JP2010219269A - 半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法 - Google Patents
半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010219269A JP2010219269A JP2009063998A JP2009063998A JP2010219269A JP 2010219269 A JP2010219269 A JP 2010219269A JP 2009063998 A JP2009063998 A JP 2009063998A JP 2009063998 A JP2009063998 A JP 2009063998A JP 2010219269 A JP2010219269 A JP 2010219269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sapphire substrate
- semiconductor
- buffer layer
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 221
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 154
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 148
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 148
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 13
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】c面からなる主面106を有し、主面に凹部110aが設けられたサファイア基板105と、サファイア基板の主面の上に設けられ、結晶性のAlNからなる第1バッファ層110と、第1バッファ層の上に設けられ、窒化物半導体からなる半導体層190と、を備えた半導体素子が提供される。第1バッファ層は、サファイア基板の凹部の上に設けられた空洞110aを有し、第1バッファ層は、第1領域110eと、第1領域とサファイア基板との間に設けられ第1領域よりも炭素濃度が高い第2領域110fと、を有する。
【選択図】図1
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
以下では、本発明の第1の実施形態を半導体発光素子に適用した場合について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体素子の構成を例示する模式的断面図である。
図1に表したように、本発明の第1の実施形態に係る半導体素子11は、サファイア基板105と、サファイア基板105の主面106の上に設けられた第1バッファ層110と、第1バッファ層110の上に設けられた窒化物半導体からなる半導体層190と、を備える。
サファイア基板105としては、c面を主面106とするサファイア基板が用いられる。c面の法線とサファイア基板105の法線との角度の差は、例えば0.05度以下とすることが望ましい。サファイア基板105の主面106には、例えば、径が2.0μm(マイクロメートル)で深さが1μmの凹部105aが、例えば1.5μmの間隔で設けられている。
第1バッファ層110は、例えば、第1層111と、第1層111の上に設けられた第2層112と、第2層112の上に設けられた第3層113と、を有する。
Siドープn型Al0.08Ga0.91In0.01Nバリア層153におけるSi濃度は、例えば1.2×1019cm−3〜2.1×1019cm−3とされ、Siドープn型Al0.08Ga0.91In0.01Nバリア層153の厚さは、例えば4.5nmとされる。
このために、第1バッファ層110の厚さは、1.0μm以上が望ましく、2.0μよりも厚くすることがさらに望ましい。
すなわち、同図は、半導体素子11において、サファイア基板105の上に第1バッファ層110を形成した後の第1バッファ層110の走査電子顕微鏡写真図である。同図(a)は、サファイア基板105及び第1バッファ層110を斜め方向から撮影した写真であり、同図(b)は、サファイア基板105及び第1バッファ層110の断面を、断面に対してほぼ垂直な方向から撮影した写真である。
第1の比較例では、低温成長バッファを用いた青色LEDなどで採用される台形の凸部を形成したサファイア基板上に単結晶AlN層を形成した。
図3は、第1の比較例のAlN層の表面状態を例示する顕微鏡写真図である。
図3に表したように、第1の比較例においては、サファイア基板105の上の台形の凸部105bの側面に、基準となるc軸とは異なる方位のAlN微結晶110pが放射状に形成された。そして、AlN層110xの下部には、複雑な形状の空洞110yが形成された。また、凸部105bを起点にして広がるc軸方位の結晶間にも隙間が広く形成され、合体することはなく、AlN層110xは全体として多結晶状態となった。
第2の比較例では、凹部105aを形成したサファイア基板の上に単結晶AlN層を形成した。この時、AlN層の成膜条件が本実施形態の場合と異なり、第3層113の形成の際に、V族/III族比が、第1層111及び第2層112のときと同様に高く、そして、成長温度は、第2層112と同じ温度であり、比較的低い温度である。
すなわち、同図(a)及び(b)は、それぞれ、AlN層の上面及びAlN層の断面を例示している。同図(c)及び(d)は、それぞれ、AlN層の上に形成されたGaN層の上面及び断面を例示している。なお、この場合のAlN層の厚さは2μmである。
第3の比較例では、AlN層110xの層厚を6μmと、第2の比較例に対して3倍に厚くして、AlN層110xの凹部110zをAlN層110xで覆うことを試みたものである。
図5は、第3の比較例のAlN層の表面状態を例示する顕微鏡写真図である。
すなわち、同図(a)及び(b)は、それぞれ、AlN層の上面及びAlN層の断面を例示している。
すなわち、同図は、本実施形態に係る半導体素子11における光の特性を例示している。
図6に表したように、第1バッファ層110中に砲弾の形状の空洞110aを設けることで、発光層150から発光した光は、第1バッファ層110とサファイア基板105との界面において効率的に反射され、サファイア基板105の下方(主面106とは反対の側の方向)に効率的に取り出される。
先ず、例えば、フォトリソグラフィと反応性イオンエッチングにより凹部105aが形成されたサファイア基板105を、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor deposition)装置のヒーターを兼ねたサセプタ上に載置する。
この製造方法によれば、例えば、サファイア基板105の上に形成したバッファ層(例えばAlN層及びGaN層)の上に、素子部(n型半導体層140、発光層150及びp型半導体層160)を形成した後に、サファイア基板とバッファ層とを削除して、素子部の下面に凹凸を形成して光取り出し効率を高める従来の特殊な後工程を用いることを必要とせず、高効率の紫外発光ダイオードを高歩留まりで安価に生産できる。
図7に表したように、本実施形態に係る半導体素子12においては、n型半導体層140が、Siドープn型AlGaNコンタクト層141aとSiドープn型Al0.13Ga0.87Nクラッド層142とを有し、発光層150が、Siドープn型Al0.08Ga0.91In0.01Nバリア層152とAlGaInN井戸層151aとの積層構造を有している。これ以外は、図1に例示した半導体素子11と同様なので説明を省略する。
