RU2164718C1 - Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками - Google Patents
Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками Download PDFInfo
- Publication number
- RU2164718C1 RU2164718C1 RU2000117335/28A RU2000117335A RU2164718C1 RU 2164718 C1 RU2164718 C1 RU 2164718C1 RU 2000117335/28 A RU2000117335/28 A RU 2000117335/28A RU 2000117335 A RU2000117335 A RU 2000117335A RU 2164718 C1 RU2164718 C1 RU 2164718C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ion
- ion beam
- semiconductor
- optical microscope
- wafer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31735—Direct-write microstructures
- H01J2237/31737—Direct-write microstructures using ions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной и вакуумной технике. Технический результат - обеспечение возможности изготовления наноструктур, пригодных для изготовления полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции, а также оптических приборов высокого разрешения. Сущность: установка содержит вакуумную камеру с системами откачки и отжига, устройство ввода полупроводниковых пластин в камеру, ионный источник с управляемой энергией, масс-сепаратор, детектор электронов, держатель полупроводниковой пластины, измеритель ионного тока, квадрупольный масс-анализатор, компьютер с монитором и интерфейсом. Оси колонны транспорта ионного пучка, оптического микроскопа и электронной пушки расположены в одной плоскости с нормалью к полупроводниковой пластине, находящейся в рабочем положении, и пересекаются в одной точке, располагающейся на лицевой поверхности пластины. Оптический микроскоп и электронная пушка располагаются с лицевой стороны пластины, и угол между их осями наименьший. 2 з.п.ф-лы, 1 ил.
Description
Изобретение относится к электронной и вакуумной технике, в частности к установкам для формирования на полупроводниковых пластинах различных структур и покрытий, и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов нового поколения, а также в оптическом приборостроении.
Известна установка для обработки полупроводниковых пластин, содержащая вакуумную установку, вакуумные средства откачки, средство обработки пластин (см. патент EP 0275965, H 01 J 37/32, 1988).
Недостатком аналога является то, что при одноволновом режиме передачи энергии на частоте 2,45 ГГц сечение плазменного пучка и диаметр обрабатываемых пластин ограничены величиной 76-100 мм, что делает невозможным использование аналога для обработки пластин диаметром 150-200 мм. Кроме этого, в известном решении затруднена возможность обеспечения заданного угла плазменного потока относительно нормали к поверхности обрабатываемой пластины, а также управления энергией ионов в плазме. Данное решение принято в качестве ближайшего аналога (прототипа). Техническая задача, решаемая посредством настоящего изобретения, состоит в разработке установки для изготовления наноструктур, пригодных для изготовления полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции, а также оптических приборов высокого разрешения и направлена на расширение функциональных возможностей известной установки.
Технический результат, получаемый в результате реализации изобретения, состоит в обеспечении возможности изготовления тонкопленочных полупроводниковых структур, пригодных для создания полупроводниковых приборов нового поколения, а также дифракционных решеток.
Поставленная задача достигается тем, что установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин содержит вакуумную камеру, с системами откачки и отжига, устройство ввода полупроводниковых пластин в камеру, ионный источник с управляемой энергией, масс-сепаратор, электронную пушку, детектор электронов, держатель полупроводниковой пластины, измеритель ионного тока, причем установка снабжена колонной транспорта ионного пучка, квадрупольным масс-анализатором, оптическим микроскопом, компьютером, оси колонны транспорта ионного пучка, оптического микроскопа и электронной пушки расположены в одной плоскости с нормалью к полупроводниковой пластине, находящейся в рабочем положении, и пересекаются в одной точке, располагающейся на лицевой поверхности пластины, колонна транспорта ионного пучка, оптический микроскоп и электронная пушка располагаются с лицевой стороны пластины и угол между их осями наименьший, компьютер обеспечивает возможность сканирования ионного пучка по набору площадок посредством перемещения пластины по заданным координатам площадок, получения изображений поверхности пластины во вторичных электронах и совмещение растворов ионного и электронного пучков на поверхности пластины.
Вакуумная камера позволяет достичь вакуума 5·10-10 Торр. Диаметр ионного пучка может быть 0,9 - 1,5 мкм при энергии ионов 5 кэВ.
Изобретение иллюстрировано графическим материалом, где на чертеже приведена установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками, которая содержит сверхвысоковакуумную камеру 1, позволяющую создавать вакуум 5·10-10 Торр с необходимыми системами откачки и отжига (на чертеже не показаны), устройство ввода полупроводниковых пластин 2 диаметром 200 мм в камеру 1, полупроводниковую пластину 3, шлюзовой клапан 4, ионный источник с управляемой энергией 5, масс-сепаратор 6, колонну транспорта ионного пучка 7, оптический микроскоп 8, электронную пушку 9, квадрупольный масс-анализатор 10, детектор электронов 11, держатель 12 полупроводниковой пластины, измеритель ионного тока 13, компьютер 14, монитор 15, интерфейс 16. Установка работает следующим образом.
Устанавливают пластину 3 в вакуумную камеру 1 с остаточным давлением 5·10-10 Торр. В ионный источник типа дугоплазмотрон напускают азот для получения потока ионов азота. Задают энергию потока ионов и угол облучения пластины. Потоком ионов азота при токе I = 250 нА равномерно облучают область S = 200 · 200 кв. мкм на поверхности пластины. При этом соблюдают следующие условия. Оси колонны транспорта ионного пучка 7, оптического микроскопа 8 и электронной пушки 9 находятся в одной плоскости с нормалью к пластине 3, находящейся в рабочем положении. Оси колонны транспорта ионного пучка 7, оптического микроскопа 8 и электронной пушки 9 должны пересекаться в одной точке F, располагающейся на лицевой поверхности пластины 3. Эта точка должна быть точкой фокуса колонны транспорта ионного пучка 7, оптического микроскопа 8 и электронной пушки 9. Колонна транспорта ионного пучка 7, оптический микроскоп 8 и электронная пушка 9 должны располагаться с лицевой стороны пластины и угол между их осями должен быть наименьший. Ионный источник 5 представляет собой ионный источник типа дугоплазмотрон, работающий на следующих газах аргон, кислород и азот и обеспечивающий энергии ионов в диапазоне от 500 эВ до 20 кэВ.
Масс-сепаратор 6 представляет собой масс-сепаратор с диапазоном масс от 1 до 100 а.е.м. и имеет относительное разрешение по массам 5 а.е.м. Колонна транспорта ионного пучка 7 обеспечивает возможность изменения размера растра и отношения сторон растра. Диаметр ионного пучка должен быть около 1 мкм (от 0,9 мкм до 1,5 мкм) при энергии ионов 5 кэВ. Направления X и Y сканирования ионного пучка должны совпадать с направлениями перемещения держателя пластины 12. Электронное управление смещением ионного пучка вдоль оси Y должно быть не меньше, чем двойной размер растра в направлении Y. Линейность развертки ионного пучка в направлении Y должна быть управляемой.
Оптический микроскоп 8 выполнен с подсветкой пластин, увеличением от 8 до 100 крат и выводом изображения на TV монитор. Электронная пушка 9 создает энергию электронов от 100 эВ до 10 кэВ, ток электронного пучка 5 мкА и размер пятна около 100 нм. Направления X и Y сканирования электронного пучка должны совпадать с направлением перемещения держателя пластины 12.
Электронное управление смещением электронного пучка в направлении Y должно быть не меньше, чем двойной размер растра в направлении Y.
Линейность развертки электронного пучка в направлении Y должна быть управляемой.
Квадрупольный масс-анализатор 10 оснащен оптикой сбора как положительных, так и отрицательных вторичных ионов.
Диапазон измеряемых масс 1 - 100 а.е.м. Абсолютное разрешение по массам 5 а.е.м. Детектор электронов 11 представляет собой детектор вторичных электронов.
Держатель полупроводниковой пластины 12 обеспечивает возможность наклона пластины таким образом, чтобы нормаль к пластине оставалась в плоскости осей колонны транспорта ионного пучка 7, оптического микроскопа 8 и электронной пушки 9. Угол наклона нормали пластины относительно оси колонны транспорта ионного пучка 7 должен обеспечиваться от 0 до 90o. Вращение пластины должно обеспечиваться от 0 до 360o. Непрерывного вращения пластины не требуется. Точность установки углов должна быть ±0,5o. Держатель пластины должен обеспечивать нагрев пластины от комнатной температуры до 700oC. X и Y направления перемещения пластины должны быть в плоскости пластины. Перемещение пластины в направлении Z должно обеспечивать совмещение плоскости поверхности пластины с точкой фокуса колонны транспорта ионного пучка 7, оптического микроскопа 8 и электронной пушки 9. Погрешность перемещения пластины должна быть около 1 мкм. Измеритель ионного тока 13 обеспечивает измерение тока с пластины.
