RU2009111218A - Получение кремния посредством реактора с псевдоожиженным слоем, встроенного в сименс-процесс - Google Patents

Получение кремния посредством реактора с псевдоожиженным слоем, встроенного в сименс-процесс Download PDF

Info

Publication number
RU2009111218A
RU2009111218A RU2009111218/05A RU2009111218A RU2009111218A RU 2009111218 A RU2009111218 A RU 2009111218A RU 2009111218/05 A RU2009111218/05 A RU 2009111218/05A RU 2009111218 A RU2009111218 A RU 2009111218A RU 2009111218 A RU2009111218 A RU 2009111218A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gas stream
fluidized bed
hydrogen
trichlorosilane
exhaust gas
Prior art date
Application number
RU2009111218/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2428377C2 (ru
Inventor
Арвид Нил АРВИДСОН (US)
Арвид Нил Арвидсон
Майкл МОЛНАР (US)
Майкл МОЛНАР
Original Assignee
Хемлок Семикондактор Корпорейшн (Us)
Хемлок Семикондактор Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Хемлок Семикондактор Корпорейшн (Us), Хемлок Семикондактор Корпорейшн filed Critical Хемлок Семикондактор Корпорейшн (Us)
Publication of RU2009111218A publication Critical patent/RU2009111218A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2428377C2 publication Critical patent/RU2428377C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/033—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by reduction of silicon halides or halosilanes with a metal or a metallic alloy as the only reducing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10—Process efficiency
    • Y02P20/129—Energy recovery, e.g. by cogeneration, H2recovery or pressure recovery turbines

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Способ, включающий 1) подачу потока отходящего газа из одного или нескольких реакторов Сименса в один или несколько реакторов с псевдоожиженным слоем. ! 2. Способ по п.1, дополнительно включающий пополнение потока отходящего газа дополнительными хлорсиланами. ! 3. Способ по п.2, в котором поток отходящего газа включает трихлорсилан, тетрахлорид кремния, водород, хлористый водород и порошкообразный кремний, и способ дополнительно включает удаление порошкообразного кремния из потока отходящего газа перед подачей потока отходящего газа в реактор с псевдоожиженным слоем. ! 4. Способ по п.2, в котором поток отходящего газа необязательно пополняют дополнительным трихлорсиланом, получая поток сырьевого газа для реактора с псевдоожиженным слоем, и поток сырьевого газа для реактора с псевдоожиженным слоем включает хлорсиланы с концентрацией в диапазоне от 20 мол.% до 50 мол.%. ! 5. Способ, включающий i) подачу потока отходящего газа из множества реакторов Сименса непосредственно в один или несколько реакторов с псевдоожиженным слоем без промежуточных стадий обработки. ! 6. Способ по п.1 или 5, в котором поток отходящего газа включает водород и хлорсиланы. ! 7. Способ п.1 или 5, в котором поток отходящего газа включает водород и силан. ! 8. Способ п.1 или 5, дополнительно включающий использование кремния, полученного посредством реактора Сименса, для интегральных микросхем, для солнечных элементов или для того и другого. ! 9. Способ п.1 или 5, дополнительно включающий использование кремния, полученного посредством реактора с псевдоожиженным слоем, для солнечных элементов. ! 10. Способ по п.6, в котором поток отходящего газа включает три

Claims (14)

