RU2164718C1 - Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками - Google Patents

Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками Download PDF

Info

Publication number
RU2164718C1
RU2164718C1 RU2000117335/28A RU2000117335A RU2164718C1 RU 2164718 C1 RU2164718 C1 RU 2164718C1 RU 2000117335/28 A RU2000117335/28 A RU 2000117335/28A RU 2000117335 A RU2000117335 A RU 2000117335A RU 2164718 C1 RU2164718 C1 RU 2164718C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ion
ion beam
semiconductor
optical microscope
wafer
Prior art date
Application number
RU2000117335/28A
Other languages
English (en)
Inventor
В.К. Смирнов
Д.С. Кибалов
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок"
Priority to RU2000117335/28A priority Critical patent/RU2164718C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2164718C1 publication Critical patent/RU2164718C1/ru
Priority to EP01948177A priority patent/EP1280192B1/en
Priority to AU2001269655A priority patent/AU2001269655A1/en
Priority to DK01948177T priority patent/DK1280192T3/da
Priority to PCT/RU2001/000261 priority patent/WO2002003419A2/ru
Priority to ES01948177T priority patent/ES2232637T3/es
Priority to DE60106230T priority patent/DE60106230T2/de
Priority to JP2002507405A priority patent/JP2004502291A/ja
Priority to AT01948177T priority patent/ATE279018T1/de
Priority to PT01948177T priority patent/PT1280192E/pt
Priority to CA002382984A priority patent/CA2382984A1/en
Priority to PL01353885A priority patent/PL353885A1/xx
Priority to US10/069,656 priority patent/US20020170497A1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3178Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31735Direct-write microstructures
    • H01J2237/31737Direct-write microstructures using ions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронной и вакуумной технике. Технический результат - обеспечение возможности изготовления наноструктур, пригодных для изготовления полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции, а также оптических приборов высокого разрешения. Сущность: установка содержит вакуумную камеру с системами откачки и отжига, устройство ввода полупроводниковых пластин в камеру, ионный источник с управляемой энергией, масс-сепаратор, детектор электронов, держатель полупроводниковой пластины, измеритель ионного тока, квадрупольный масс-анализатор, компьютер с монитором и интерфейсом. Оси колонны транспорта ионного пучка, оптического микроскопа и электронной пушки расположены в одной плоскости с нормалью к полупроводниковой пластине, находящейся в рабочем положении, и пересекаются в одной точке, располагающейся на лицевой поверхности пластины. Оптический микроскоп и электронная пушка располагаются с лицевой стороны пластины, и угол между их осями наименьший. 2 з.п.ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к электронной и вакуумной технике, в частности к установкам для формирования на полупроводниковых пластинах различных структур и покрытий, и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов нового поколения, а также в оптическом приборостроении.
Известна установка для обработки полупроводниковых пластин, содержащая вакуумную установку, вакуумные средства откачки, средство обработки пластин (см. патент EP 0275965, H 01 J 37/32, 1988).
Недостатком аналога является то, что при одноволновом режиме передачи энергии на частоте 2,45 ГГц сечение плазменного пучка и диаметр обрабатываемых пластин ограничены величиной 76-100 мм, что делает невозможным использование аналога для обработки пластин диаметром 150-200 мм. Кроме этого, в известном решении затруднена возможность обеспечения заданного угла плазменного потока относительно нормали к поверхности обрабатываемой пластины, а также управления энергией ионов в плазме. Данное решение принято в качестве ближайшего аналога (прототипа). Техническая задача, решаемая посредством настоящего изобретения, состоит в разработке установки для изготовления наноструктур, пригодных для изготовления полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции, а также оптических приборов высокого разрешения и направлена на расширение функциональных возможностей известной установки.
Технический результат, получаемый в результате реализации изобретения, состоит в обеспечении возможности изготовления тонкопленочных полупроводниковых структур, пригодных для создания полупроводниковых приборов нового поколения, а также дифракционных решеток.
Поставленная задача достигается тем, что установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин содержит вакуумную камеру, с системами откачки и отжига, устройство ввода полупроводниковых пластин в камеру, ионный источник с управляемой энергией, масс-сепаратор, электронную пушку, детектор электронов, держатель полупроводниковой пластины, измеритель ионного тока, причем установка снабжена колонной транспорта ионного пучка, квадрупольным масс-анализатором, оптическим микроскопом, компьютером, оси колонны транспорта ионного пучка, оптического микроскопа и электронной пушки расположены в одной плоскости с нормалью к полупроводниковой пластине, находящейся в рабочем положении, и пересекаются в одной точке, располагающейся на лицевой поверхности пластины, колонна транспорта ионного пучка, оптический микроскоп и электронная пушка располагаются с лицевой стороны пластины и угол между их осями наименьший, компьютер обеспечивает возможность сканирования ионного пучка по набору площадок посредством перемещения пластины по заданным координатам площадок, получения изображений поверхности пластины во вторичных электронах и совмещение растворов ионного и электронного пучков на поверхности пластины.
