, Zc) output from the exposure apparatus control unit 61.
  • the distance between the nozzle hole 262a of the target supply unit 26 and the detection optical axis of the droplet detector 41 may change in the direction of the droplet trajectory F (Y direction).
  • FIG. 5B is a view showing the relationship between the trajectory of the droplet 271 and the detection optical axis of the droplet detector 41 before and after the target supply unit 26 moves in the Z direction.
  • FIG. 5B is an enlarged view of the range Q shown in FIG. 5A.
  • the droplet trajectory O shows the trajectory of the droplet 271 before the target supply unit 26 moves in the Z direction
  • the droplet trajectory M is a droplet after the target supply unit 26 moves in the Z direction
  • the orbit of 271 is shown.
  • the passing point P1 of the droplet 271 is an intersection point of the droplet trajectory O and the detection optical axis before the target supply unit 26 moves in the Z direction.
  • the passing point P2 of the droplet 271 is an intersection point of the droplet trajectory M and the detection optical axis after the target supply unit 26 moves in the Z direction.
  • the nozzle hole 262a ( The distance from the passing point P2 to the passing point P2 may be longer by ⁇ Z ⁇ tan ⁇ than the distance from the nozzle hole 262a to the passing point P1.
  • the droplet 271 is output on the droplet trajectory O and then to the passing point P1. It can be longer than the time to reach.
  • the time from the output to the passing point P2 is ⁇ Z ⁇ tan ⁇ / V later than the time from the output to the passing point P1.
  • the change timing of the passage timing signal output from the droplet detector 41 to the EUV light generation controller 5 may be shifted. Therefore, the timing at which the droplet detection signal is generated in the EUV light generation controller 5 may be shifted. Then, the timing at which the trigger signal is output from the EUV light generation controller 5 to the laser device 3 may be shifted. For this reason, the irradiation timing of the pulsed laser light 33 to the droplets 271 in the plasma generation region 25 may be shifted. The generation of the EUV light 251 may become unstable due to the timing of the irradiation of the pulsed laser light 33 to the droplet 271 being shifted.
  • the irradiation timing of the pulsed laser light 33 to the droplet 271 in the plasma generation region 25 can be appropriately adjusted. Technology is desired.
  • the detection optical axis in the droplet detector 41 may be disposed at a predetermined angle ( ⁇ in the drawing) at an angle with respect to the direction substantially orthogonal to the droplet trajectory F, as shown in FIG.
  • the detection optical axis may be disposed to be inclined with respect to the XZ plane in which the target supply unit 26 is moved by the stage 74.
  • the droplet detector 41 may be arranged to be inclined with respect to the XZ plane as shown in FIG.
  • the arithmetic control unit 51 may receive the information on the plasma generation designated position (Xc, Yc, Zc) output from the exposure apparatus control unit 61 according to the configuration shown in FIG.
  • the arithmetic control unit 51 may output information on the plasma generation instruction position (Xc, Yc, Zc) to the stage 74.
  • the arithmetic control unit 51 may output information on the plasma generation instruction position (Xc, Yc, Zc) to the manipulator 226.
  • the arithmetic control unit 51 may receive the passage timing signal output from the droplet detector 41.
  • the calculation control unit 51 may output to the laser device 3 a trigger signal for giving an opportunity to output a pulse laser beam 31 by performing laser oscillation.
  • the other configuration of the EUV light generation system 1 according to the first embodiment may be the same as the configuration of the EUV light generation system 1 shown in FIG.
  • step S1 the calculation control unit 51 may read a plasma generation initial position (Xi, Yi, Zi) as initial setting information of the plasma generation region 25 and an initial delay time Tdli from a memory (not shown).
  • the plasma generation initial position (Xi, Yi, Zi) and the initial delay time Tdli may be input by the operator.
  • the calculation control unit 51 may set the initial delay time Tdli as the delay time Tdl.
  • step S2 the arithmetic control unit 51 moves the target supply unit 26 so that the droplet trajectory F (see FIG. 2) passes through the plasma generation initial position (Xi, Yi, Zi) at which the EUV light is generated. May be
  • the arithmetic control unit 51 may move the target supply unit 26 by controlling the stage 74.
  • step S3 the calculation control unit 51 may move the light collection position by the laser light collection optical system 22a to the plasma generation initial position (Xi, Yi, Zi) where EUV light is generated.
  • the focusing position by the laser beam focusing optical system 22 a may be moved by controlling the manipulator 226.
  • step S4 the arithmetic control unit 51 may determine whether the plasma generation instruction position (Xc, Yc, Zc) at which EUV light is generated is output from the exposure apparatus control unit 61. If the arithmetic control unit 51 determines that the information on the plasma generation instruction position (Xc, Yc, Zc) is output from the exposure apparatus control unit 61, the operation control unit 51 may shift to step S5. On the other hand, when the arithmetic control unit 51 does not determine that the information of the plasma generation instruction position (Xc, Yc, Zc) is output from the exposure apparatus control unit 61, the process may proceed to step S12.
  • step S5 the calculation control unit 51 may calculate the difference value ⁇ between the plasma generation initial position (Xi, Yi, Zi) and the plasma generation instruction position (Xc, Yc, Zc) for each coordinate.
  • step S6 the calculation control unit 51 may determine whether the difference value ( ⁇ X) between the plasma generation initial position (Xi) and the plasma generation instruction position (Xc) in the X direction is zero. If the calculation control unit 51 determines that the difference value ( ⁇ X) is not 0, the operation control unit 51 may shift to step S7. On the other hand, when the calculation control unit 51 determines that the difference value ( ⁇ X) is 0, it may shift to step S8.
  • step S7 the calculation control unit 51 may perform X position correction processing. Details of the X position correction process will be described later with reference to FIG.
  • step S8 the calculation control unit 51 may determine whether or not the difference value ( ⁇ Y) between the plasma generation initial position (Yi) and the plasma generation designated position (Yc) in the Y direction is zero. If the calculation control unit 51 determines that the difference value ( ⁇ Y) is not 0, the operation control unit 51 may shift to step S9. If the calculation control unit 51 determines that the difference value ( ⁇ Y) is 0, it may shift to step S10.
  • step S9 the calculation control unit 51 may perform Y position correction processing. Details of the Y position correction process will be described later with reference to FIG.
  • step S10 the calculation control unit 51 may determine whether or not the difference value ( ⁇ Z) between the plasma generation initial position (Zi) and the plasma generation instruction position (Zc) in the Z direction is zero. If the calculation control unit 51 determines that the difference value ( ⁇ Z) is not 0, the operation control unit 51 may shift to step S11. If the calculation control unit 51 determines that the difference value ( ⁇ Z) is 0, it may shift to step S12.
  • step S11 the calculation control unit 51 may perform Z position correction processing. The details of the Z position correction process will be described later with reference to FIG.
  • step S12 the calculation control unit 51 may perform an EUV light generation process. The details of the EUV light generation process will be described later with reference to FIG.
  • step S13 the calculation control unit 51 may determine whether to cancel generation of EUV light. If a control signal for stopping the generation of EUV light is output from exposure apparatus control unit 61, operation control unit 51 determines that the generation of EUV light is stopped, and the processing of this flowchart is ended. Good. If the arithmetic control unit 51 determines that the generation of EUV light is not to be canceled, the operation control unit 51 may return to step S4 described above.
  • the outline of the X position correction processing of the calculation control unit 51 in the EUV light generation apparatus 1 including the droplet detector 41 will be described using FIG. 8.
  • the X position correction process may be step S7 in FIG.
  • step S71 the calculation control unit 51 determines the plasma generation position (X) at which the plasma generation initial position (Xi) is set as follows based on the information of the difference value ( ⁇ X) calculated in step S5. It may be set to the value which added the above-mentioned difference value (delta X).
  • X X ten ⁇ X
  • step S72 the calculation control unit 51 may move the target supply unit 26 by controlling the stage 74 based on the coordinates (X) set in step S71.
  • step S73 the calculation control unit 51 may move the light collecting position by the laser light collecting optical system 22a by controlling the manipulator 226 based on the coordinates (X) set in step S71.
  • the direction of the coordinates (X) may be a direction substantially parallel to a two-dimensional plane (XZ plane) to which the target supply unit 26 can move, and a direction perpendicular to the detection light axis.
  • the direction of this coordinate (X) is also referred to as "predetermined direction”.
  • the calculation control unit 51 does not update the delay time Tdl when the moving direction of the target supply unit 26 and the laser beam focusing optical system 22a is the direction of the coordinate (X) as shown in FIG. May be
  • the outline of the Y position correction process of the calculation control unit 51 in the EUV light generation apparatus 1 including the droplet detector 41 will be described using FIG. 9.
  • the Y position correction process may be step S9 in FIG.
  • step S92 the calculation control unit 51 may move the condensing position of the laser beam condensing optical system 22a by controlling the manipulator 226 based on the coordinates (Y) set in step S91.
  • step S93 the arithmetic control unit 51 synchronizes the timing at which the pulse laser light 33 is focused on the plasma generation region 25 with the timing at which the droplet 271 reaches the plasma generation region 25 whose coordinate (Y) is changed. Adjustments may be made.
  • the calculation control unit 51 determines the plasma generation initial position (Yi) and the plasma as follows based on the information of the difference value ( ⁇ Y) calculated in step S5 and the information of the velocity (V) of the droplet 271.
  • the movement time ( ⁇ T) of the droplet 271 at the difference value ( ⁇ Y) from the generation instruction position (Yc) may be calculated.
  • ⁇ T ⁇ Y / V
  • the calculation control unit 51 may read information on the velocity (V) of the droplet 271 from a memory (not shown). Information on the velocity (V) of the droplet 271 may be input to the memory in advance by the operator.
  • step S94 the operation control unit 51 adds the moving time ( ⁇ T) to the delay time Tdl in which the initial delay time Tdli is set as follows based on the moving time ( ⁇ T) calculated in step S93.
  • the delay time Tdl may be updated.
  • Tdl Tdl + ⁇ T
  • the delay time Tdl updated in the present step S94 is also referred to as "first delay time”.
  • the arithmetic control unit 51 updates the delay time Tdl when the moving direction of the target supply unit 26 and the laser light focusing optical system 22a is the direction of the coordinate (Y) as shown in FIG. It is also good. That is, the calculation control unit 51 may update the delay time Tdl when the moving direction of the target supply unit 26 and the laser beam focusing optical system 22a is not the direction of the coordinate (X) which is a predetermined direction. .
  • the outline of the Z position correction processing of the calculation control unit 51 in the EUV light generation apparatus 1 including the droplet detector 41 will be described with reference to FIG.
  • the Z position correction process may be step S11 in FIG.
  • step S111 the calculation control unit 51 determines the plasma generation position (Z) where the plasma generation initial position (Zi) is set as follows based on the information of the difference value ( ⁇ Z) calculated in step S5. , And may be set to a value obtained by adding the above-described difference value ( ⁇ Z).
  • Z Z ⁇ ⁇ Z
  • step S112 the calculation control unit 51 may move the target supply unit 26 by controlling the stage 74 based on the coordinates (Z) set in step S111.
  • step S113 the calculation control unit 51 may move the condensing position of the laser beam condensing optical system 22a by controlling the manipulator 226 based on the coordinates (Z) set in step S111.
  • step S114 the arithmetic control unit 51 moves the target supply unit 26 in the Z direction with information on the tilt angle ⁇ of the detection optical axis with respect to the direction substantially orthogonal to the trajectory O of the droplet.
  • the calculation control unit 51 may read information on the tilt angle ( ⁇ ) of the detection optical axis of the droplet detector 41 from a memory (not shown). The information on the tilt angle ( ⁇ ) may be input to the memory in advance by the operator.
  • step S115 the calculation control unit 51 determines that the droplet 271 has nozzle holes as follows based on the information of the distance (.DELTA.Yz) calculated in step S114 and the information of the velocity (V) of the droplet 271.
  • a time difference ( ⁇ Tz) between the time from the output from 262a to the arrival at the passing point P1 and the time from the output of the droplet 271 from the nozzle hole 262a to the arrival at the passing point P2 may be calculated .
  • ⁇ Tz ⁇ Yz / V
  • the calculation control unit 51 may read information on the velocity (V) of the droplet 271 from a memory (not shown).
  • step S116 the calculation control unit 51 may update the delay time Tdl by adding the time difference ( ⁇ Tz) as follows based on the time difference ( ⁇ Tz) calculated in step S115.
  • Tdl Tdl + ⁇ Tz
  • the delay time Tdl to which the time difference ( ⁇ Z ⁇ tan ⁇ / V) is added is updated by adding the moving time ( ⁇ T) along with the movement of the target supply unit 26 in the Y direction, as shown in step S94 of FIG. If it is, additional time difference ( ⁇ Tz) may be added and further updated.
  • the time difference ( ⁇ Z ⁇ tan ⁇ / V) added in step S116 is also referred to as “second delay time”.
  • the calculation control unit 51 is such that the direction in which the target supply unit 26 and the laser beam focusing optical system 22a are moved is the direction of the coordinate (Z), and the coordinate If it is not the direction, the delay time Tdl may be updated.
  • the direction of the moved coordinates (Z) of the target supply unit 26 and the laser beam focusing optical system 22a is a plane (XY) including the direction of the coordinates (X) which is a predetermined direction and the direction of the droplet trajectory D.
  • the direction in the plane) may be different. That is, in the Z position correction process, the arithmetic control unit 51 updates the delay time Tdl when movement in a direction other than the direction in the plane (XY plane) including the predetermined direction and the direction of the droplet trajectory D is involved. May be Then, when the movement time ( ⁇ T) is added as the target supply unit 26 moves in the Y direction as shown in step S94 of FIG. 9, the arithmetic control unit 51 further adds the delay time Tdl. It may be updated.
  • the outline of the EUV light generation processing of the EUV light generation controller 5 and the arithmetic control unit 51 in the EUV light generation apparatus 1 including the droplet detector 41 shown in FIG. 6 will be described using FIG.
  • the EUV light generation process may be step S12 in FIG.
  • the EUV light generation controller 5 may control the target supply unit 26 in order to output the droplets 271 into the chamber 2.
  • the cycle in which the droplet 271 is output from the target supply unit 26 into the chamber 2 is also referred to as the “generation cycle” of the droplet 271.
  • step S122 the arithmetic control unit 51 may determine whether the passage timing signal input from the droplet detector 41 exceeds a threshold. If the calculation control unit 51 determines that the passage timing signal has exceeded the threshold, the operation control unit 51 may shift to step S123. On the other hand, when the calculation control unit 51 does not determine that the passage timing signal does not exceed the threshold, the operation control unit 51 may return to step S122.
  • step S123 the operation control unit 51 may generate a droplet detection signal based on the passage timing signal input from the droplet detector 41.
  • the calculation control unit 51 may output a trigger signal to the laser device 3 at a timing delayed by the delay time Tdl from the generated droplet detection signal.
  • the laser device 3 may perform laser oscillation and output a pulse laser beam 31.
  • the pulsed laser light 31 output from the laser device 3 can be introduced into the chamber 2 as pulsed laser light 32 via the laser light traveling direction control unit 34.
  • the pulsed laser light 32 introduced into the chamber 2 may be condensed by the laser light condensing optical system 22 a and may be guided to the plasma generation region 25 as the pulsed laser light 33.
  • the other operation of the EUV light generation system 1 according to the first embodiment may be the same as the operation of the EUV light generation system 1 shown in FIG.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the first embodiment is most suitable for the droplet 271 even when the target supply unit 26 moves under the condition that the detection optical axis of the droplet detector 41 is inclined and installed.
  • the pulsed laser light 33 can be emitted at the timing of Then, the EUV light generation apparatus 1 can make the position of the plasma light actually generated in the plasma generation region 25 substantially coincide with the plasma generation instruction position determined by the command of the exposure apparatus control unit 61. For this reason, the EUV light generation apparatus 1 of the first embodiment can stably lead the EUV light 252 properly generated to the exposure apparatus 6.
  • the configuration of the droplet detector 42 provided in the EUV light generation system 1 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 12 and 13.
