RU2011100476A - Способ получения кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем с использованием тетрахлорсилана для снижения осаждения на стенках реактора - Google Patents

Способ получения кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем с использованием тетрахлорсилана для снижения осаждения на стенках реактора Download PDF

Info

Publication number
RU2011100476A
RU2011100476A RU2011100476/05A RU2011100476A RU2011100476A RU 2011100476 A RU2011100476 A RU 2011100476A RU 2011100476/05 A RU2011100476/05 A RU 2011100476/05A RU 2011100476 A RU2011100476 A RU 2011100476A RU 2011100476 A RU2011100476 A RU 2011100476A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
fluidized bed
bed reactor
silicon
gas
reactor
Prior art date
Application number
RU2011100476/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2518613C2 (ru
Inventor
Майкл МОЛНАР (US)
Майкл МОЛНАР
Original Assignee
Хемлок Семикэндактор Корпорейшн (Us)
Хемлок Семикэндактор Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Хемлок Семикэндактор Корпорейшн (Us), Хемлок Семикэндактор Корпорейшн filed Critical Хемлок Семикэндактор Корпорейшн (Us)
Publication of RU2011100476A publication Critical patent/RU2011100476A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2518613C2 publication Critical patent/RU2518613C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23C—METHODS OR APPARATUS FOR COMBUSTION USING FLUID FUEL OR SOLID FUEL SUSPENDED IN  A CARRIER GAS OR AIR 
    • F23C10/00—Fluidised bed combustion apparatus
    • F23C10/18—Details; Accessories
    • F23C10/20—Inlets for fluidisation air, e.g. grids; Bottoms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/1818—Feeding of the fluidising gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/1818—Feeding of the fluidising gas
    • B01J8/1827—Feeding of the fluidising gas the fluidising gas being a reactant
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/029—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of monosilane
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00245—Avoiding undesirable reactions or side-effects
    • B01J2219/00252—Formation of deposits other than coke
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10—Process efficiency
    • Y02P20/129—Energy recovery, e.g. by cogeneration, H2recovery or pressure recovery turbines

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

1. Способ получения кремния, включающий: ! 1) подачу осаждающего газа, содержащего водород и кремниевый мономер, во внутреннюю область реактора с псевдоожиженным слоем, где кремниевый мономер выбран из SiH4 и HSiCl3, причем осаждающий газ вводят в нагреваемую зону реактора с псевдоожиженным слоем, и одновременно ! 2) подачу травильного газа, состоящего по существу из SiCl4, в окружающую область реактора с псевдоожиженным слоем, где окружающая область находится между указанной внутренней областью и стенкой реактора с псевдоожиженным слоем, причем количество кремниевого мономера на стадии (1) является достаточным для осаждения кремния на псевдоожиженных частицах кремния в реакционной зоне, расположенной выше нагреваемой зоны реактора с псевдоожиженным слоем, а количество травильного газа на стадии (2) является достаточным для удаления кремния со стенки реактора с псевдоожиженным слоем. ! 2. Способ по п.1, где осаждающий газ происходит из отходящего газа из реактора Сименса. ! 3. Способ по п.1, где поток отходящего газа из одного или более реакторов Сименса после выхода из реакторов Сименса и перед введением в реактор с псевдоожиженным слоем разделяют с получением по меньшей мере части осаждающего газа и по меньшей мере части травильного газа. ! 4. Способ по п.3, дополнительно включающий введение дополнительных хлорсиланов в осаждающий газ. ! 5. Способ по п.4, где дополнительные хлорсиланы содержат HSiCl3, SiCl4 или их комбинацию. ! 6. Способ по п.2 или 3, дополнительно включающий использование кремния, полученного в одном или более реакторах Сименса, в интегральных микросхемах и/или в солнечных батареях. ! 7. Способ по п.1, дополнительно

Claims (20)