Вакуумная камера позволяет достичь вакуума 5·10-10 Торр. Диаметр ионного пучка может быть 0,9 - 1,5 мкм при энергии ионов 5 кэВ.
Изобретение иллюстрировано графическим материалом, где на чертеже приведена установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками, которая содержит сверхвысоковакуумную камеру 1, позволяющую создавать вакуум 5·10-10 Торр с необходимыми системами откачки и отжига (на чертеже не показаны), устройство ввода полупроводниковых пластин 2 диаметром 200 мм в камеру 1, полупроводниковую пластину 3, шлюзовой клапан 4, ионный источник с управляемой энергией 5, масс-сепаратор 6, колонну транспорта ионного пучка 7, оптический микроскоп 8, электронную пушку 9, квадрупольный масс-анализатор 10, детектор электронов 11, держатель 12 полупроводниковой пластины, измеритель ионного тока 13, компьютер 14, монитор 15, интерфейс 16. Установка работает следующим образом.
Устанавливают пластину 3 в вакуумную камеру 1 с остаточным давлением 5·10-10 Торр. В ионный источник типа дугоплазмотрон напускают азот для получения потока ионов азота. Задают энергию потока ионов и угол облучения пластины. Потоком ионов азота при токе I = 250 нА равномерно облучают область S = 200 · 200 кв. мкм на поверхности пластины. При этом соблюдают следующие условия. Оси колонны транспорта ионного пучка 7, оптического микроскопа 8 и электронной пушки 9 находятся в одной плоскости с нормалью к пластине 3, находящейся в рабочем положении. Оси колонны транспорта ионного пучка 7, оптического микроскопа 8 и электронной пушки 9 должны пересекаться в одной точке F, располагающейся на лицевой поверхности пластины 3. Эта точка должна быть точкой фокуса колонны транспорта ионного пучка 7, оптического микроскопа 8 и электронной пушки 9. Колонна транспорта ионного пучка 7, оптический микроскоп 8 и электронная пушка 9 должны располагаться с лицевой стороны пластины и угол между их осями должен быть наименьший. Ионный источник 5 представляет собой ионный источник типа дугоплазмотрон, работающий на следующих газах аргон, кислород и азот и обеспечивающий энергии ионов в диапазоне от 500 эВ до 20 кэВ.
Масс-сепаратор 6 представляет собой масс-сепаратор с диапазоном масс от 1 до 100 а.е.м. и имеет относительное разрешение по массам 5 а.е.м. Колонна транспорта ионного пучка 7 обеспечивает возможность изменения размера растра и отношения сторон растра. Диаметр ионного пучка должен быть около 1 мкм (от 0,9 мкм до 1,5 мкм) при энергии ионов 5 кэВ. Направления X и Y сканирования ионного пучка должны совпадать с направлениями перемещения держателя пластины 12. Электронное управление смещением ионного пучка вдоль оси Y должно быть не меньше, чем двойной размер растра в направлении Y. Линейность развертки ионного пучка в направлении Y должна быть управляемой.
Оптический микроскоп 8 выполнен с подсветкой пластин, увеличением от 8 до 100 крат и выводом изображения на TV монитор. Электронная пушка 9 создает энергию электронов от 100 эВ до 10 кэВ, ток электронного пучка 5 мкА и размер пятна около 100 нм. Направления X и Y сканирования электронного пучка должны совпадать с направлением перемещения держателя пластины 12.
Электронное управление смещением электронного пучка в направлении Y должно быть не меньше, чем двойной размер растра в направлении Y.
Линейность развертки электронного пучка в направлении Y должна быть управляемой.
Квадрупольный масс-анализатор 10 оснащен оптикой сбора как положительных, так и отрицательных вторичных ионов.
Диапазон измеряемых масс 1 - 100 а.е.м. Абсолютное разрешение по массам 5 а.е.м. Детектор электронов 11 представляет собой детектор вторичных электронов.
Держатель полупроводниковой пластины 12 обеспечивает возможность наклона пластины таким образом, чтобы нормаль к пластине оставалась в плоскости осей колонны транспорта ионного пучка 7, оптического микроскопа 8 и электронной пушки 9. Угол наклона нормали пластины относительно оси колонны транспорта ионного пучка 7 должен обеспечиваться от 0 до 90o. Вращение пластины должно обеспечиваться от 0 до 360o. Непрерывного вращения пластины не требуется. Точность установки углов должна быть ±0,5o. Держатель пластины должен обеспечивать нагрев пластины от комнатной температуры до 700oC. X и Y направления перемещения пластины должны быть в плоскости пластины. Перемещение пластины в направлении Z должно обеспечивать совмещение плоскости поверхности пластины с точкой фокуса колонны транспорта ионного пучка 7, оптического микроскопа 8 и электронной пушки 9. Погрешность перемещения пластины должна быть около 1 мкм. Измеритель ионного тока 13 обеспечивает измерение тока с пластины.
Компьютер 14 с монитором 15 и интерфейсом 16 предназначены для управления установкой в целом. Компьютер 14 должен обеспечивать сканирование ионного пучка по набору площадок посредством перемещения пластины по заданным координатам площадок, при этом выключение ионного пучка должно определяться как интегралом тока с пластины, так и сигналом определенных ионов, детектируемых квадрупольным масс-анализатором 10.
Компьютер обеспечивает получение изображений поверхности пластины как во вторичных электронах, вызываемых сканирующими электронным или ионным пучками, так и даваемое оптическим микроскопом 8, для обеспечения возможности совмещения растров ионного и электронного пучков на поверхности пластины.

