DE112016003199A5 - Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung - Google Patents

Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung Download PDF

Info

Publication number
DE112016003199A5
DE112016003199A5 DE112016003199.8T DE112016003199T DE112016003199A5 DE 112016003199 A5 DE112016003199 A5 DE 112016003199A5 DE 112016003199 T DE112016003199 T DE 112016003199T DE 112016003199 A5 DE112016003199 A5 DE 112016003199A5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optoelectronic
producing
arrangement
optoelectronic device
optoelectronic arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112016003199.8T
Other languages
English (en)
Inventor
Christian Leirer
Korbinian Perzlmaier
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of DE112016003199A5 publication Critical patent/DE112016003199A5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40Materials therefor
    • H01L33/405Reflective materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Led Devices (AREA)
DE112016003199.8T 2015-07-16 2016-07-07 Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung Pending DE112016003199A5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015111574.3 2015-07-16
DE102015111574.3A DE102015111574A1 (de) 2015-07-16 2015-07-16 Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
PCT/EP2016/066170 WO2017009183A1 (de) 2015-07-16 2016-07-07 Optoelektronische anordnung sowie verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112016003199A5 true DE112016003199A5 (de) 2018-03-29

Family

ID=56418505

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015111574.3A Withdrawn DE102015111574A1 (de) 2015-07-16 2015-07-16 Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
DE112016003199.8T Pending DE112016003199A5 (de) 2015-07-16 2016-07-07 Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015111574.3A Withdrawn DE102015111574A1 (de) 2015-07-16 2015-07-16 Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung

Country Status (5)

Country Link
US (3) US10854783B2 (de)
JP (1) JP2018519665A (de)
DE (2) DE102015111574A1 (de)
TW (1) TWI623113B (de)
WO (1) WO2017009183A1 (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
DE102015111574A1 (de) * 2015-07-16 2017-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
WO2019028314A1 (en) * 2017-08-03 2019-02-07 Cree, Inc. HIGH DENSITY PIXELIZED LED CHIPS AND NETWORK DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
US10529773B2 (en) 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
JP7072045B2 (ja) * 2018-02-16 2022-05-19 京セラ株式会社 多数個取り素子収納用パッケージおよび多数個取り光半導体装置
FR3089065A1 (fr) * 2018-11-22 2020-05-29 Aledia Diode électroluminescente et procédé de fabrication d’une diode électroluminescente
US11145689B2 (en) * 2018-11-29 2021-10-12 Creeled, Inc. Indicia for light emitting diode chips
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
US11817526B2 (en) 2019-10-29 2023-11-14 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-LED chips and chip array devices
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52138350U (de) 1976-04-15 1977-10-20
JPS5464470U (de) 1977-10-14 1979-05-08
JPS5558584A (en) 1978-10-24 1980-05-01 Sanyo Electric Co Ltd Manufacture of solid display device
DE102007062046B4 (de) 2007-12-21 2023-09-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierende Bauelementeanordnung, lichtemittierendes Bauelement sowie Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von lichtemittierenden Bauelementen
JP5992662B2 (ja) * 2008-02-29 2016-09-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法
DE102008016525A1 (de) 2008-03-31 2009-11-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102008011848A1 (de) 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP5123269B2 (ja) 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
DE102009036621B4 (de) 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
JP2012114184A (ja) 2010-11-24 2012-06-14 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
DE102011056708A1 (de) 2011-12-20 2013-06-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102011056888A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
US8598611B2 (en) * 2012-01-09 2013-12-03 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers and solid-state transducer arrays having backside terminals and associated systems and methods
JP2013232479A (ja) 2012-04-27 2013-11-14 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2013232503A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Toshiba Corp 半導体発光装置
DE102012218457A1 (de) * 2012-10-10 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102012112302A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
KR101958419B1 (ko) * 2013-01-29 2019-03-14 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자
DE102013102667A1 (de) * 2013-03-15 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
DE102013109031B4 (de) * 2013-08-21 2021-11-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
JP6435705B2 (ja) 2013-12-27 2018-12-12 日亜化学工業株式会社 集合基板、発光装置及び発光素子の検査方法
DE102015211185A1 (de) 2015-06-18 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102015111574A1 (de) * 2015-07-16 2017-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
DE102015112280A1 (de) 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einem metallischen Träger und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
DE102015113310B4 (de) 2015-08-12 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchip
DE102015115900A1 (de) 2015-09-21 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE102015117198A1 (de) 2015-10-08 2017-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018519665A (ja) 2018-07-19
TW201719926A (zh) 2017-06-01
US20210074888A1 (en) 2021-03-11
TWI623113B (zh) 2018-05-01
US11527678B2 (en) 2022-12-13
US10854783B2 (en) 2020-12-01
US20230054120A1 (en) 2023-02-23
WO2017009183A1 (de) 2017-01-19
US20180212108A1 (en) 2018-07-26
DE102015111574A1 (de) 2017-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112016002417A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112016003199A5 (de) Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
DE112016000691A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112015003999A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE112015000814A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112014005954A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112015004073A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112014004180A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112015005495A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112015001973A5 (de) Beheizbare Leitungsverbindungseinrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Verbindung
DE112014004422A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112014005953A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112017002058A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE112015001999A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112015000888A5 (de) Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112016004575A5 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers
DE112018001984A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE112017000332A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112014003402A5 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112015003591A5 (de) Elektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement, Bauelementeanordnung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE112015004068A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112015005127A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112015002379A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips sowie optoelektronischer Halbleiterchip
DE112015004781A5 (de) Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung
DE112015001351A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033080000

Ipc: H01L0027150000

R016 Response to examination communication