図8に表したように、本実施形態に係る別の半導体素子30は、HEMT半導体素子である。すなわち、半導体素子30も、c面からなる主面106を有し、主面106に凹部110aが設けられたサファイア基板105と、サファイア基板105の主面106の上に設けられ、空洞110aを有する第1バッファ層110と、第1バッファ層110の上に設けられ、窒化物半導体からなる半導体層390と、を備える。
図9は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。
図9に表したように、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置201は、第1の実施形態に係る半導体素子11と蛍光体とを組み合わせた白色LEDである。
なお、半導体装置201においては、本発明の実施形態のいずれかに係る半導体素子及びその変形の半導体素子を用いることができるが、以下では、上記の半導体素子11を用いる場合として説明する。
赤色蛍光体としては、例えばY2O3、YVO4、Y2(P,V)O4等を母材として用いることができ、これに3価のEu(Eu3+)を付活物質として含ませる。すなわち、Y2O3:Eu3+、YVO4:Eu3+等を赤色蛍光体として用いることができる。Eu3+の濃度はモル濃度で1%〜10%とすることができる。赤色蛍光体の母材としてはY2O3、YVO4の他にLaOSやY2(P, V)O4等を用いることができる。また、Eu3+の他にMn4+等を利用することも可能である。特に、YVO4母体に3価のEuと共に少量のBiを添加することにより380nmの吸収が増大するので、さらに発光効率を高くすることができる。また、樹脂としては、シリコン樹脂等を用いることができる。
緑色蛍光体としては、例えば3価のTbを発光中心とするY2SiO5:Ce3+, Tb3+を用いることができる。この場合、CeイオンからTbイオンへエネルギーが伝達されることにより励起効率が向上する。また、緑色蛍光体として、例えば、Sr4Al14O25:Eu2+等を用いることができる。
黄色蛍光体としては、例えばY3Al5:Ce3+等を用いることができる。
また、樹脂として、シリコン樹脂等を用いることができる。
特に、3価のTbは視感度が最大となる550nm付近に鋭い発光を示すので、3価のEuの鋭い赤色発光と組み合わせると発光効率が著しく向上する。
また、第2蛍光体層212に含まれる青色、緑色、黄色の蛍光体が効率良く励起され、青色、緑色、黄色の可視光を効率良く得ることができる。
これらの混色として白色光やその他様々な色の光を高効率でかつ演色性良く得ることが可能である。
図10は、本発明の第3の実施形態に係る半導体ウェーハの構成を例示する模式的断面図である。
本発明の第3の実施形態に係る半導体ウェーハ21は、c面からなる主面106を有し、主面106に凹部110aが設けられたサファイア基板105と、サファイア基板105の主面106の上に設けられ、結晶性のAlNからなる第1バッファ層110と、を備える。凹部110aは、主面106において二次元的に配置されている。
図11は、本発明の第4の実施形態に係る半導体結晶の成長方法を例示するフローチャート図である。
図11に表したように、本実施形態に係る半導体結晶の成長方法においては、c面からなる主面106を有し、主面106に凹部110aが設けられたサファイア基板105の上に、第1の温度と、1.5から15の第1のV族/III族比と、による有機金属気相成長法によってAlNからなる第1層111をエピタキシャル成長する(ステップS110)。凹部110aは、主面106において二次元的に配置されている。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
21 半導体ウェーハ
22 容器
23 反射膜
24 サブマウント
25 金バンプ
26 ボンディングワイヤ
27 蓋部
105、305 サファイア基板
105a、305a 凹部
105b 凸部
106、306 主面
110 第1バッファ層
110a 空洞
110e 第1領域
110f 第2領域
110p 微結晶
110s 側面
110x AlN層
110y 空洞
110z 凹部
111 第1層
112 第2層
113 第3層
120 第2バッファ層
120x GaN層
120y 空洞
120z ピット
140 n型半導体層
140e 第1電極(n側電極)
140o n側オーミック電極部
140p パッド領域
141 Siドープn型GaNコンタクト層
141a Siドープn型AlGaNコンタクト層
142 Siドープn型Al0.13Ga0.87Nクラッド層
150 発光層
151 GaInN井戸層
151a AlGaInN井戸層
152 Siドープn型Al0.08Ga0.91In0.01Nバリア層
153 Siドープn型Al0.08Ga0.91In0.01Nバリア層
155 低Si濃度Al0.08Ga0.91In0.01Nスペーサ層
160 p型半導体層
160e 第2電極(p側電極)
161 Mgドープp型Al0.26Ga074Nクラッド層
162 Mgドープp型GaNコンタクト層
180 誘電体多層膜
190 半導体層
201 半導体装置
211 第1蛍光体層(波長変換層)
212 第2蛍光体層(波長変換層)
303 GaN層
304 AlGaN層
305 ソース電極
306 ドレイン電極
307 ゲート電極
308 絶縁層
390 半導体層
L1〜L3 光
Claims (11)
- c面からなる主面を有し、前記主面に凹部が設けられたサファイア基板と、
前記サファイア基板の前記主面の上に設けられ、結晶性のAlNからなる第1バッファ層と、
前記第1バッファ層の上に設けられ、窒化物半導体からなる半導体層と、
を備え、
前記第1バッファ層は、前記サファイア基板の前記凹部の上に設けられた空洞を有し、
前記第1バッファ層は、第1領域と、前記第1領域と前記サファイア基板との間に設けられ前記第1領域よりも炭素濃度が高い第2領域と、を有することを特徴とする半導体素子。 - 前記半導体層は、
前記第1バッファ層の上に設けられ、GaNまたはAlGaNからなる第2バッファ層と、
前記第2バッファ層の上に設けられたn型半導体層と、
前記n型半導体層の上に設けられた発光層と、
前記発光層の上に設けられたp型半導体層と、
を有することを特徴とする請求項1記載の半導体素子。 - 前記第2領域における炭素濃度は、3×1018cm−3以上、5×1020cm−3以下であり、前記第2領域の厚さは、3ナノメートル以上、20ナノメートル以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子。
- 前記第1バッファ層の前記半導体層に対向する面は、平坦であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体素子。
- 前記空洞は、前記サファイア基板の側に向かって拡開していることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体素子。
- 前期空洞の前記サファイア基板とは反対の側の面の曲率は、前記発光層の発光波長のピーク波長以下であり、前記空洞を前記主面に対して平行な平面で切断したときの前記空洞の幅は、前記サファイア基板とは反対の側の方が前記サファイア基板の側よりも小さいことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体素子。
- 前記発光層の発光波長のピーク波長は、370ナノメートル以上400ナノメートル未満であることを特徴とする請求項2〜6のいずれか1つに記載の半導体素子。
- 前記第1バッファ層は、
前記サファイア基板の前記主面の上に、第1の温度と、1.5から15の第1のV族/III族比と、による有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長された第1層と、