Claims (3)

1. Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин, содержащая вакуумную камеру с системами откачки и отжига, устройство ввода полупроводниковых пластин в камеру, ионный источник с управляемой энергией, масс-сепаратор, электронную пушку, детектор электронов, держатель полупроводниковой пластины, измеритель ионного тока, отличающаяся тем, что она снабжена колонной транспорта ионного пучка, квадрупольным масс-анализатором, оптическим микроскопом, компьютером, оси колонны транспорта ионного пучка, оптического микроскопа и электронной пушки расположены в одной плоскости с нормалью к полупроводниковой пластине, находящейся в рабочем положении, и пересекаются в одной точке, располагающейся на лицевой поверхности пластины, колонна транспорта ионного пучка, оптический микроскоп и электронная пушка располагаются с лицевой стороны пластины и угол между их осями наименьший, компьютер обеспечивает возможность сканирования ионного пучка по набору площадок посредством перемещения пластины по заданным координатам площадок, получение изображений поверхности пластины во вторичных электронах и совмещение растров ионного и электронного пучков на поверхности пластины.
2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что вакуумная камера позволяет достичь вакуума 5 х 10-10 Торр.
3. Установка по п.1, отличающаяся тем, что диаметр ионного пучка может быть 0,9 - 1,5 мкм при энергии ионов 5 кэВ.
RU2000117335/28A 2000-07-04 2000-07-04 Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками RU2164718C1 (ru)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000117335/28A RU2164718C1 (ru) 2000-07-04 2000-07-04 Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками
US10/069,656 US20020170497A1 (en) 2000-07-04 2001-07-02 Device for forming nanostructures on the surface of a semiconductor wafer by means of ion beams
ES01948177T ES2232637T3 (es) 2000-07-04 2001-07-02 Dispositivo para formar nanoestructuras sobre la superficie de una oblea semiconductora por medio de haces de iones.
AU2001269655A AU2001269655A1 (en) 2000-07-04 2001-07-02 Device for forming nanostructures on the surface of a semiconductor wafer by means of ion beams
DK01948177T DK1280192T3 (da) 2000-07-04 2001-07-02 Anordning til frembringelse af nanostrukturer på overfladen af en halvlederskive ved hjælp af ionstråler
PCT/RU2001/000261 WO2002003419A2 (fr) 2000-07-04 2001-07-02 Installation pour former des nanostructures a la surface de plaquettes de semi-conducteur par faisceaux d'ions
EP01948177A EP1280192B1 (en) 2000-07-04 2001-07-02 Device for forming nanostructures on the surface of a semiconductor wafer by means of ion beams
DE60106230T DE60106230T2 (de) 2000-07-04 2001-07-02 Apparat zur formung von nanostrukturen auf der oberfläche von halbleiterscheiben mittels ionenstrahl
JP2002507405A JP2004502291A (ja) 2000-07-04 2001-07-02 イオンビームにより半導体ウェハの表面に微細構造を形成するための装置
AT01948177T ATE279018T1 (de) 2000-07-04 2001-07-02 Apparat zur formung von nanostrukturen auf der oberfläche von halbleiterscheiben mittels ionenstrahl
PT01948177T PT1280192E (pt) 2000-07-04 2001-07-02 Dispositivo para criar nanoestruturas na superficie de uma 'wafer' semicondutora por meio de um feixe de ioes
CA002382984A CA2382984A1 (en) 2000-07-04 2001-07-02 Device for forming nanostructures on the surface of a semiconductor wafer by means of ion beams
PL01353885A PL353885A1 (en) 2000-07-04 2001-07-02 Device for forming nanostructures on the surface of a semiconductor wafer by means of ion beams