1. Способ, включающий 1) подачу потока отходящего газа из одного или нескольких реакторов Сименса в один или несколько реакторов с псевдоожиженным слоем.
2. Способ по п.1, дополнительно включающий пополнение потока отходящего газа дополнительными хлорсиланами.
3. Способ по п.2, в котором поток отходящего газа включает трихлорсилан, тетрахлорид кремния, водород, хлористый водород и порошкообразный кремний, и способ дополнительно включает удаление порошкообразного кремния из потока отходящего газа перед подачей потока отходящего газа в реактор с псевдоожиженным слоем.
4. Способ по п.2, в котором поток отходящего газа необязательно пополняют дополнительным трихлорсиланом, получая поток сырьевого газа для реактора с псевдоожиженным слоем, и поток сырьевого газа для реактора с псевдоожиженным слоем включает хлорсиланы с концентрацией в диапазоне от 20 мол.% до 50 мол.%.
5. Способ, включающий i) подачу потока отходящего газа из множества реакторов Сименса непосредственно в один или несколько реакторов с псевдоожиженным слоем без промежуточных стадий обработки.
6. Способ по п.1 или 5, в котором поток отходящего газа включает водород и хлорсиланы.
7. Способ п.1 или 5, в котором поток отходящего газа включает водород и силан.
8. Способ п.1 или 5, дополнительно включающий использование кремния, полученного посредством реактора Сименса, для интегральных микросхем, для солнечных элементов или для того и другого.
9. Способ п.1 или 5, дополнительно включающий использование кремния, полученного посредством реактора с псевдоожиженным слоем, для солнечных элементов.
10. Способ по п.6, в котором поток отходящего газа включает трихлорсилан, тетрахлорид кремния, водород, хлористый водород и порошкообразный кремний.
11. Способ по п.6, дополнительно включающий ii) подачу второго потока отходящего газа из реактора с псевдоожиженным слоем в систему извлечения.
12. Способ по п.11, в котором второй поток отходящего газа включает водород, трихлорсилан, тетрахлорсилан и хлористый водород.
13. Способ по п.11, дополнительно включающий iii) извлечение водорода, трихлорсилана или обоих компонентов, и подачу водорода, трихлорсилана или обоих компонентов в реактор Сименса в стадию 1).
14. Способ по п.11, дополнительно включающий iii) извлечение тетрахлорсилана, превращение тетрахлорсилана в трихлорсилан, и подачу трихлорсилана в реактор Сименса в стадию 1).
RU2009111218/05A 2006-08-30 2007-06-14 Получение кремния посредством реактора с псевдоожиженным слоем, встроенного в сименс-процесс RU2428377C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/512,853 2006-08-30
US11/512,853 US7935327B2 (en) 2006-08-30 2006-08-30 Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a siemens-type process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009111218A true RU2009111218A (ru) 2010-10-10
RU2428377C2 RU2428377C2 (ru) 2011-09-10

Family

ID=38820284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009111218/05A RU2428377C2 (ru) 2006-08-30 2007-06-14 Получение кремния посредством реактора с псевдоожиженным слоем, встроенного в сименс-процесс

Country Status (10)

