JP2004502291A - イオンビームにより半導体ウェハの表面に微細構造を形成するための装置 - Google Patents

イオンビームにより半導体ウェハの表面に微細構造を形成するための装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004502291A
JP2004502291A JP2002507405A JP2002507405A JP2004502291A JP 2004502291 A JP2004502291 A JP 2004502291A JP 2002507405 A JP2002507405 A JP 2002507405A JP 2002507405 A JP2002507405 A JP 2002507405A JP 2004502291 A JP2004502291 A JP 2004502291A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
ion beam
ion
electron
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002507405A
Other languages
English (en)
Inventor
スミルノフ　ヴァレリー　コンスタンチノヴィッチ
キバロフ　ドミトリイ　スタニラヴォヴィッチ
Original Assignee
セプトレ　エレクトロニクス　リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by セプトレ　エレクトロニクス　リミテッド filed Critical セプトレ　エレクトロニクス　リミテッド
Publication of JP2004502291A publication Critical patent/JP2004502291A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31735—Direct-write microstructures
    • H01J2237/31737—Direct-write microstructures using ions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

本発明は電気及び真空技術の分野に係り、特に半導体ウェハ上に種々の構造や被着物を形成するための装置に関する。本発明は次世代半導体製品の開発に使用できる。本発明は高集積化半導体製品や高解像光学機器の作製に使用される微細構造の開発デバイスを可能とする。本発明の装置は、排気及びアニールシステムを備えた真空チャンバと、チャンバ内に半導体ウェハを導入するユニットと、エネルギ制御可能なイオン源と、質量分離器と、電子検出器と、半導体ウェハのホルダと、イオン電流の測定器と、４極質量分析器と、モニタ及びインターフェースを備えたコンピュータとから構成される。