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000117335/28A RU2164718C1 (ru) 2000-07-04 2000-07-04 Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2164718C1 true RU2164718C1 (ru) 2001-03-27

Family

ID=20237171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000117335/28A RU2164718C1 (ru) 2000-07-04 2000-07-04 Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками

Country Status (13)

Country Link
US (1) US20020170497A1 (ru)
EP (1) EP1280192B1 (ru)
JP (1) JP2004502291A (ru)
AT (1) ATE279018T1 (ru)
AU (1) AU2001269655A1 (ru)
CA (1) CA2382984A1 (ru)
DE (1) DE60106230T2 (ru)
DK (1) DK1280192T3 (ru)
ES (1) ES2232637T3 (ru)
PL (1) PL353885A1 (ru)
PT (1) PT1280192E (ru)
RU (1) RU2164718C1 (ru)
WO (1) WO2002003419A2 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7358513B2 (en) 2001-07-17 2008-04-15 Optaglio Ltd. Optical device and method of manufacture
RU2548016C1 (ru) * 2013-10-16 2015-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) Устройство для ионной обработки внутренних поверхностей изделий миллиметрового диапазона
RU2755405C1 (ru) * 2020-12-22 2021-09-15 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук Установка для высокотемпературного вакуумного отжига тонких плёнок с возможностью in situ оптического наблюдения с высоким разрешением

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100085642A1 (en) * 2000-07-18 2010-04-08 Optaglio Limited Diffractive device
EP1303795B1 (en) * 2000-07-18 2006-08-30 Optaglio Limited Achromatic diffractive device
US7351346B2 (en) * 2004-11-30 2008-04-01 Agoura Technologies, Inc. Non-photolithographic method for forming a wire grid polarizer for optical and infrared wavelengths
US7561332B2 (en) * 2004-11-30 2009-07-14 Agoura Technologies, Inc. Applications and fabrication techniques for large scale wire grid polarizers
JP4307470B2 (ja) * 2006-08-08 2009-08-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置
US20080129930A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Agoura Technologies Reflective polarizer configuration for liquid crystal displays
BR112013029957A2 (pt) 2011-06-10 2017-01-31 Hitachi Consumer Electronics disco óptico, dispositivo de gravação/reprodução de disco óptico, método para gravar informação em um disco óptico, e, método para reproduzir informação de um disco óptico
KR20140054183A (ko) 2011-08-05 2014-05-08 워스텍, 인코포레이티드 나노구조 층을 갖는 발광 다이오드 및 그의 제조 및 사용 방법
WO2013141740A1 (en) * 2012-03-23 2013-09-26 Wostec, Inc. Sers-sensor with nanostructured layer and methods of making and using
DE102012017503A1 (de) * 2012-05-30 2013-12-19 Eads Deutschland Gmbh Verfahren zur Nanostrukturierung von anorganischen und organischen Materialien durch kontinuierliche Bestrahlung mit einem Teilchenstrahl
WO2014142700A1 (en) 2013-03-13 2014-09-18 Wostec Inc. Polarizer based on a nanowire grid
US20170194167A1 (en) 2014-06-26 2017-07-06 Wostec, Inc. Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using
WO2018093284A1 (en) 2016-11-18 2018-05-24 Wostec, Inc. Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using
WO2018156042A1 (en) 2017-02-27 2018-08-30 Wostec, Inc. Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4147937A (en) * 1977-11-01 1979-04-03 Fujitsu Limited Electron beam exposure system method and apparatus
DE3853890T2 (de) * 1987-01-19 1995-10-19 Hitachi Ltd Mit einem Plasma arbeitendes Gerät.
US4874947A (en) * 1988-02-26 1989-10-17 Micrion Corporation Focused ion beam imaging and process control
US5311028A (en) * 1990-08-29 1994-05-10 Nissin Electric Co., Ltd. System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions
RU2007783C1 (ru) * 1991-10-02 1994-02-15 Борис Михайлович Овчинников Способ создания наноструктур
US5852298A (en) * 1995-03-30 1998-12-22 Ebara Corporation Micro-processing apparatus and method therefor
FR2757881B1 (fr) * 1996-12-31 1999-04-09 Univ Paris Curie Procede de traitement d'une surface d'un semi-conducteur, dispositif correspondant et semi-conducteur associe
US6039000A (en) * 1998-02-11 2000-03-21 Micrion Corporation Focused particle beam systems and methods using a tilt column