前記第1層の上に、前記1の温度よりも高い第2の温度と、前記第1のV族/III族比よりも高い第2のV族/III族比と、による有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長された第2層と、
前記第2層の上に、前記第2の温度よりも高い第3の温度と、前記第1のV族/III族比と前記第2のV族/III族比との間の第3のV族/III族比と、による有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長された第3層と、
を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体素子。 - 請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体素子と、
前記半導体素子から放出された光を吸収し、前記光とは異なる波長の光を放出する波長変換層と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - c面からなる主面を有し、前記主面に凹部が設けられたサファイア基板と、
前記サファイア基板の前記主面の上に設けられ、結晶性のAlNからなる第1バッファ層と、
を備えた半導体ウェーハであって、
前記第1バッファ層は、前記サファイア基板の前記凹部の上に設けられた空洞を有し、
前記第1バッファ層は、第1領域と、前記第1領域と前記サファイア基板との間に設けられ前記第1領域よりも炭素濃度が高い第2領域と、を有することを特徴とする半導体ウェーハ。 - c面からなる主面を有し、前記主面に凹部が設けられたサファイア基板の前記主面の上に、
第1の温度と、1.5から15の第1のV族/III族比と、による有機金属気相成長法によってAlNからなる第1層をエピタキシャル成長し、
前記第1層の上に、前記1の温度よりも高い第2の温度と、前記第1のV族/III族比よりも高い第2のV族/III族比と、による有機金属気相成長法によってAlNからなる第2層をエピタキシャル成長し、
前記第2層の上に、前記第2の温度よりも高い第3の温度と、前記第1のV族/III族比と前記第2のV族/III族比との間の第3のV族/III族比と、による有機金属気相成長法によってAlNからなる第3層をエピタキシャル成長して、前記凹部の上に空洞を形成し、前記空洞を前記第1層、前記第2層及び前記第3層の少なくともいずれかで覆うことを特徴とする半導体結晶の成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009063998A JP5330040B2 (ja) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009063998A JP5330040B2 (ja) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010219269A true JP2010219269A (ja) | 2010-09-30 |
JP5330040B2 JP5330040B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=42977790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009063998A Active JP5330040B2 (ja) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5330040B2 (ja) |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012093757A1 (ko) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | (주)세미머티리얼즈 | 템플레이트, 그 제조방법 및 이를 이용한 수직형 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 |
JP2012191066A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2012224539A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Samsung Electronics Co Ltd | GaN薄膜構造物、その製造方法、及びそれを含む半導体素子 |
JP2012246216A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Agency For Science Technology & Research | 基板上にナノ構造を形成させる方法及びその使用 |
CN103035705A (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-10 | 三星电子株式会社 | 高电子迁移率晶体管 |
KR101256465B1 (ko) | 2011-12-30 | 2013-04-19 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
WO2013070369A2 (en) * | 2011-10-10 | 2013-05-16 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group iii nitride layer growth |
WO2014034762A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | ウシオ電機株式会社 | 窒化物半導体素子 |
WO2014069235A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | 独立行政法人理化学研究所 | 紫外発光ダイオードおよびその製造方法 |
WO2015025631A1 (ja) * | 2013-08-21 | 2015-02-26 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
US9105792B2 (en) | 2011-10-10 | 2015-08-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
JP2015151330A (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-24 | 古河機械金属株式会社 | Iii族窒化物半導体層およびiii族窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2016004892A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | ソニー株式会社 | 半導体素子、パッケージ素子、発光パネル装置、ウェーハ、および半導体素子の製造方法 |
JP5955226B2 (ja) * | 2010-12-29 | 2016-07-20 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体構造、窒化物半導体発光素子、窒化物半導体トランジスタ素子、窒化物半導体構造の製造方法および窒化物半導体素子の製造方法 |
JP2017510984A (ja) * | 2014-02-25 | 2017-04-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体層積層体を製造するための方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
