DE112015000958A5 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches Halbleiterbauteil - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches Halbleiterbauteil Download PDF

Info

Publication number
DE112015000958A5
DE112015000958A5 DE112015000958.2T DE112015000958T DE112015000958A5 DE 112015000958 A5 DE112015000958 A5 DE 112015000958A5 DE 112015000958 T DE112015000958 T DE 112015000958T DE 112015000958 A5 DE112015000958 A5 DE 112015000958A5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
producing
layer sequence
semiconductor layer
semiconductor component
optoelectronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE112015000958.2T
Other languages
English (en)
Inventor
Joachim Hertkorn
Werner Bergbauer
Philipp Drechsel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of DE112015000958A5 publication Critical patent/DE112015000958A5/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
DE112015000958.2T 2014-02-25 2015-02-24 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches Halbleiterbauteil Withdrawn DE112015000958A5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014102461.3 2014-02-25
DE102014102461.3A DE102014102461A1 (de) 2014-02-25 2014-02-25 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches Halbleiterbauteil
PCT/EP2015/053818 WO2015128319A1 (de) 2014-02-25 2015-02-24 Verfahren zur herstellung einer halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches halbleiterbauteil

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112015000958A5 true DE112015000958A5 (de) 2016-11-03

Family

ID=52596473

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014102461.3A Withdrawn DE102014102461A1 (de) 2014-02-25 2014-02-25 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112015000958.2T Withdrawn DE112015000958A5 (de) 2014-02-25 2015-02-24 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches Halbleiterbauteil

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014102461.3A Withdrawn DE102014102461A1 (de) 2014-02-25 2014-02-25 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches Halbleiterbauteil

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9761755B2 (de)
JP (1) JP6328258B2 (de)
CN (1) CN106030831B (de)
DE (2) DE102014102461A1 (de)
WO (1) WO2015128319A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6686876B2 (ja) * 2016-12-28 2020-04-22 豊田合成株式会社 半導体構造体および半導体素子
US20180372872A1 (en) * 2017-06-23 2018-12-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Photodetector, method of manufacturing photodetector, and lidar apparatus

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6091085A (en) 1998-02-19 2000-07-18 Agilent Technologies, Inc. GaN LEDs with improved output coupling efficiency
JP3471700B2 (ja) * 1999-03-17 2003-12-02 三菱電線工業株式会社 半導体基材
TWI289944B (en) 2000-05-26 2007-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip
JP3589200B2 (ja) * 2000-06-19 2004-11-17 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体基板及びその製造方法、並びにその窒化物半導体基板を用いた窒化物半導体素子
JP2003258297A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Shiro Sakai 窒化ガリウム系化合物半導体装置
US6888170B2 (en) * 2002-03-15 2005-05-03 Cornell Research Foundation, Inc. Highly doped III-nitride semiconductors
JP4223797B2 (ja) * 2002-12-19 2009-02-12 株式会社東芝 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JP2008041841A (ja) * 2006-08-03 2008-02-21 Sharp Corp 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
US7642122B2 (en) * 2006-10-08 2010-01-05 Momentive Performance Materials Inc. Method for forming nitride crystals
TW200929593A (en) * 2007-12-20 2009-07-01 Nat Univ Tsing Hua Light source with reflective pattern structure
KR101020961B1 (ko) * 2008-05-02 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5330040B2 (ja) * 2009-03-17 2013-10-30 株式会社東芝 半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法
TWI487141B (zh) * 2009-07-15 2015-06-01 Advanced Optoelectronic Tech 提高光萃取效率之半導體光電結構及其製造方法
KR101640830B1 (ko) * 2009-08-17 2016-07-22 삼성전자주식회사 기판 구조체 및 그 제조 방법
CN102237454A (zh) * 2010-04-29 2011-11-09 展晶科技(深圳)有限公司 半导体光电元件及其制造方法
KR101253198B1 (ko) * 2011-07-05 2013-04-10 엘지전자 주식회사 무분극 이종 기판, 이를 이용한 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
TWI460885B (zh) * 2011-12-09 2014-11-11 Univ Nat Chiao Tung 具有空氣介質層之半導體光電元件及空氣介質層之製作方法
JP5460751B2 (ja) * 2012-01-16 2014-04-02 株式会社東芝 半導体装置
TWI474510B (zh) * 2012-07-06 2015-02-21 隆達電子股份有限公司 具有孔隙之磊晶結構及其成長方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106030831A (zh) 2016-10-12
JP6328258B2 (ja) 2018-05-23
DE102014102461A1 (de) 2015-08-27
JP2017510984A (ja) 2017-04-13
US9761755B2 (en) 2017-09-12
WO2015128319A1 (de) 2015-09-03
US20170012165A1 (en) 2017-01-12
CN106030831B (zh) 2018-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112016002417A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112015003999A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE112016000691A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112015000814A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112016003199A5 (de) Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
DE112015004073A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112014005954A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112015002305A5 (de) Steckzunge und Verfahren zur Herstellung einer Steckzunge
DE112015005232A5 (de) Bauelement und verfahren zur herstellung eines bauelements
DE112013006497T8 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE112015005495A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112015001973A5 (de) Beheizbare Leitungsverbindungseinrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Verbindung
DE112015000888A5 (de) Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112014004180A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112017005374A5 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil
DE112016004575A5 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers
DE112014004422A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112015001999A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112015004068A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112015005446A5 (de) Konversionselement, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Konversionselementen
DE112016002766A5 (de) Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
DE112016001929A5 (de) Optoelektronische bauelementanordnung und verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen bauelementanordnungen
DE112015005127A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112015002379A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips sowie optoelektronischer Halbleiterchip
DE112018002104A5 (de) Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee