RU2014104535A - Светоизлучающий диод с наноструктурированным слоем и способы изготовления и применения - Google Patents

Светоизлучающий диод с наноструктурированным слоем и способы изготовления и применения Download PDF

Info

Publication number
RU2014104535A
RU2014104535A RU2014104535/28A RU2014104535A RU2014104535A RU 2014104535 A RU2014104535 A RU 2014104535A RU 2014104535/28 A RU2014104535/28 A RU 2014104535/28A RU 2014104535 A RU2014104535 A RU 2014104535A RU 2014104535 A RU2014104535 A RU 2014104535A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
diode according
aluminum
layer
Prior art date
Application number
RU2014104535/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2569638C2 (ru
Inventor
Валерий Константинович Смирнов
Дмитрий Станиславович Кибалов
Original Assignee
Востек, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Востек, Инк. filed Critical Востек, Инк.
Publication of RU2014104535A publication Critical patent/RU2014104535A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2569638C2 publication Critical patent/RU2569638C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures

Abstract

1. Светоизлучающий диод, содержащий:множество слоев, содержащих по меньшей мере два слоя, причем первый слой из множества слоев содержит наноструктурированную поверхность, которая содержит квазипериодический анизотропный массив удлиненных ребристых элементов, имеющих рисунок волнообразной структуры, причем каждый ребристый элемент имеет волнообразное поперечное сечение и ориентирован, по существу, в первом направлении.2. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором первый слой является слоем полупроводника.3. Светоизлучающий диод по п. 2, в котором первый слой содержит содержащий алюминий полупроводник.4. Светоизлучающий диод по п. 3, в котором содержащий алюминий полупроводник выбран из AlAs, AlGaAs, AlGalnP, AlGaN, AlGalnN.5. Светоизлучающий диод по п. 2, в котором первый слой содержит полупроводник, содержащий галлий.6. Светоизлучающий диод по п. 5, в котором содержащий алюминий полупроводник выбран из GaP, GaAs, GaN, AlGaAs, AlGalnP, AlGaN, AlGalnN.7. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором наноструктурированная поверхность является светоизлучающей поверхностью.8. Светоизлучающий диод по п. 7, в котором наноструктурированная поверхность расположена на обратной внешней стороне указанного множества слоев.9. Светоизлучающий диод по п. 7, в котором наноструктурированная поверхность является внутренней поверхностью, смежной со вторым слоем из множества слоев.10. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором первый слой содержит прозрачный неорганический материал, расположенный между по меньшей мере двумя полупроводниковыми слоями.11. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором множество слоев содержит подложку, выбранную из сапфира (AlO), кремния (Si), карбида кремния (SiC), ш

Claims (20)

