JPS59181530A - 半導体製造装置の洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents

半導体製造装置の洗浄方法及び洗浄装置

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JPS59181530A
JPS59181530A JP5374583A JP5374583A JPS59181530A JP S59181530 A JPS59181530 A JP S59181530A JP 5374583 A JP5374583 A JP 5374583A JP 5374583 A JP5374583 A JP 5374583A JP S59181530 A JPS59181530 A JP S59181530A
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JP
Japan
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gas
reaction furnace
cleaning
semiconductor manufacturing
reactor
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Application number
JP5374583A
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Seijiro Sano
精二郎 佐野
Toshio Ito
寿雄 伊藤
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Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はマイクロ波により活性化したガスを使用して
エツチングガスを分解し、君ｆられたエツチング性を有
するガスにより反応炉内を４浄する半導体製造装置の洗
浄方法及び洗浄装置ｎに関する。
従来プラズマＣ’　Ｖ　Ｄ（ＣＩＩＥＭＩＣイＬ　Ｖ／
ＩＩ）ＯＲＤＥＰＯ５ＩＴＩＯＩＶ　　）装置を使用し
てアモルファスＳｉなどを基板へ積層する半導体製造装
置ｆｆではアモルファスをｆｊｉ層すると試料たけでな
く、炉壁や′Ｐじ、極にもアモルファスが積層し、連続
的に使用」すると壁面のアモルファスが剥離して試料に
付着し、ピットの原因となる。
このため、アモルファスを積層するごとに炉内の洗浄を
行ない。アモルファスの除去を行なう必要がある。
従来では炉内洗浄をＣ′式＋０２を使用してプラズマエ
ツチングにより実施しているが、洗浄時間がアモルファ
ス積層時間とほぼ同程度かかり、作業効率を著しく低下
させている。
例えは、アモルファスソーラセルを製造する場合では、
積層に１時間、炉内洗浄に１時間かかり、設備の稼動率
が低下し、製造コストの上昇を招ねいている。
また、Ｃ′Ｆ４ガスはＪ（−常に高価なガスであり、犬
廚のＣ’　ｐ’、ガスを使用することにより、原料コス
トも」−昇する不具合もある。
この発明はかかる不具合を解消する目的でなされたもの
で、マイクロ波により活性化したガスを反ルｉ）、炉へ
導入して、反応炉内の試料室に導入した洗浄用エツチン
グガスを分解し、得られたエツチング性を有するガスに
より試料室や反応炉内を洗浄するようにした半導体製造
装置のｆｋ浄方法及び洗浄装置を提供して、短時間で炉
内の洗浄が行なえるようにしたものである。
以上この発明の一実施例を図面を参照して詳述する。図
において１はプラズマＣ’ＶＤ装置よりなる半導体製造
装置の反応炉で、内部に試料室２を有しており、試料室
２内の試料台３上に製造すべき半導体の基板４が並設は
れて、これら基板４上にアモルファス５１などが積層さ
れる。
また上記試料室２の−Ｅ部に設けられた電極５と試料台
３の間には交流電源６が印加されていて、これらの間で
プラズマが発生すると共に、反応炉１内にはガス供給源
７よりＳｉＨ４，ｐＥ、　、　Ｂ２／／。
などの反応ガスか供給されるＯＪｙ、応炉１内に供給さ
れるガスの濃度は分光器８により光学的に測定きれて、
測定値は制御器９へ人力きれ、制御器９の出力によりガ
ス供給毎が制御される。
また反応炉１の圧力は圧力検出器１０により常に検出さ
れていて、設定値より高くなると圧力制御装訪１１より
出力される制御（，７−１−により制御弁１２が開閉は
れ、この制御弁１２を介して排気ポンプ１３より排出さ
れることにより、反応炉１内の圧力は常に一定に維持さ
れる。
以上が半導体製造装置の８Ａ要であるが次に洗浄方法及
び洗浄装置を説明すると、図中１４はマイクロ波発生器
で、このマイクロ波発生器１４より発生された２−５４
ＧＨｚのマイクロ波は石英ガラスよりなる導波管１５に
より励起ガス供給９″１・１６へ；＋４４ひかれでいる
。励起ガス供鞘管１６は反ルレ、炉１のガス出口側に試
料室２へ吹出し口を向けて設けられており、このＭｌ起
カス供給管１６により反１ｉＦ、、炉１へ吹込まれる水
素ガスなどの励ＪＶカスは、マイクロ波の照射により活
性化、・ｒメン化されて反応炉Ｉ内に達する。反応炉１
内にはカス（ＩＵＭｉ、源７よりＣ１ｉ、（、″へ十ｕ
２などの洗浄用エツチングカスが供給されていて、活性
化されたＩＪＪ＃起ガスの導入によりエツチング性を有
するガスとなり、このガスにより反応炉Ｉや試Ｉｉ室２
の痒・ｒｉ＋１、試料台３、電極５の表面に付着堆積さ
れたアモルファス、５Ｌなどが？）ｌＧ浄除去される」
二うになる。
なおマイクロ波の周波数は２．５４ＧＨｚがもつともプ
ラズマエツチング性がよいため、本実施例で使月」した
が、勿昆この周波数に限定されるものではない。
この発明は以上詳述したように、マイクロ波により活性
化、イオン化した励起ガスを反ｈα、炉へ導入して反応
炉内の洗浄用エツチングガスを分解し、エツチング性を
有するガスを発生させてこのガスで反応炉や試料室など
の壁面に付衆堆積したアモルファスＳｉなどを洗浄除去
するようにしたもので、炉内の′ｆｋ浄が短時間で行な
えることから、半導体製造装置″の稼動率が上ると共に
、高価なＣ”　ｌ＝−ガスの使用量も従来の洗浄方法に
比べて大巾に少なくできることから経済的である。また
既存の半導体製造装置を大１］＆こ改造することな〈実
施できるなどの効果も併せて有する。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の一実施例を示す概略治成図である。 １は反応炉、２は試料室、１４はマイクロ波発生源、１
５は導波管、１６は励起カス供給管。 出願人　株式会社　小松　製作所 代理人　弁理士　米　原　正　６ 弁理士　浜　本　　　忠