1. Способ получения кремния, включающий:
1) подачу осаждающего газа, содержащего водород и кремниевый мономер, во внутреннюю область реактора с псевдоожиженным слоем, где кремниевый мономер выбран из SiH4 и HSiCl3, причем осаждающий газ вводят в нагреваемую зону реактора с псевдоожиженным слоем, и одновременно
2) подачу травильного газа, состоящего по существу из SiCl4, в окружающую область реактора с псевдоожиженным слоем, где окружающая область находится между указанной внутренней областью и стенкой реактора с псевдоожиженным слоем, причем количество кремниевого мономера на стадии (1) является достаточным для осаждения кремния на псевдоожиженных частицах кремния в реакционной зоне, расположенной выше нагреваемой зоны реактора с псевдоожиженным слоем, а количество травильного газа на стадии (2) является достаточным для удаления кремния со стенки реактора с псевдоожиженным слоем.
2. Способ по п.1, где осаждающий газ происходит из отходящего газа из реактора Сименса.
3. Способ по п.1, где поток отходящего газа из одного или более реакторов Сименса после выхода из реакторов Сименса и перед введением в реактор с псевдоожиженным слоем разделяют с получением по меньшей мере части осаждающего газа и по меньшей мере части травильного газа.
4. Способ по п.3, дополнительно включающий введение дополнительных хлорсиланов в осаждающий газ.
5. Способ по п.4, где дополнительные хлорсиланы содержат HSiCl3, SiCl4 или их комбинацию.
6. Способ по п.2 или 3, дополнительно включающий использование кремния, полученного в одном или более реакторах Сименса, в интегральных микросхемах и/или в солнечных батареях.
7. Способ по п.1, дополнительно включающий использование кремния, полученного в реакторе с псевдоожиженным слоем, в солнечных батареях.
8. Способ по п.2, где поток отходящего газа содержит HSiCl3, SiCl4, водород, HCl и кремниевый порошок, и способ дополнительно включает удаление кремниевого порошка из потока отходящего газа перед его подачей в качестве осаждающего газа в реактор с псевдоожиженным слоем.
9. Способ по п.2, где в поток отходящего газа добавляют дополнительный HSiCl3 с получением осаждающего газа, причем осаждающий газ содержит хлорсиланы в концентрации от 20 мол.% до 50 мол.%.
10. Способ по п.9, где концентрация хлорсиланов составляет от 25 мол.% до 35 мол.%.
11 Способ по п.1, дополнительно включающий 3) подачу второго отходящего газового потока из реактора с псевдоожиженным слоем в регенерационную систему.
12 Способ по п.11, где второй отходящий газовый поток содержит водород, HSiCl3, SiCl4 и HCl.
13 Способ по п.12, дополнительно включающий 4) регенерацию водорода, HSiCl3, SiCl4 или их комбинации.
14 Способ по п.13, дополнительно включающий 5) подачу водорода, HSiCl3, или того и другого в реактор Сименса.
15. Способ по п.13, дополнительно включающий добавление водорода, HSiCl3, или того и другого в первый поток на стадии (1).
16. Способ по п.13, дополнительно включающий добавление SiCl4 во второй поток на стадии (2).
17. Способ по п.11, дополнительно включающий 4) регенерацию SiCl4, превращение SiCl4 в HSiCl3, и подачу HSiCl3 в реактор Сименса или в реактор с псевдоожиженным слоем.
18. Реактор (300) с псевдоожиженным слоем, отличающийся тем, что содержит нижнюю часть, где предусмотрены впускные сопла (303, 304), которые ориентированы в коническую решетку, находящуюся выше канала (302) выпуска продукта, причем впускные сопла (303, 304) имеют горизонтальные каналы (306).
19. Реактор по п.18, отличающийся тем, что угол наклона конической решетки составляет от 20 до 60° над горизонталью.
20. Способ получения кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем по п.18, включающий:
1) подачу осаждающего газа, содержащего водород и кремниевый мономер, во внутреннюю область реактора с псевдоожиженным слоем, где кремниевый мономер выбран из SiH4 и HSiCl3, причем осаждающий газ вводят в нагреваемую зону реактора с псевдоожиженным слоем, и одновременно
2) подачу травильного газа, состоящего по существу из SiCl4, в нагреваемую зону реактора с псевдоожиженным слоем через окружающую область, где окружающая область находится между указанной внутренней областью и стенкой реактора с псевдоожиженным слоем, причем количество кремниевого мономера на стадии (1) является достаточным для осаждения кремния на псевдоожиженных частицах кремния в реакционной зоне, расположенной выше нагреваемой зоны реактора с псевдоожиженным слоем, а количество SiCl4 на стадии (2) является достаточным для удаления кремния со стенки реактора с псевдоожиженным слоем.
RU2011100476/05A 2008-11-05 2009-10-12 Способ получения кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем с использованием тетрахлорсилана для снижения осаждения на стенках реактора RU2518613C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/265,038 US7927984B2 (en) 2008-11-05 2008-11-05 Silicon production with a fluidized bed reactor utilizing tetrachlorosilane to reduce wall deposition
US12/265,038 2008-11-05
PCT/US2009/060310 WO2010053659A1 (en) 2008-11-05 2009-10-12 Silicon production with a fluidized bed reactor utilizing tetrachlorosilane to reduce wall deposition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011100476A true RU2011100476A (ru) 2012-10-27
RU2518613C2 RU2518613C2 (ru) 2014-06-10

Family

ID=41479231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011100476/05A RU2518613C2 (ru) 2008-11-05 2009-10-12 Способ получения кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем с использованием тетрахлорсилана для снижения осаждения на стенках реактора

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7927984B2 (ru)
EP (1) EP2342007B1 (ru)
JP (1) JP5779099B2 (ru)
KR (1) KR101639430B1 (ru)
CN (3) CN104828826B (ru)
AU (1) AU2009311573A1 (ru)
CA (1) CA2729980C (ru)
MY (1) MY158036A (ru)
RU (1) RU2518613C2 (ru)
TW (2) TWI461358B (ru)
WO (1) WO2010053659A1 (ru)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103787336B (zh) 2008-09-16 2016-09-14 储晞 生产高纯颗粒硅的方法
US8178051B2 (en) * 2008-11-05 2012-05-15 Stephen Michael Lord Apparatus and process for hydrogenation of a silicon tetrahalide and silicon to the trihalosilane
US8168123B2 (en) * 2009-02-26 2012-05-01 Siliken Chemicals, S.L. Fluidized bed reactor for production of high purity silicon
AU2010239350A1 (en) 2009-04-20 2011-11-10 Ae Polysilicon Corporation A reactor with silicide-coated metal surfaces
WO2010123869A1 (en) * 2009-04-20 2010-10-28 Ae Polysilicon Corporation Methods and system for cooling a reaction effluent gas
WO2011090689A1 (en) * 2009-12-29 2011-07-28 Memc Electronic Materials, Inc. Methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls using peripheral silicon tetrachloride
US20120100059A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Memc Electronic Materials, Inc. Production of Polycrystalline Silicon By The Thermal Decomposition of Trichlorosilane In A Fluidized Bed Reactor
US8821825B2 (en) 2010-12-23 2014-09-02 Sunedison, Inc. Methods for producing silane
US8388914B2 (en) * 2010-12-23 2013-03-05 Memc Electronic Materials, Inc. Systems for producing silane
US9156705B2 (en) * 2010-12-23 2015-10-13 Sunedison, Inc. Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of dichlorosilane in a fluidized bed reactor
JP5395102B2 (ja) * 2011-02-28 2014-01-22 株式会社豊田中央研究所 気相成長装置
CA2839409A1 (en) 2011-06-16 2012-12-20 Hemlock Semiconductor Corporation Solids processing valve
WO2013049325A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Memc Electronic Materials, Inc. Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of silane in a fluidized bed reactor
CN103842070B (zh) * 2011-09-30 2017-07-21 Memc电子材料有限公司 通过使硅烷在流化床反应器中热分解而制备多晶硅
US9687876B2 (en) 2012-01-30 2017-06-27 Hemlock Semiconductor Corporation Method of repairing and/or protecting a surface in a reactor
US8875728B2 (en) 2012-07-12 2014-11-04 Siliken Chemicals, S.L. Cooled gas distribution plate, thermal bridge breaking system, and related methods
EP2890635B1 (en) * 2012-08-29 2021-04-28 Hemlock Semiconductor Operations LLC Tapered fluidized bed reactor and process for its use
DE102012218747A1 (de) * 2012-10-15 2014-04-17 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium
DE102013208071A1 (de) 2013-05-02 2014-11-06 Wacker Chemie Ag Wirbelschichtreaktor und Verfahren zur Herstellung von granularem Polysilicium
CN103553047A (zh) * 2013-11-06 2014-02-05 苏州协鑫工业应用研究院有限公司 一种用于在反应器中生产多晶硅产品的方法及系统