  • the droplet detector 42 in the second embodiment may be another embodiment of the droplet detector 41 in the first embodiment.
  • the light source unit 421 and the light receiving unit 422 in the droplet detector 42 may be disposed on one side (Z direction side) as viewed from the droplet trajectory F in the YZ plane.
  • the light source unit 421 and the light receiving unit 422 in the second embodiment can be disposed on one side with respect to the droplet trajectory F without being disposed at positions sandwiching the droplet trajectory F.
  • the light source unit 421 may guide the illumination light from the light source 421a to the passing position Pl of the droplet 271 in the droplet trajectory F and the periphery thereof by the illumination optical system 421b such as a collimator as shown in FIG.
  • the droplet 271 may reflect illumination light from the light source unit 421 by traveling along the droplet trajectory F to emit reflected light.
  • the light receiving unit 422 may receive the reflected light emitted from the droplet 271.
  • the length of the irradiation range (L1 in the figure) in the Y direction of the illumination light led to the droplet trajectory F may be shorter than the distance (L2 in the figure) to the adjacent droplet 271.
  • the light receiver 422 may have a slit plate (not shown) disposed between the light sensor 422a and the light receiving optical system 422b.
  • the slit plate may limit the incident range of the reflected light to the optical sensor 422 a so as to detect the reflected light from only one droplet 271 in the droplet trajectory F.
  • the detection optical axis shown in FIG. 12 is an optical path axis of the reflected light detected by the light receiving unit 422 among the reflected light emitted from the light source unit 421 and emitted by the droplet 271.
  • the detection optical axis can be set to be inclined at a predetermined angle ( ⁇ in the drawing) with respect to the direction substantially orthogonal to the droplet trajectory F when the light receiving unit 422 is arranged to be inclined as shown in FIG.
  • the other configuration of the droplet detector 42 according to the second embodiment may be the same as the configuration of the droplet detector 41 shown in FIG. 2, FIG. 3, FIG. 5A and FIG. 6.
  • FIG. 13 is a time chart relating to the generation of a trigger signal of the calculation control unit 51 in the EUV light generation apparatus 1 including the droplet detector 42.
  • the description of the same operation as that of the EUV light generation control unit 5 shown in FIG. 4 is omitted.
  • the droplet 271 may be output into the chamber 2 at a predetermined generation cycle, and may pass through the passage position Pl on the droplet trajectory F.
  • the operation control unit 51 may control the output timing of the trigger signal output to the laser device 3 as follows based on the passage timing signal output from the droplet detector 42.
  • the light source unit 421 in the droplet detector 42 can emit continuous light toward the passing position Pl of the droplet 271 in the droplet trajectory F and the periphery thereof.
  • the light receiving unit 422 may receive the reflected light emitted from the droplet 271 that has reached the passing position Pl.
  • the amount of light received by the light receiving unit 422 can rise in synchronization with the passage of the droplet 271 at the passage position Pl on the droplet trajectory F.
  • the droplet detector 42 may output the passage timing signal to the calculation control unit 51 as it is.
  • the calculation control unit 51 may set the threshold voltage Vs for the input passage timing signal Sp as shown in the upper part of FIG.
  • the calculation control unit 51 may generate the droplet detection signal Sc at a timing when the passage timing signal Sp rises above the threshold voltage Vs, as shown in the middle part of FIG.
  • the arithmetic control unit 51 delays the delay time Tdl from the time when the droplet detection signal Sc is generated, as shown in the lower part of FIG.
  • a trigger signal for output may be generated.
  • the calculation control unit 51 may output a trigger signal to the laser device 3 while generating the trigger signal.
  • the laser device 3 can irradiate the pulsed laser light 33 to the plasma generation region 25 when the trigger signal is input.
  • the other operation of the droplet detector 42 of the second embodiment may be the same as the operation of the droplet detector 41 shown in FIG. 4.
  • the EUV light generation apparatus 1 including the droplet detector 41 shown in FIG. It may be similar to the operation of the arithmetic control unit 51.
  • the arrangement of the light source unit 421 and the light receiving unit 422 may be arranged on one side with respect to the droplet trajectory F. For this reason, the size of the droplet detector 42 can be miniaturized.
  • the configuration of the droplet detector 43 provided in the EUV light generation system 1 according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 14A to 14C.
  • the droplet detector 43 in the third embodiment may be another embodiment of the droplet detector 41 in the first embodiment and the droplet detector 42 in the second embodiment.
  • the detection optical axis shown in FIG. 14A refers to the optical path axis of the illumination light detected by the light receiving unit 432 among the illumination light emitted from the light source unit 431.
  • the detection optical axis may be set to be inclined at a predetermined angle ( ⁇ in the drawing) with respect to the direction substantially orthogonal to the droplet trajectory F when the droplet detector 43 is inclined and disposed as shown in FIG. 14A.
  • the illumination optical system 431 b may be a plano-convex cylindrical lens having a flat surface and a convex surface.
  • the central axis of the convex surface in the plano-convex cylindrical lens may be disposed substantially orthogonal to the detection optical axis and the droplet trajectory F.
  • FIG. 14B may be an AA cross-sectional view of the droplet detector 43 shown in FIG. 14A as viewed from the upstream side in the traveling direction of the droplets 271.
  • the assumed trajectory range Pa may be a range determined based on the possible range of the plasma generation instruction position (Xc) output from the exposure apparatus control unit 61.
  • the assumed trajectory range Pa may be a region included in the droplet detection region K shown in FIG. 14B.
  • the droplet detection area K may be set by the configuration of the droplet detector 43 as the maximum range in which the droplet 271 can be detected by the droplet detector 43. Therefore, the droplet detector 43 may be configured to be able to detect all of the droplets 271 that reach the possible range of the plasma generation instruction position (Xc).
  • the illumination light emitted from the light source unit 431 may be incident on the light receiving unit 432 while being temporarily condensed and diffused in the droplet detection area K by the illumination optical system 431 b.
  • the light source 431a may output, to the illumination optical system 431b, illumination light whose cross section of the luminous flux is circular.
  • the illumination optical system 431 b may convert the cross section of the luminous flux of the illumination light output from the light source 431 a into an elliptical shape and condense it in the droplet detection area K.
  • the cross section of the luminous flux of the illumination light in the assumed trajectory range Pa may have an elliptical shape in which the long axis direction substantially coincides with the X direction.
  • the length in the minor axis direction in the cross section of the elliptical illumination light may be substantially the same as the diameter of the droplet 271.
  • the range of the assumed trajectory range Pa is shown larger than it actually is for easy viewing, but may be smaller than the illustrated range.
  • the length along the X direction in the luminous flux cross section of the elliptically shaped illumination light may be determined based on the droplet detection area K.
  • the major axis direction of the light beam cross section of the elliptical illumination light is substantially parallel to a two-dimensional plane on which the target supply unit 26 can move, and substantially parallel to a predetermined direction that is perpendicular to the detection optical axis. May be
  • the droplet 271 may travel along the droplet trajectory F and may be detected by the droplet detector 43 by reaching the assumed trajectory range Pa between the light source unit 431 and the light receiving unit 432.
  • the droplet 271 moves in the -Y direction and reaches the assumed trajectory range Pa, as shown in FIG. 14C, it may block part of the light emitted from the light source unit 431 toward the light receiving unit 432. Good. Thereby, the light quantity which injects into the light-receiving part 432 may change.
  • the droplet trajectory F may be displaced in the X direction as shown in FIG. 14C. This may be due to a change in the state (such as wettability) around the nozzle hole 262 a of the target supply unit 26. Also, it may be due to the target supply unit 26 being moved by the stage 74.
  • the droplet trajectory F may pass through approximately the center of the assumed trajectory range Pa (trajectory A), or may pass a position slightly deviated in the X direction from the center of the assumed trajectory range Pa (trajectory B, trajectory C). Also, the droplet trajectory F may pass near the end of the assumed trajectory range Pa (trajectory D).
  • the droplet trajectory F passes a position slightly deviated in the X direction (trajectory B, trajectory C) as compared with the case where the droplet trajectory F passes the approximate center of the assumed trajectory range Pa (trajectory B, trajectory C)
  • the time to block a portion of the illumination light from may be slightly shorter.
  • the droplet trajectory F passes near the end of the assumed trajectory range Pa (trajectory D)
  • the time when the droplet 271 blocks a part of the illumination light from the light source unit 431 may be a little shorter.
  • the shift of the timing when the droplet 271 reaches the assumed trajectory range Pa is the case where the droplet trajectory F is shifted in the X direction Also, it can be slight.
  • the other configuration of the droplet detector 43 according to the third embodiment may be the same as the configuration of the droplet detector shown in FIG. 2, FIG. 3, FIG. 5A, FIG. 6 and FIG. .
  • FIG. 14D is a time chart relating to the generation of the droplet detection signal of the calculation control unit 51 in the EUV light generation apparatus 1 including the droplet detector 43.
  • the description of the same operations as the operations described in FIGS. 4 and 13 will be omitted.
  • the droplet detector 43 may change the passage timing signal output to the calculation control unit 51 when the droplet 271 reaches the assumed trajectory range Pa.
  • the calculation control unit 51 may generate the droplet detection signal Sc based on the passage timing signal output from the droplet detector 43 as shown in FIG. 14D. As shown in FIG. 14D, even if the droplet trajectory F deviates in the X direction, the deviation of the timing at which the passage timing signal output from the droplet detector 43 changes is slight, so that the droplet detection signal Sc is The timing deviation generated may be slight.
  • the other operation of the droplet detector 43 of the third embodiment may be the same as the operation of the droplet detector shown in FIGS. 4 and 13.
  • the configuration of the droplet detector 44 provided in the EUV light generation system 1 of the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 15A to 15C.
  • the droplet detector 44 in the fourth embodiment is different from the droplet detector 41 in the first embodiment, the droplet detector 42 in the second embodiment, and the droplet detector 43 in the third embodiment. It may be
  • the configuration of the droplet detector 44 according to the fourth embodiment is the same as the configuration of the droplet detector shown in FIGS. 2, 3, 5A, 6, 12, 14A, 14B and 14C. I omit explanation.
  • the light receiving unit 442 may include a light sensor 442a, a light receiving optical system 442b, a window 442c, and a slit plate 442d.
  • the slit plate 442 d may be disposed substantially perpendicular to the detection optical axis.
  • the slit plate 442 d may be formed with a rectangular slit 442 e which is long along the X direction.
  • the slit plate 442d can pass light incident on the slit 442e to the light sensor 442a side, and can restrict the passage of light reaching the periphery of the slit 442e.
  • the light passing through the slit 442e can be detected by the light sensor 442a.
  • the light receiving optical system 442b may be configured by an optical element such as a plurality of lenses (convex lenses).
  • the light receiving optical system 442b is configured to form an image of the shadow of the droplet 271 which passes through the assumed trajectory range Pa in the droplet trajectory F and receives illumination light from the light source unit 441 at the position of the slit 442e. Good.
  • the image formed at the position of the slit 442 e by the light receiving optical system 442 b may be an inverted image of the droplet 271.
  • FIG. 15B may be a BB cross-sectional view of the droplet detector 44 shown in FIG. 15A as viewed from the upstream side of the traveling direction of the droplets 271.
  • FIG. 15C may be an NN cross-sectional view substantially perpendicular to the traveling direction of light passing through the slit plate 442d shown in FIG. 15A.
  • the image of the droplet 271 is formed as an inverted image at the position of the slit 442e as shown in FIG. 15C, when the droplet 271 travels in the -Y direction, the image of the droplet 271 is shown in FIG. Can move upwards. That is, the image of the droplet 271 can move from the lower position in FIG. 15C to the upper position in FIG. 15C through the position of the slit 442e.
  • the amount of light blocked by the droplet 271 and passing through the slit 442e may decrease.
  • the amount of light received by the light receiving element of the light sensor 442a may decrease.
  • the droplet detector 44 may generate a passage timing signal based on the change in the amount of light received by the light sensor 442a when the image of the droplet 271 reaches the position of the slit 442e.
  • the shape of the slit 442e may be a long rectangle along the X direction, as shown in FIG. 15C.
  • the shape of the slit 442e may be determined based on the droplet detection area K in which the length in the long side direction is larger than the expected trajectory range Pa.
  • the shape of the slit 442 e may be such that the length in the short side direction is substantially the same as the diameter of the droplet 271. With this shape, as shown in FIG. 15C, even if the droplet trajectory F is shifted in the X direction, the timing shift at which the image of the droplet 271 is formed in the slit 442e can be suppressed.
  • the configuration of the droplet detector 44 according to the fourth embodiment is the same as the configuration of the droplet detector shown in FIGS. 2, 3, 5A, 6, 12, 12 and 14A to 14C. It may be similar.
  • FIG. 15D is a time chart relating to the generation of the droplet detection signal of the calculation control unit 51 in the EUV light generation apparatus 1 including the droplet detector 44.
  • the description of the same operations as the operations described in FIGS. 4, 13 and 14D will be omitted.
  • the droplet detector 44 may change the passage timing signal output to the calculation control unit 51 when the droplet 271 reaches the assumed trajectory range Pa.
  • the calculation control unit 51 may generate the droplet detection signal Sc based on the passage timing signal output from the droplet detector 44 as shown in FIG. 15D. As shown in FIG. 15D, even when the droplet trajectory F deviates in the X direction, the deviation of the timing at which the passage timing signal output from the droplet detector 44 changes is suppressed, so the droplet detection signal Sc is generated. Deviations in timing may be suppressed.
  • the other operation of the droplet detector 44 of the fourth embodiment may be the same as the operation of the droplet detector shown in FIGS. 4, 13 and 14D.
  • the configuration of the target generator 7 of the fifth embodiment may be similar to the configuration of the target generator 7 shown in FIG. 2, FIG. 3 and FIG.
  • the configuration of the droplet detector 41 according to the fifth embodiment may be similar to the configuration of the droplet detector 41 shown in FIGS. 5A and 6.
  • the droplet detector 41 of the fifth embodiment may be replaced with the droplet detectors 42, 43 and 44 shown in FIG. 12, FIG. 14A, FIG. 14B, FIG. 15A and FIG.
  • the configuration of the calculation control unit 51 of the fifth embodiment may be the same as that of the calculation control unit 51 shown in FIG.
  • the EUV light generation controller 5 may control the operations of the target generator 7, the droplet detector 41, and the image measurement device 60.
  • a signal relating to image data may be input from the image measuring device 60 to the calculation control unit 51.
  • the image measuring device 60 may image the droplets 271 in the droplet trajectory F in the chamber 2 and generate the image data.
  • the image measuring instrument 60 may include a light source unit 601, an imaging unit 602, an image acquisition control unit 603, and a droplet measurement control unit 604.
  • the image meter 60 may be disposed between the nozzle 262 and the droplet detector 41.
  • the light source unit 601 and the imaging unit 602 may be disposed to face each other across the droplet trajectory F of the droplet 271 output into the chamber 2.
  • the facing direction of the light source unit 601 and the imaging unit 602 may be substantially orthogonal to the droplet trajectory F.
  • the light source unit 601 may emit pulse light to the droplets 271 traveling on the droplet trajectory F.
  • the light source unit 601 may include a light source 601a, an illumination optical system 601b, and a window 601c.
  • the light source 601a may be, for example, a light source that performs pulse lighting, such as a xenon flash lamp or a laser light source.
  • the time from the start of lighting of the light source 601 a included in the light source unit 601 to the end thereof is also referred to as “lighting time ⁇ T”.
  • the lighting time ⁇ T of the light source 601a may be, for example, a predetermined time of 1 ⁇ s to 5 ⁇ s when the generation frequency at which the droplet 271 is output from the target generator 7 into the chamber 2 is 100 kHz.
  • the light source 601 a may be connected to the droplet measurement control unit 604.
  • the light source 601 a may emit pulse light by performing pulse lighting based on the lighting signal output from the droplet measurement control unit 604.
  • the illumination optical system 601 b may be an optical system such as a collimator, and may be configured by an optical element such as a lens.