1. Светоизлучающий диод, содержащий:
множество слоев, содержащих по меньшей мере два слоя, причем первый слой из множества слоев содержит наноструктурированную поверхность, которая содержит квазипериодический анизотропный массив удлиненных ребристых элементов, имеющих рисунок волнообразной структуры, причем каждый ребристый элемент имеет волнообразное поперечное сечение и ориентирован, по существу, в первом направлении.
2. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором первый слой является слоем полупроводника.
3. Светоизлучающий диод по п. 2, в котором первый слой содержит содержащий алюминий полупроводник.
4. Светоизлучающий диод по п. 3, в котором содержащий алюминий полупроводник выбран из AlAs, AlGaAs, AlGalnP, AlGaN, AlGalnN.
5. Светоизлучающий диод по п. 2, в котором первый слой содержит полупроводник, содержащий галлий.
6. Светоизлучающий диод по п. 5, в котором содержащий алюминий полупроводник выбран из GaP, GaAs, GaN, AlGaAs, AlGalnP, AlGaN, AlGalnN.
7. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором наноструктурированная поверхность является светоизлучающей поверхностью.
8. Светоизлучающий диод по п. 7, в котором наноструктурированная поверхность расположена на обратной внешней стороне указанного множества слоев.
9. Светоизлучающий диод по п. 7, в котором наноструктурированная поверхность является внутренней поверхностью, смежной со вторым слоем из множества слоев.
10. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором первый слой содержит прозрачный неорганический материал, расположенный между по меньшей мере двумя полупроводниковыми слоями.
11. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором множество слоев содержит подложку, выбранную из сапфира (Al2O3), кремния (Si), карбида кремния (SiC), шпинели (MgAl2O4), галлата неодима (NdGaO3), галлата лития (LiGaO2), оксида цинка (ZnO), оксида магния (MgO), фосфида галлия (GaP), арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN).
12. Устройство, содержащее светоизлучающий диод по п. 1.
13. Твердая наномаска, содержащая:
множество удлиненных элементов, сформированных из содержащего алюминий полупроводникового материала, за исключением чистого нитрида алюминия, и расположенных в виде квазипериодического анизотропного массива с рисунком волнообразной структуры и волнообразным поперечным сечением, по меньшей мере некоторые из данных удлиненных элементов имеют следующую структуру в поперечном сечении: внутренняя область из содержащего алюминий полупроводникового материала и первая внешняя область, содержащая нитрид алюминия, покрывающая первую часть внутренней области.
14. Наномаска по п. 13, содержащая вторую внешнюю область, содержащую нитрид алюминия, покрывающую вторую часть внутренней области и соединяющуюся с первой внешней областью на гребне волны, причем толщина первой внешней области существенно больше толщины второй внешней области.
15. Наномаска по п. 13, в которой содержащий алюминий полупроводниковый материал выбран из AlAs, AlGaAs, AlGalnP, AlGaN, AlGalnN.
16. Способ изготовления светоизлучающего полупроводникового прибора, включающий:
осаждение слоя аморфного кремния на поверхность содержащего алюминий полупроводникового слоя;
облучение поверхности аморфного кремния наклонным пучком ионов азота для формирования волнообразной структуры в слое аморфного кремния и
дальнейшее облучение поверхности аморфного кремния наклонным пучком ионов азота для переноса волнообразной структуры на поверхность содержащего алюминий полупроводникового слоя с формированием наномаски, которая содержит квазипериодический анизотропный массив удлиненных элементов с рисунком волнообразной структуры и с волнообразным поперечным сечением.
17. Способ по п. 16, в котором наномаска имеет следующую структуру в поперечном сечении: внутренняя область из содержащего алюминий полупроводникового слоя, первая внешняя область, содержащая нитрид алюминия, покрывающая первую часть внутренней области, и вторая внешняя область, содержащая нитрид алюминия, покрывающая вторую часть внутренней области и соединяющаяся с первой внешней областью на гребне волны, причем толщина первой внешней области существенно больше толщины второй внешней области.
18. Способ по п. 17, также включающий травление наномаски для удаления второй внешней области.
19. Способ по п. 18, также включающий, после удаления второй внешней области, травление части содержащего алюминий полупроводникового слоя, который располагается ниже второй внешней области.
20. Способ по п. 16, также включающий, после формирования наномаски, удаление аморфного кремния.
RU2014104535/28A 2011-08-05 2011-08-05 Светоизлучающий диод с наноструктурированным слоем и способы изготовления и применения RU2569638C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU2011/000594 WO2013022365A1 (en) 2011-08-05 2011-08-05 Light emitting diode with nanostructured layer and methods of making and using

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014104535A true RU2014104535A (ru) 2015-09-10
RU2569638C2 RU2569638C2 (ru) 2015-11-27

Family

ID=47668696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014104535/28A RU2569638C2 (ru) 2011-08-05 2011-08-05 Светоизлучающий диод с наноструктурированным слоем и способы изготовления и применения

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9224918B2 (ru)
EP (1) EP2740162B1 (ru)
JP (1) JP5840294B2 (ru)
KR (1) KR20140054183A (ru)
CN (1) CN103999244B (ru)
RU (1) RU2569638C2 (ru)
WO (1) WO2013022365A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2705516C1 (ru) * 2019-03-12 2019-11-07 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) Способ изготовления полупроводниковой структуры