Компьютер 14 с монитором 15 и интерфейсом 16 предназначены для управления установкой в целом. Компьютер 14 должен обеспечивать сканирование ионного пучка по набору площадок посредством перемещения пластины по заданным координатам площадок, при этом выключение ионного пучка должно определяться как интегралом тока с пластины, так и сигналом определенных ионов, детектируемых квадрупольным масс-анализатором 10.
Компьютер обеспечивает получение изображений поверхности пластины как во вторичных электронах, вызываемых сканирующими электронным или ионным пучками, так и даваемое оптическим микроскопом 8, для обеспечения возможности совмещения растров ионного и электронного пучков на поверхности пластины.
Claims (3)
1. Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин, содержащая вакуумную камеру с системами откачки и отжига, устройство ввода полупроводниковых пластин в камеру, ионный источник с управляемой энергией, масс-сепаратор, электронную пушку, детектор электронов, держатель полупроводниковой пластины, измеритель ионного тока, отличающаяся тем, что она снабжена колонной транспорта ионного пучка, квадрупольным масс-анализатором, оптическим микроскопом, компьютером, оси колонны транспорта ионного пучка, оптического микроскопа и электронной пушки расположены в одной плоскости с нормалью к полупроводниковой пластине, находящейся в рабочем положении, и пересекаются в одной точке, располагающейся на лицевой поверхности пластины, колонна транспорта ионного пучка, оптический микроскоп и электронная пушка располагаются с лицевой стороны пластины и угол между их осями наименьший, компьютер обеспечивает возможность сканирования ионного пучка по набору площадок посредством перемещения пластины по заданным координатам площадок, получение изображений поверхности пластины во вторичных электронах и совмещение растров ионного и электронного пучков на поверхности пластины.
2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что вакуумная камера позволяет достичь вакуума 5 х 10-10 Торр.
3. Установка по п.1, отличающаяся тем, что диаметр ионного пучка может быть 0,9 - 1,5 мкм при энергии ионов 5 кэВ.
Priority Applications (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2000117335/28A RU2164718C1 (ru) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками |
US10/069,656 US20020170497A1 (en) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | Device for forming nanostructures on the surface of a semiconductor wafer by means of ion beams |
ES01948177T ES2232637T3 (es) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | Dispositivo para formar nanoestructuras sobre la superficie de una oblea semiconductora por medio de haces de iones. |
AU2001269655A AU2001269655A1 (en) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | Device for forming nanostructures on the surface of a semiconductor wafer by means of ion beams |
DK01948177T DK1280192T3 (da) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | Anordning til frembringelse af nanostrukturer på overfladen af en halvlederskive ved hjælp af ionstråler |
PCT/RU2001/000261 WO2002003419A2 (fr) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | Installation pour former des nanostructures a la surface de plaquettes de semi-conducteur par faisceaux d'ions |
EP01948177A EP1280192B1 (en) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | Device for forming nanostructures on the surface of a semiconductor wafer by means of ion beams |
DE60106230T DE60106230T2 (de) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | Apparat zur formung von nanostrukturen auf der oberfläche von halbleiterscheiben mittels ionenstrahl |
JP2002507405A JP2004502291A (ja) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | イオンビームにより半導体ウェハの表面に微細構造を形成するための装置 |
AT01948177T ATE279018T1 (de) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | Apparat zur formung von nanostrukturen auf der oberfläche von halbleiterscheiben mittels ionenstrahl |
PT01948177T PT1280192E (pt) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | Dispositivo para criar nanoestruturas na superficie de uma 'wafer' semicondutora por meio de um feixe de ioes |
CA002382984A CA2382984A1 (en) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | Device for forming nanostructures on the surface of a semiconductor wafer by means of ion beams |