  • the illumination optical system 601 b may guide the pulsed light emitted from the light source 601 a onto the droplet trajectory F via the window 601 c.
  • the light source unit 601 can emit pulsed light toward the droplet trajectory F based on the lighting signal output from the droplet measurement control unit 604.
  • the pulsed light emitted from the light source unit 601 can irradiate the droplet 271 traveling on the droplet trajectory F between the light source unit 601 and the imaging unit 602.
  • the imaging unit 602 may capture an image of the shadow of the droplet 271 irradiated with pulse light by the light source unit 601.
  • the imaging unit 602 may include an image sensor 602a, a transfer optical system 602b, and a window 602c.
  • the transfer optical system 602 b may be an optical element such as a pair of lenses.
  • the transfer optical system 602b may form an image of the shadow of the droplet 271 guided through the window 602c on the light receiving surface of the image sensor 602a.
  • the image sensor 602a may be a two-dimensional image sensor such as a charge-coupled device (CCD) or a complementary metal oxide semiconductor (CMOS).
  • the image sensor 602a may have a shutter (not shown). Then, the image sensor 602a may capture an image of the shadow of the droplet 271 formed by the transfer optical system 602b.
  • the temporal imaging interval of the image sensor 602a may be sufficiently longer than the lighting time ⁇ T of the light source 601a.
  • the temporal imaging interval of the image sensor 602a may be, for example, 0.1 s to 1 s.
  • the temporal imaging interval of the image sensor 602 a included in the imaging unit 602 is also referred to as “measurement interval K” of the image measuring device 60.
  • the image sensor 602 a may be connected to the droplet measurement control unit 604.
  • the image sensor 602 a may open and close the shutter based on the shutter signal from the droplet measurement control unit 604 to capture an image of the shadow of the droplet 271.
  • the image sensor 602a may capture an image only while the shutter (not shown) is open.
  • the shutter may be an electrical shutter or a mechanical shutter. Note that the time required for the shutter to open and then close in one imaging by the image sensor 602 a included in the imaging unit 602 is also referred to as one “imaging time ⁇ t”.
  • the image sensor 602 a may be connected to the image acquisition control unit 603.
  • the image sensor 602a may output an image signal relating to the captured image of the shadow of the droplet 271 to the image acquisition control unit 603 for each imaging.
  • the image acquisition control unit 603 may generate image data such as bitmap data related to an image of a shadow of the droplet 271 from the image signal output from the image sensor 602 a.
  • the image acquisition control unit 603 may store the generated image data in association with identification information of the image data.
  • the identification information of the image data may be information related to the generation time of the image data.
  • the image acquisition control unit 603 may be connected to the droplet measurement control unit 604.
  • the image acquisition control unit 603 may output the generated image data and its identification information to the droplet measurement control unit 604 based on the control signal from the droplet measurement control unit 604.
  • the hardware configuration of the image acquisition control unit 603 will be described later with reference to FIG.
  • the droplet measurement control unit 604 may control the operation of the light source unit 601 and the imaging unit 602 by outputting a lighting signal and a shutter signal to the light source unit 601 and the imaging unit 602.
  • the droplet measurement control unit 604 may store the image data output from the image acquisition control unit 603 and the identification information thereof.
  • the droplet measurement control unit 604 may store a program for calculating parameters related to the state of the droplet 271, such as the traveling speed v of the droplet 271, based on image data, in a memory (not shown).
  • the droplet measurement control unit 604 may calculate the parameters based on the image data output from the image acquisition control unit 603.
  • the parameter calculated using the above program may be a physical quantity indicating the dynamic state of the droplet 271 output into the chamber 2.
  • the parameters may be the diameter D of the droplet 271 traveling in the chamber 2, the traveling velocity v, the interval d, and the like.
  • the imaging unit 602 included in the image measuring instrument 60 can observe a specific range on the droplet trajectory F at a fixed point.
  • the position of the droplet 271 in the Y direction may be a relative position within the imaging range in the traveling direction of the droplet 271.
  • the position of the droplet 271 in the Y direction may be the position of the droplet 271 in a direction substantially parallel to the traveling direction of the droplet 271 in the captured image data.
  • the distance d between the droplets 271 may be a distance between two adjacent droplets 271 sequentially output from the target supply unit 26 into the chamber 2, and may be a distance in the traveling direction of the droplets 271.
  • the droplet measurement control unit 604 may perform the control related to the control of the light source unit 601 and the imaging unit 602, the acquisition of image data, and the calculation of parameters without depending on the instruction from the EUV light generation control unit 5. .
  • the hardware configuration of the droplet measurement control unit 604 will be described later with reference to FIG.
  • the image measurement device 60 can capture the image of the droplet 271 output from the target supply unit 26 into the chamber 2 and obtain the image data. Then, the image measuring instrument 60 can calculate a parameter such as the traveling speed v of the droplet 271 from the acquired image data, and can output the parameter to the calculation control unit 51 of the EUV light generation control unit 5.
  • the other configuration of the EUV light generation apparatus 1 of the fifth embodiment may be the same as the configuration of the EUV light generation apparatus 1 shown in FIGS. 2 and 6.
  • the operation shown in FIG. 18 may be an operation for calculating the velocity (V) of the droplet 271, which is performed by the droplet measurement control unit 604 of the image measuring device 60 described with reference to FIGS. First, the operation relating to the droplet velocity calculation process will be described with reference to FIG.
  • the droplet measurement control unit 604 may receive the droplet supply signal output from the EUV light generation control unit 5.
  • step S302 the droplet measurement control unit 604 may reset the timer T and start timing of the timer Tm.
  • the droplet measurement control unit 604 may output a shutter signal for opening the shutter of the image sensor 602a of the imaging unit 602 to the image sensor 602a.
  • the droplet measurement control unit 604 may store the value of the timer Tm when the shutter signal for opening the shutter is output.
  • the droplet measurement control unit 604 may output a lighting signal to the light source 601a only for a predetermined lighting time ⁇ Tm in order to light the light source 601a of the light source unit 601.
  • the light source 601a can emit pulsed light to the droplet trajectory F until the lighting time ⁇ Tm elapses.
  • the droplet measurement control unit 604 may output a shutter signal for closing the shutter of the image sensor 602a to the image sensor 602a when a predetermined imaging time ⁇ tm has elapsed from time Tm.
  • the imaging time ⁇ tm may be the time from when the shutter of the image sensor 602a is opened in step S303 to when the shutter is closed in step S305.
  • the image sensor 602a can capture an image of the shadow of the droplet 271 imaged during the imaging time ⁇ tm.
  • the droplet measurement control unit 604 may store the value of the timer Tm when the shutter signal is output, in order to determine the timing of closing the shutter.
  • the droplet measurement control unit 604 may acquire, from the image acquisition control unit 603, image data (see FIG. 19) related to the image of the shadow of the droplet 271 captured in step S305.
  • the droplet measurement control unit 604 may specify the trajectory of one droplet 271 from the images of the shadows of the plurality of droplets 271 included in the image data acquired in step S306.
  • the trajectory of one droplet 271 may correspond to, for example, the trajectory of the droplet 2711 in FIG.
  • the droplet measurement control unit 604 may calculate the diameter D of the droplet 271 from the trajectory identified in step S307.
  • the droplet measurement control unit 604 may set the width of the trajectory in the direction substantially perpendicular to the traveling direction of the droplets 271 as the diameter D of the droplets 271.
  • the droplet measurement control unit 604 may calculate the length L of the trajectory specified in step S307.
  • the length L of the trajectory may be the length of the trajectory of the droplet 271 in the traveling direction of the droplet 271.
  • the droplet measurement control unit 604 may calculate the distance d from the trajectory of the two adjacent droplets 271 sequentially output.
  • the trajectories of the two adjacent droplets 271 sequentially output may be the trajectory 2711 identified in step S307 and the trajectory 271k nearest thereto.
  • the distance d may be a distance in the traveling direction of the two droplets 271.
  • the distance d between the trajectory 271k and the trajectory 2711 in the traveling direction of the droplet 271 may be used.
  • the droplet measurement control unit 604 may calculate the velocity v of the droplet 271 based on the diameter D calculated in step S308 and the length L calculated in step S309.
  • the (LD) on the right side may mean the distance traveled by one droplet 271 during the lighting time ⁇ Tm.
  • the droplet measurement control unit 604 may obtain image data a plurality of times, calculate an average value of the velocity v calculated from each of the plurality of image data, and set the average value as a parameter (V) .
  • step S313 the droplet measurement control unit 604 may output the parameter (V) set in step S312 to the calculation control unit 51 of the EUV light generation control unit 5. Based on the velocity (parameter (V)) of the droplet 271 output from the droplet measurement control unit 604, the arithmetic control unit 51 performs step S93 of the Y position correction process shown in FIG. 9 and Z shown in FIG. You may use at the time of step S115 of a position correction process.
  • the other operation of the EUV light generation system 1 of the fifth embodiment may be the same as the operation of the EUV light generation system 1 shown in FIGS. 7 to 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the fifth embodiment can obtain image data of the droplet 271 at any time by the image measurement device 60. Then, the velocity of the droplet 271 can be calculated as needed from the image data. Therefore, the accuracy of the information on the velocity of the droplet 271 used to update the delay time Tdl can be improved. Therefore, the delay time Tdl can be calculated more accurately by using the information on the speed of the appropriate droplet 271. Therefore, even when the target supply unit 26 moves, the pulsed laser light 33 can be emitted to the droplet 271 at an optimal timing.
  • FIG. 20 is a block diagram illustrating an exemplary hardware environment in which various aspects of the disclosed subject matter can be implemented.
  • the exemplary hardware environment 100 of FIG. 20 includes a processing unit 1000, storage unit 1005, user interface 1010, parallel I / O controller 1020, serial I / O controller 1030, A / D, D / A.
  • the converter 1040 may be included, the configuration of the hardware environment 100 is not limited to this.
  • the processing unit 1000 may include a central processing unit (CPU) 1001, a memory 1002, a timer 1003, and an image processing unit (GPU) 1004.
  • Memory 1002 may include random access memory (RAM) and read only memory (ROM).
  • the CPU 1001 may be any commercially available processor. Dual microprocessors or other multiprocessor architectures may be used as the CPU 1001.
  • FIG. 20 may be interconnected to perform the processes described in this disclosure.
  • the processing unit 1000 may read and execute a program stored in the storage unit 1005, and the processing unit 1000 may read data from the storage unit 1005 together with the program, and processing The unit 1000 may write data to the storage unit 1005.
  • the CPU 1001 may execute a program read from the storage unit 1005.
  • the memory 1002 may be a work area for temporarily storing a program executed by the CPU 1001 and data used for the operation of the CPU 1001.
  • the timer 1003 may measure a time interval and output the measurement result to the CPU 1001 according to the execution of the program.
  • the GPU 1004 may process image data according to a program read from the storage unit 1005, and may output the processing result to the CPU 1001.
  • the parallel I / O controller 1020 includes processes of the exposure apparatus control unit 61, the EUV light generation control unit 5, the calculation control unit 51, the image acquisition control unit 503, the droplet measurement control unit 504, the laser light traveling direction control unit 34, etc. It may be connected to parallel I / O devices that can communicate with the unit 1000, and may control communication between the processing unit 1000 and those parallel I / O devices.
  • the serial I / O controller 1030 can communicate with the processing unit 1000 such as the heater power supply 712, the piezo power supply 732, the pressure regulator 721, the light source 411a, the light source 421a, the light source 431a, the light source 441a, the stage 74 and the manipulator 226.
  • the A / D, D / A converter 1040 includes, via an analog port, a temperature sensor, a pressure sensor, various vacuum gauge sensors, a target sensor 4, a light sensor 412a, a light sensor 422a, a light sensor 432a, a light sensor 442a and an image sensor It may be connected to an analog device such as 602, may control communication between the processing unit 1000 and those analog devices, or may perform A / D and D / A conversion of communication contents.
  • the user interface 1010 may display the progress of the program executed by the processing unit 1000 to the operator so that the operator can instruct the processing unit 1000 to stop the program or execute the interrupt routine.
  • An exemplary hardware environment 100 includes an exposure apparatus control unit 61, an EUV light generation control unit 5, an arithmetic control unit 51, an image acquisition control unit 503, a droplet measurement control unit 504, and a laser light traveling direction control unit 34 according to the present disclosure. May be applied to the configuration of Those skilled in the art will appreciate that the controllers may be implemented in a distributed computing environment, ie, an environment where tasks are performed by processing units that are linked through a communications network.
  • the exposure apparatus control unit 61, the EUV light generation control unit 5, the calculation control unit 51, the image acquisition control unit 503, the droplet measurement control unit 504, and the laser light traveling direction control unit 34 May be connected to each other.
  • program modules may be stored on both local and remote memory storage devices.

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Abstract

　ＥＵＶ光を安定的に生成し得る。　極端紫外光生成装置は、極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲットをドロップレットとしてチャンバ内に出力することでプラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、ターゲット供給部から出力されるドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、ターゲット供給部を移動させるステージと、ターゲット供給部とプラズマ生成領域との間において、略垂直な方向に対して所定角度傾けて配置され、所定角度傾いた方向からドロップレットを検出するドロップレット検出器と、ドロップレット検出器においてドロップレットが検出されたタイミングに遅延時間を付加して、プラズマ生成領域でドロップレットにレーザ光を照射する照射タイミングを制御する演算制御部と、を備えてもよい。

Description

極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法
　本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置、及びその方法に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許第７０６８３６７号 米国特許第７５８９３３７号 米国特許出願公開第２０１２／０８０５８４号 国際公開ＷＯ２０１４／０４２００３号 特願２０１２－１９９３６０ 特願２０１３－１１４９６４
概要
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化され極端紫外光が生成されるチャンバと、前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に出力することで前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるステージと、前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記略垂直な方向に対して所定角度傾けて配置され、前記所定角度傾いた方向から前記ドロップレットを検出するドロップレット検出器と、前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングに遅延時間を付加して、前記プラズマ生成領域で前記ドロップレットに前記レーザ光を照射する照射タイミングを制御する演算制御部と、を備えてもよい。
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成方法は、レーザ光の照射によりプラズマ生成領域においてターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成方法であって、外部から前記プラズマ生成領域の位置を変更するためのプラズマ生成領域指示位置の情報を受信するステップと、前記情報に基づいて、前記ターゲットをドロップレットとして前記プラズマ生成領域指示位置に供給するターゲット供給部を移動させるステップと、前記情報に基づいて、前記レーザ光を前記プラズマ生成領域指示位置に集光するレーザ光集光光学系を移動させるステップと、前記ターゲット供給部により前記ターゲットを前記ドロップレットとして前記プラズマ生成領域指示位置に向けて出力させるステップと、前記ターゲット供給部から出力された前記ドロップレットの軌道と略垂直な方向に対して所定角度傾けて配置されたドロップレット検出器により、前記ドロップレットを検出するステップと、前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングと前記ターゲット供給部の移動距離及び前記所定角度とに基づいて、外部のレーザ装置に前記レーザ光を発振させるトリガ信号を出力するタイミングを定めるための遅延時間を算出するステップと、前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングに前記遅延時間を付加して、前記トリガ信号を出力するステップと、含んでもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ドロップレット検出器を含むＥＵＶ光生成装置の構成を示す。 図３は、図２に示されたＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器の構成を説明するための図を示す。 図４は、図２に示されたＥＵＶ光生成制御部におけるトリガ信号の出力までに係るタイムチャートを示す。 図５Ａは、ドロップレット検出器の構成を説明するための図を示す。 図５Ｂは、図５Ａに示されたドロップレット検出器の検出光軸とドロップレット軌道との関係を説明するための図を示す。 図６は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図７は、図６に示された演算制御部における動作を説明するためのフローチャートを示す。 図８は、図７に示された演算制御部におけるＸ位置補正処理を説明するためのフローチャートを示す。 図９は、図７に示された演算制御部におけるＹ位置補正処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１０は、図７に示された演算制御部におけるＺ位置補正処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１１は、図７に示された演算制御部におけるＥＵＶ光生成処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１２は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１３は、第２実施形態の演算制御部におけるトリガ信号の出力までに係るタイムチャートを示す。 図１４Ａは、第３実施形態のドロップレット検出器の拡大図を示す。 図１４Ｂは、図１４Ａに示されたドロップレット検出器のＡ－Ａ線における断面図を示す。 図１４Ｃは、図１４Ａに示された光源部からの照明光のＭ－Ｍ線における断面図を示す。 図１４Ｄは、図１４Ａに示された光センサによって生成される通過タイミング信号等の波形を示す。 図１５Ａは、第４実施形態のドロップレット検出器の拡大図を示す。 図１５Ｂは、図１５Ａに示されたドロップレット検出器のＢ－Ｂ線における断面図を示す。 図１５Ｃは、図１５Ａに示されたスリット板のＮ－Ｎ線における断面図を示す。 図１５Ｄは、図１５Ａに示された光センサによって生成される通過タイミング信号等の波形を示す。 図１６は、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１７は、図１６に示されたＥＵＶ光生成装置が備える画像計測器の構成を説明するための図を示す。 図１８は、図１７に示されたドロップレット計測制御部におけるドロップレット速度計測処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１９は、図１７に示された画像計測器の撮像部で撮像されたドロップレットの画像を示す。 図２０は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。
実施形態
～内容～
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　３．１　構成
　３．２　動作
４．ドロップレット検出器を含むＥＵＶ光生成装置
　４．１　構成
　４．２　動作
５．課題
６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部
　６．１　構成
　６．２　動作
　６．３　作用
７．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部
　７．１　構成
　７．２　動作
　７．３　作用
８．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部
　８．１　構成
　８．２　動作
　８．３　作用
９．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部
　９．１　構成
　９．２　動作
　９．３　作用
１０．第５実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える画像計測器
　１０．１　構成
　１０．２　動作
　１０．３　作用
１１．各制御部のハードウェア環境
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
［１．概要］
　本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。
　本開示におけるＥＵＶ光生成装置１は、内部のプラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７がレーザ光３３の照射によりプラズマ化されＥＵＶ光が生成されるチャンバ２と、前記ターゲット２７をドロップレット２７１として前記チャンバ２内に出力することで前記プラズマ生成領域２５に前記ターゲット２７を供給するターゲット供給部２６と、前記ターゲット供給部２６から出力される前記ドロップレット２７１の軌道Ｆに対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部２６を移動させるステージ７４と、前記ターゲット供給部２６と前記プラズマ生成領域２５との間において、前記略垂直な方向に対して所定角度傾けて配置され、前記所定角度傾いた方向から前記ドロップレット２７１を検出するドロップレット検出器４１と、前記ドロップレット検出器４１において前記ドロップレット２７１が検出されたタイミングに遅延時間を付加して、前記プラズマ生成領域２５で前記ドロップレット２７１に前記レーザ光３３を照射する照射タイミングを制御する演算制御部５１と、を備えてもよい。
　よって、本開示におけるＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４１の検出光軸が傾けて設置されている状況下において、ターゲット供給部２６が移動した場合であっても、ドロップレット２７１に最適のタイミングでパルスレーザ光３３を照射し得る。
［２．用語の説明］
　「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
　「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。
　「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。
［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
　［３．１　構成］
　図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
　ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌道、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
　［３．２　動作］
　図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
［４．ドロップレット検出器を含むＥＵＶ光生成装置］
　［４．１　構成］
　図２及び図３を用いて、ドロップレット検出器４１を含むＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
　図２では、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を導出する方向をＺ軸とする。Ｘ軸及びＹ軸は、Ｚ軸に直交し、且つ、互いに直交する軸とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。
　ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ２の中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向であってもよい。
　筒形状のチャンバ２の側面部には、チャンバ２外からチャンバ２内へターゲット２７を供給するためのターゲット供給路２ａが設けられてもよい。ターゲット供給路２ａは、筒形状に形成されてもよい。ターゲット供給路２ａの先端には、ターゲット供給孔２ｂが設けられてもよい。筒形状のターゲット供給路２ａの中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向に対して略直交してもよい。筒形状のターゲット供給路２ａの中心軸方向は、後述するレーザ光集光光学系２２ａからのパルスレーザ光３３の照射方向と略直交してもよい。
　チャンバ２が中空の球形状であれば、ターゲット供給路２ａは、チャンバ２の壁面部であってウインドウ２１及び接続部２９の設置されていない位置に設けられてもよい。
　チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光光学系２３ａと、ターゲット回収部２８と、プレート２２５及びプレート２３５と、マニュピレータ２２６とが備えられてもよい。
　プレート２３５は、チャンバ２の内側面に固定されてもよい。プレート２３５の中央には、その厚さ方向にパルスレーザ光３３が通過可能な孔２３５ａが設けられてもよい。孔２３５ａの開口方向は、図１における貫通孔２４及びプラズマ生成領域２５を通る軸と略同一方向であってもよい。
　プレート２３５の一方の面には、ＥＵＶ集光光学系２３ａが設けられてもよい。
　プレート２３５の他方の面には、マニュピレータ２２６を介してプレート２２５が設けられてもよい。
　プレート２３５の一方の面に設けられたＥＵＶ集光光学系２３ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３とホルダ２３１とを含んでもよい。
　ホルダ２３１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を保持してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３を保持するホルダ２３１は、プレート２３５に固定されてもよい。
　プレート２３５の他方の面に設けられたプレート２２５は、位置及び姿勢が、マニュピレータ２２６によって変更可能であってもよい。
　マニュピレータ２２６は、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の３軸方向に、プレート２２５を動かすアクチュエータを含んでもよい。
　マニュピレータ２２６のアクチュエータは、後述するＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。マニュピレータ２２６は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいてプレート２２５を動かしてもよい。それにより、プレート２２５の位置及び姿勢が変更されてもよい。
　プレート２２５には、レーザ光集光光学系２２ａが設けられてもよい。
　レーザ光集光光学系２２ａは、Ｚ軸と略平行な方向であってプラズマ生成領域２５に向けて、パルスレーザ光３３を照射してもよい。
　レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光ミラー２２と、ホルダ２２３及びホルダ２２４とを含んでもよい。
　レーザ光集光ミラー２２は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２を含んでもよい。
　ホルダ２２３は、軸外放物面ミラー２２１を保持してもよい。軸外放物面ミラー２２１を保持するホルダ２２３は、プレート２２５に固定されてもよい。
　ホルダ２２４は、平面ミラー２２２を保持してもよい。平面ミラー２２２を保持するホルダ２２４は、プレート２２５に固定されてもよい。
　軸外放物面ミラー２２１は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１及び平面ミラー２２２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
　平面ミラー２２２は、孔２３５ａ及び軸外放物面ミラー２２１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
　軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５がマニュピレータ２２６を介してプレート２２５の位置及び姿勢を変更することに伴って調整され得る。当該調整は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２に入射したパルスレーザ光３２の反射光であるパルスレーザ光３３が、プラズマ生成領域２５に集光するように実行され得る。
　ターゲット回収部２８は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が進行する方向の延長線上に配置されてもよい。
　また、チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット生成器７と、ドロップレット検出器４１とを備えてもよい。
　レーザ光進行方向制御部３４は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１とレーザ装置３との間に設けられてもよい。
　レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２と、ホルダ３４３及びホルダ３４４とを含んでもよい。
　ホルダ３４３は、高反射ミラー３４１を保持してもよい。ホルダ３４４は、高反射ミラー３４２を保持してもよい。
　ホルダ３４３及びホルダ３４４は、ＥＵＶ光生成制御部５に接続された図示しないアクチュエータによって位置及び姿勢が変更可能であってもよい。
　高反射ミラー３４１は、パルスレーザ光３１が出力されるレーザ装置３の出射口及び高反射ミラー３４２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
　高反射ミラー３４２は、チャンバ２のウインドウ２１及び高反射ミラー３４１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
　高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５によりホルダ３４３及びホルダ３４４の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２に入射したパルスレーザ光３１の反射光であるパルスレーザ光３２が、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１を透過するように実行され得る。
　ターゲット生成器７は、チャンバ２のターゲット供給路２ａの端部に設けられてもよい。ターゲット生成器７は、ターゲット供給部２６と、温度調節機構７１と、圧力調節機構７２と、ドロップレット形成機構７３と、ステージ７４とを備えてもよい。
　ターゲット供給部２６は、タンク２６１と、ノズル２６２とを含んでもよい。タンク２６１は、中空の筒形状に形成されてもよい。中空のタンク２６１の内部には、ターゲット２７が収容されてもよい。
　ターゲット２７を収容するタンク２６１の少なくとも内部は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。ターゲット２７と反応し難い材料は、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。
　ノズル２６２は、筒形状のタンク２６１の底面部に設けられてもよい。ノズル２６２は、チャンバ２のターゲット供給孔２ｂを通してチャンバ２の内部に配置されてもよい。ターゲット供給孔２ｂは、ターゲット供給部２６が設置されることで塞がれ得る。それにより、チャンバ２の内部は大気と隔絶され得る。
　ノズル２６２の少なくとも内面は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。
　パイプ状のノズル２６２の一端は、中空のタンク２６１に固定されてもよい。パイプ状のノズル２６２の他端には、図３に示すように、ノズル孔２６２ａが設けられてもよい。ノズル２６２の一端側にあるタンク２６１がチャンバ２の外部に位置し、ノズル２６２の他端側にあるノズル孔２６２ａがチャンバ２の内部に位置してもよい。ノズル２６２の中心軸方向の延長線上には、チャンバ２の内部にあるプラズマ生成領域２５が位置してもよい。タンク２６１、ノズル２６２、ターゲット供給路２ａ、及びチャンバ２は、その内部が互いに連通してもよい。
　ノズル孔２６２ａは、溶融したターゲット２７をチャンバ２内へジェット状に噴出するような形状で形成されてもよい。
　温度調節機構７１は、タンク２６１の温度を調節してもよい。
　温度調節機構７１は、図３に示すように、ヒータ７１１と、ヒータ電源７１２と、を含んでもよい。
　ヒータ７１１は、筒形状のタンク２６１の外側側面部に固定されてもよい。タンク２６１に固定されたヒータ７１１は、タンク２６１を加熱してもよい。タンク２６１を加熱するヒータ７１１は、ヒータ電源７１２と接続されてもよい。
　ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１に電力を供給してもよい。ヒータ７１１に電力を供給するヒータ電源７１２は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１への電力供給をＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。
