RU2066296C1 - Способ получения кремния из газообразного тетрафторида кремния и устройство для его осуществления - Google Patents

Способ получения кремния из газообразного тетрафторида кремния и устройство для его осуществления Download PDF

Info

Publication number
RU2066296C1
RU2066296C1 RU94006423A RU94006423A RU2066296C1 RU 2066296 C1 RU2066296 C1 RU 2066296C1 RU 94006423 A RU94006423 A RU 94006423A RU 94006423 A RU94006423 A RU 94006423A RU 2066296 C1 RU2066296 C1 RU 2066296C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
silicon tetrafluoride
chamber
reaction chamber
laser
Prior art date
Application number
RU94006423A
Other languages
English (en)
Other versions
RU94006423A (ru
Inventor
Ю.В. Тихомолов
Ю.Г. Афонин
Н.А. Шулешко
С.А. Заинчковский
С.М. Кошелев
Original Assignee
Ангарский электролизный химический комбинат
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ангарский электролизный химический комбинат filed Critical Ангарский электролизный химический комбинат
Priority to RU94006423A priority Critical patent/RU2066296C1/ru
Publication of RU94006423A publication Critical patent/RU94006423A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2066296C1 publication Critical patent/RU2066296C1/ru

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области химии, в частности к восстановлению кремния с применением непрерывного лазерного излучения для стимулирования реакции. Сущность изобретения: газообразный тетрафторид кремния подвергают воздействию лазерного излучения СО2-лазера мощностью 2-10 кВт в реакционной камере под давлением 100-200 мм р.ст. Через коаксиальный патрубок в реакционную камеру одновременно с тетрафторидом кремния подают водород, связывающий фтор и аргон. Кремний осаждают на улавливатель внутри камеры. 2 с.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Заявляемое изобретение относится к области химии, в частности, к способам восстановления кремния из газообразного тетрафторида кремния с использованием лазерного излучения для стимулирования химических реакций.
Технологическая операция производства кремния связана с извлечением его из различных соединений, очисткой от соответствующих примесей и формированием необходимых свойств.
Известны способы получения кремния путем восстановления кремнийсодержащих соединений водородом. В качестве кремнийсодержащих соединений обычно используют трихлорсилан, дихлорсилан, реже тетрафторид кремния. Процессы получения кремния химическим путем являются опасными и сложными.
Известны исследования и эксперименты, проведенные с целью перевода молекул SiF4 в возбужденное состояние под действием излучения СО2-лазера с последующим распадом SiF4 и выделением радикала Si. (N.R. Jsenor. Сanadien Jurnal Physic 51, 1281, 1973).
Известны исследования и эксперименты по использованию тетрафторида кремния (SiF4) в качестве кремнийсодержащего соединения для получения кремния с помощью физических процессов, в частности, путем разложения газообразного SiF4 под действием лазерного излучения. Были проведены эксперименты, в которых газообразный тетрафторид кремния (SiF4) при давлении в несколько торр в замкнутом объеме подвергался воздействию излучения СО2-лазера мощностью ((μ 10,6 мкм) 10-100 Вт. В объеме кюветы визуально наблюдалось появление "тумана" частичек конденсированной фазы размером около микрона и более. Было обнаружено увеличение давления газа в кювете во время реакции, а также достоверно было обнаружено появление кремния на стенках. В другой серии экспериментов было обнаружено разложение SiF4 и получение порошка аморфного кремния. Согласно проведенным экспериментам сфокусированное излучение СО2-лазера, имеющего мощность 10-100 Вт, приводило к разрушению тетрафторида кремния в потоке.
Лазерные методы разделения газовых смесей, получение кремния, в частности, из газообразного тетрафторида кремния, научно обоснованы и теоретически разработаны в Институте общей физики Российской Академии наук. Данные о технологических процессах и параметрах, достаточных для получения кремния из тетрафторида кремния с использованием лазерного излучения для практического осуществления в полупромышленных или промышленных условиях, в публикациях не приводятся.
Необходимость разработки технологического процесса и устройства для получения кремния из газообразного тетрафторида кремния по лазерной технологии обусловлена тем, что в процессе производства гексафторида урана может быть очищен и выделен в больших количествах газообразный тетрафторид кремния их отходов в виде Na2SiF6. В этом случае лазерная технология получения кремния из тетрафторида кремния представляется достаточно эффективной.