Country Link
US (2) US7935327B2 (ru)
EP (1) EP2057095A1 (ru)
JP (1) JP5367573B2 (ru)
KR (1) KR101447494B1 (ru)
CN (1) CN101541678A (ru)
AU (1) AU2007290858B2 (ru)
CA (1) CA2661985C (ru)
RU (1) RU2428377C2 (ru)
UA (1) UA95974C2 (ru)
WO (1) WO2008027101A1 (ru)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8528343B2 (en) * 2008-01-07 2013-09-10 General Electric Company Method and apparatus to facilitate substitute natural gas production
US20090173081A1 (en) * 2008-01-07 2009-07-09 Paul Steven Wallace Method and apparatus to facilitate substitute natural gas production
US20090173080A1 (en) * 2008-01-07 2009-07-09 Paul Steven Wallace Method and apparatus to facilitate substitute natural gas production
DE102008000052A1 (de) * 2008-01-14 2009-07-16 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium
JP5694927B2 (ja) 2008-06-30 2015-04-01 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドＭｅｍｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 反応炉壁へのシリコンの析出を低減する流動層反応炉システム及び方法
US9067338B2 (en) * 2008-08-04 2015-06-30 Semlux Technologies, Inc. Method to convert waste silicon to high purity silicon
CN101676203B (zh) * 2008-09-16 2015-06-10 储晞 生产高纯颗粒硅的方法
US7927984B2 (en) * 2008-11-05 2011-04-19 Hemlock Semiconductor Corporation Silicon production with a fluidized bed reactor utilizing tetrachlorosilane to reduce wall deposition
WO2010074673A1 (en) * 2008-12-23 2010-07-01 Arise Technologies Corporation Method and apparatus for the production of chlorosilanes
WO2010074674A1 (en) * 2008-12-23 2010-07-01 Arise Technologies Corporation Method and apparatus for silicon refinement
US8168123B2 (en) * 2009-02-26 2012-05-01 Siliken Chemicals, S.L. Fluidized bed reactor for production of high purity silicon
US20100266762A1 (en) * 2009-04-20 2010-10-21 Ben Fieselmann Processes and an apparatus for manufacturing high purity polysilicon
TWI454309B (zh) * 2009-04-20 2014-10-01 Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Dev Co Ltd 用於將反應排出氣體冷卻之方法及系統
WO2010123873A1 (en) 2009-04-20 2010-10-28 Ae Polysilicon Corporation A reactor with silicide-coated metal surfaces
WO2010135105A1 (en) 2009-05-22 2010-11-25 Dow Corning Corporation Quantitative measurement of gas phase process intermediates using raman spectroscopy
KR101678661B1 (ko) 2009-11-18 2016-11-22 알이씨 실리콘 인코포레이티드 유동층 반응기
EP2519343A1 (en) * 2009-12-29 2012-11-07 MEMC Electronic Materials, Inc. Methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls using peripheral silicon tetrachloride
US8029756B1 (en) * 2010-03-30 2011-10-04 Peak Sun Sillcon Corporation Closed-loop silicon production
US9126242B2 (en) * 2010-06-16 2015-09-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for cleaning bell jar, method for producing polycrystalline silicon, and apparatus for drying bell jar
DE102010040293A1 (de) 2010-09-06 2012-03-08 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium
CN107555438A (zh) * 2010-10-22 2018-01-09 Memc电子材料有限公司 在基本闭环的方法和系统中制备多晶硅
US20120100061A1 (en) 2010-10-22 2012-04-26 Memc Electronic Materials, Inc. Production of Polycrystalline Silicon in Substantially Closed-loop Processes
US8449848B2 (en) 2010-10-22 2013-05-28 Memc Electronic Materials, Inc. Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop systems
KR101256007B1 (ko) * 2010-11-15 2013-04-18 주식회사 케이씨씨 실리콘 나노입자를 포함하는 리튬이차전지용 음극활물질 및 이를 포함하는 리튬이차전지
US9156705B2 (en) 2010-12-23 2015-10-13 Sunedison, Inc. Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of dichlorosilane in a fluidized bed reactor
CN102120577A (zh) * 2011-03-24 2011-07-13 天津大学 一种多晶硅还原炉预升温系统及预升温方法
EP2530052A1 (de) * 2011-06-01 2012-12-05 HEI Eco Technology Verfahren zur Herstellung von Siliziumtetrachlorid und Verfahren zur Herstellung von Solarsilizium
JP5905958B2 (ja) 2011-06-16 2016-04-20 ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション 固体プロセスバルブ
WO2013049325A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Memc Electronic Materials, Inc. Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of silane in a fluidized bed reactor
NO20231208A1 (no) 2011-09-30 2014-04-23 Corner Star Ltd Produksjon av polykrystallinsk silisium ved termisk nedbrytning av silan i en hvirvelsjiktreaktor
DE102011120210A1 (de) 2011-12-05 2013-06-06 Centrotherm Sitec Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Silicium
KR101281102B1 (ko) * 2011-12-19 2013-07-02 한화케미칼 주식회사 폴리실리콘의 제조 방법
MY171572A (en) 2012-01-30 2019-10-21 Hemlock Semiconductor Operations Llc Method of repairing and/or protecting a surface in a reactor
US8875728B2 (en) 2012-07-12 2014-11-04 Siliken Chemicals, S.L. Cooled gas distribution plate, thermal bridge breaking system, and related methods
CN104583122B (zh) 2012-08-29 2017-09-05 赫姆洛克半导体运营有限责任公司 锥形流化床反应器及其使用方法
US9212421B2 (en) 2013-07-10 2015-12-15 Rec Silicon Inc Method and apparatus to reduce contamination of particles in a fluidized bed reactor
US9587993B2 (en) 2012-11-06 2017-03-07 Rec Silicon Inc Probe assembly for a fluid bed reactor
WO2014100705A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Centrotherm Photovoltaics Usa, Inc. Conserved off gas recovery systems and processes
DE102013206236A1 (de) 2013-04-09 2014-10-09 Wacker Chemie Ag Gasverteiler für Siemens-Reaktor
DE102013209076A1 (de) * 2013-05-16 2014-11-20 Wacker Chemie Ag Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silicium und Verfahren zur Entfernung eines Silicium enthaltenden Belags auf einem Bauteil eines solchen Reaktors
WO2015089214A1 (en) * 2013-12-10 2015-06-18 Summit Process Design, Inc. Process for producing trichlorosilane
US9238211B1 (en) 2014-08-15 2016-01-19 Rec Silicon Inc Segmented silicon carbide liner
US9446367B2 (en) 2014-08-15 2016-09-20 Rec Silicon Inc Joint design for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor
US9662628B2 (en) 2014-08-15 2017-05-30 Rec Silicon Inc Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor
US20160348983A1 (en) * 2015-05-28 2016-12-01 Sunedison, Inc. Heat exchange apparatus
CN105174265B (zh) * 2015-08-25 2018-02-02 中国恩菲工程技术有限公司 回收系统及回收方法
KR102096577B1 (ko) * 2016-12-29 2020-04-02 한화솔루션 주식회사 폴리실리콘 제조 장치
WO2018218055A1 (en) * 2017-05-24 2018-11-29 Garlock Sealing Technologies, Llc Biaxial ptfe gasket material with high purity filler
EP4317062A1 (en) 2022-08-02 2024-02-07 Alexander Lygin Optimized process for silicon deposition
WO2024124127A1 (en) * 2022-12-09 2024-06-13 Alliance For Sustainable Energy, Llc Float-zone boule growth using gas precursors