　筒形状のタンク２６１の外側側面部には、図示しない温度センサが固定されてもよい。タンク２６１に固定された温度センサは、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。温度センサは、タンク２６１の温度を検出し、検出信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、温度センサから出力された検出信号に基づいて、ヒータ７１１へ供給する電力を調節し得る。
　上記構成によって温度調節機構７１は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいてタンク２６１の温度を調節し得る。
　圧力調節機構７２は、タンク２６１内の圧力を調節してもよい。圧力調節機構７２は、図３に示すように、圧力調節器７２１と、配管７２２と、ガスボンベ７２３とを含んでもよい。
　配管７２２は、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２の反対側と、圧力調節器７２１とを連結してもよい。配管７２２は、タンク２６１を含むターゲット供給部２６と圧力調節器７２１とを連通させ得る。
　配管７２２は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管７２２には、図示しないヒータが設置されてもよい。配管７２２内の温度は、ターゲット供給部２６のタンク２６１内の温度と略同じ温度に保たれてもよい。
　ガスボンベ７２３は、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されていてもよい。ガスボンベ７２３は、圧力調節器７２１を介して、タンク２６１内に不活性ガスを給気してもよい。
　圧力調節器７２１は、上述のように、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２とは反対側に配管７２２を介して設けられてもよい。
　圧力調節器７２１は、給気及び排気用の電磁弁や圧力センサ等を内部に含んでもよい。圧力調節器７２１は、圧力センサを用いてタンク２６１内の圧力を検出してもよい。
　圧力調節器７２１は、ガスボンベ７２３に連結されてもよい。圧力調節器７２１は、ガスボンベ７２３に充填された不活性ガスを、タンク２６１内に給気してもよい。
　圧力調節器７２１は、図示しない排気ポンプに連結されてもよい。圧力調節器７２１は、排気ポンプを動作させて、タンク２６１内のガスを排気してもよい。
　圧力調節器７２１は、タンク２６１内にガスを給気又はタンク２６１内のガスを排気することによって、タンク２６１内の圧力を加圧又は減圧し得る。
　圧力調節器７２１は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。圧力調節器７２１は、検出した圧力の検出信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。圧力調節器７２１は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力された制御信号が入力されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号は、圧力調節器７２１から出力された検出信号に基づいて、タンク２６１内の圧力が目標とする圧力になるよう圧力調節器７２１の動作を制御するための制御信号であってもよい。
　圧力調節器７２１は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいてタンク２６１内にガスを給気又はタンク２６１内のガスを排気してもよい。それにより、タンク２６１内の圧力は、目標とする圧力に調節され得る。
　上記構成によって圧力調節機構７２は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいて、圧力調節器７２１にてタンク２６１内の圧力を調節し得る。
　ドロップレット形成機構７３は、ノズル２６２からジェット状に噴出したターゲット２７の流れを周期的に分断し、ドロップレット２７１を形成してもよい。
　ドロップレット形成機構７３は、例えば、コンティニュアスジェット方式によりドロップレット２７１を形成してもよい。コンティニュアスジェット方式では、ノズル２６２を振動させてジェット状に噴出したターゲット２７の流れに定在波を与え、当該ターゲット２７を周期的に分離してもよい。分離されたターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。
　ドロップレット形成機構７３は、図３に示すように、ピエゾ素子７３１と、ピエゾ電源７３２とを含んでもよい。
　ピエゾ素子７３１は、パイプ状のノズル２６２の外側側面部に固定されてもよい。ノズル２６２に固定されたピエゾ素子７３１は、ノズル２６２に振動を与えてもよい。
ノズル２６２に振動を与えるピエゾ素子７３１は、ピエゾ電源７３２と接続されてもよい。
　ピエゾ電源７３２は、ピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。ピエゾ素子７３１に電力を供給するピエゾ電源７３２は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。ピエゾ電源７３２は、ピエゾ素子７３１への電力供給をＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。
　上記構成によってドロップレット形成機構７３は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいてドロップレット２７１を形成し得る。
　ドロップレット軌道Ｆは、ノズル孔２６２ａから出力されたドロップレット２７１が、プラズマ生成領域２５に向かって移動する軌道であってもよい。
　なお、ノズル孔２６２ａから出力されたドロップレット２７１が、プラズマ生成領域２５に向けて移動する方向を、「ドロップレットの進行方向」ともいう。
　ステージ７４は、Ｘ方向及びＺ方向の２軸方向に、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。ステージ７４は、ＸＺ面である二次元平面に沿って、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。ステージ７４は、ドロップレット軌道Ｆの方向に対して略垂直な方向へ、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。
　ステージ７４は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。ステージ７４には、ＥＵＶ光生成制御部５から出力された制御信号が入力されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が目標とする位置に到達するようにターゲット供給部２６の位置を調整するための制御信号であってもよい。
　ステージ７４は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいてターゲット供給部２６を移動させてもよい。それにより、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１のＸ方向及びＺ方向における位置は、ドロップレット２７１が目標とする位置に到達するように調整され得る。
　ドロップレット検出器４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１を検出してもよい。
　ドロップレット検出器４１は、図２に示すように、ターゲット供給路２ａの側面部の所定位置に設けられてもよい。ドロップレット検出器４１は、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間に位置し得る。
　ドロップレット検出器４１は、図３に示すように、光源部４１１と、受光部４１２とを備えてもよい。光源部４１１と受光部４１２とは、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の進行経路であるドロップレット軌道Ｆを挟んで互いに対向配置されてもよい。
　なお、図２および図３では、光源部４１１と受光部４１２との対向方向がＸ方向に略直交する方向であるように便宜的に記載されているが、図２および図３の記載は、光源部４１１と受光部４１２との対向方向を特定するための記載ではない。
　光源部４１１は、ドロップレット軌道Ｆを進行するドロップレット２７１に連続光である照明光を放射してもよい。ドロップレット２７１に照射される連続光は、連続レーザ光であってもよい。
　光源部４１１は、光源４１１ａと、照明光学系４１１ｂと、ウインドウ４１１ｃとを含んでもよい。
　光源４１１ａは、例えば、ＣＷ（Continuous Wave）レーザ出力器等の連続レーザ光を出力する光源であってもよい。連続レーザ光のビーム径は、ドロップレット２７１の直径（例えば２０μｍ）よりも十分に大きくてもよい。
　照明光学系４１１ｂは、レンズ等の光学素子を含んでもよい。光学素子は、レンズ等の透過型光学素子の他にミラー等の反射光学素子であってもよい。
　照明光学系４１１ｂは、光源４１１ａから放射された連続レーザ光を、ウインドウ４１１ｃを介してドロップレット軌道Ｆ上のドロップレット通過位置Ｐに集光してもよい。
　上記構成によって光源部４１１は、連続レーザ光をドロップレット軌道Ｆ上のドロップレット通過位置Ｐに向かって放射し得る。ドロップレット軌道Ｆを進行するドロップレット２７１がドロップレット通過位置Ｐに到達すると、光源部４１１から放射された連続レーザ光が当該ドロップレット２７１を照明し得る。
　受光部４１２は、光源部４１１から放射された連続レーザ光を受光し、連続レーザ光の光強度を検出してもよい。
　受光部４１２は、光センサ４１２ａと、受光光学系４１２ｂと、ウインドウ４１２ｃとを含んでもよい。
　受光光学系４１２ｂは、コリメータ等の光学系であってもよい。このコリメータ等の光学系は、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。受光光学系４１２ｂは、光源部４１１から放射された連続レーザ光を、ウインドウ４１２ｃを介して光センサ４１２ａに導いてもよい。
　光センサ４１２ａは、フォトダイオードを含む受光素子であってもよい。光センサ４１２ａは、受光光学系４１２ｂによって導かれた連続レーザ光の光強度を検出してもよい。
　光センサ４１２ａは、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。光センサ４１２ａは、検出した光強度の検出信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。
　上記構成によって受光部４１２は、光源部４１１から放射された連続レーザ光の光強度を検出してＥＵＶ光生成制御部５に出力し得る。ドロップレット２７１がドロップレット軌道Ｆ上のドロップレット通過位置Ｐに到達すると、ドロップレット２７１により遮蔽された連続レーザ光の受光部４１２における光強度は低下し得る。受光部４１２は、ドロップレット２７１の通過による光強度の変化に応じた信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力し得る。
　なお、ドロップレット２７１による光強度の変化に応じた信号を、「通過タイミング信号」ともいう。
　上記構成によってドロップレット検出器４１は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けて進行するドロップレット２７１を検出し、通過タイミング信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力し得る。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けて進行するドロップレット２７１が検出されたタイミングを検出し得る。特に、ドロップレット２７１がドロップレット軌道Ｆ上のドロップレット通過位置Ｐを通過したタイミングを検出し得る。
　なお、ドロップレット検出器４１がドロップレット２７１を検出したタイミングを「検出タイミング」ともいう。検出タイミングは、通過タイミング信号が閾値を下回ったタイミングであり得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成器７、及びドロップレット検出器４１の動作を統括的に制御してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ヒータ電源７１２に制御信号を出力して、ヒータ電源７１２を含む温度調節機構７１の動作を制御してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、圧力調節器７２１に制御信号を出力して、圧力調節器７２１を含む圧力調節機構７２の動作を制御してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ピエゾ電源７３２に制御信号を出力して、ピエゾ電源７３２を含むドロップレット形成機構７３の動作を制御してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ステージ７４に制御信号を出力して、ステージ７４の動作を制御してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６の制御部である露光装置制御部６１との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６の指令に基づいてＥＵＶ光生成システム１１全体の動作を統括的に制御してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、プラズマ生成指示位置の指示に関する露光装置６の指令に基づいて、ステージ７４及びマニュピレータ２２６を制御してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３の動作を制御してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光光学系２２ａのそれぞれのアクチュエータとの間で各々制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１～３３の進行方向及び集光位置を調整してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成器７と、ドロップレット検出器４１との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成器７及びドロップレット検出器４１の動作を制御してもよい。
　なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図２０を用いて後述する。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット検出器４１から出力された通過タイミング信号に基づいて、ドロップレット検出信号を生成してもよい。
　なお、ＥＵＶ光生成制御部５がドロップレット検出信号を生成したタイミングを「生成タイミング」ともいう。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット検出信号が生成されてから遅延時間Ｔｄｌだけ遅延したタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５から出力されるトリガ信号は、レーザ装置３がレーザ発振を行ってパルスレーザ光３１を出力する契機を与える信号であってもよい。
　遅延時間Ｔｄｌは、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングを、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに同期させるための遅延時間であってもよい。それにより、ドロップレット軌道Ｆ上のドロップレット通過位置Ｐを通過したドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、当該ドロップレット２７１にパルスレーザ光３３が照射され得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、予め入力された遅延時間Ｔｄｌを記憶してもよい。
　つまり、ＥＵＶ光生成制御部５は、生成タイミング及び遅延時間Ｔｄｌに基づいて、パルスレーザ光３３の照射タイミングを制御し得る。
　［４．２　動作］
　図４を用いて、ドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１におけるＥＵＶ光生成制御部５の動作の概要について説明する。
　図４は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されるレーザ装置３の出力タイミングを説明するための図である。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを制御してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５には、ドロップレット計測器４１から出力された通過タイミング信号が入力されてもよい。
　ドロップレット２７１がドロップレット通過位置Ｐを通過した場合に入力される通過タイミング信号の光強度は、上述したように、ドロップレット２７１がドロップレット通過位置Ｐを通過していない場合に入力される通過タイミング信号の光強度に比べて、低い値を示し得る。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、入力された通過タイミング信号の光強度が、閾値電圧Ｖｓよりも低い値を示した場合に、ドロップレット２７１がドロップレット通過位置Ｐを通過したと判定してもよい。この場合、ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット通過位置Ｐを通過したドロップレット２７１が検出されたとしてドロップレット検出信号を生成してもよい。
　なお、閾値電圧Ｖｓは、ドロップレット２７１がドロップレット通過位置Ｐを通過した場合に通過タイミング信号の光強度が取り得る範囲に基づいて予め定められ入力された閾値であってもよい。
　ドロップレット検出信号は、ドロップレット通過位置Ｐを通過したドロップレット２７１が検出されたことを示す信号であってもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット検出信号が生成されたタイミングから遅延時間Ｔｄｌだけ遅延したタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。
　上述したように、トリガ信号は、レーザ装置３がパルスレーザ光３１を出力する契機を与える信号であってもよい。
　また、遅延時間Ｔｄｌは、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングを、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに同期させるための遅延時間であってもよい。
　上記構成により、ＥＵＶ光生成制御部５は、入力された通過タイミング信号の光強度の変化に同期してトリガ信号をレーザ装置３に出力することにより、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを制御し得る。ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを、ドロップレット通過位置Ｐを通過したドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達したタイミングでパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるようなタイミングに制御し得る。
　それにより、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、当該ドロップレット２７１に対してパルスレーザ光３３が照射され得る。
　なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図２０を用いて後述する。
［５．課題］
　ドロップレット検出器４１は、ターゲット供給路２ａ（図２参照）の側面部において、ＥＵＶ光生成装置１の他の構成との配置の都合上、傾けて配置することがあり得る。
　具体的に、ドロップレット検出器４１における光源部４１１と受光部４１２との対向方向は、図５Ａに示すように、ドロップレット軌道Ｆと略直交する方向に対して、所定角度（図中θ）傾けて配置されることがあり得る。
　ここで、図５Ａに示す検出光軸は、光源部４１１から放射された照明光のうち受光部４１２によって検出される照明光の光路軸をいう。
　検出光軸は、図５Ａに示すようにドロップレット検出器４１が傾けて配置されると、ドロップレット軌道Ｆと略直交する方向に対して所定角度（図中θ）傾けて設定され得る。
　ここで、露光装置制御部６１は、プラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）に関する情報を出力し得る。
　ターゲット供給部２６は、露光装置制御部６１から出力されたプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）に基づき、移動し得る。説明のため、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動した場合を考える。