Description

【０００１】
（技術分野）
本発明は電気及び真空技術の分野に係り、特に半導体ウェハ上に種々の構造や被着物を形成するための装置に関する。
本発明は次世代半導体デバイスを開発に使用することができるだけでなく、光学機器の作製にも使用することが出来る。
【０００２】
（従来の技術）
真空ユニットと真空排気デバイスとウェハ処理デバイスとを備え、半導体ウェハを処理する装置が知られている（欧州特許ＥＰ０２７５９６５，Ｍ ｃｌ． Ｈ０１Ｊ ３７／３２ １９８８）。上記装置では、２．４５ＧＨｚの周波数での単波伝送モードにおいて、プラズマビームの断面及び被処理ウェハの直径は７６−１００ｍｍの範囲に設定されるものの、被処理ウェハの表面での法線に対してのプラズマ流入角は正確には定められていなかった。
上記方法は最近似アナログ（プロトタイプ）であるとみなされている。
【０００３】
（発明の開示）
本発明の要旨は、集積度の高い半導体デバイスおよび高解像光学デバイスの作製に好適な微細構造製造用の装置を開発することにある。また本発明は、既存の装置の機能性を拡大することを目的としている。
半導体ウェハ表面上に微細構造を形成するための本装置は、排気及びアニールシステムを備えた真空チャンバと、半導体ウェハ搬入デバイスと、電力制御されたイオン源と、質量分離器と、電子銃と、ウェハホルダと、イオン電流計とを具備している。
【０００４】
本装置には、イオンビーム搬送列と４極質量分析器と、光学顕微鏡と、コンピュータとが取付けられている。イオンビーム搬送列、光学顕微鏡及び電子銃の光軸は、稼動位置にある半導体ウェハの法線と同一面内にあり、ウェハ表面上の一点で交差している。各光軸間の角度は最小角に設定されている。コンピュータは、与えられた位置座標に沿ってウェハを移動させることにより、座標上でイオンビームを走査し、２次電子によるウェハ表面の画像を表示させ、ウェハ表面上でイオンと電子ビームとを結合させる。真空チャンバの真空度は５×１０−１０トルであり、イオンビーム直径は０．９μｍ乃至１．５μｍの間で変化する。イオンエネルギは５ｋｅＶである。
【０００５】
（発明を実施するための好ましい実施の形態）
図１は本発明に係る装置を図形化して描いた説明図である。
図１には、イオンビームによって半導体ウェハ表面に微細構造を形成する装置が示されており、５×１０−１０トルの真空度を実現でき必要な図示しない排気及びアニールシステムを備えた超高真空チャンバ１を有している。
【０００６】
本装置はさらに、２００ｍｍの直径を有する、チャンバ１への半導体ウェハ搬入デバイス２と、半導体ウェハ３と、ゲートウェイバルブ４と、電力制御されたイオン源５と、質量分離器６と、イオンビーム搬送列７と、顕微鏡８と、電子銃９と、４極質量分析器１０と、電子検出器１１と、ウェハホルダ１２と、イオン電流計１３と、コンピュータ１４と、モニタ１５と、インターフェース１６とから構成されている。
本発明の装置を用いることにより、次世代半導体デバイスや回折スクリーンを作製するのに適した薄膜半導体構造を製造することが出来る。
【０００７】
本発明の装置により上記結果を得る方法は次の通りである。
まず、ウェハ３を残留圧５×１０−１０トルの真空チャンバ１内に載置する。ついで、双プラズマトロンタイプのイオンビーム列源に窒素を満たし、窒素イオン流を発生させる。そして、イオン流エネルギとウェハ放射角値を設定する。ここでは、ウェハ表面上のＳ＝２００×２００μｍ２の領域がＩ＝２５０ｎＡの電流値を持つ窒素イオン流で均等に照射される。なお、以下のような条件を満足させる必要がある。
【０００８】
イオンビーム搬送列７、光学顕微鏡８及び電子銃９の各光軸はウェハ３の表面上にあるＦ点において交差しなくてはならない。
この交差点Ｆは、イオンビーム搬送列７、光学顕微鏡８及び電子銃９の各焦点である。
イオンビーム搬送列７、光学顕微鏡８及び電子銃９はウェハ３の前方に互いの光軸間の角度が最小となるように設置される。イオン源５は双プラズマトロンタイプで、アルゴン、酸素及び窒素のようなガスで動作し、５００ｅＶ乃至２０ｋｅＶの範囲のイオンエネルギを供給する。
【０００９】
質量分離器６は、１乃至１００ａ．ｅ．ｍの質量範囲を有し、相対質量分解能は５ａ．ｅ．ｍである。イオンビーム搬送列７は、ラスタサイズとラスタサイズ比とを変更することが出来る。イオンエネルギが０．５ｋｅＶのときのイオンビームの直径は約１μｍ（０．９μｍ乃至１．５μｍ）である。イオンビーム走査のＸ，Ｙ方向は、ウェハホルダ１２の移動方向と一致しなくてはならない。Ｙ軸に沿ってのイオンビームシフトの電子制御は、Ｙ方向での２倍のラスタサイズ以下である必要はない。Ｙ方向でのイオンビーム走査の直線性が保たれるように制御する必要がある。
【００１０】
顕微鏡８はウェハに光が当ったとき８乃至１００倍の拡大率が得られるようになっており、映像はＴＶモニタ上に映される。
電子銃９は、１００ｅＶ乃至１０ｋｅＶの電子エネルギ、５μＡの電子ビーム電流及び約１００ｎｍのスポットサイズを発生させる。イオンビームのＸ，Ｙ方向への走査は、ウェハホルダ１２の移動方向と一致させなければならない。
【００１１】
Ｙ軸に沿ってのイオンビームシフトの電子制御はＹ方向での２倍のラスタサイズ以下である必要はない。Ｙ方向でのイオンビーム走査の直線性が保たれるように制御する必要がある。
４極質量分析器１０が光学器に取付けられており、正、負の二次イオンを収集する。
測定される質量範囲は１乃至１００ａ．ｅ．ｍである。絶対質量分解能は５ａ．ｅ．ｍである。電子検出器１１は２次電子の検出を行う。
【００１２】
ウェルホルダ１２は、ウェハ３の法線がイオンビーム搬送列７、光学顕微鏡８及び電子銃９の光軸面上に保たれるようにウェハ３を傾斜させる。ウェハ３のイオンビーム搬送列７の法線に対する傾斜角は０乃至９０°であり、ウェハ回転角は０乃至３６０°である。連続回転の必要はない、角度精度は±０．５°でなくてはならない。ウェハホルダ１２はウェハ３を室温から７００℃まで加熱できる。ウェハ３のＸ，Ｙ移動方向は、ウェハ面上でなければならない。
ウェハ３のＺ方向の移動は、ウェハ表面がイオンビーム搬送列７、光学顕微鏡８及び電子銃９の焦点に重なるように行なわれなければならない。ウェハ移動誤差は約１μｍでなくてはならない。
【００１３】
イオン電流計１３はウェハ３からの電流を測定する。
コンピュータ１４はモニタ１５とインターフェース１６とを備え、装置全体を制御するよう設計されている。コンピュータ１４は、与えられた位置座標に沿ってウェハを移動させることによりイオンビームを所定位置内で走査する。イオンビームの停止は、ウェハ電流積算値および４極質量分析器１０によって検出されたあるイオンの信号によって決定される。
コンピュータ１４は、走査電子又はイオンビームによって発生した２次電子からウェハ表面画像を抽出する。そして、光学顕微鏡８を介して、イオンと電子ビームのラスタを重畳してウェハ表面に供給する。
【００１４】
（産業上の利用分野）
本発明は電気及び真空技術の分野に利用される。特に半導体ウェハ上に種々の構造や被着物を形成するための装置に利用される。本発明は次世代半導体デバイスの開発や光学機器の作製にも利用することが出来る。
本発明はさらに、高集積半導体デバイスや高解像光学デバイスの作製に好適な微細構造製造用の装置を開発に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る装置を図形化して描いた説明図。
【符号の説明】
１：超高真空チャンバ
２：半導体ウェハ搬入デバイス
３：半導体ウェハ
４：ゲートウェイバルブ
５：イオン源
６：質量分離器
７：イオンビーム搬送列
８：顕微鏡
９：電子銃
１０：４極質量分析器
１１：電子検出器
１２：ウェハホルダ
１３：イオン電流計
１４：コンピュータ
１５：モニタ
１６：インターフェース