Предлагаемые способ и устройство осуществлены при использовании мощного непрерывного излучения СО2-лазера (2-10 кВт), введенного в реакционную камеру (замкнутый объем), в котором одновременно создают циркуляцию газообразного тетрафторида кремния и водорода, связывающего фтор в процессе распада тетрафторида кремния, а также аргона для защиты оптических свойств входного и выходного окон реакционной камеры. Тетрафторид кремния вводят в реакционную камеру под давлением 100-200 мм рт.ст. таким образом, чтобы поток SiF4 проходил в зоне сфокусированного лазерного луча. Осаждение кремния происходит внутри камеры на улавливателе, установленном на одной оси с вводимым в камеру газообразным тетрафторидом кремния. Откачку реакционных газов из камеры производят непрерывно с помощью вакуумного насоса и очищают с помощью фильтра. Процесс взаимодействия тетрафторида кремния и водорода в реакционной камере регулируют соотношением, определяющим полное реагирование фтора и водорода.
На чертеже изображено устройство для осуществления предлагаемого способа.
Заявляемое устройство состоит из СО2-лазера 1 мощностью 2-10 кВт с фокусирующей линзой 2, реакционной камеры 3, представляющей собой замкнутый объем в виде трубы, на торцах которой установлены входное и выходное прозрачные окна 4 для ввода лазерного луча из пластин кристалла хлористого калия (КСl). Для одновременной подачи тетрафторида кремния и водорода в центре верхней части камеры 3 установлен патрубок 5, состоящий из двух коаксиально размещенных трубок: внутренняя для подачи SiF4 и внешняя для подачи водорода. Патрубок 5 установлен на одной оси с точкой фокусирования внутри реакционной камеры 3 лазерного луча и улавливателя кремния 6. Для подачи в реакционную камеру 3 аргона установлены патрубки 7. Отсос реакционных газов, содержащих F, HF и непрореагированный SiF4, осуществляется через патрубок 8, соединенный с вакуумным насосом 9 и фильтром 10. Тетрафторид кремния, водород и аргон подают соответственно из баллонов 11, 12, 13. Подачу газов в реакционную камеру 3 и отсасывающую вакуумную систему регулируют дросселирующими вентилями 14 и контролируют манометрами 15.
Предлагаемый способ получения кремния из тетрафторида кремния и устройство для его осуществления реализуется следующим образом:
В качестве лазера 1 используется СО2-лазер типа ЛТУ-0501 мощностью до 5 кВт, изготовленный на Ангарском электролизном химическом комбинате. Реакционная камера 3 выполняется в виде трубки из нержавеющей стали диаметром 40 мм, длиной 140 мм, толщина стенки 3 мм, с обеих сторон которой торцевые отверстия-окна в трубке закрываются пластинами 4 из хлористого калия. Перед началом работы полость реакционной камеры 3 подвергается откачке с помощью вакуумного насоса 9 до 2•10-2 мм рт.ст. При включении СО2-лазера 1 лазерный луч с помощью фокусирующей линзы 2 из хлористого калия с фокусным расстоянием 132 мм вводят через пластины 4 в полость реакционной камеры 3 и фокусируют на струе тетрафторида кремния диаметром 0,5 мм, поступающей в реакционную камеру 3.
Одновременно с поступлением водорода из баллона 12 вводят аргон через патрубки 7 из баллона 13. Скорость напуска аргона составляет 0,1 л/мин. При включении вакуумного насоса 9 в реакционной камере 3 создают циркуляцию газов.
Количество тетрафторида кремния, подаваемого из баллона 11, определяют по расходомеру (оно составляет 5 г/мин.). Одновременно из реакционной камеры 3 откачивают избыточный газ и в камере поддерживают давление 100-200 мм рт. ст. Давление в камере, регулируемое вентилями 14, контролируют манометром 16. Под действием лазерного излучения в реакционной камере 3 создавалась низкотемпературная плазма из молекул SiF4 и происходил ее распад по суммарной реакции: лазерное излучение +SiF4+ 2H2_→ Si + 4HF.
При этом кремний в виде мелкодисперсного порошка осаждался на улавливателе 6, установленном соосно струе SiF4, поступающей через патрубок 5. После прекращения процесса улавливатель кремния 6 удаляют из реакционной камеры 3.
В течение 3-4 мин работы на улавливателе 6 осаждалось 1,5-2 г кремния с чистотой 99% Реакционные газы, удаляемые из реакционной камеры 3 через патрубок 8, подвергают очистке на фильтре 10.
Описанный способ и устройство создают основу для проектирования промышленной установки по производству кремния из тетрафторида кремния.
При промышленном применении заявляемого способа и устройства может быть решена проблема уменьшения стоимости чистого кремния.
Один моль квантов СО2-лазера составит при КПД 20% около 1,34•10-2 кВт/ч. Если считать, что только половина лазерной энергии идет на распад тетрафторида кремния, то один моль кремния вместе с двумя молями фтора будут стоить 0,81 кВт/ч. Соответственно 1 г кремния будет стоить 2,8•10-2 кВт/ч, если считать фтор побочным продуктом. Экономическая эффективность получения кремния из тетрафторида кремния по лазерной технологии при использовании отходов производства гексафторида урана может стать одним из стимулов конверсии в атомной промышленности.