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　プラズマＣＶＤ装置道を使用した半導体製造
    装置の反応炉１内に、マイクロ波Ｇこより活性化した励
    起ガスを導入して、反応炉Ｉ内の洗浄１目エツチングガ
    スを分触し、得られた工゛ンチンク゛性を有するガスＧ
    こより反応炉１や試料室２の壁面などをｆｌｃ浄するこ
    とを特徴とする半導体製造装置行の洗浄方法。
  2. （２）　　プラズマＣＶＩ）装置を使用した半導体製造
    装置の反ｊ心炉１に、該炉ｉ内へ励起ガスを供給する励
    起ガス供給管１６を設け、またこの励起ガス供給’ｉ！
    −１６の途中にマイクロ波発生源１４により発生された
    マイクロ波を導びく導波管１５を接続して、励起ガス供
    給管１６内を流通する励起カスをマイクロ波により活性
    化させるようにしてなる半導体製造装置の洗浄装置。
JP5374583A 1983-03-31 1983-03-31 半導体製造装置の洗浄方法及び洗浄装置 Pending JPS59181530A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01102921A (ja) * 1987-10-16 1989-04-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 被膜作製方法
US5491112A (en) * 1989-06-30 1996-02-13 Im Institutet For Mikroelektronik Method and arrangement for treating silicon plates
JP2001085418A (ja) * 1999-07-02 2001-03-30 Applied Materials Inc 処理チャンバのための遠隔式プラズマクリーニング方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01102921A (ja) * 1987-10-16 1989-04-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 被膜作製方法
US5491112A (en) * 1989-06-30 1996-02-13 Im Institutet For Mikroelektronik Method and arrangement for treating silicon plates
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