JP2013541844A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. ターゲット材料の小滴を生成する小滴発生器と、
   小滴が事前選択場所に到達する場合に捕捉時間信号を供給するセンサと、
   前記センサと結合され、前記捕捉時間信号から遅延されたトリガ信号を発生させる遅延回路と、
   トリガ信号に応じてレーザーパルスを生成するレーザー源と、
   前記捕捉時間から第１の遅延時間だけ遅延されたトリガ信号を供給して、小滴上に集束される光パルスを発生させ、前記捕捉時間から第２の遅延時間だけ遅延されたトリガ信号を供給して、小滴上に集束されない光パルスを発生させるように前記遅延回路を制御するシステムと、
   を備えるデバイス。
2. 前記第１の遅延時間は、前記第２の遅延時間よりも長い、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記第１の遅延時間は、前記第２の遅延時間よりも短い、請求項１に記載のデバイス。
4. 前記センサは、レーザー源及び検出器を備える、請求項１に記載のデバイス。
5. 前記遅延回路は、デジタルシフトレジスタを備える、請求項１に記載のデバイス。
6. 割り込み期間によって分離された少なくとも２つのバースト期間内にＥＵＶパルスを生成するための方法であって、
   各バースト期間中及び前記割り込み期間中にターゲット材料小滴を発生させる段階と、 各バースト期間中及び前記割り込み期間中にレーザーパルスを発生させる段階と、
   ＥＵＶ出力を生成するために、バースト期間中にレーザーパルスをそれぞれの小滴上に集束させる段階と、
   割り込み期間中にレーザー集束スポットと小滴との間に距離を発生させる段階と、
   を含む方法。
7. 前記発生段階は、前記バースト期間の間に前記割り込み期間とは異なる、小滴位置に対するレーザートリガタイミングを与えることによって達成される、請求項６に記載の方法。
8. 小滴は、バースト期間中に照射箇所に向かって第１の経路に沿って移動し、前記発生段階は、前記割り込み期間中に該照射箇所と交差しない第２の経路に小滴を経路変更することによって実現される、請求項６に記載の方法。
9. 前記レーザーパルスは、バースト期間中に照射箇所にある集束スポットに集束され、前記発生段階は、前記割り込み期間中に該集束スポットを、該照射箇所から離間した場所に移動させることによって実現される、請求項６に記載の方法。