JP2017510984A - 半導体層積層体を製造するための方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 - Google Patents
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Abstract
Description
− 成長側に成長表面を有する成長基板を用意するステップと、
− 成長側に第1の窒化物半導体層を成長させるステップと、
− 第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層を成長させるステップであって、第2の窒化物半導体層が少なくとも1つの開口部を含む、または少なくとも1つの開口部が第2の窒化物半導体層内に作られる、または少なくとも1つの開口部が成長させるステップ中に第2の窒化物半導体層内に作成される、第2の窒化物半導体層を成長させるステップと、
− 第2の窒化物半導体層内の開口部を通して第1の窒化物半導体層の少なくとも一部分を除去するステップと、
− 第2の窒化物半導体層上に第3の窒化物半導体層を成長させるステップであって、第3の窒化物半導体層が少なくとも所々で開口部を覆う、第3の窒化物半導体層を成長させるステップと、
を含む。
20 第2の窒化物半導体層
21 開口部
22 カバー表面
23 横方向表面
30 第3の窒化物半導体層
31 能動ゾーン
32 光
50 成長基板
51 成長表面
50a 成長側
60 キャビティ
61 キャビティの端部
Claims (13)
- 半導体層積層体を製造するための方法であって、
成長側(50a)に成長表面(51)を有する成長基板(50)を用意するステップと、
前記成長側に第1の窒化物半導体層(10)を成長させるステップと、
前記第1の窒化物半導体層(10)上に第2の窒化物半導体層(20)を成長させるステップであって、前記第2の窒化物半導体層(20)が少なくとも1つの開口部(21)を含むまたは少なくとも1つの開口部(21)が前記第2の窒化物半導体層(20)内に作られるまたは少なくとも1つの開口部(21)が前記成長させるプロセス中に前記第2の窒化物半導体層(20)内に作成される、第2の窒化物半導体層(20)を成長させるステップと、
前記第2の窒化物半導体層(20)内の前記開口部(21)を通して前記第1の窒化物半導体層(10)の少なくとも一部分を除去するステップと、
前記第2の窒化物半導体層(20)上に第3の窒化物半導体層(30)を成長させるステップであって、前記第3の窒化物半導体層(30)が少なくとも所々で前記開口部(21)を覆う、第3の窒化物半導体層(30)を成長させるステップと、
を含む、方法。 - 前記第2の窒化物半導体層(20)のアルミニウム濃度が、前記第1の窒化物半導体層(10)よりも高い、請求項1に記載の方法。
- マスク層(40)が、前記第1の窒化物半導体層(10)と前記第2の窒化物半導体層(20)との間に配置され、
前記第2の窒化物半導体層(20)は、前記第1の窒化物半導体層(10)が前記マスク層(40)によって覆われていない場所で前記第1の窒化物半導体層(10)上に成長され、
前記第1の窒化物半導体層(10)から反対に面する前記マスク層(40)の表面の少なくとも一部分に、前記第2の窒化物半導体層(20)の材料がなく、これによって、前記第2の窒化物半導体層(20)が前記少なくとも1つの開口部(21)を含む、請求項1または2に記載の方法。 - 前記マスク層(40)が、前記第1の窒化物半導体層(10)の少なくとも一部分の前記除去に先立って除去される、請求項3に記載の方法。
- 前記マスク層(40)が、前記第1の窒化物半導体層(10)と同じ方法を使用して除去される、請求項4に記載の方法。
- 前記第2の窒化物半導体層(20)の前記成長中に、前記第2の窒化物半導体層(20)内に前記開口部(21)を形成するクラックが、前記第2の窒化物半導体層(20)内に作られ、前記開口部(21)の少なくともいくつかが、前記第1の窒化物半導体層(10)から反対に面する前記第2の窒化物半導体層(20)の上面から前記第2の窒化物半導体層(20)を貫通して前記第1の窒化物半導体層(10)まで完全に延びる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の窒化物半導体層(10)の少なくとも一部分が、水素の流れを増加させることおよび/またはNH3の流れを減少させることによって除去され、前記第1の窒化物半導体層(10)が、前記水素と前記第1の窒化物半導体層(10)の材料との間の化学反応のために除去される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記水素の流れが、前記温度を高くする間および/または窒素の流れを減少させる間、増加される、請求項7に記載の方法。
- 前記第3の窒化物半導体層(30)が、放射を発生させるため、または、放射を検出するために設けられた能動ゾーン(31)を含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 成長側(50a)に成長表面(51)を有する成長基板(50)と、
前記成長側(50a)の第1の窒化物半導体層(10)と、
前記成長基板(50)から反対に面する前記第1の窒化物半導体層(10)の側の第2の窒化物半導体層(20)と、
前記第1の窒化物半導体層(10)から反対に面する前記第2の窒化物半導体層(20)の側の第3の窒化物半導体層(30)と
を備え、
前記第2の窒化物半導体層(20)が、前記第3の窒化物半導体層(30)によって覆われている少なくとも1つの開口部(21)を含み、
少なくとも1つのキャビティ(60)が、前記成長表面(51)と前記窒化物半導体層(20)のうちの少なくとも1つとの間に配置され、前記キャビティが気体で満たされ、
前記第3の窒化物半導体層(30)が、放射を発生させるためまたは放射を検出するために設けられた能動ゾーン(31)を含む、オプトエレクトロニクス半導体部品。 - 前記第2の窒化物半導体層(20)が、前記成長表面(51)の上への投影視で、前記第1の窒化物半導体層(10)よりも大きな範囲まで前記成長表面(51)を覆う、請求項10に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
- 前記成長表面(51)が構造化されていない、請求項10または11に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
- 動作中に前記能動ゾーン(31)において発生されるまたは前記能動ゾーン(31)において検出されるべき電磁放射が、前記少なくとも1つのキャビティ(60)を通過するならびに/または前記少なくとも1つのキャビティ(60)の端部(61)で光学的に散乱されるおよび/もしくは光学的に反射される、請求項10〜12のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
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