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5840294B2 (ja) 2011-08-05 2016-01-06 ウォステック・インコーポレイテッドＷｏｓｔｅｃ， Ｉｎｃ ナノ構造層を有する発光ダイオードならびに製造方法および使用方法
US9057704B2 (en) 2011-12-12 2015-06-16 Wostec, Inc. SERS-sensor with nanostructured surface and methods of making and using
WO2013109157A1 (en) 2012-01-18 2013-07-25 Wostec, Inc. Arrangements with pyramidal features having at least one nanostructured surface and methods of making and using
US9134250B2 (en) 2012-03-23 2015-09-15 Wostec, Inc. SERS-sensor with nanostructured layer and methods of making and using
US9500789B2 (en) 2013-03-13 2016-11-22 Wostec, Inc. Polarizer based on a nanowire grid
US9991423B2 (en) 2014-06-18 2018-06-05 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
US20170194167A1 (en) 2014-06-26 2017-07-06 Wostec, Inc. Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using
KR101605655B1 (ko) * 2015-04-15 2016-03-22 한국과학기술원 수평형 접합을 갖는 웨이퍼 구조물의 제조방법
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
US10193025B2 (en) * 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
WO2018093284A1 (en) 2016-11-18 2018-05-24 Wostec, Inc. Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using
WO2018156042A1 (en) 2017-02-27 2018-08-30 Wostec, Inc. Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using
US10838110B2 (en) * 2017-03-03 2020-11-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Metasurface optical coupling elements for a display waveguide
CN111066158B (zh) * 2017-09-07 2022-05-03 苏州晶湛半导体有限公司 发光器件表面粗化的方法与发光器件
EP3999883A4 (en) 2019-07-19 2023-08-30 Magic Leap, Inc. PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF DIFFRACTION GRATES