PL01353885A PL353885A1 (en) | 2000-07-04 | 2001-07-02 | Device for forming nanostructures on the surface of a semiconductor wafer by means of ion beams |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2000117335/28A RU2164718C1 (ru) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2164718C1 true RU2164718C1 (ru) | 2001-03-27 |
Family
ID=20237171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2000117335/28A RU2164718C1 (ru) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020170497A1 (ru) |
EP (1) | EP1280192B1 (ru) |
JP (1) | JP2004502291A (ru) |
AT (1) | ATE279018T1 (ru) |
AU (1) | AU2001269655A1 (ru) |
CA (1) | CA2382984A1 (ru) |
DE (1) | DE60106230T2 (ru) |
DK (1) | DK1280192T3 (ru) |
ES (1) | ES2232637T3 (ru) |
PL (1) | PL353885A1 (ru) |
PT (1) | PT1280192E (ru) |
RU (1) | RU2164718C1 (ru) |
WO (1) | WO2002003419A2 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7358513B2 (en) | 2001-07-17 | 2008-04-15 | Optaglio Ltd. | Optical device and method of manufacture |
RU2548016C1 (ru) * | 2013-10-16 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) | Устройство для ионной обработки внутренних поверхностей изделий миллиметрового диапазона |
RU2755405C1 (ru) * | 2020-12-22 | 2021-09-15 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук | Установка для высокотемпературного вакуумного отжига тонких плёнок с возможностью in situ оптического наблюдения с высоким разрешением |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100085642A1 (en) * | 2000-07-18 | 2010-04-08 | Optaglio Limited | Diffractive device |
EP1303795B1 (en) * | 2000-07-18 | 2006-08-30 | Optaglio Limited | Achromatic diffractive device |
US7351346B2 (en) * | 2004-11-30 | 2008-04-01 | Agoura Technologies, Inc. | Non-photolithographic method for forming a wire grid polarizer for optical and infrared wavelengths |
US7561332B2 (en) * | 2004-11-30 | 2009-07-14 | Agoura Technologies, Inc. | Applications and fabrication techniques for large scale wire grid polarizers |
JP4307470B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2009-08-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置 |
US20080129930A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Agoura Technologies | Reflective polarizer configuration for liquid crystal displays |
BR112013029957A2 (pt) | 2011-06-10 | 2017-01-31 | Hitachi Consumer Electronics | disco óptico, dispositivo de gravação/reprodução de disco óptico, método para gravar informação em um disco óptico, e, método para reproduzir informação de um disco óptico |
KR20140054183A (ko) | 2011-08-05 | 2014-05-08 | 워스텍, 인코포레이티드 | 나노구조 층을 갖는 발광 다이오드 및 그의 제조 및 사용 방법 |
WO2013141740A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Wostec, Inc. | Sers-sensor with nanostructured layer and methods of making and using |
DE102012017503A1 (de) * | 2012-05-30 | 2013-12-19 | Eads Deutschland Gmbh | Verfahren zur Nanostrukturierung von anorganischen und organischen Materialien durch kontinuierliche Bestrahlung mit einem Teilchenstrahl |
WO2014142700A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Wostec Inc. | Polarizer based on a nanowire grid |
US20170194167A1 (en) | 2014-06-26 | 2017-07-06 | Wostec, Inc. | Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using |
WO2018093284A1 (en) | 2016-11-18 | 2018-05-24 | Wostec, Inc. | Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using |
WO2018156042A1 (en) | 2017-02-27 | 2018-08-30 | Wostec, Inc. | Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4147937A (en) * | 1977-11-01 | 1979-04-03 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure system method and apparatus |
DE3853890T2 (de) * | 1987-01-19 | 1995-10-19 | Hitachi Ltd | Mit einem Plasma arbeitendes Gerät. |
US4874947A (en) * | 1988-02-26 | 1989-10-17 | Micrion Corporation | Focused ion beam imaging and process control |
US5311028A (en) * | 1990-08-29 | 1994-05-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions |
RU2007783C1 (ru) * | 1991-10-02 | 1994-02-15 | Борис Михайлович Овчинников | Способ создания наноструктур |
US5852298A (en) * | 1995-03-30 | 1998-12-22 | Ebara Corporation | Micro-processing apparatus and method therefor |