　この場合、ターゲット供給部２６のノズル孔２６２ａとドロップレット検出器４１の検出光軸との距離は、ドロップレット軌道Ｆの方向（Ｙ方向）において、変化し得る。
　図５Ｂは、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動する前後における、ドロップレット２７１の軌道とドロップレット検出器４１の検出光軸との関係を示す図である。
　図５Ｂは、図５Ａにおいて示す範囲Ｑの拡大図である。
　図５Ｂにおいて、ドロップレット軌道Ｏは、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動する前におけるドロップレット２７１の軌道を示し、ドロップレット軌道Ｍは、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動した後におけるドロップレット２７１の軌道を示す。
　図５Ｂにおいて、ドロップレット２７１の通過点Ｐ１は、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動する前におけるドロップレット軌道Ｏと検出光軸との交点である。
　ドロップレット２７１の通過点Ｐ２は、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動した後におけるドロップレット軌道Ｍと検出光軸との交点である。
　ここで、図５Ｂに示すように、ドロップレットの軌道Ｏと略直交する方向に対する検出光軸の傾斜角度をθ、ターゲット供給部２６のＺ方向への移動距離をΔＺとすると、ノズル孔２６２ａ（図３参照）から通過点Ｐ２までの距離は、ノズル孔２６２ａから通過点Ｐ１までの距離よりも、ΔＺ×ｔａｎθ長くなり得る。
　このため、ドロップレット軌道Ｍ上においてノズル孔２６２ａからドロップレット２７１が出力されてから通過点Ｐ２に到達するまでの時間は、ドロップレット軌道Ｏ上においてドロップレット２７１が出力されてから通過点Ｐ１へ到達する時間よりも長くなり得る。
　更に、ドロップレット２７１の速度をＶとすると、出力されてから通過点Ｐ２に到達するまでの時間は、出力されてから通過点Ｐ１に到達するまでの時間よりも、ΔＺ×ｔａｎθ／Ｖ遅くなり得る。
　このため、露光装置制御部６１からの指令に基づいてターゲット供給部２６をＺ方向に移動させる際には、Ｙ方向への移動を伴わなくても、ドロップレット２７１が検出光軸を通過するタイミングがずれてしまうことがあり得る。
　この場合、ドロップレット検出器４１からＥＵＶ光生成制御部５に出力される通過タイミング信号の変化するタイミングは、ずれてしまうことがあり得る。
　よって、ＥＵＶ光生成制御部５においてドロップレット検出信号が生成されるタイミングは、ずれてしまうことがあり得る。
　そして、ＥＵＶ光生成制御部５からレーザ装置３にトリガ信号が出力されるタイミングは、ずれてしまうことがあり得る。
　このため、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１へのパルスレーザ光３３の照射タイミングは、ずれてしまうことがあり得る。
　ドロップレット２７１へのパルスレーザ光３３の照射タイミングがずれてしまうことにより、ＥＵＶ光２５１の発生は、不安定になり得る。
　以上から、ドロップレット検出器４１が傾けて配置され、ターゲット供給部２６が移動した場合であっても、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１へのパルスレーザ光３３の照射タイミングを適正に調整し得る技術が望まれている。
［６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部］
　［６．１　構成］
　図６を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１及び演算制御部５１の構成について説明する。
　第１実施形態のターゲット生成器７の構成は、図２及び図３に示したターゲット生成器７の構成と同様であってもよい。
　第１実施形態のドロップレット検出器４１の構成において、図２及び図３に示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。
　ドロップレット検出器４１における検出光軸は、図６に示すように、ドロップレット軌道Ｆと略直交する方向に対して、所定角度（図中θ）傾けて配置されてもよい。
　また、検出光軸は、ステージ７４によりターゲット供給部２６が移動させられるＸＺ面に対して、傾けて配置されてもよい。
　ドロップレット検出器４１は、図６に示すように、ＸＺ面に対して傾けて配置されてもよい。
　演算制御部５１は、図６に示す構成により、露光装置制御部６１から出力されたプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）の情報を受信してもよい。
　演算制御部５１は、ステージ７４にプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）の情報を出力してもよい。演算制御部５１は、マニュピレータ２２６にプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）の情報を出力してもよい。
　演算制御部５１は、ドロップレット検出器４１から出力された通過タイミング信号を受信してもよい。
　演算制御部５１は、レーザ発振を行ってパルスレーザ光３１を出力する契機を与えるためのトリガ信号を、レーザ装置３へ出力してもよい。
　なお、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
　［６．２　動作］
　図７～図１１を用いて、図６に示すドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の動作の概要について説明する。
　ドロップレット検出器４１を備えるＥＵＶ光生成装置１の動作において、図２及び図３に示したＥＵＶ光生成装置１と同様の動作については説明を省略する。
　まず、図７を用いて、第１実施形態の演算制御部５１が含まれるＥＵＶ光生成装置１の動作の概要について説明する。
　ステップＳ１において、演算制御部５１は、プラズマ生成領域２５の初期設定情報としてのプラズマ生成初期位置（Ｘｉ，Ｙｉ，Ｚｉ）、及び初期遅延時間Ｔｄｌｉを、図示しないメモリから読み込んでもよい。プラズマ生成初期位置（Ｘｉ，Ｙｉ，Ｚｉ）、及び初期遅延時間Ｔｄｌｉは、オペレータによって入力されてもよい。
　演算制御部５１は、遅延時間Ｔｄｌとして初期遅延時間Ｔｄｌｉを設定してもよい。
　ステップＳ２において、演算制御部５１は、ドロップレット軌道Ｆ（図２参照）が、ＥＵＶ光が生成されるプラズマ生成初期位置（Ｘｉ，Ｙｉ，Ｚｉ）を通るように、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。
　演算制御部５１は、ステージ７４を制御することによってターゲット供給部２６を移動させてもよい。
　ステップＳ３において、演算制御部５１は、ＥＵＶ光が生成されるプラズマ生成初期位置（Ｘｉ，Ｙｉ，Ｚｉ）に、レーザ光集光光学系２２ａによる集光位置を移動させてもよい。
　レーザ光集光光学系２２ａによる集光位置は、マニュピレータ２２６を制御することによって移動させられてもよい。
　ステップＳ４において、演算制御部５１は、ＥＵＶ光が生成されるプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）が露光装置制御部６１から出力されたか否かを判定してもよい。
　演算制御部５１は、露光装置制御部６１からプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）の情報が出力されたと判定した場合には、ステップＳ５に移行してもよい。
　一方、演算制御部５１は、露光装置制御部６１からプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）の情報が出力されたと判定しなかった場合には、ステップＳ１２に移行してもよい。
　ステップＳ５において、演算制御部５１は、プラズマ生成初期位置（Ｘｉ，Ｙｉ，Ｚｉ）とプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）との差分値Δを、座標ごとに算出してもよい。
　ステップＳ６において、演算制御部５１は、Ｘ方向におけるプラズマ生成初期位置（Ｘｉ）とプラズマ生成指示位置（Ｘｃ）との差分値（ΔＸ）が、０であるか否か判定してもよい。
　演算制御部５１は、差分値（ΔＸ）が０ではないと判定した場合には、ステップＳ７に移行してもよい。
　一方、演算制御部５１は、差分値（ΔＸ）が０であると判定した場合には、ステップＳ８に移行してもよい。
　ステップＳ７において、演算制御部５１は、Ｘ位置補正処理を行ってもよい。
　Ｘ位置補正処理の詳細については、図８を用いて後述する。
　ステップＳ８において、演算制御部５１は、Ｙ方向におけるプラズマ生成初期位置（Ｙｉ）とプラズマ生成指示位置（Ｙｃ）との差分値（ΔＹ）が、０であるか否か判定してもよい。
　演算制御部５１は、差分値（ΔＹ）が０ではないと判定した場合には、ステップＳ９に移行してもよい。
　演算制御部５１は、差分値（ΔＹ）が０であると判定した場合には、ステップＳ１０に移行してもよい。
　ステップＳ９において、演算制御部５１は、Ｙ位置補正処理を行ってもよい。
　Ｙ位置補正処理の詳細については、図９を用いて後述する。
　ステップＳ１０において、演算制御部５１は、Ｚ方向におけるプラズマ生成初期位置（Ｚｉ）とプラズマ生成指示位置（Ｚｃ）との差分値（ΔＺ）が、０であるか否か判定してもよい。
　演算制御部５１は、差分値（ΔＺ）が０ではないと判定した場合には、ステップＳ１１に移行してもよい。
　演算制御部５１は、差分値（ΔＺ）が０であると判定した場合には、ステップＳ１２に移行してもよい。
　ステップＳ１１において、演算制御部５１は、Ｚ位置補正処理を行ってもよい。
　Ｚ位置補正処理の詳細については、図１０を用いて後述する。
　ステップＳ１２において、演算制御部５１は、ＥＵＶ光生成処理を行ってもよい。
　ＥＵＶ光生成処理の詳細については、図１１を用いて後述する。
　ステップＳ１３において、演算制御部５１は、ＥＵＶ光の生成を中止するか否かを判定してもよい。
　演算制御部５１は、ＥＵＶ光の生成を中止するための制御信号が露光装置制御部６１から出力された場合には、ＥＵＶ光の生成を中止すると判定し、本フローチャートの処理を終了してもよい。
　演算制御部５１は、ＥＵＶ光の生成を中止しないと判定した場合には、上述のステップＳ４に戻してもよい。
　図８を用いて、ドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のＸ位置補正処理の概要について説明する。Ｘ位置補正処理は、図７におけるステップＳ７であってもよい。
　ステップＳ７１において、演算制御部５１は、ステップＳ５において算出された差分値（ΔＸ）の情報に基づいて、以下のように、プラズマ生成初期位置（Ｘｉ）が設定されているプラズマ生成位置（Ｘ）に、上述の差分値（ΔＸ）を加えた値に設定してもよい。
　Ｘ＝Ｘ十ΔＸ
　ステップＳ７２において、演算制御部５１は、ステップＳ７１において設定された座標（Ｘ）に基づいて、ステージ７４を制御することにより、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。
　ステップＳ７３において、演算制御部５１は、ステップＳ７１において設定された座標（Ｘ）に基づいて、マニュピレータ２２６を制御することにより、レーザ光集光光学系２２ａによる集光位置を移動させてもよい。
　ここで、座標（Ｘ）の方向は、ターゲット供給部２６が移動可能な二次元平面（ＸＺ平面）に略平行な方向、かつ、検出光軸に垂直な方向であってもよい。
　なお、この座標（Ｘ）の方向を、「所定方向」ともいう。
　演算制御部５１は、図８に示すように、ターゲット供給部２６及びレーザ光集光光学系２２ａの移動される方向が座標（Ｘ）の方向である場合には、遅延時間Ｔｄｌを更新しなくてもよい。
　図９を用いて、ドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のＹ位置補正処理の概要について説明する。Ｙ位置補正処理は、図７におけるステップＳ９であってもよい。
　ステップＳ９１において、演算制御部５１は、ステップＳ５において算出された差分値（ΔＹ）の情報に基づいて、以下のように、プラズマ生成初期位置（Ｙｉ）が設定されているプラズマ生成位置（Ｙ）に、上述の差分値（ΔＹ）を加えた値に設定してもよい。
　Ｙ＝Ｙ十ΔＹ
　ステップＳ９２において、演算制御部５１は、ステップＳ９１において設定された座標（Ｙ）に基づいて、マニュピレータ２２６を制御することにより、レーザ光集光光学系２２ａによる集光位置を移動させてもよい。
　ステップＳ９３において、演算制御部５１は、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングを、座標（Ｙ）が変更されたプラズマ生成領域２５にドロップレット２７１が到達するタイミングに同期させる調整を行ってもよい。
　演算制御部５１は、ステップＳ５において算出された差分値（ΔＹ）の情報と、ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報とに基づいて、以下のように、プラズマ生成初期位置（Ｙｉ）とプラズマ生成指示位置（Ｙｃ）との差分値（ΔＹ）におけるドロップレット２７１の移動時間（ΔＴ）を算出してもよい。
　ΔＴ＝ΔＹ／Ｖ
　演算制御部５１は、ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報について、図示しないメモリから読み込んでもよい。ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報は、予めオペレータによってメモリに入力されていてもよい。
　ステップＳ９４において、演算制御部５１は、ステップＳ９３において算出された移動時間（ΔＴ）に基づいて、以下のように、初期遅延時間Ｔｄｌｉが設定されている遅延時間Ｔｄｌに移動時間（ΔＴ）を加えて、遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。
　Ｔｄｌ＝Ｔｄｌ＋ΔＴ
　なお、本ステップＳ９４において更新された遅延時間Ｔｄｌを、「第１遅延時間」ともいう。
　演算制御部５１は、図９に示すように、ターゲット供給部２６及びレーザ光集光光学系２２ａの移動される方向が座標（Ｙ）の方向である場合には、遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。
　つまり、演算制御部５１は、ターゲット供給部２６及びレーザ光集光光学系２２ａの移動される方向が所定方向である座標（Ｘ）の方向ではない場合に、遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。
　図１０を用いて、ドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のＺ位置補正処理の概要について説明する。Ｚ位置補正処理は、図７におけるステップＳ１１であってもよい。
　ステップＳ１１１において、演算制御部５１は、ステップＳ５において算出された差分値（ΔＺ）の情報に基づいて、以下のように、プラズマ生成初期位置（Ｚｉ）が設定されているプラズマ生成位置（Ｚ）に、上述の差分値（ΔＺ）を加えた値に設定してもよい。
　Ｚ＝Ｚ十ΔＺ
　ステップＳ１１２において、演算制御部５１は、ステップＳ１１１において設定された座標（Ｚ）に基づいて、ステージ７４を制御することにより、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。
　ステップＳ１１３において、演算制御部５１は、ステップＳ１１１において設定された座標（Ｚ）に基づいて、マニュピレータ２２６を制御することにより、レーザ光集光光学系２２ａによる集光位置を移動させてもよい。
　ステップＳ１１４において、演算制御部５１は、図５Ｂに示したように、ドロップレットの軌道Ｏと略直交する方向に対する検出光軸の傾斜角度θの情報と、ターゲット供給部２６のＺ方向への移動の長さである所定距離ΔＺの情報とに基づいて、以下のように、Ｙ方向における通過点Ｐ１と通過点Ｐ２との距離（ΔＹｚ）を算出してもよい。
　ΔＹｚ＝ΔＺ×ｔａｎθ
　演算制御部５１は、ドロップレット検出器４１の検出光軸の傾斜角度（θ）の情報について、図示しないメモリから読み込んでもよい。傾斜角度（θ）の情報は、予めオペレータによってメモリに入力されていてもよい。
　ステップＳ１１５において、演算制御部５１は、ステップＳ１１４において算出された距離（ΔＹｚ）の情報と、ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報とに基づいて、以下のように、ドロップレット２７１がノズル孔２６２ａから出力されてから通過点Ｐ１に到着するまでの時間と、ドロップレット２７１がノズル孔２６２ａから出力されてから通過点Ｐ２に到着するまでの時間との時間差（ΔＴｚ）を算出してもよい。
　ΔＴｚ＝ΔＹｚ／Ｖ
　演算制御部５１は、ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報について、図示しないメモリから読み込んでもよい。
　ステップＳ１１６において、演算制御部５１は、ステップＳ１１５において算出された時間差（ΔＴｚ）に基づいて、以下のように、当該時間差（ΔＴｚ）を加えて遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。
　Ｔｄｌ＝Ｔｄｌ＋ΔＴｚ
　時間差（ΔＺ×ｔａｎθ／Ｖ）が加算される遅延時間Ｔｄｌは、図９のステップＳ９４に示すように、ターゲット供給部２６のＹ方向への移動に伴って移動時間（ΔＴ）が加算されて更新されている場合には、追加的に時間差（ΔＴｚ）を加えて更に更新してもよい。
　なお、本ステップＳ１１６において加算される時間差（ΔＺ×ｔａｎθ／Ｖ）を、「第２遅延時間」ともいう。
　演算制御部５１は、図１０に示すように、ターゲット供給部２６及びレーザ光集光光学系２２ａの移動される方向が座標（Ｚ）の方向であって、所定方向である座標（Ｘ）の方向ではない場合に、遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。
　ここで、ターゲット供給部２６及びレーザ光集光光学系２２ａの移動される座標（Ｚ）の方向は、所定方向である座標（Ｘ）の方向とドロップレット軌道Ｄの方向とを含む平面（ＸＹ平面）内における方向とは、異なってもよい。
　つまり、Ｚ位置補正処理において演算制御部５１は、所定方向とドロップレット軌道Ｄの方向とを含む平面（ＸＹ平面）内における方向以外の方向への移動を伴う場合に、遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。
　そして、演算制御部５１は、図９のステップＳ９４に示すように、ターゲット供給部２６のＹ方向への移動に伴って移動時間（ΔＴ）が加算されている場合には、遅延時間Ｔｄｌを更に更新してもよい。
　図１１を用いて、図６に示すドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１におけるＥＵＶ光生成制御部５及び演算制御部５１のＥＵＶ光生成処理の概要について説明する。ＥＵＶ光生成処理は、図７におけるステップＳ１２であってもよい。
　ステップＳ１２１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７１をチャンバ２内に出力するため、ターゲット供給部２６を制御してもよい。
　なお、ターゲット供給部２６からチャンバ２内にドロップレット２７１が出力される周期を、ドロップレット２７１の「生成周期」ともいう。
　ステップＳ１２２において、演算制御部５１は、ドロップレット検出器４１から入力されている通過タイミング信号が閾値を超えたか否かを判定してもよい。
　演算制御部５１は、通過タイミング信号が閾値を超えたと判定した場合には、ステップＳ１２３に移行してもよい。
　一方、演算制御部５１は、通過タイミング信号が閾値を超えなかったと判定しなかった場合には、ステップＳ１２２に戻してもよい。
　ステップＳ１２３において、演算制御部５１は、ドロップレット検出器４１から入力された通過タイミング信号に基づき、ドロップレット検出信号を生成してもよい。
　ステップＳ１２４において、演算制御部５１は、生成されたドロップレット検出信号から遅延時間Ｔｄｌだけ遅延したタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。
　この後、レーザ装置３は、レーザ発振を行い、パルスレーザ光３１を出力してもよい。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経由して、パルスレーザ光３２としてチャンバ２内に導入され得る。チャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２ａにて集光され、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に導かれ得る。
　なお、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１の動作と同様であってもよい。
　［６．３　作用］
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４１の検出光軸が傾けて設置されている状況下において、ターゲット供給部２６が移動した場合であっても、ドロップレット２７１に最適のタイミングでパルスレーザ光３３を照射し得る。