Claims (3)

  1. 排気及びアニールシステムを備えた真空チャンバと、半導体ウェハ搬入デバイスと、電力制御されたイオン源と、質量分離器と、電子銃と、電子検出器と、ウェハホルダと、イオン電流計とを含み、半導体ウェア表面上に微細構造を形成する装置であって、
    前記装置は、イオンビーム搬送列と、４極質量分析器と、光学顕微鏡と、コンピュータとを備え、
    前記イオンビーム搬送列、前記光学顕微鏡及び前記電子銃の光軸は、稼動位置にある前記半導体ウェハの法線と同一面内にあり、前記ウェハ表面上の一点で交差しており、
    前記イオンビーム搬送列、前記光学顕微鏡及び前記電子銃は、前記ウェハの前方に互いの光軸間の角度が最小となるよう設置され、
    前記コンピュータは、与えられた位置座標に沿って前記ウェハを移動させることによりイオンビームを所定位置内で走査し、前記ウェハの表面上でイオンと電子ビームとを結合させることにより２次電子によるウェハ表面画像を表示させることを特徴とする装置。
  2. 請求項１に記載の装置において、
    前記真空チャンバの真空度が５×１０− １０トルであることを特徴とする装置。
  3. 請求項１に記載の装置において、
    イオンビームの直径が、イオンエネルギが０．５ｋｅＶのとき、０．９μｍ乃至１．５μｍの範囲であることを特徴とする装置。
JP2002507405A 2000-07-04 2001-07-02 イオンビームにより半導体ウェハの表面に微細構造を形成するための装置 Pending JP2004502291A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000117335/28A RU2164718C1 (ru) 2000-07-04 2000-07-04 Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками
PCT/RU2001/000261 WO2002003419A2 (fr) 2000-07-04 2001-07-02 Installation pour former des nanostructures a la surface de plaquettes de semi-conducteur par faisceaux d'ions