US9691939B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-06-27 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
JP2017154964A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-09-07 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 結晶基板、紫外発光素子およびそれらの製造方法 |
US9806228B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-10-31 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
JP2018074173A (ja) * | 2012-03-29 | 2018-05-10 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光素子 |
EP3364465A4 (en) * | 2015-10-15 | 2018-10-10 | LG Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor device package, and lighting system comprising same |
US10153396B2 (en) | 2011-10-10 | 2018-12-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
US10622515B2 (en) | 2011-10-10 | 2020-04-14 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
JP2020167321A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 旭化成株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
CN113555477A (zh) * | 2018-07-09 | 2021-10-26 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光元件及该发光元件的制造方法 |
CN116581222A (zh) * | 2023-07-14 | 2023-08-11 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 深紫外半导体发光器件、其制作方法及深紫外消杀装置 |
WO2024102710A1 (en) * | 2022-11-07 | 2024-05-16 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Multi-period patterned substrate |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002208722A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Osaka Gas Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2002246322A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びその成長方法 |
JP2003204079A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-07-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 付活剤を含有した基板を用いた窒化物半導体素子、及び成長方法 |
JP3648386B2 (ja) * | 1998-07-08 | 2005-05-18 | 株式会社東芝 | 半導体素子およびウェーハならびにそれらの製造方法 |
JP2005235847A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2007214500A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体部材及びその製造方法 |
JP2008010894A (ja) * | 2003-08-19 | 2008-01-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子、発光素子及びその基板の製造方法 |
JP2008117922A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Yamaguchi Univ | 半導体発光素子及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-03-17 JP JP2009063998A patent/JP5330040B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3648386B2 (ja) * | 1998-07-08 | 2005-05-18 | 株式会社東芝 | 半導体素子およびウェーハならびにそれらの製造方法 |
JP2002208722A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Osaka Gas Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2002246322A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びその成長方法 |
JP2003204079A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-07-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 付活剤を含有した基板を用いた窒化物半導体素子、及び成長方法 |
JP2008010894A (ja) * | 2003-08-19 | 2008-01-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子、発光素子及びその基板の製造方法 |
JP2005235847A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2007214500A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体部材及びその製造方法 |
JP2008117922A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Yamaguchi Univ | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Cited By (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5955226B2 (ja) * | 2010-12-29 | 2016-07-20 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体構造、窒化物半導体発光素子、窒化物半導体トランジスタ素子、窒化物半導体構造の製造方法および窒化物半導体素子の製造方法 |