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7358513B2 (en) 2001-07-17 2008-04-15 Optaglio Ltd. Optical device and method of manufacture
US7435979B2 (en) 2001-07-17 2008-10-14 Optaglio Ltd. Optical device and method of manufacture
RU2548016C1 (ru) * 2013-10-16 2015-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) Устройство для ионной обработки внутренних поверхностей изделий миллиметрового диапазона
RU2755405C1 (ru) * 2020-12-22 2021-09-15 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук Установка для высокотемпературного вакуумного отжига тонких плёнок с возможностью in situ оптического наблюдения с высоким разрешением

Also Published As

Publication number Publication date
ES2232637T3 (es) 2005-06-01
EP1280192A2 (en) 2003-01-29
US20020170497A1 (en) 2002-11-21
DE60106230D1 (de) 2004-11-11
WO2002003419A2 (fr) 2002-01-10
AU2001269655A1 (en) 2002-01-14
DE60106230T2 (de) 2005-08-18
WO2002003419A3 (fr) 2002-10-24
DK1280192T3 (da) 2005-02-07
PT1280192E (pt) 2005-02-28
EP1280192A4 (en) 2003-03-26
CA2382984A1 (en) 2002-01-10
EP1280192B1 (en) 2004-10-06
PL353885A1 (en) 2003-12-01
JP2004502291A (ja) 2004-01-22
ATE279018T1 (de) 2004-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2164718C1 (ru) Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками
JP5498955B2 (ja) 試料を分析及び/又は加工するための装置及び方法
US8592776B2 (en) Charged particle beam apparatus
US7598499B2 (en) Charged-particle exposure apparatus
KR20070101204A (ko) 워크피스를 밀링하기 위해 이온빔을 가하고 다수회편향시키고, 그 정도를 결정 및 제어하기 위한 방법, 장치및 시스템
US9305746B2 (en) Pre-aligned nozzle/skimmer
US20010045525A1 (en) Shaped and low density focused ion beams
JP6625707B2 (ja) Gcibノズルアセンブリ
TW202232558A (zh) 以粒子束分析及/或處理樣品的裝置及方法
US11682536B2 (en) Particle beam apparatus and composite beam apparatus
JP2909061B2 (ja) 断面観察装置
US10832889B2 (en) Charged particle beam device
JP7294971B2 (ja) 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法
US11199480B2 (en) Thin-sample-piece fabricating device and thin-sample-piece fabricating method
JP4740668B2 (ja) 荷電ビーム装置及びそのビーム軸の軸合わせ方法
JP2002289517A (ja) 電子ビーム近接露光装置及び方法
KR20010080286A (ko) 열전계 방출 정렬 방법 및 장치
US20240170248A1 (en) Particle beam system
Meijer et al. High energy implantation by ion projection
JP2012241779A (ja) 真空接続装置、荷電粒子ビーム描画装置および排気装置の荷電粒子ビーム描画装置への取付方法
Kinokuni et al. Development of wide range energy focused ion beam lithography system
JP2009187852A (ja) 荷電粒子線加工装置
JPS6235622A (ja) イオンビ−ム露光装置
JPS63168954A (ja) イオン注入装置

Legal Events

Date Code Title Description
RH4A Copy of patent granted that was duplicated for the russian federation

Effective date: 20041203

NF4A Reinstatement of patent
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20050705