Claims (2)

1. Способ получения кремния из газообразного тетрафторида кремния, включающий воздействие на тетрафторид кремния непрерывным излучением СО2-лазера в реакционной камере, отличающийся тем, что газообразный тетрафторид кремния подвергают воздействию лазерного излучения мощностью 2-10 Квт под давлением 100-200 мм рт.ст. и одновременно вводят в реакционную камеру водород и аргон при непрерывной циркуляции этих газов и отводе газообразных продуктов реакции, причем кремний осаждают внутри камеры, а взаимодействие SiF4 и Н2 осуществляется при молярном соотношении 2:1 соответственно.
2. Устройство для получения кремния из газообразного тетрафторида кремния, содержащее СО9-лазер с фокусирующей линзой, реакционную камеру с оптическими окнами для ввода и вывода лазерного луча, установленными в торцах камеры, отличающееся тем, что ввод газообразного тетрафторида кремния и водорода в реакционную камеру выполнен в виде патрубка, состоящего из двух трубок, коаксиально расположенных одна в другой, и установлен в средней части камеры на одной оси с точкой фокусирования лазерного луча и улавливателем кремния, при этом внутренняя трубка служит для введения в камеру тетрафторида кремния, наружная для введения водорода, по краям реакционной камеры установлены патрубки для ввода аргона, в нижней части камеры установлен патрубок для отвода реакционных газов, соединенный с вакуумным насосом и фильтром.
RU94006423A 1994-02-22 1994-02-22 Способ получения кремния из газообразного тетрафторида кремния и устройство для его осуществления RU2066296C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94006423A RU2066296C1 (ru) 1994-02-22 1994-02-22 Способ получения кремния из газообразного тетрафторида кремния и устройство для его осуществления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94006423A RU2066296C1 (ru) 1994-02-22 1994-02-22 Способ получения кремния из газообразного тетрафторида кремния и устройство для его осуществления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94006423A RU94006423A (ru) 1996-01-10
RU2066296C1 true RU2066296C1 (ru) 1996-09-10

Family

ID=20152813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94006423A RU2066296C1 (ru) 1994-02-22 1994-02-22 Способ получения кремния из газообразного тетрафторида кремния и устройство для его осуществления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2066296C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009005412A2 (en) 2007-06-19 2009-01-08 Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo 'solar Si' Method for producing polycrystalline silicon
RU2518613C2 (ru) * 2008-11-05 2014-06-10 Хемлок Семикэндактор Корпорейшн Способ получения кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем с использованием тетрахлорсилана для снижения осаждения на стенках реактора

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Canada J.Phys., v 51, p.1281, 1973. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009005412A2 (en) 2007-06-19 2009-01-08 Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo 'solar Si' Method for producing polycrystalline silicon
RU2518613C2 (ru) * 2008-11-05 2014-06-10 Хемлок Семикэндактор Корпорейшн Способ получения кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем с использованием тетрахлорсилана для снижения осаждения на стенках реактора

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20170133208A1 (en) Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source, an abatement system, and vacuum processing system
TW200413111A (en) System for in-situ generation of fluorine radicals and/or fluorine-containing interhalogen (XFn) compounds for use in cleaning semiconductor processing chambers
KR20120053021A (ko) 저감 배출물을 재생 및 재이용하는 저감 프로세스를 위한 방법들 및 장치
US5451378A (en) Photon controlled decomposition of nonhydrolyzable ambients
RU2066296C1 (ru) Способ получения кремния из газообразного тетрафторида кремния и устройство для его осуществления
CN106252429A (zh) 用于硅表面的纹理化的方法和装置
US20130341178A1 (en) Method and Apparatus for Removing Contaminants from Nitrogen Trifluoride
CN1277146A (zh) 大规模净化碳纳米管的方法
US5877392A (en) Photon controlled decomposition of nonhydrolyzable ambients
JPS60216558A (ja) 表面洗浄方法
JP4230169B2 (ja) フッ素の発生方法
JPH03229415A (ja) 半導体装置のドライクリーニング方法
KR20040017212A (ko) 할로겐 가스의 제조 방법, 할로겐 가스의 제조 장치, 및할로겐 가스의 회수·순환 시스템
JPS5854190Y2 (ja) 連続流レ−ザ化学反応装置
JPS63204616A (ja) 反応チヤンバ−の洗浄方法
RU2131846C1 (ru) Способ и система очистки газообразного гексафторида урана
JPS5976870A (ja) 酸化膜の化学蒸着法
JPS61230326A (ja) 気相成長装置
JPS6345377A (ja) 成膜装置
RU94006423A (ru) Способ получения кремния из газообразного тетрафторида кремния и устройство для его осуществления
RU2315651C2 (ru) Способ очистки газообразных и жидких веществ от примесей и устройство для его осуществления
JPH0364024A (ja) 半導体基板表面洗浄方法
JP2768374B2 (ja) プラズマ反応を用いたオゾン合成方法と装置
JPS59181530A (ja) 半導体製造装置の洗浄方法及び洗浄装置
RU2116966C1 (ru) Способ получения кремнефторсодержащего раствора для производства фторида алюминия