Family Cites Families (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4009933A (en) 1975-05-07 1977-03-01 Rca Corporation Polarization-selective laser mirror
US4072541A (en) 1975-11-21 1978-02-07 Communications Satellite Corporation Radiation hardened P-I-N and N-I-P solar cells
US4233109A (en) 1976-01-16 1980-11-11 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Dry etching method
US4400409A (en) 1980-05-19 1983-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making p-doped silicon films
US4460434A (en) 1982-04-15 1984-07-17 At&T Bell Laboratories Method for planarizing patterned surfaces
US4857080A (en) 1987-12-02 1989-08-15 Membrane Technology & Research, Inc. Ultrathin composite metal membranes
US5498278A (en) 1990-08-10 1996-03-12 Bend Research, Inc. Composite hydrogen separation element and module
JP2765256B2 (ja) * 1991-04-10 1998-06-11 日立電線株式会社 発光ダイオード
DE4139852A1 (de) * 1991-12-03 1993-06-09 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De Optische einrichtung mit einem lumineszenten material und verfahren zu ihrer herstellung
US5160618A (en) 1992-01-02 1992-11-03 Air Products And Chemicals, Inc. Method for manufacturing ultrathin inorganic membranes
US5451386A (en) 1993-05-19 1995-09-19 The State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Osu Hydrogen-selective membrane
US5473138A (en) * 1993-07-13 1995-12-05 Singh; Rajiv K. Method for increasing the surface area of ceramics, metals and composites
JP3295675B2 (ja) 1993-10-29 2002-06-24 三菱電機株式会社 化合物半導体デバイスの製造方法
NL9401260A (nl) 1993-11-12 1995-06-01 Cornelis Johannes Maria Van Ri Membraan voor microfiltratie, ultrafiltratie, gasscheiding en katalyse, werkwijze ter vervaardiging van een dergelijk membraan, mal ter vervaardiging van een dergelijk membraan, alsmede diverse scheidingssystemen omvattende een dergelijk membraan.
US5702503A (en) 1994-06-03 1997-12-30 Uop Composite gas separation membranes and making thereof
RU2104850C1 (ru) * 1994-06-24 1998-02-20 Виктор Никанорович Семенов Припой для пайки изделий и способ их пайки
DE19506323A1 (de) * 1995-02-23 1996-08-29 Siemens Ag Halbleitervorrichtung mit aufgerauhter Halbleiteroberfläche
US5747180A (en) * 1995-05-19 1998-05-05 University Of Notre Dame Du Lac Electrochemical synthesis of quasi-periodic quantum dot and nanostructure arrays
US5663488A (en) 1995-05-31 1997-09-02 Hewlett-Packard Co. Thermal isolation system in an analytical instrument
WO1997008759A1 (fr) * 1995-08-31 1997-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Dispositif emetteur de lumiere bleue et son procede de fabrication
JP2907170B2 (ja) * 1996-12-28 1999-06-21 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
RU2141699C1 (ru) 1997-09-30 1999-11-20 Закрытое акционерное общество Центр "Анализ Веществ" Способ формирования твердотельных наноструктур
US6108131A (en) 1998-05-14 2000-08-22 Moxtek Polarizer apparatus for producing a generally polarized beam of light
RU2152108C1 (ru) 1998-08-20 2000-06-27 Акционерное общество открытого типа "НИИМЭ и завод "Микрон" Способ изготовления полупроводникового прибора
WO2000017094A1 (de) 1998-09-23 2000-03-30 Stefan Fascko Verfahren zur herstellung von nanometerstrukturen auf halbleiteroberflächen
JP2002531246A (ja) 1998-12-02 2002-09-24 マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー 水素分離及び水素化／脱水素反応のための集積されたパラジウムをベースとする微小膜
FR2791781B1 (fr) 1999-03-30 2002-05-31 Instruments Sa Filtre polarisant et son procede de fabrication
US20030218744A1 (en) 2000-09-19 2003-11-27 Shalaev Vladimir M. Optical structures employing semicontinuous metal films
RU2173003C2 (ru) 1999-11-25 2001-08-27 Септре Электроникс Лимитед Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств
EP1109038A1 (en) * 1999-12-17 2001-06-20 Corning Incorporated Method for manufacturing an optical integrated circuit
US6667240B2 (en) 2000-03-09 2003-12-23 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for forming deposited film
RU2164718C1 (ru) 2000-07-04 2001-03-27 Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками
AU2001280980A1 (en) 2000-08-01 2002-02-13 Board Of Regents, The University Of Texas System Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography
DE10042733A1 (de) 2000-08-31 2002-03-28 Inst Physikalische Hochtech Ev Multikristalline laserkristallisierte Silicium-Dünnschicht-Solarzelle auf transparentem Substrat
US6518194B2 (en) 2000-12-28 2003-02-11 Thomas Andrew Winningham Intermediate transfer layers for nanoscale pattern transfer and nanostructure formation
US6387787B1 (en) 2001-03-02 2002-05-14 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US6837774B2 (en) 2001-03-28 2005-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Linear chemical mechanical polishing apparatus equipped with programmable pneumatic support platen and method of using
JP2002311843A (ja) 2001-04-17 2002-10-25 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波遮蔽用部材及びディスプレイ
US20020154403A1 (en) 2001-04-23 2002-10-24 Trotter, Donald M. Photonic crystal optical isolator
RU2180885C1 (ru) 2001-06-20 2002-03-27 Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" Установка для формирования рисунка на поверхности пластин
WO2003019245A2 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Universite Louis Pasteur Optical transmission apparatus with directionality and divergence control
RU2191444C1 (ru) * 2001-10-09 2002-10-20 Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" Способ изготовления полевого транзистора с периодически легированным каналом
TWI289494B (en) 2002-01-22 2007-11-11 Multi Planar Technologies Inc Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface for slurry distribution
US7001446B2 (en) 2002-03-05 2006-02-21 Eltron Research, Inc. Dense, layered membranes for hydrogen separation
US6706576B1 (en) 2002-03-14 2004-03-16 Advanced Micro Devices, Inc. Laser thermal annealing of silicon nitride for increased density and etch selectivity
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
RU2204179C1 (ru) * 2002-08-19 2003-05-10 Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок
US20090118605A1 (en) 2002-08-30 2009-05-07 Northwestern University Surface-enhanced raman nanobiosensor
US6665119B1 (en) 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
US7113336B2 (en) 2002-12-30 2006-09-26 Ian Crosby Microlens including wire-grid polarizer and methods of manufacture