US9428830B2 (en) * 2014-07-02 2016-08-30 Gtat Corporation Reverse circulation fluidized bed reactor for granular polysilicon production
DE102015102527A1 (de) 2015-02-23 2016-08-25 Sitec Gmbh Verfahren zur Herstellung von reinem Silizium und Abscheidekörper zur Anlagerung von reinem Silizium
DE102015102521A1 (de) 2015-02-23 2016-08-25 Sitec Gmbh Verfahren zum Herstellen von reinem Silizium
CN108778493B (zh) * 2016-02-27 2022-02-11 学校法人早稻田大学 粒子处理装置以及催化剂担载体和/或纤维状碳纳米结构体的制造方法
WO2017160121A1 (ko) * 2016-03-18 2017-09-21 주식회사 엘지화학 폴리실리콘 제조를 위한 초고온 석출 공정
US10446420B2 (en) * 2016-08-19 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Upper cone for epitaxy chamber
KR102614841B1 (ko) * 2017-01-23 2023-12-18 바스프 에스이 캐소드 재료의 제조 방법, 및 상기 방법을 수행하는데 적합한 반응기
CN109289711A (zh) * 2018-10-17 2019-02-01 中国恩菲工程技术有限公司 氢化反应器
CN112984833B (zh) * 2021-02-07 2022-05-24 南京航空航天大学 一种具有v型凹槽的太阳能粒子反应器
CN117548414A (zh) * 2022-08-03 2024-02-13 江苏中能硅业科技发展有限公司 一种清洁流化床内壁结硅的方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4784840A (en) * 1986-08-25 1988-11-15 Ethyl Corporation Polysilicon fluid bed process and product
RU2066296C1 (ru) * 1994-02-22 1996-09-10 Ангарский электролизный химический комбинат Способ получения кремния из газообразного тетрафторида кремния и устройство для его осуществления
US5772708A (en) * 1995-03-17 1998-06-30 Foster Wheeler Development Corp. Coaxial coal water paste feed system for gasification reactor
US5810934A (en) * 1995-06-07 1998-09-22 Advanced Silicon Materials, Inc. Silicon deposition reactor apparatus
CN1153138A (zh) * 1995-09-21 1997-07-02 瓦克化学有限公司 制备三氯硅烷的方法
RU2116963C1 (ru) * 1997-06-06 1998-08-10 Институт физики полупроводников СО РАН Способ получения кремния
DE19735378A1 (de) * 1997-08-14 1999-02-18 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumgranulat
US6827786B2 (en) * 2000-12-26 2004-12-07 Stephen M Lord Machine for production of granular silicon
KR100411180B1 (ko) * 2001-01-03 2003-12-18 한국화학연구원 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치
NL1017849C2 (nl) * 2001-04-16 2002-10-30 Univ Eindhoven Tech Werkwijze en inrichting voor het deponeren van een althans ten dele kristallijne siliciumlaag op een substraat.
CN1230379C (zh) * 2001-06-06 2005-12-07 株式会社德山 硅的制造方法
CA2489718C (en) * 2002-06-18 2011-07-19 Tokuyama Corporation Silicon production reactor
WO2006098722A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-21 Rec Advanced Silicon Materials Llc Process for the production of hydrochlorosilanes
WO2007002880A2 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Jr Chem, Llc Method of enhanced drug application
DE102005042753A1 (de) * 2005-09-08 2007-03-15 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silicium in einem Wirbelschichtreaktor
KR100813131B1 (ko) * 2006-06-15 2008-03-17 한국화학연구원 유동층 반응기를 이용한 다결정 실리콘의 지속 가능한제조방법
US7935327B2 (en) * 2006-08-30 2011-05-03 Hemlock Semiconductor Corporation Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a siemens-type process
CN101254921B (zh) * 2008-03-19 2010-10-06 四川金谷多晶硅有限公司 一种转化四氯化硅制取三氯氢硅和多晶硅的方法
US20100124525A1 (en) * 2008-11-19 2010-05-20 Kuyen Li ZERO-HEAT-BURDEN FLUIDIZED BED REACTOR FOR HYDRO-CHLORINATION OF SiCl4 and M.G.-Si