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3011877A (en) * 1956-06-25 1961-12-05 Siemens Ag Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes
DE1155759B (de) * 1959-06-11 1963-10-17 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten kristallinen Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
US3862020A (en) * 1970-12-07 1975-01-21 Dow Corning Production method for polycrystalline semiconductor bodies
US3745043A (en) * 1971-05-13 1973-07-10 Union Carbide Corp Manufacture of silicon metal from dichlorosilane
US3961003A (en) * 1972-05-17 1976-06-01 Dow Corning Corporation Method and apparatus for making elongated Si and SiC structures
GB2028289B (en) 1978-08-18 1982-09-02 Schumacher Co J C Producing silicon
US4318942A (en) * 1978-08-18 1982-03-09 J. C. Schumacher Company Process for producing polycrystalline silicon
US4676967A (en) * 1978-08-23 1987-06-30 Union Carbide Corporation High purity silane and silicon production
US4818495A (en) * 1982-11-05 1989-04-04 Union Carbide Corporation Reactor for fluidized bed silane decomposition
US4491604A (en) * 1982-12-27 1985-01-01 Lesk Israel A Silicon deposition process
US4481232A (en) * 1983-05-27 1984-11-06 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Method and apparatus for producing high purity silicon
US4559219A (en) * 1984-04-02 1985-12-17 General Electric Company Reducing powder formation in the production of high-purity silicon
US4883687A (en) * 1986-08-25 1989-11-28 Ethyl Corporation Fluid bed process for producing polysilicon
US5037503A (en) * 1988-05-31 1991-08-06 Osaka Titanium Co., Ltd. Method for growing silicon single crystal
US5242671A (en) * 1988-10-11 1993-09-07 Ethyl Corporation Process for preparing polysilicon with diminished hydrogen content by using a fluidized bed with a two-step heating process
JPH02233514A (ja) * 1989-03-06 1990-09-17 Osaka Titanium Co Ltd 多結晶シリコンの製造方法
US5118486A (en) * 1991-04-26 1992-06-02 Hemlock Semiconductor Corporation Separation by atomization of by-product stream into particulate silicon and silanes
JPH0680412A (ja) * 1992-08-31 1994-03-22 Toagosei Chem Ind Co Ltd 多結晶シリコンの製造方法
KR100210261B1 (ko) * 1997-03-13 1999-07-15 이서봉 발열반응을 이용한 다결정 실리콘의 제조 방법
US6060021A (en) * 1997-05-07 2000-05-09 Tokuyama Corporation Method of storing trichlorosilane and silicon tetrachloride
DE19735378A1 (de) * 1997-08-14 1999-02-18 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumgranulat
US7435392B2 (en) * 2000-02-03 2008-10-14 Acclavis, Llc Scalable continuous production system
US6368568B1 (en) * 2000-02-18 2002-04-09 Stephen M Lord Method for improving the efficiency of a silicon purification process
US20020187096A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-12 Kendig James Edward Process for preparation of polycrystalline silicon
US7033561B2 (en) * 2001-06-08 2006-04-25 Dow Corning Corporation Process for preparation of polycrystalline silicon
JP4780271B2 (ja) 2004-04-30 2011-09-28 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンの製造方法
JP4831285B2 (ja) 2004-04-30 2011-12-07 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA2661985A1 (en) 2008-03-06
UA95974C2 (ru) 2011-09-26
JP2010502542A (ja) 2010-01-28
KR101447494B1 (ko) 2014-10-06
EP2057095A1 (en) 2009-05-13
RU2428377C2 (ru) 2011-09-10
CA2661985C (en) 2014-05-27
US8609058B2 (en) 2013-12-17
CN101541678A (zh) 2009-09-23
US7935327B2 (en) 2011-05-03
AU2007290858B2 (en) 2012-12-13
WO2008027101A1 (en) 2008-03-06
JP5367573B2 (ja) 2013-12-11
AU2007290858A1 (en) 2008-03-06
US20080056979A1 (en) 2008-03-06
KR20090064402A (ko) 2009-06-18
US20110189074A1 (en) 2011-08-04
WO2008027101A9 (en) 2009-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009111218A (ru) Получение кремния посредством реактора с псевдоожиженным слоем, встроенного в сименс-процесс
JP2010502542A5 (ru)
RU2011100476A (ru) Способ получения кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем с использованием тетрахлорсилана для снижения осаждения на стенках реактора
TW200704588A (en) Method for producing silicon
JP2014505649A5 (ru)
WO2009111575A3 (en) Substrates for silicon solar cells and methods of producing the same
TW200639940A (en) Micro-feature fill process and apparatus using hexachlorodisilane or other chlorine-containing silicon precursor
WO2009121558A3 (de) Verfahren und anlage zur herstellung von reinstsilizium
JP4659798B2 (ja) トリクロロシランの製造方法
KR20120025995A (ko) 다결정 실리콘을 제조하는 방법
JP2008516044A5 (ru)
JP2011516376A5 (ru)
JP2008143774A (ja) 多結晶シリコンの製造方法および多結晶シリコン製造設備
MY159550A (en) Process and apparatuses for preparing ultrapure silicon
RU2006134502A (ru) Способ получения кремния
JP4659797B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
Pakuła et al. Direct Synthesis of Silicon Compounds—From the Beginning to Green Chemistry Revolution
CN102390836B (zh) 三氯氢硅合成工艺和设备
de Wild-Scholten et al. LCA comparison of the Elkem Solar metallurgical route and conventional gas routes to solar silicon
CN202246098U (zh) 三氯氢硅合成设备
Peng et al. Crystal facet dependence of SiHCl3 reduction to Si mechanism on silicon rod
CN103820852B (zh) 一种利用盐酸和四氯化硅制备多晶硅的系统及方法
CN107473228A (zh) 一种纳米级晶体硅及其制备方法
JP2007269679A (ja) 高純度アルキルシランの製造方法
JP6293294B2 (ja) 金属シリサイドの表面改質方法、表面改質された金属シリサイドを用いた三塩化シランの製造方法及び製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160615