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004502291A true JP2004502291A (ja) 2004-01-22

Family

ID=20237171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002507405A Pending JP2004502291A (ja) 2000-07-04 2001-07-02 イオンビームにより半導体ウェハの表面に微細構造を形成するための装置

Country Status (13)

Country Link
US (1) US20020170497A1 (ja)
EP (1) EP1280192B1 (ja)
JP (1) JP2004502291A (ja)
AT (1) ATE279018T1 (ja)
AU (1) AU2001269655A1 (ja)
CA (1) CA2382984A1 (ja)
DE (1) DE60106230T2 (ja)
DK (1) DK1280192T3 (ja)
ES (1) ES2232637T3 (ja)
PL (1) PL353885A1 (ja)
PT (1) PT1280192E (ja)
RU (1) RU2164718C1 (ja)
WO (1) WO2002003419A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012168979A1 (ja) 2011-06-10 2012-12-13 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 ディスク状記録媒体、及びディスク状記録媒体の記録再生装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE338292T1 (de) * 2000-07-18 2006-09-15 Optaglio Ltd Achromatisches beugungselement
US20100085642A1 (en) * 2000-07-18 2010-04-08 Optaglio Limited Diffractive device
GB0117391D0 (en) 2001-07-17 2001-09-05 Optaglio Ltd Optical device and method of manufacture
US7351346B2 (en) * 2004-11-30 2008-04-01 Agoura Technologies, Inc. Non-photolithographic method for forming a wire grid polarizer for optical and infrared wavelengths
EP1838899A2 (en) * 2004-11-30 2007-10-03 Agoura Technologies Inc. Applications and fabrication techniques for large scale wire grid polarizers
JP4307470B2 (ja) * 2006-08-08 2009-08-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置
US20080129930A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Agoura Technologies Reflective polarizer configuration for liquid crystal displays
CN103999244B (zh) 2011-08-05 2017-02-15 沃斯特克公司 具有纳米结构化层的发光二极管及制造和使用方法
WO2013141740A1 (en) * 2012-03-23 2013-09-26 Wostec, Inc. Sers-sensor with nanostructured layer and methods of making and using
DE102012017502B4 (de) * 2012-05-30 2022-11-17 Airbus Defence and Space GmbH Verfahren zur Nanostrukturierung von anorganischen und organischen Materialien mit hochenergetischer gepulster Laserstrahlung
US9500789B2 (en) 2013-03-13 2016-11-22 Wostec, Inc. Polarizer based on a nanowire grid
RU2548016C1 (ru) * 2013-10-16 2015-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) Устройство для ионной обработки внутренних поверхностей изделий миллиметрового диапазона
WO2015199573A1 (en) 2014-06-26 2015-12-30 Wostec, Inc. Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using
WO2018093284A1 (en) 2016-11-18 2018-05-24 Wostec, Inc. Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using
WO2018156042A1 (en) 2017-02-27 2018-08-30 Wostec, Inc. Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using
RU2755405C1 (ru) * 2020-12-22 2021-09-15 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук Установка для высокотемпературного вакуумного отжига тонких плёнок с возможностью in situ оптического наблюдения с высоким разрешением