Also Published As

Publication number Publication date
MY158036A (en) 2016-08-30
EP2342007A1 (en) 2011-07-13
TWI461358B (zh) 2014-11-21
CN102333585A (zh) 2012-01-25
US20100112744A1 (en) 2010-05-06
CN104828826B (zh) 2018-03-27
EP2342007B1 (en) 2017-04-26
JP2012507462A (ja) 2012-03-29
US7927984B2 (en) 2011-04-19
CA2729980A1 (en) 2010-05-14
CN102333585B (zh) 2015-08-26
RU2518613C2 (ru) 2014-06-10
AU2009311573A1 (en) 2010-05-14
WO2010053659A1 (en) 2010-05-14
KR101639430B1 (ko) 2016-07-13
CN104828826A (zh) 2015-08-12
KR20110091639A (ko) 2011-08-12
JP5779099B2 (ja) 2015-09-16
CA2729980C (en) 2017-01-03
TW201026605A (en) 2010-07-16
TW201431608A (zh) 2014-08-16
CN107555440A (zh) 2018-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011100476A (ru) Способ получения кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем с использованием тетрахлорсилана для снижения осаждения на стенках реактора
AU2007290858B2 (en) Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a Siemens-type process
KR101426099B1 (ko) 다결정 실리콘의 제조 방법 및 다결정 실리콘 제조 설비
JP5632362B2 (ja) 純シリコンを製造するための方法およびシステム
JP4740646B2 (ja) シリコンの製造方法
JP6246905B2 (ja) 多結晶シリコンを製造する反応器、およびそのような反応器の構成部品上のシリコン含有層を除去する方法
KR20120025995A (ko) 다결정 실리콘을 제조하는 방법
RU2499801C2 (ru) Способ получения трихлорсилана и тетрахлорсилана
KR20120041234A (ko) 트리클로로실란을 제조하는 방법 및 플랜트
CA2648378A1 (en) Process for depositing polycrystalline silicon
EP2036857A3 (en) Method for producing trichlorosilane
JP4659797B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
MY160519A (en) Method and system for producing monosilane
JP2005314191A (ja) 多結晶シリコンの製造方法
CN105980304A (zh) 用于生产多晶硅的方法
JP5321827B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法および製造装置
JP4542209B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法および高純度シリカの製造方法
CN112758936A (zh) 一种同时生产电子级硅烷和电子级一氯硅烷的系统和方法

Legal Events

Date Code Title Description
HE9A Changing address for correspondence with an applicant
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20161013