US6759277B1 (en) 2003-02-27 2004-07-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Crystalline silicon die array and method for assembling crystalline silicon sheets onto substrates
US20040174596A1 (en) 2003-03-05 2004-09-09 Ricoh Optical Industries Co., Ltd. Polarization optical device and manufacturing method therefor
US7510946B2 (en) 2003-03-17 2009-03-31 Princeton University Method for filling of nanoscale holes and trenches and for planarizing of a wafer surface
CA2519769A1 (en) 2003-03-21 2004-10-07 Worcester Polytechnic Institute Composite gas separation modules having intermediate porous metal layers
RU2231171C1 (ru) * 2003-04-30 2004-06-20 Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ТЕТИС" Светоизлучающий диод
US7384792B1 (en) 2003-05-27 2008-06-10 Opto Trace Technologies, Inc. Method of fabricating nano-structured surface and configuration of surface enhanced light scattering probe
JP4386413B2 (ja) 2003-08-25 2009-12-16 株式会社エンプラス ワイヤーグリッド偏光子の製造方法
US7768018B2 (en) * 2003-10-10 2010-08-03 Wostec, Inc. Polarizer based on a nanowire grid
RU2240280C1 (ru) 2003-10-10 2004-11-20 Ворлд Бизнес Ассошиэйтс Лимитед Способ формирования упорядоченных волнообразных наноструктур (варианты)
JP4349104B2 (ja) 2003-11-27 2009-10-21 株式会社島津製作所 ブレーズド・ホログラフィック・グレーティング、その製造方法、及びレプリカグレーティング
WO2005084378A2 (en) 2004-03-05 2005-09-15 Board Of Regents Of University Of Texas System Material and device properties modification by electrochemical charge injection in the absence of contacting electrolyte for either local spatial or final states
US20060043400A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Erchak Alexei A Polarized light emitting device
US8033706B1 (en) * 2004-09-09 2011-10-11 Fusion Optix, Inc. Lightguide comprising a low refractive index region
US20080128727A1 (en) * 2004-09-10 2008-06-05 Luminus Devices, Inc. Light recycling systems and methods
US7341788B2 (en) 2005-03-11 2008-03-11 International Business Machines Corporation Materials having predefined morphologies and methods of formation thereof
US20060210886A1 (en) 2005-03-18 2006-09-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for making grayscale photo masks and optical grayscale elements
US7604690B2 (en) * 2005-04-05 2009-10-20 Wostec, Inc. Composite material for ultra thin membranes
US7265374B2 (en) * 2005-06-10 2007-09-04 Arima Computer Corporation Light emitting semiconductor device
US20070012355A1 (en) 2005-07-12 2007-01-18 Locascio Michael Nanostructured material comprising semiconductor nanocrystal complexes for use in solar cell and method of making a solar cell comprising nanostructured material
US20070217008A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 Wang Jian J Polarizer films and methods of making the same
US7453565B2 (en) 2006-06-13 2008-11-18 Academia Sinica Substrate for surface-enhanced raman spectroscopy, sers sensors, and method for preparing same
RU2321101C1 (ru) 2006-07-06 2008-03-27 ФГУП "НИИ физических измерений" Способ изготовления полупроводниковых приборов
US8716594B2 (en) 2006-09-26 2014-05-06 Banpil Photonics, Inc. High efficiency photovoltaic cells with self concentrating effect
WO2008066712A2 (en) * 2006-11-15 2008-06-05 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (led) with emitters within structured materials
TW200826290A (en) * 2006-12-01 2008-06-16 Univ Nat Chiao Tung Vertical organic transistor and manufacturing method thereof
CN101222009A (zh) * 2007-01-12 2008-07-16 清华大学 发光二极管
US8294891B2 (en) 2007-01-23 2012-10-23 President And Fellows Of Harvard College Non-invasive optical analysis using surface enhanced raman spectroscopy
US20100276612A1 (en) * 2007-04-13 2010-11-04 Norwood Robert A Terahertz emitters
GB0712605D0 (en) * 2007-06-28 2007-08-08 Microsharp Corp Ltd Optical film
US8080480B2 (en) * 2007-09-28 2011-12-20 Samsung Led Co., Ltd. Method of forming fine patterns and manufacturing semiconductor light emitting device using the same
US8541066B2 (en) * 2007-11-26 2013-09-24 University Of North Carolina At Charlotte Light-induced directed self-assembly of periodic sub-wavelength nanostructures
US20090162966A1 (en) 2007-12-21 2009-06-25 The Woodside Group Pte Ltd Structure and method of formation of a solar cell
TW200939471A (en) 2008-03-10 2009-09-16 Silicon Based Tech Corp A semiconductor device and its manufacturing methods
EP2109147A1 (en) * 2008-04-08 2009-10-14 FOM Institute for Atomic and Molueculair Physics Photovoltaic cell with surface plasmon resonance generating nano-structures
EP2161758A1 (en) 2008-09-05 2010-03-10 Flexucell ApS Solar cell and method for the production thereof
US20100110551A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 3M Innovative Properties Company Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer
WO2010072862A1 (es) 2008-12-22 2010-07-01 Universidad De Barcelona Células solares de película delgada con texturas combinadas
CN101486442A (zh) * 2009-02-24 2009-07-22 吉林大学 半导体与金属准一维纳米异质周期结构阵列的制备方法
EP2484955A1 (en) * 2009-09-30 2012-08-08 Nec Corporation Optical element, light source device, and projection display device
CA2829490A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Paul Gregory O'brien Transparent conductive porous nanocomposites and methods of fabrication thereof
JP5605427B2 (ja) * 2010-03-10 2014-10-15 日本電気株式会社 発光素子、光源装置及び投射型表示装置
US9110357B2 (en) * 2010-05-14 2015-08-18 Nec Corporation Display element, display device, and projection display device
CA2805381A1 (en) 2010-07-14 2012-01-19 Brookhaven Science Associates, Llc Hollow nanoparticles as active and durable catalysts and methods for manufacturing the same
US8396091B2 (en) * 2011-01-31 2013-03-12 Technische Universitat Berlin Device comprising a laser
WO2013006077A1 (en) * 2011-07-06 2013-01-10 Wostec, Inc. Solar cell with nanostructured layer and methods of making and using
JP5840294B2 (ja) 2011-08-05 2016-01-06 ウォステック・インコーポレイテッドＷｏｓｔｅｃ， Ｉｎｃ ナノ構造層を有する発光ダイオードならびに製造方法および使用方法
US9057704B2 (en) 2011-12-12 2015-06-16 Wostec, Inc. SERS-sensor with nanostructured surface and methods of making and using
WO2013109157A1 (en) * 2012-01-18 2013-07-25 Wostec, Inc. Arrangements with pyramidal features having at least one nanostructured surface and methods of making and using
US9500789B2 (en) 2013-03-13 2016-11-22 Wostec, Inc. Polarizer based on a nanowire grid