　そして、ＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５で実際に生成されるプラズマ光の位置を、露光装置制御部６１の指令により定められたプラズマ生成指示位置に略一致させ得る。
　このため、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、適正に生成されたＥＵＶ光２５２を安定して露光装置６へ導出し得る。
［７．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部］
　［７．１　構成］
　図１２及び図１３を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４２の構成について説明する。
　第２実施形態におけるドロップレット検出器４２は、第１実施形態におけるドロップレット検出器４１の別の実施形態であってもよい。
　第２実施形態のドロップレット検出器４２の構成において、図２、図３、図５Ａ及び図６に示したドロップレット検出器４１と同様の構成については説明を省略する。
　ドロップレット検出器４２における光源部４２１及び受光部４２２は、ＹＺ平面においてドロップレット軌道Ｆからみて、一方側（Ｚ方向側）に配置されてもよい。
　第２実施形態における光源部４２１及び受光部４２２は、ドロップレット軌道Ｆを挟んだ位置に配置することなく、ドロップレット軌道Ｆに対して、一方側に配置し得る。
　光源部４２１は、図１２に示すように、光源４２１ａからの照明光をコリメータ等の照明光学系４２１ｂにより、ドロップレット軌道Ｆにおけるドロップレット２７１の通過位置Ｐｌ及びその周辺に導いてもよい。
　ドロップレット２７１は、ドロップレット軌道Ｆに沿って進行することにより、光源部４２１からの照明光を反射して、反射光を発してもよい。
　受光部４２２は、ドロップレット２７１が発した反射光を受光してもよい。
　ドロップレット軌道Ｆまで導かれた照明光のＹ方向における照射範囲（図中Ｌ１）の長さは、隣接するドロップレット２７１との間隔（図中Ｌ２）よりも短くてもよい。
　また、受光部４２２は、光センサ４２２ａと受光光学系４２２ｂとの間に、不図示のスリット板を配置してもよい。
　スリット板は、ドロップレット軌道Ｆにおける一つのドロップレット２７１のみからの反射光を検出するように、光センサ４２２ａへの反射光の入射範囲を制限してもよい。
　図１２に示す検出光軸は、光源部４２１から放射された照明光を受けてドロップレット２７１が発する反射光のうち、受光部４２２によって検出される反射光の光路軸をいう。
　検出光軸は、図１２に示すように受光部４２２が傾けて配置されると、ドロップレット軌道Ｆと略直交する方向に対して所定角度（図中θ）傾けて設定され得る。
　なお、第２実施形態のドロップレット検出器４２の他の構成については、図２、図３、図５Ａ及び図６に示されたドロップレット検出器４１の構成と同様であってもよい。
　［７．２　動作］
　図１３を用いて、第２実施形態のドロップレット検出器４２を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の動作について説明する。
　図１３は、ドロップレット検出器４２を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のトリガ信号の生成までに係るタイムチャートである。
　図１３に示す演算制御部５１の動作において、図４に示したＥＵＶ光生成制御部５と同様の動作については説明を省略する。
　ドロップレット２７１は、所定の生成周期でチャンバ２内に出力され、ドロップレット軌道Ｆ上の通過位置Ｐｌを通過してもよい。
　このとき、演算制御部５１は、ドロップレット検出器４２から出力される通過タイミング信号に基づいて、レーザ装置３へ出力するトリガ信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。
　ドロップレット検出器４２における光源部４２１は、ドロップレット軌道Ｆにおけるドロップレット２７１の通過位置Ｐｌ及びその周辺に向けて、連続光を発光し得る。
　受光部４２２は、通過位置Ｐｌに到達したドロップレット２７１が発した反射光を受光してもよい。
　受光部４２２における受光量は、ドロップレット軌道Ｆ上の通過位置Ｐｌにおいてドロップレット２７１が通過することに同期して、上昇し得る。
　ドロップレット検出器４２は、通過タイミング信号を演算制御部５１にそのまま出力してもよい。
　演算制御部５１は、入力された通過タイミング信号Ｓｐに対して、図１３の上段に示すように、閾値電圧Ｖｓを設定していてもよい。
　演算制御部５１は、図１３の中段に示すように、通過タイミング信号Ｓｐが閾値電圧Ｖｓよりも上昇したタイミングで、ドロップレット検出信号Ｓｃを生成してもよい。
　演算制御部５１は、ドロップレット検出信号Ｓｃが生成されると、図１３の下段に示すように、当該ドロップレット検出信号Ｓｃが生成された時点から遅延時間Ｔｄｌだけ遅延して、レーザ装置３へ出力するためのトリガ信号を生成してもよい。
　演算制御部５１は、トリガ信号の生成とともに、レーザ装置３にトリガ信号を出力してもよい。
　レーザ装置３は、トリガ信号が入力されると、パルスレーザ光３３をプラズマ生成領域２５に照射し得る。
　なお、第２実施形態のドロップレット検出器４２の他の動作については、図４に示されたドロップレット検出器４１の動作と同様であってもよい。また、第２実施形態のドロップレット検出器４２を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の他の動作については、図６に示すドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の動作と同様であってもよい。
　［７．３　作用］
　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４２における受光部４２２の検出光軸が、ドロップレット軌道Ｆに対して傾けて配置されていても、適切なタイミングで通過タイミング信号Ｓｐ及びドロップレット検出信号Ｓｃを生成し得る。
　このため、ターゲット供給部２６が移動した場合であっても、ドロップレット２７１に最適のタイミングでパルスレーザ光３３を照射し得る。
　また、光源部４２１及び受光部４２２の配置は、ドロップレット軌道Ｆに対して、一方側に配置し得る。このため、ドロップレット検出器４２の大きさは、小型化が可能となり得る。
［８．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部］
　［８．１　構成］
　図１４Ａ～図１４Ｃを用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４３の構成について説明する。
　第３実施形態におけるドロップレット検出器４３は、第１実施形態におけるドロップレット検出器４１及び第２実施形態におけるドロップレット検出器４２の別の実施形態であってもよい。
　第３実施形態のドロップレット検出器４３の構成において、図２、図３、図５Ａ、図６及び図１２に示したドロップレット検出器と同様の構成については説明を省略する。
　図１４Ａに示す検出光軸は、光源部４３１から放射された照明光のうち受光部４３２によって検出される照明光の光路軸をいう。
　検出光軸は、図１４Ａに示すようにドロップレット検出器４３が傾けて配置されると、ドロップレット軌道Ｆと略直交する方向に対して所定角度（図中θ）傾けて設定され得る。
　照明光学系４３１ｂは、平面と凸面とを有する平凸シリンドリカルレンズであってもよい。平凸シリンドリカルレンズにおける凸面の中心軸は、検出光軸と、ドロップレット軌道Ｆとに対して、略直交させて配置してもよい。
　図１４Ｂは、図１４Ａに示されたドロップレット検出器４３を、ドロップレット２７１の進行方向の上流側から見たＡ－Ａ断面図であってもよい。
　想定軌道範囲Ｐａは、露光装置制御部６１から出力されるプラズマ生成指示位置（Ｘｃ）のとり得る範囲に基づいて、決定された範囲であってもよい。想定軌道範囲Ｐａは、図１４Ｂに示すドロップレット検出領域Ｋに含まれる領域であってもよい。
　ここで、ドロップレット検出領域Ｋは、ドロップレット検出器４３によりドロップレット２７１を検出可能とする最大の範囲として、ドロップレット検出器４３の構成によって設定されてもよい。
　したがって、ドロップレット検出器４３は、プラズマ生成指示位置（Ｘｃ）の取り得る範囲に到達するドロップレット２７１のすべてを検出できるよう構成されてもよい。
　光源部４３１から放射された照明光は、照明光学系４３１ｂによりドロップレット検出領域Ｋ内にて一旦集光され拡散しつつ受光部４３２に入射されてもよい。
　光源４３１ａは、光束の断面が円形である照明光を、照明光学系４３１ｂに向けて出力してもよい。
　照明光学系４３１ｂは、光源４３１ａから出力された照明光の光束の断面を、楕円形に変換して、ドロップレット検出領域Ｋ内に集光してもよい。
　想定軌道範囲Ｐａにおける照明光の光束の断面は、長軸方向がＸ方向と略一致する楕円形となってもよい。
　また、楕円形状の照明光の光束断面における短軸方向の長さは、ドロップレット２７１の径と略同じ長さであってもよい。
　なお、図１４Ａ及び図１４Ｂにおいて、想定軌道範囲Ｐａの範囲は、見やすいように実際より大きく示されているが、図示された範囲より小さくてもよい。
　楕円形状の照明光の光束断面におけるＸ方向に沿った長さは、ドロップレット検出領域Ｋに基づいて決定されてもよい。
　楕円形状の照明光の光束断面における長軸方向は、ターゲット供給部２６が移動可能な二次元平面に略平行な方向であるとともに、検出光軸に垂直な方向である、所定方向と略一致してもよい。
　ドロップレット２７１は、ドロップレット軌道Ｆに沿って進行し、光源部４３１と受光部４３２との間である想定軌道範囲Ｐａに到達することにより、ドロップレット検出器４３にて検出されてもよい。
　ドロップレット２７１は、－Ｙ方向に移動して想定軌道範囲Ｐａに到達したときに、図１４Ｃに示すように、光源部４３１から受光部４３２に向けて放射された光の一部を遮ってもよい。これにより、受光部４３２へ入射する光量が変化し得る。
　ドロップレット軌道Ｆは、図１４Ｃに示すように、Ｘ方向にずれる場合があり得る。
　これは、ターゲット供給部２６のノズル孔２６２ａの周囲の状態（濡れ性など）が変化することに起因し得る。
　また、ターゲット供給部２６をステージ７４によって移動させることに起因し得る。
　ドロップレット軌道Ｆは、想定軌道範囲Ｐａのほぼ中央を通る場合もあり得るし（軌道Ａ）、想定軌道範囲Ｐａの中央からＸ方向に少しずれた位置を通る場合もあり得る（軌道Ｂ、軌道Ｃ）。
　また、ドロップレット軌道Ｆは、想定軌道範囲Ｐａの端部付近を通る場合もあり得る（軌道Ｄ）。
　ドロップレット軌道Ｆが想定軌道範囲Ｐａのほぼ中央を通る場合（軌道Ａ）に比べて、Ｘ方向に少しずれた位置を通る場合には（軌道Ｂ、軌道Ｃ）、ドロップレット２７１が光源部４３１からの照明光の一部を遮る時間が僅かに短くなり得る。
　ドロップレット軌道Ｆが想定軌道範囲Ｐａの端部付近を通る場合には（軌道Ｄ）、ドロップレット２７１が光源部４３１からの照明光の一部を遮る時間がもう少し短くなり得る。
　以上から、想定軌道範囲Ｐａにおける照明光の光束断面を楕円形状としているので、ドロップレット２７１が想定軌道範囲Ｐａに到達するタイミングのずれは、ドロップレット軌道ＦがＸ方向にずれた場合であっても、僅かとなり得る。
　なお、第３実施形態のドロップレット検出器４３の他の構成については、図２、図３、図５Ａ、図６及び図１２に示されたドロップレット検出器の構成と同様であってもよい。
　［８．２　動作］
　図１４Ｄを用いて、第３実施形態のドロップレット検出器４３を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の動作について説明する。
　図１４Ｄは、ドロップレット検出器４３を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のドロップレット検出信号の生成までに係るタイムチャートである。
　図１４Ｄに示す演算制御部５１の動作において、図４及び図１３にて説明した動作と同様の動作については説明を省略する。
　ドロップレット検出器４３は、ドロップレット２７１が想定軌道範囲Ｐａに到達することで、演算制御部５１に出力される通過タイミング信号が変化してもよい。
　演算制御部５１は、ドロップレット検出器４３から出力された通過タイミング信号に基づき、図１４Ｄに示すように、ドロップレット検出信号Ｓｃを生成してもよい。
　図１４Ｄに示すように、ドロップレット軌道ＦがＸ方向にずれても、ドロップレット検出器４３から出力される通過タイミング信号が変化するタイミングのずれが僅かとなることから、ドロップレット検出信号Ｓｃの生成されるタイミングのずれは、僅かになり得る。
　なお、第３実施形態のドロップレット検出器４３の他の動作については、図４及び図１３に示されたドロップレット検出器の動作と同様であってもよい。
　［８．３　作用］
　第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４３が想定軌道範囲Ｐａにおける照明光の光束断面を楕円形状としているので、ドロップレット軌道ＦがＸ方向にずれても、ドロップレット検出信号の生成されるタイミングのずれが僅かになり得る。
　これにより、ドロップレット２７１の軌道がＸ方向にずれても、レーザ装置３がパルスレーザ光を出力するタイミングのずれが僅かになり得る。
［９．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部］
　［９．１　構成］
　図１５Ａ～図１５Ｃを用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４４の構成について説明する。
　第４実施形態におけるドロップレット検出器４４は、第１実施形態におけるドロップレット検出器４１、第２実施形態におけるドロップレット検出器４２及び第３実施形態におけるドロップレット検出器４３とは別の実施形態であってもよい。
　第４実施形態のドロップレット検出器４４の構成において、図２、図３、図５Ａ、図６、図１２、図１４Ａ、図１４Ｂ及び図１４Ｃに示したドロップレット検出器と同様の構成については説明を省略する。
　受光部４４２は、光センサ４４２ａと、受光光学系４４２ｂと、ウインドウ４４２ｃと、スリット板４４２ｄを含んでもよい。
　スリット板４４２ｄは、検出光軸に対して略垂直に配置されてもよい。スリット板４４２ｄには、Ｘ方向に沿って長い長方形のスリット４４２ｅが形成されていてもよい。
　スリット板４４２ｄは、スリット４４２ｅに入射する光を光センサ４４２ａ側へ通過させ、スリット４４２ｅの周囲に到達する光の通過を制限し得る。スリット４４２ｅを通過した光は、光センサ４４２ａによって検出され得る。
　受光光学系４４２ｂは、複数のレンズ（凸レンズ）等の光学素子によって構成されていてもよい。
　受光光学系４４２ｂは、ドロップレット軌道Ｆにおいて想定軌道範囲Ｐａを通過するとともに光源部４４１からの照明光を受けるドロップレット２７１の影の像を、スリット４４２ｅの位置に形成するように構成されてもよい。受光光学系４４２ｂによってスリット４４２ｅの位置に形成される像はドロップレット２７１の倒立像であってもよい。
　ここで、図１５Ｂは、図１５Ａに示されたドロップレット検出器４４を、ドロップレット２７１の進行方向の上流側から見たＢ－Ｂ断面図であってもよい。
　図１５Ｃは、図１５Ａに示したスリット板４４２ｄを通過する光の進行方向に略垂直なＮ－Ｎ断面図であってもよい。
　ドロップレット２７１の像は、図１５Ｃに示すように、スリット４４２ｅの位置において倒立像として形成されるため、ドロップレット２７１が－Ｙ方向に進行する場合には、ドロップレット２７１の像は、図１５Ｃの上方向に移動し得る。
　すなわち、ドロップレット２７１の像は、図１５Ｃにおける下方の位置から、スリット４４２ｅの位置を通って、図１５Ｃにおける上方の位置に移動し得る。
　図１５Ｃに示されるように、ドロップレット２７１の像がスリット４４２ｅの位置に到達したときには、ドロップレット２７１により遮光されてスリット４４２ｅを通過する光の光量は、低下し得る。このとき、光センサ４４２ａの受光素子が受光する受光量は、減少し得る。
　ドロップレット検出器４４は、ドロップレット２７１の像がスリット４４２ｅの位置に到達した際の、光センサ４４２ａにおける受光光量の変化に基づいて、通過タイミング信号を生成してもよい。
　スリット４４２ｅの形状は、図１５Ｃに示されるように、Ｘ方向に沿って長い長方形であってもよい。スリット４４２ｅの形状は、長辺方向の長さが、想定軌道範囲Ｐａよりも大きいドロップレット検出領域Ｋに基づいて決定されてもよい。スリット４４２ｅの形状は、短辺方向の長さがドロップレット２７１の径と略同じ長さであってもよい。
　この形状により、図１５Ｃに示すように、ドロップレット軌道ＦがＸ方向にずれても、スリット４４２ｅにおいてドロップレット２７１の像が形成されるタイミングのずれは、抑制され得る。
　なお、第４実施形態のドロップレット検出器４４の他の構成については、図２、図３、図５Ａ、図６、図１２及び図１４Ａ～図１４Ｃに示されたドロップレット検出器の構成と同様であってもよい。
　［９．２　動作］
　図１５Ｄを用いて、第４実施形態のドロップレット検出器４４を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の動作について説明する。
　図１５Ｄは、ドロップレット検出器４４を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のドロップレット検出信号の生成までに係るタイムチャートである。
　図１５Ｄに示す演算制御部５１の動作において、図４、図１３及び図１４Ｄにて説明した動作と同様の動作については説明を省略する。
　ドロップレット検出器４４は、ドロップレット２７１が想定軌道範囲Ｐａに到達することで、演算制御部５１に出力される通過タイミング信号が変化してもよい。
　演算制御部５１は、ドロップレット検出器４４から出力された通過タイミング信号に基づき、図１５Ｄに示すように、ドロップレット検出信号Ｓｃを生成してもよい。
　図１５Ｄに示すように、ドロップレット軌道ＦがＸ方向にずれても、ドロップレット検出器４４から出力される通過タイミング信号が変化するタイミングのずれが抑制されるため、ドロップレット検出信号Ｓｃの生成されるタイミングのずれは、抑制され得る。
　なお、第４実施形態のドロップレット検出器４４の他の動作については、図４、図１３及び図１４Ｄに示されたドロップレット検出器の動作と同様であってもよい。
　［９．３　作用］
　第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４４内に長方形のスリット４３２ｅが施されたスリット板４４２ｄを配置したため、Ｘ方向においてドロップレット２７１の通過位置が変わったとしても、通過タイミング信号が変化するタイミングを略一致させ得る。
　よって、Ｘ方向においてドロップレット２７１の通過位置が変わったとしても、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１にパルスレーザ光３３を照射するタイミングが変化してしまうことを抑制し得る。
［１０．第５実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える画像計測器］
　［１０．１　構成］
　図１６及び図１７を用いて、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測器６０の構成について説明する。
　第５実施形態のターゲット生成器７の構成は、図２、図３及び図６に示したターゲット生成器７の構成と同様であってもよい。
　第５実施形態のドロップレット検出器４１の構成は、図５Ａ、図６に示したドロップレット検出器４１の構成と同様であってもよい。
　また、第５実施形態のドロップレット検出器４１は、図１２、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１５Ａ及び図１５Ｂに示したドロップレット検出器４２、４３及び４４と置き換えられてもよい。
　第５実施形態の演算制御部５１の構成は、図６に示した演算制御部５１の構成と同様であってもよい。
　なお、第５実施形態のドロップレット検出器４１の構成において、図２、図３、図５Ａ、図６に示したドロップレット検出器４１と同様の構成については説明を省略する。
　また、第５実施形態の演算制御部５１の構成において、図６に示した演算制御部５１と同様の構成については説明を省略する。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成器７、ドロップレット検出器４１、及び画像計測器６０の動作を制御してもよい。
　演算制御部５１には、画像計測器６０から画像データに係る信号が入力されてもよい。
　画像計測器６０は、チャンバ２内のドロップレット軌道Ｆにおけるドロップレット２７１を撮像し、その画像データを生成してもよい。
　画像計測器６０は、光源部６０１と、撮像部６０２と、画像取得制御部６０３と、ドロップレット計測制御部６０４とを備えてもよい。
　画像計測器６０は、ノズル２６２とドロップレット検出器４１との間に配置されてもよい。
　光源部６０１と撮像部６０２とは、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１のドロップレット軌道Ｆを挟んで互いに対向配置されてもよい。
　光源部６０１と撮像部６０２との対向方向は、ドロップレット軌道Ｆと略直交してもよい。
　光源部６０１は、ドロップレット軌道Ｆを進行するドロップレット２７１にパルス光を照射してもよい。
　光源部６０１は、光源６０１ａと、照明光学系６０１ｂと、ウインドウ６０１ｃとを含んでもよい。
　光源６０１ａは、例えば、キセノンフラッシュランプやレーザ光源等のパルス点灯する光源であってもよい。