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4147937A (en) * 1977-11-01 1979-04-03 Fujitsu Limited Electron beam exposure system method and apparatus
DE3853890T2 (de) * 1987-01-19 1995-10-19 Hitachi Ltd Mit einem Plasma arbeitendes Gerät.
US4874947A (en) * 1988-02-26 1989-10-17 Micrion Corporation Focused ion beam imaging and process control
US5311028A (en) * 1990-08-29 1994-05-10 Nissin Electric Co., Ltd. System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions
RU2007783C1 (ru) * 1991-10-02 1994-02-15 Борис Михайлович Овчинников Способ создания наноструктур
US5852298A (en) * 1995-03-30 1998-12-22 Ebara Corporation Micro-processing apparatus and method therefor
FR2757881B1 (fr) * 1996-12-31 1999-04-09 Univ Paris Curie Procede de traitement d'une surface d'un semi-conducteur, dispositif correspondant et semi-conducteur associe
US6039000A (en) * 1998-02-11 2000-03-21 Micrion Corporation Focused particle beam systems and methods using a tilt column

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012168979A1 (ja) 2011-06-10 2012-12-13 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 ディスク状記録媒体、及びディスク状記録媒体の記録再生装置

Also Published As

Publication number Publication date
PL353885A1 (en) 2003-12-01
ATE279018T1 (de) 2004-10-15
DE60106230D1 (de) 2004-11-11
US20020170497A1 (en) 2002-11-21
AU2001269655A1 (en) 2002-01-14
EP1280192A4 (en) 2003-03-26
WO2002003419A2 (fr) 2002-01-10
EP1280192A2 (en) 2003-01-29
RU2164718C1 (ru) 2001-03-27
DK1280192T3 (da) 2005-02-07
PT1280192E (pt) 2005-02-28
EP1280192B1 (en) 2004-10-06
CA2382984A1 (en) 2002-01-10
ES2232637T3 (es) 2005-06-01
DE60106230T2 (de) 2005-08-18
WO2002003419A3 (fr) 2002-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004502291A (ja) イオンビームにより半導体ウェハの表面に微細構造を形成するための装置
US20020017619A1 (en) Processing/observing instrument
EP1710327A2 (en) Method of selective etching by using a focused ion beam, an electron beam or a laser beam
JP2004061504A (ja) 基板の自動検査システムと方法
JP2005539360A (ja) 荷電粒子ビームシステム
TW200926245A (en) Composite focused ion beam apparatus, and machining monitoring method and machining method using composite focused ion beam apparatus
US7755065B2 (en) Focused ion beam apparatus
JP2023541664A (ja) 試料を粒子線で分析および／または処理するための装置および方法
JP2909061B2 (ja) 断面観察装置
JPH11213934A (ja) 集束イオンビームによる二次イオン像観察方法
JPH07169679A (ja) プロセス装置
WO2016129026A1 (ja) ミラーイオン顕微鏡およびイオンビーム制御方法
Davies et al. Focused ion beam machining and deposition for nanofabrication
JP4740668B2 (ja) 荷電ビーム装置及びそのビーム軸の軸合わせ方法
KR101922004B1 (ko) 이온 비임 생성을 위한 혁신적인 소스 조립체
JPH08222175A (ja) 荷電粒子を用いた微細加工方法及び装置
US11199480B2 (en) Thin-sample-piece fabricating device and thin-sample-piece fabricating method
JPH04149945A (ja) 荷電ビーム断面加工・観察装置
JPS61245164A (ja) パタ−ン修正装置
US20240170248A1 (en) Particle beam system
JP2012241779A (ja) 真空接続装置、荷電粒子ビーム描画装置および排気装置の荷電粒子ビーム描画装置への取付方法
Postek et al. Potentials for high pressure/environmental SEM microscopy for photomask dimensional metrology
Postek et al. Photomask dimensional metrology in the scanning electron microscope, part II: High-pressure/environmental scanning electron microscope
JPH11330209A (ja) 試料の処理方法及びその装置
JP2023171699A (ja) フォトマスク修復装置およびフォトマスク修復方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050222

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050523

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050602

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051108