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2705516C1 (ru) * 2019-03-12 2019-11-07 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) Способ изготовления полупроводниковой структуры

Also Published As

Publication number Publication date
RU2569638C2 (ru) 2015-11-27
JP2014522119A (ja) 2014-08-28
US20160133791A1 (en) 2016-05-12
KR20140054183A (ko) 2014-05-08
CN103999244B (zh) 2017-02-15
US9224918B2 (en) 2015-12-29
US9660142B2 (en) 2017-05-23
US20140151715A1 (en) 2014-06-05
WO2013022365A1 (en) 2013-02-14
EP2740162B1 (en) 2019-07-03
EP2740162A4 (en) 2015-03-11
JP5840294B2 (ja) 2016-01-06
EP2740162A1 (en) 2014-06-11
CN103999244A (zh) 2014-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014104535A (ru) Светоизлучающий диод с наноструктурированным слоем и способы изготовления и применения
US8709845B2 (en) Solid state lighting devices with cellular arrays and associated methods of manufacturing
US7781247B2 (en) Method for producing Group III-Group V vertical light-emitting diodes
TWI447783B (zh) 三族氮化合物半導體發光元件之製造方法及其結構
US20080023691A1 (en) Light emitting diode having vertical topology and method of making the same
TWI631736B (zh) 用於形成發光裝置的方法及用於發光裝置的結構
JP2007073734A (ja) 発光素子
KR20070104384A (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제법
KR102352661B1 (ko) 패터닝된 기판을 가지는 발광 디바이스
US8445890B2 (en) Solid state lighting devices grown on semi-polar facets and associated methods of manufacturing
KR20130012376A (ko) 반도체 발광소자 제조방법
TWI535057B (zh) 具有側反射性之固態照明裝置及其相關製造方法
JP2009176781A (ja) ＧａＮ系ＬＥＤチップおよびＧａＮ系ＬＥＤチップの製造方法
TWI624960B (zh) 包含定型基板的發光裝置
TW201318206A (zh) 發光二極體晶粒
JP2008124411A (ja) 窒化物半導体発光ダイオード素子
JP2010251481A (ja) 発光装置
US20120256162A1 (en) Light emitting diode and manufacturing method thereof
KR20120016780A (ko) 수직형 발광소자 제조방법
KR20110095640A (ko) 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 반도체 발광소자
JP2017510984A (ja) 半導体層積層体を製造するための方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品
JP2006086164A (ja) 発光ダイオードの構造
US9130114B2 (en) Vertical light emitting diode (VLED) dice having confinement layers with roughened surfaces and methods of fabrication
US9548420B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
KR100924455B1 (ko) 발광 다이오드 및 그 제조 방법