WO2012093757A1 (ko) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | (주)세미머티리얼즈 | 템플레이트, 그 제조방법 및 이를 이용한 수직형 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 |
JP2012191066A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2012224539A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Samsung Electronics Co Ltd | GaN薄膜構造物、その製造方法、及びそれを含む半導体素子 |
JP2012246216A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Agency For Science Technology & Research | 基板上にナノ構造を形成させる方法及びその使用 |
JP2016189469A (ja) * | 2011-05-25 | 2016-11-04 | エージェンシー フォー サイエンス, テクノロジー アンド リサーチ | 基板上にナノ構造を形成させる方法及びその使用 |
EP2575181A3 (en) * | 2011-09-29 | 2014-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd | High electron mobility transistor and method of manufacturing the same |
CN103035705A (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-10 | 三星电子株式会社 | 高电子迁移率晶体管 |
WO2013070369A2 (en) * | 2011-10-10 | 2013-05-16 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group iii nitride layer growth |
US9397260B2 (en) | 2011-10-10 | 2016-07-19 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
US9691939B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-06-27 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
US10622515B2 (en) | 2011-10-10 | 2020-04-14 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
US9680061B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-06-13 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
TWI491072B (zh) * | 2011-10-10 | 2015-07-01 | Sensor Electronic Tech Inc | 用於第iii族氮化物層生長之圖案層設計 |
US9105792B2 (en) | 2011-10-10 | 2015-08-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
US10199536B2 (en) | 2011-10-10 | 2019-02-05 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
US10153396B2 (en) | 2011-10-10 | 2018-12-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
US10050175B2 (en) | 2011-10-10 | 2018-08-14 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
WO2013070369A3 (en) * | 2011-10-10 | 2013-08-08 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group iii nitride layer growth |
US9806228B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-10-31 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
KR101256465B1 (ko) | 2011-12-30 | 2013-04-19 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP2018074173A (ja) * | 2012-03-29 | 2018-05-10 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光素子 |
CN104521011A (zh) * | 2012-08-31 | 2015-04-15 | 优志旺电机株式会社 | 氮化物半导体元件 |
WO2014034762A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | ウシオ電機株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JPWO2014069235A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2016-09-08 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 紫外発光ダイオードおよびその製造方法 |
WO2014069235A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | 独立行政法人理化学研究所 | 紫外発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP5997373B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2016-09-28 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JPWO2015025631A1 (ja) * | 2013-08-21 | 2017-03-02 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
WO2015025631A1 (ja) * | 2013-08-21 | 2015-02-26 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2015151330A (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-24 | 古河機械金属株式会社 | Iii族窒化物半導体層およびiii族窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2017510984A (ja) * | 2014-02-25 | 2017-04-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体層積層体を製造するための方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