　光源部６０１に含まれる光源６０１ａの点灯を開始させてから終了させるまでの時間を、「点灯時間ΔＴ」ともいう。光源６０１ａの点灯時間ΔＴは、ターゲット生成器７からチャンバ２内にドロップレット２７１が出力される生成周波数が１００ｋＨｚの場合、例えば、１μｓ～５μｓの所定の時間であってもよい。
　光源６０１ａは、ドロップレット計測制御部６０４と接続されてもよい。光源６０１ａは、ドロップレット計測制御部６０４から出力された点灯信号に基づいてパルス点灯して、パルス光を発光してもよい。
　照明光学系６０１ｂは、コリメータ等の光学系であってよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。照明光学系６０１ｂは、光源６０１ａから発光されたパルス光を、ウインドウ６０１ｃを介してドロップレット軌道Ｆ上に導いてもよい。
　上記構成によって光源部６０１は、ドロップレット計測制御部６０４から出力された点灯信号に基づいて、パルス光をドロップレット軌道Ｆに向かって照射し得る。光源部６０１から照射されたパルス光は、光源部６０１と撮像部６０２との間のドロップレット軌道Ｆを進行するドロップレット２７１を照射し得る。
　撮像部６０２は、光源部６０１によってパルス光が照射されたドロップレット２７１の影の像を撮像してもよい。
　撮像部６０２は、イメージセンサ６０２ａと、転写光学系６０２ｂと、ウインドウ６０２ｃとを含んでもよい。
　転写光学系６０２ｂは、一対のレンズ等の光学素子であってもよい。転写光学系６０２ｂは、ウインドウ６０２ｃを介して導かれたドロップレット２７１の影を、イメージセンサ６０２ａの受光面に結像してもよい。
　イメージセンサ６０２ａは、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等の２次元イメージセンサであってもよい。イメージセンサ６０２ａは、図示しないシャッタを備えていてもよい。そして、イメージセンサ６０２ａは、転写光学系６０２ｂによって結像されたドロップレット２７１の影の像を、撮像してもよい。イメージセンサ６０２ａの時間的な撮像間隔は、光源６０１ａの点灯時間ΔＴよりも十分に長くてもよい。イメージセンサ６０２ａの時間的な撮像間隔は、例えば０．１ｓ～１ｓであってもよい。
　なお、撮像部６０２に含まれるイメージセンサ６０２ａの時間的な撮像間隔を、画像計測器６０の「計測間隔Ｋ」ともいう。
　イメージセンサ６０２ａは、ドロップレット計測制御部６０４と接続されてもよい。イメージセンサ６０２ａは、ドロップレット計測制御部６０４からのシャッタ信号に基づいてシャッタを開閉して、ドロップレット２７１の影の像を撮像してもよい。イメージセンサ６０２ａは、図示しないシャッタが開いている間のみ撮像するようにしてもよい。シャッタは、電気的シャッタであっても機械的シャッタであってもよい。 
　なお、撮像部６０２に含まれるイメージセンサ６０２ａの１回の撮像においてシャッタが開いてから閉じるまでに要する時間を、１回の「撮像時間Δｔ」ともいう。
　イメージセンサ６０２ａは、画像取得制御部６０３と接続されてもよい。イメージセンサ６０２ａは、撮像したドロップレット２７１の影の像に係る画像信号を、１回の撮像毎に画像取得制御部６０３に出力してもよい。
　画像取得制御部６０３は、イメージセンサ６０２ａから出力された画像信号からドロップレット２７１の影の像に係るビットマップデータ等の画像データを生成してもよい。画像取得制御部６０３は、生成した画像データを当該画像データの識別情報に対応付けて記憶してもよい。画像データの識別情報は、画像データの生成時刻に関する情報等であってもよい。
　画像取得制御部６０３は、ドロップレット計測制御部６０４と接続されてもよい。画像取得制御部６０３は、ドロップレット計測制御部６０４からの制御信号に基づいて、生成した画像データ及びその識別情報をドロップレット計測制御部６０４に出力してもよい。 
　なお、画像取得制御部６０３のハードウェア構成については、図２０を用いて後述する。
　ドロップレット計測制御部６０４は、光源部６０１及び撮像部６０２に点灯信号及びシャッタ信号を出力して、光源部６０１及び撮像部６０２の動作を制御してもよい。
　ドロップレット計測制御部６０４は、画像取得制御部６０３から出力された画像データ及びその識別情報を記憶してもよい。
　ドロップレット計測制御部６０４は、画像データに基づいて、ドロップレット２７１の進行速度ｖなど、ドロップレット２７１の状態に関するパラメータを計算するプログラムを、不図示のメモリに記憶しておいてもよい。
　ドロップレット計測制御部６０４は、画像取得制御部６０３から出力された画像データに基づいて上記パラメータを計算してもよい。
　上記プログラムを用いて計算されるパラメータは、チャンバ２内へ出力されたドロップレット２７１の力学的状態を示す物理量であってもよい。例えば、パラメータは、チャンバ２内を進行するドロップレット２７１の直径Ｄ、進行速度ｖ、間隔ｄ等であってもよい。
　画像計測器６０がチャンバ２に固定されている場合、画像計測器６０に含まれる撮像部６０２は、ドロップレット軌道Ｆ上の特定範囲を定点観測し得る。ドロップレット２７１のＹ方向における位置は、ドロップレット２７１の進行方向における撮像範囲内での相対位置であってもよい。ドロップレット２７１のＹ方向における位置は、撮像された画像データにおいて、ドロップレット２７１の進行方向と略平行な方向におけるドロップレット２７１の位置であってもよい。
　ドロップレット２７１の間隔ｄは、ターゲット供給部２６からチャンバ２内に順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１間の間隔であって、ドロップレット２７１の進行方向における間隔であってもよい。
　ドロップレット計測制御部６０４は、光源部６０１及び撮像部６０２の制御、画像データの取得、並びに、パラメータの計算に係る処理について、ＥＵＶ光生成制御部５からの指示に依らずに行ってもよい。 
　なお、ドロップレット計測制御部６０４のハードウェア構成については、図２０を用いて後述する。
　上記構成によって画像計測器６０は、ターゲット供給部２６からチャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の像を撮像して、その画像データを取得し得る。そして、画像計測器６０は、取得した画像データから当該ドロップレット２７１の進行速度ｖなどのパラメータを計算し、ＥＵＶ光生成制御部５の演算制御部５１に出力し得る。
　なお、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２及び図６に示されたＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
　［１０．２　動作］
　図１８及び図１９を用いて、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット計測制御部６０４の動作について説明する。
　第５実施形態は、図９に示したＹ位置補正処理のステップＳ９３や、図１０に示したＺ位置補正処理のステップＳ１１５にて用いられるドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報について、画像計測器６０によって撮像された画像データから算出した速度（ｖ）を適用して用いてもよい。
　図１８に示す動作は、図１６及び図１７において説明した画像計測器６０のドロップレット計測制御部６０４において行われる、ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の算出のための動作であってもよい。
　先ず、図１８を用いて、ドロップレット速度算出処理に係る動作を説明する。
　ステップＳ３０１において、ドロップレット計測制御部６０４には、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたドロップレット供給信号が入力されてもよい。
　ステップＳ３０２において、ドロップレット計測制御部６０４は、タイマＴをリセットすると共に、タイマＴｍの計時をスタートしてもよい。
　ステップＳ３０３において、ドロップレット計測制御部６０４は、撮像部６０２のイメージセンサ６０２ａのシャッタを開くためのシャッタ信号をイメージセンサ６０２ａに出力してもよい。
　ドロップレット計測制御部６０４は、当該シャッタを開くためのシャッタ信号を出力した際のタイマＴｍの値を記憶してもよい。
　ステップＳ３０４において、ドロップレット計測制御部６０４は、光源部６０１の光源６０１ａを点灯するために、所定の点灯時間ΔＴｍの期間だけ点灯信号を当該光源６０１ａに出力してもよい。光源６０１ａは、点灯時間ΔＴｍが経過するまでの間、ドロップレット軌道Ｆにパルス光を発光し得る。
　ステップＳ３０５において、ドロップレット計測制御部６０４は、時刻Ｔｍから所定の撮像時間Δｔｍが経過すると、イメージセンサ６０２ａのシャッタを閉じるためのシャッタ信号をイメージセンサ６０２ａに出力してもよい。
　撮像時間Δｔｍは、ステップＳ３０３でイメージセンサ６０２ａのシャッタを開いてから、このステップＳ３０５でシャッタを閉じるまでの時間であってもよい。イメージセンサ６０２ａは、撮像時間Δｔｍの間に結像されたドロップレット２７１の影の像を撮像し得る。ドロップレット計測制御部６０４は、当該シャッタを閉じるタイミングを決定するために、シャッタ信号を出力した際のタイマＴｍの値を記憶してもよい。
　ステップＳ３０６において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３０５で撮像したドロップレット２７１の影の像に係る画像データ（図１９参照）を画像取得制御部６０３から取得してもよい。
　ステップＳ３０７において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３０６で取得した画像データに含まれる複数のドロップレット２７１の影の像から、１つのドロップレット２７１の軌跡を特定してもよい。１つのドロップレット２７１の軌跡は、例えば図１９においては、ドロップレット２７１ｌの軌跡に相当し得る。
　ステップＳ３０８において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３０７で特定した軌跡からドロップレット２７１の直径Ｄを計算してもよい。
　ドロップレット計測制御部６０４は、ドロップレット２７１の進行方向に略垂直な方向における軌跡の幅をドロップレット２７１の直径Ｄとしてもよい。
　ステップＳ３０９において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３０７で特定した軌跡の長さＬを計算してもよい。
　軌跡の長さＬは、ドロップレット２７１の進行方向における当該ドロップレット２７１の軌跡の長さであってもよい。
　ステップＳ３１０において、ドロップレット計測制御部６０４は、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の軌跡から間隔ｄを計算してもよい。
　順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の軌跡は、例えば図１９においては、ステップＳ３０７で特定した軌跡２７１ｌと、これの直近の軌跡２７１ｋとであってもよい。
　間隔ｄは、２つのドロップレット２７１の進行方向における間隔であってもよい。例えば図１９においては、軌跡２７１ｋと軌跡２７１ｌとの、ドロップレット２７１の進行方向における間隔ｄであってもよい。
　ステップＳ３１１において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３０８で計算した直径Ｄと、ステップＳ３０９で計算した長さＬとに基づいて、ドロップレット２７１の速度ｖを計算してもよい。
　ドロップレット計測制御部６０４は、ドロップレット２７１の速度ｖを次式から計算してもよい。
　　ｖ＝（Ｌ－Ｄ）／ΔＴｍ
　上記右辺の（Ｌ－Ｄ）は、点灯時間ΔＴｍの間に１つのドロップレット２７１が進行した距離を意味し得る。
　ステップＳ３１２において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３１１で計算したドロップレット２７１の速度ｖをパラメータ（Ｖ）＝ｖとして設定してもよい。
　また、ドロップレット計測制御部６０４は、画像データを複数回取得し、複数の画像データからそれぞれ計算された速度ｖの平均値を算出し、その平均値をパラメータ（Ｖ）として設定してもよい。
　ステップＳ３１３において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３１２で設定したパラメータ（Ｖ）をＥＵＶ光生成制御部５の演算制御部５１に出力してもよい。
　演算制御部５１は、ドロップレット計測制御部６０４から出力されたドロップレット２７１の速度（パラメータ（Ｖ））に基づき、図９に示したＹ位置補正処理のステップＳ９３や、図１０に示したＺ位置補正処理のステップＳ１１５の際に、用いてもよい。
　なお、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、図７～図１１に示されたＥＵＶ光生成装置１の動作と同様であってもよい。
　［１０．３　作用］
　第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、画像計測器６０によりドロップレット２７１の画像データを随時取得できる。そして、当該画像データからドロップレット２７１の速度を随時計算できる。
　そのため、遅延時間Ｔｄｌの更新に用いられるドロップレット２７１の速度の情報は、その正確性が向上し得る。このため、適正なドロップレット２７１の速度の情報を用いて、遅延時間Ｔｄｌの算出をより正確に行うことができる。よって、ターゲット供給部２６が移動した場合であっても、ドロップレット２７１に最適のタイミングでパルスレーザ光３３を照射し得る。
［１１．各制御部のハードウェア環境］
　当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。
　図２０は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図２０の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。
　処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
　図２０におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
　動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、演算制御部５１、画像取得制御部５０３、ドロップレット計測制御部５０４及びレーザ光進行方向制御部３４等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、ヒータ電源７１２、ピエゾ電源７３２、圧力調節器７２１、光源４１１ａ、光源４２１ａ、光源４３１ａ、光源４４１ａ、ステージ７４及びマニュピレータ２２６等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサ、圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、光センサ４１２ａ、光センサ４２２ａ、光センサ４３２ａ、光センサ４４２ａ及びイメージセンサ６０２等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
　ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
　例示的なハードウェア環境１００は、本開示における露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、演算制御部５１、画像取得制御部５０３、ドロップレット計測制御部５０４及びレーザ光進行方向制御部３４の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、演算制御部５１、画像取得制御部５０３、ドロップレット計測制御部５０４及びレーザ光進行方向制御部３４は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
　上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
　１　　　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成装置
　２　　　　　　　　　　　…チャンバ
　２５　　　　　　　　　　…プラズマ生成領域
　２６　　　　　　　　　　…ターゲット供給部
　２７　　　　　　　　　　…ターゲット
　２７１　　　　　　　　　…ドロップレット
　４１、４２、４３、４４　…ドロップレット検出器
　５　　　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成制御部
　５１　　　　　　　　　　…演算制御部
　６０　　　　　　　　　　…画像計測器

Claims (8)

  1. 　内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化され極端紫外光が生成されるチャンバと、
    　前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に出力することで前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、
    　前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるステージと、
    　前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記略垂直な方向に対して所定角度傾けて配置され、前記所定角度傾いた方向から前記ドロップレットを検出するドロップレット検出器と、
    　前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングに遅延時間を付加して、前記プラズマ生成領域で前記ドロップレットに前記レーザ光を照射する照射タイミングを制御する演算制御部と、
    　を備える極端紫外光生成装置。
  2. 　前記演算制御部は、
    　前記ターゲット供給部の移動される方向が、
    　前記ターゲット供給部が移動可能な二次元平面に略平行な方向であって、前記所定角度傾いた前記ドロップレット検出器の受光部により検出される検出光軸に垂直な方向である所定方向ではない場合に、
    　前記遅延時間を更新する、
    　請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
  3. 　前記演算制御部は、
    　前記ターゲット供給部の移動される方向が、
    　前記所定方向と前記ドロップレットの軌道とを含む平面内の方向以外の方向を伴う場合に、
    　前記遅延時間を更新する、
    　請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
  4. 　前記演算制御部は、
    　　前記所定角度の情報、及び、前記ターゲット供給部の移動距離の情報に基づいて、更新するための前記遅延時間を算出する、
    　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。
  5. 　前記ドロップレットを撮像して前記ドロップレットの速度を算出する画像計測器を更に備え、
    　前記演算制御部は、前記画像計測器により算出された前記速度に基づいて前記遅延時間を算出する、
    　請求項４に記載の極端紫外光生成装置。
  6. 　前記プラズマ生成領域に前記レーザ光を集光させるレーザ光集光光学系と、
    　外部からの指示に基づいて前記レーザ光集光光学系を移動させて、前記レーザ光集光光学系の集光位置を変更するマニュピレータと、
    　を更に備える請求項４に記載の極端紫外光生成装置。
  7. 　前記ドロップレット検出器は、前記所定方向に延びた領域を通過する前記ドロップレットを検出する、
    　請求項６に記載の極端紫外光生成装置。
  8. 　レーザ光の照射によりプラズマ生成領域においてターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成方法であって、
    　外部から前記プラズマ生成領域の位置を変更するためのプラズマ生成領域指示位置の情報を受信するステップと、
    　前記情報に基づいて、前記ターゲットをドロップレットとして前記プラズマ生成領域指示位置に供給するターゲット供給部を移動させるステップと、
    　前記情報に基づいて、前記レーザ光を前記プラズマ生成領域指示位置に集光するレーザ光集光光学系を移動させるステップと、
    　前記ターゲット供給部により前記ターゲットを前記ドロップレットとして前記プラズマ生成領域指示位置に向けて出力させるステップと、
    　前記ターゲット供給部から出力された前記ドロップレットの軌道と略垂直な方向に対して所定角度傾けて配置されたドロップレット検出器により、前記ドロップレットを検出するステップと、
    　前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングと前記ターゲット供給部の移動距離及び前記所定角度とに基づいて、外部のレーザ装置に前記レーザ光を発振させるトリガ信号を出力するタイミングを定めるための遅延時間を算出するステップと、
    　前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングに前記遅延時間を付加して、前記トリガ信号を出力するステップと、
    　を含む、極端紫外光生成方法。
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