JPS5976870A - 酸化膜の化学蒸着法 - Google Patents

酸化膜の化学蒸着法

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JPS5976870A
JPS5976870A JP18695682A JP18695682A JPS5976870A JP S5976870 A JPS5976870 A JP S5976870A JP 18695682 A JP18695682 A JP 18695682A JP 18695682 A JP18695682 A JP 18695682A JP S5976870 A JPS5976870 A JP S5976870A
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JP
Japan
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oxide film
vapor deposition
chemical vapor
sample
gas
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JP18695682A
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Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は酸化膜の化学蒸着法に関する。
従来、酸化膜の化学蒸着法としては、酸化硅素膜の化学
蒸７ｍ法を例にとると、モノシランＣ３ｉＨａ）ガスと
酸素ガスを窒素ガスをキャリヤガスとし一１反応室に送
り、反応室内の試料温度を２００℃以上４００℃程度に
保って酸化硅素膜を試料表面に形成するのが通例であっ
た。
しかし、上記従来技術では化学蒸着時の試料温度が２０
０℃以上を高く保たねばならず、２００℃で熱分解する
合成樹脂等の試料土には化学蒸着法で酸化膜を形成する
のが田面ｆであった。
不発８Ａは、かかる従来技術の欠点をなくし、２００℃
以下で酸化Ｍ〆影形成可能な化学蒸着法を提供する仁と
を目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、酸
化膜の化学蒸着法において、ガス状化合物または、その
混合物ガスと、酸素ガスをオゾン発生装置を通して生成
したオゾン・ガスとを主成分ガスとして反応室に通し、
反応室内に設置された試料の温度を２００℃以下、常温
近く迄の温度に保ち、該試料表面にガス状化合物の主成
分の酸化物を膜状に形成する事を特徴とする事、および
化合物をモノシラン（８ｔ’Ｅｔ　）　？形成する酸化
膜を酸化硅素膜とする事を特徴とする。
＠１図は本発明による酸化膜の化学蒸着法の一実施例を
示寸化学蒸着装置の模式図である。
石英反応管１内にはアルミニウム支持台１３が設置され
、その上にＳＺウェーハ試料１４がおかれる。
Ｓｉウェーハ１４は赤外線ランプＩ５からの赤外線によ
り支持台１３を加熱して間接加熱される。反応管１には
、キャリヤガスとしてのＮ２ガス、反応ガスとしての５
Ｚａ４ガス、およびＯ！ガスがパイプ３．５，４を通し
、パルプ６および流量部７を通って、０２ガスは無電極
放電による遠紫外光線を０３ガスに照射してオゾン・ガ
スとするオゾン生成装置８を通して、パイプ９　、　ｌ
（１、１１’＆通し、パイプ１２で合流させて、反応ガ
スが供給される。排ガスはキャップ２に付けられた排気
口１６よシ外部に排出式れる。
上記の装置によシｓ４ウェーハ試料温度を１５０℃圧保
ち、２０００Ｘ／Ｂの速度で酸化硅素被膜を形成するこ
とができる。
尚、反応管１０表面から遠紫外線を照射することによシ
光化学反応も追加して、一層高効率の。
学蒸着を行うこともできる。
本発明にする化学蒸着法によると、酸化膜が２００℃以
下の低温で効率よく形成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による酸化膜の化学蒸着法の説明のため
の一例を示す化学蒸着装置の模式図である。 １・−反応管　２・・キャップ　３，４，５゜９　、　
Ｉｌｌ　、　１３　、１２・・パイプ　６・・コック　
７−・流量計　８・−オゾン発生装置１３・・支持台１
４Φ・試料　１５・・赤外線ランプ　１６・・排出口。 以　　　上 出願人　株式会社識訪精工舎 代理人　弁理士最　上　　務

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ｉｌｌガス状化合物またはその混合物ガスと、酸素ガス
    をオゾン発生装置に適して生成したオゾン吻ガスとを主
    成分ガスとして反応室に通し、反応室内に設置された試
    料の温度を２００℃以下常温近く迄の温度に保ち、該試
    料表面にガス状化合物の主成分の酸化物を侶（状に形成
    する事を特徴とする酸化膜の化学蒸着法。 （２１化合物をモノシラン（５ｊＨＯ、形成する酸化膜
    を酸化硅素１１Ｑとする特許請求の範囲第１項記載の化
    学蒸着法。
JP18695682A 1982-10-25 1982-10-25 酸化膜の化学蒸着法 Granted JPS5976870A (ja)

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JPS6383275A (ja) * 1986-09-27 1988-04-13 Tokyo Electron Ltd 被処理体の処理方法
JPS63297563A (ja) * 1987-05-29 1988-12-05 Tokyo Electron Ltd 被膜形成方法および処理装置
JPH02194177A (ja) * 1989-01-23 1990-07-31 Anelva Corp 薄膜作製装置および方法
JPH07278816A (ja) * 1994-12-14 1995-10-24 Tokyo Electron Ltd 被処理体の処理方法

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