FR2757881B1 (fr) * | 1996-12-31 | 1999-04-09 | Univ Paris Curie | Procede de traitement d'une surface d'un semi-conducteur, dispositif correspondant et semi-conducteur associe |
US6039000A (en) * | 1998-02-11 | 2000-03-21 | Micrion Corporation | Focused particle beam systems and methods using a tilt column |
-
2000
- 2000-07-04 RU RU2000117335/28A patent/RU2164718C1/ru not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-07-02 AT AT01948177T patent/ATE279018T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-07-02 PL PL01353885A patent/PL353885A1/xx unknown
- 2001-07-02 CA CA002382984A patent/CA2382984A1/en not_active Abandoned
- 2001-07-02 JP JP2002507405A patent/JP2004502291A/ja active Pending
- 2001-07-02 DK DK01948177T patent/DK1280192T3/da active
- 2001-07-02 AU AU2001269655A patent/AU2001269655A1/en not_active Abandoned
- 2001-07-02 WO PCT/RU2001/000261 patent/WO2002003419A2/ru active IP Right Grant
- 2001-07-02 DE DE60106230T patent/DE60106230T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-02 EP EP01948177A patent/EP1280192B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-02 ES ES01948177T patent/ES2232637T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-02 PT PT01948177T patent/PT1280192E/pt unknown
- 2001-07-02 US US10/069,656 patent/US20020170497A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7358513B2 (en) | 2001-07-17 | 2008-04-15 | Optaglio Ltd. | Optical device and method of manufacture |
US7435979B2 (en) | 2001-07-17 | 2008-10-14 | Optaglio Ltd. | Optical device and method of manufacture |
RU2548016C1 (ru) * | 2013-10-16 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) | Устройство для ионной обработки внутренних поверхностей изделий миллиметрового диапазона |
RU2755405C1 (ru) * | 2020-12-22 | 2021-09-15 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук | Установка для высокотемпературного вакуумного отжига тонких плёнок с возможностью in situ оптического наблюдения с высоким разрешением |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2232637T3 (es) | 2005-06-01 |
EP1280192A2 (en) | 2003-01-29 |
US20020170497A1 (en) | 2002-11-21 |
DE60106230D1 (de) | 2004-11-11 |
WO2002003419A2 (fr) | 2002-01-10 |
AU2001269655A1 (en) | 2002-01-14 |
DE60106230T2 (de) | 2005-08-18 |
WO2002003419A3 (fr) | 2002-10-24 |
DK1280192T3 (da) | 2005-02-07 |
PT1280192E (pt) | 2005-02-28 |
EP1280192A4 (en) | 2003-03-26 |
CA2382984A1 (en) | 2002-01-10 |
EP1280192B1 (en) | 2004-10-06 |
PL353885A1 (en) | 2003-12-01 |
JP2004502291A (ja) | 2004-01-22 |
ATE279018T1 (de) | 2004-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2164718C1 (ru) | Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками | |
JP5498955B2 (ja) | 試料を分析及び/又は加工するための装置及び方法 | |
US8592776B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
US7598499B2 (en) | Charged-particle exposure apparatus | |
KR20070101204A (ko) | 워크피스를 밀링하기 위해 이온빔을 가하고 다수회편향시키고, 그 정도를 결정 및 제어하기 위한 방법, 장치및 시스템 | |
US9305746B2 (en) | Pre-aligned nozzle/skimmer | |
US20010045525A1 (en) | Shaped and low density focused ion beams | |
JP6625707B2 (ja) | Gcibノズルアセンブリ | |
TW202232558A (zh) | 以粒子束分析及/或處理樣品的裝置及方法 | |
US11682536B2 (en) | Particle beam apparatus and composite beam apparatus | |
JP2909061B2 (ja) | 断面観察装置 | |
US10832889B2 (en) | Charged particle beam device | |
JP7294971B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法 | |
US11199480B2 (en) | Thin-sample-piece fabricating device and thin-sample-piece fabricating method | |
JP4740668B2 (ja) | 荷電ビーム装置及びそのビーム軸の軸合わせ方法 | |
JP2002289517A (ja) | 電子ビーム近接露光装置及び方法 | |
KR20010080286A (ko) | 열전계 방출 정렬 방법 및 장치 | |
US20240170248A1 (en) | Particle beam system | |
Meijer et al. | High energy implantation by ion projection | |
JP2012241779A (ja) | 真空接続装置、荷電粒子ビーム描画装置および排気装置の荷電粒子ビーム描画装置への取付方法 | |
Kinokuni et al. | Development of wide range energy focused ion beam lithography system | |
JP2009187852A (ja) | 荷電粒子線加工装置 | |
JPS6235622A (ja) | イオンビ−ム露光装置 | |
JPS63168954A (ja) | イオン注入装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RH4A | Copy of patent granted that was duplicated for the russian federation |
Effective date: 20041203 |
|
NF4A | Reinstatement of patent | ||
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20050705 |