JP2016004892A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | ソニー株式会社 | 半導体素子、パッケージ素子、発光パネル装置、ウェーハ、および半導体素子の製造方法 |
US10340417B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-07-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor device package, and lighting system comprising same |
EP3364465A4 (en) * | 2015-10-15 | 2018-10-10 | LG Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor device package, and lighting system comprising same |
JP2017154964A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-09-07 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 結晶基板、紫外発光素子およびそれらの製造方法 |
CN113555477A (zh) * | 2018-07-09 | 2021-10-26 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光元件及该发光元件的制造方法 |
US11658264B2 (en) | 2018-07-09 | 2023-05-23 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having a substrate with a pattern of protrusions and manufacturing method thereof |
JP7436371B2 (ja) | 2018-07-09 | 2024-02-21 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | 発光装置 |
JP2020167321A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 旭化成株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
WO2024102710A1 (en) * | 2022-11-07 | 2024-05-16 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Multi-period patterned substrate |
CN116581222A (zh) * | 2023-07-14 | 2023-08-11 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 深紫外半导体发光器件、其制作方法及深紫外消杀装置 |
CN116581222B (zh) * | 2023-07-14 | 2023-09-22 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 深紫外半导体发光器件、其制作方法及深紫外消杀装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5330040B2 (ja) | 2013-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5330040B2 (ja) | 半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法 | |
JP3594826B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP5995302B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
TWI385822B (zh) | Iii 族氮化物半導體層之製造方法,及iii 族氮化物半導體發光元件,以及燈 | |
JP5549338B2 (ja) | 紫外光放射用窒素化合物半導体ledおよびその製造方法 | |
JP4617922B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9978905B2 (en) | Semiconductor structures having active regions comprising InGaN and methods of forming such semiconductor structures | |
JP2008243904A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置 | |
JP2006339546A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2002368269A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
JP2006135311A (ja) | 窒化物半導体を用いた発光ダイオード | |
JP5948698B2 (ja) | 紫外発光素子およびその製造方法 | |
JP2008182069A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2002319702A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子 | |
JP2001203385A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード | |
JPH11219910A (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
JP2003197961A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
JPH10145000A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
JP2009021638A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
US7253451B2 (en) | III-nitride semiconductor light emitting device | |
JP2006190710A (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2002043618A (ja) | 窒化物半導体の製造方法 | |
JP2005045054A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP2003243702A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2005340762A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100928 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130725 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5330040 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |