RU2008106758A - Устройство полупроводниковой памяти - Google Patents
Устройство полупроводниковой памяти Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008106758A RU2008106758A RU2008106758/09A RU2008106758A RU2008106758A RU 2008106758 A RU2008106758 A RU 2008106758A RU 2008106758/09 A RU2008106758/09 A RU 2008106758/09A RU 2008106758 A RU2008106758 A RU 2008106758A RU 2008106758 A RU2008106758 A RU 2008106758A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- address
- memory
- data
- semiconductor memory
- memory device
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/04—Arrangements for selecting an address in a digital store using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
1. Устройство полупроводниковой памяти, содержащее: ! матрицу энергонезависимой памяти последовательного доступа; ! счетчик адреса, выполненный с возможностью определения адреса, к которому осуществляют доступ в матрице памяти, с помощью подсчета числа импульсов сигнала тактового генератора, причем максимальное количество подсчитываемых импульсов для считывания данных из матрицы памяти и для записи данных в матрицу памяти является различным; ! модуль записи данных, выполненный с возможностью записи данных в адрес матрицы памяти, к которой осуществляют доступ; и ! модуль считывания данных, выполненный с возможностью считывания данных из адреса матрицы памяти, к которой осуществляют доступ. ! 2. Устройство полупроводниковой памяти по п.1, в котором упомянутый счетчик адреса определяет начальный адрес упомянутой матрицы памяти после того, как подсчитано значение счетчика, равное любому из упомянутых максимальных значений счетчика. ! 3. Устройство полупроводниковой памяти по п.2, в котором упомянутый счетчик адреса подсчитывает сигнал внешнего тактового генератора синхронно с упомянутым сигналом внешнего тактового генератора, введенным извне упомянутого устройства полупроводниковой памяти. ! 4. Устройство полупроводниковой памяти по п.1, в котором упомянутая матрица памяти содержит первую область памяти, имеющую первый конечный адрес, и вторую область памяти, имеющую второй конечный адрес, и следующей за упомянутой первой областью памяти, ! причем упомянутое максимальное значение счетчика во время записи данных равно значению счетчика, соответствующему упомянутому первому конечному адресу, а ! упомянутое м
Claims (10)
1. Устройство полупроводниковой памяти, содержащее:
матрицу энергонезависимой памяти последовательного доступа;
счетчик адреса, выполненный с возможностью определения адреса, к которому осуществляют доступ в матрице памяти, с помощью подсчета числа импульсов сигнала тактового генератора, причем максимальное количество подсчитываемых импульсов для считывания данных из матрицы памяти и для записи данных в матрицу памяти является различным;
модуль записи данных, выполненный с возможностью записи данных в адрес матрицы памяти, к которой осуществляют доступ; и
модуль считывания данных, выполненный с возможностью считывания данных из адреса матрицы памяти, к которой осуществляют доступ.
2. Устройство полупроводниковой памяти по п.1, в котором упомянутый счетчик адреса определяет начальный адрес упомянутой матрицы памяти после того, как подсчитано значение счетчика, равное любому из упомянутых максимальных значений счетчика.
3. Устройство полупроводниковой памяти по п.2, в котором упомянутый счетчик адреса подсчитывает сигнал внешнего тактового генератора синхронно с упомянутым сигналом внешнего тактового генератора, введенным извне упомянутого устройства полупроводниковой памяти.
4. Устройство полупроводниковой памяти по п.1, в котором упомянутая матрица памяти содержит первую область памяти, имеющую первый конечный адрес, и вторую область памяти, имеющую второй конечный адрес, и следующей за упомянутой первой областью памяти,
причем упомянутое максимальное значение счетчика во время записи данных равно значению счетчика, соответствующему упомянутому первому конечному адресу, а
упомянутое максимальное значение счетчика во время считывания данных является значением, при котором конкретное значение добавляют к значению счетчика, соответствующему упомянутому второму конечному адресу.
5. Устройство полупроводниковой памяти по п.4, в котором упомянутый счетчик адреса определяет начальный адрес упомянутой первой области памяти в упомянутой матрице памяти после подсчета до любой из упомянутых максимальных значений счетчика.
6. Устройство полупроводниковой памяти по п.5, в котором упомянутая первая область памяти является областью памяти, в которую записывают данные, а
упомянутая вторая область памяти является областью памяти, из которой данные только считывают.
7. Устройство полупроводниковой памяти по п.6, в котором упомянутая первая область памяти является областью памяти, в которой можно запомнить 128 бит данных;
упомянутая вторая область памяти является областью памяти, в которой можно запомнить 64 бит данных, а
упомянутый счетчик адреса является 8-разрядным счетчиком адреса, причем после того, как значение восьмого разряда станет “1” во время записи данных, определяет начальный адрес упомянутой первой области памяти, а во время считывания данных после того, как значения всех восьми разрядов станут “1”, определяет начальный адрес упомянутой первой области памяти.
8. Контейнер печатного регистрирующего материала, присоединенный сменным способом к устройству печати и содержащий печатный регистрирующий материал, причем упомянутый контейнер печатного регистрирующего материала содержит:
устройство контейнера, для помещения в него упомянутого печатного регистрирующего материала; и
устройство полупроводниковой памяти по любому из пп.1-7.
9. Система печати, содержащая устройство печати и контейнер печатного регистрирующего материала по п.8, присоединенный сменным способом к упомянутому устройству печати, в которой:
упомянутое устройство печати обеспечено главным компьютером, который соединен с помощью шины с устройством полупроводниковой памяти, которым оборудован упомянутый контейнер печатного регистрирующего материала, через линию сигнала данных, линию сигнала тактового генератора, линию сигнала сброса, положительную линию питания и отрицательную линию питания, и который посылает в упомянутое устройство полупроводниковой памяти данные о количестве, относящиеся к печатному регистрирующему материалу, израсходованному в устройстве печати; и в котором
упомянутое устройство полупроводниковой памяти, которое установлено в упомянутом контейнере печатного регистрирующего материала, запоминает в матрице памяти данные о количестве, принятые относительно упомянутого печатного регистрирующего материала.
10. Способ управления адресом в устройстве полупроводниковой памяти, обеспеченном энергонезависимой памятью, доступ к которой осуществляют последовательно с помощью счетчика адреса, причем импульсы счета синхронизированы с внешним тактовым генератором до тех пор, пока не достигнут определенного целевого адреса, причем упомянутый способ содержит этапы, на которых:
определяют, является ли запрос доступа в упомянутую матрицу памяти запросом записи или запросом считывания;
определяют начальный адрес упомянутой матрицы памяти, когда упомянутый запрос доступа является запросом записи, и упомянутый внешний тактовый генератор подсчитал до первого максимального значения счетчика; и
определяют первый адрес в упомянутой матрице памяти, когда упомянутый запрос доступа является запросом считывания, и когда упомянутый внешний тактовый генератор подсчитал до второго максимального значения счетчика, которое больше, чем упомянутое первое максимальное значение счетчика.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005213982A JP4839714B2 (ja) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | シーケンシャルアクセスメモリ |
| JP2005-213982 | 2005-07-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008106758A true RU2008106758A (ru) | 2009-09-10 |
Family
ID=37678916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008106758/09A RU2008106758A (ru) | 2005-07-25 | 2006-07-21 | Устройство полупроводниковой памяти |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7591524B2 (ru) |
| EP (1) | EP1914756A4 (ru) |
| JP (1) | JP4839714B2 (ru) |
| KR (1) | KR20080030106A (ru) |
| CN (1) | CN101228589B (ru) |
| AU (1) | AU2006273264A1 (ru) |
| BR (1) | BRPI0613773A2 (ru) |
| CA (1) | CA2616350A1 (ru) |
| RU (1) | RU2008106758A (ru) |
| TW (1) | TW200713325A (ru) |
| WO (1) | WO2007013568A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4839714B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-12-21 | セイコーエプソン株式会社 | シーケンシャルアクセスメモリ |
| KR101081193B1 (ko) | 2009-10-15 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101072034B1 (ko) | 2009-10-15 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101014013B1 (ko) | 2009-10-15 | 2011-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| CN107392291A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-11-24 | 广州市智专信息科技有限公司 | 一种用于书本的rfid标签，相应的书本生产方法及书本 |
| JP7314656B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2023-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 液体吐出装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194142A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-13 | Nec Corp | フア−ストイン／フア−ストアウト形メモリ |
| JPS61213943A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-22 | Nec Corp | マイクロコンピユ−タ |
| DE3880694D1 (de) | 1988-07-25 | 1993-06-03 | Siemens Ag | Anordnung fuer druckeinrichtungen zur ueberwachung von druckmedium enthaltenden vorratsbehaeltern. |
| US5049898A (en) * | 1989-03-20 | 1991-09-17 | Hewlett-Packard Company | Printhead having memory element |
| ES2124212T3 (es) * | 1989-08-05 | 1999-02-01 | Canon Kk | Aparato para la impresion por chorros de tinta y cartucho de tinta para dicho aparato. |
| JPH0423300A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Toyo Commun Equip Co Ltd | シフトレジスタ |
| JPH07219856A (ja) | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Canon Inc | メモリ装置 |
| JP3702016B2 (ja) * | 1995-11-27 | 2005-10-05 | 三洋電機株式会社 | 不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータ |
| JP3103755B2 (ja) | 1995-12-05 | 2000-10-30 | 株式会社イルテックス | リース物件管理システム |
| JP3270831B2 (ja) | 1998-02-03 | 2002-04-02 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| JP2001187457A (ja) * | 1998-11-26 | 2001-07-10 | Seiko Epson Corp | 印刷装置およびカートリッジ |
| ES2257323T3 (es) * | 1999-10-04 | 2006-08-01 | Seiko Epson Corporation | Aparato de registro de chorro de tinta, dispositivo semiconductor y dispositivo de cabeza de registro. |
| JP2002067290A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-05 | Canon Inc | 記録ヘッド、記録装置、及び記録ヘッドと記録装置との間のデータ転送方法 |
| JP4762435B2 (ja) | 2001-05-09 | 2011-08-31 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 内部カウンタを複数備えた不揮発性半導体記憶装置 |
| JP2003132674A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| KR100555506B1 (ko) * | 2003-07-11 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 프로그램된 메모리 셀들과 프로그램 및 소거 가능한메모리 셀들을 포함하는 메모리 장치 |
| JP4381750B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2009-12-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路 |
| JP4839714B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-12-21 | セイコーエプソン株式会社 | シーケンシャルアクセスメモリ |
-
2005
- 2005-07-25 JP JP2005213982A patent/JP4839714B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-20 US US11/458,820 patent/US7591524B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-21 EP EP06781838A patent/EP1914756A4/en not_active Withdrawn
- 2006-07-21 WO PCT/JP2006/314927 patent/WO2007013568A1/ja active Application Filing
- 2006-07-21 KR KR1020087004357A patent/KR20080030106A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-07-21 AU AU2006273264A patent/AU2006273264A1/en not_active Abandoned
- 2006-07-21 RU RU2008106758/09A patent/RU2008106758A/ru not_active Application Discontinuation
- 2006-07-21 BR BRPI0613773-3A patent/BRPI0613773A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2006-07-21 CN CN2006800272546A patent/CN101228589B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-21 CA CA002616350A patent/CA2616350A1/en not_active Abandoned
- 2006-07-21 TW TW095126784A patent/TW200713325A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101228589A (zh) | 2008-07-23 |
| CA2616350A1 (en) | 2007-02-01 |
| KR20080030106A (ko) | 2008-04-03 |
| JP2007035120A (ja) | 2007-02-08 |
| US20070019497A1 (en) | 2007-01-25 |
| US7591524B2 (en) | 2009-09-22 |
| JP4839714B2 (ja) | 2011-12-21 |
| WO2007013568A1 (ja) | 2007-02-01 |
| EP1914756A1 (en) | 2008-04-23 |
| BRPI0613773A2 (pt) | 2011-02-01 |
| CN101228589B (zh) | 2011-05-11 |
| TW200713325A (en) | 2007-04-01 |
| AU2006273264A1 (en) | 2007-02-01 |
| EP1914756A4 (en) | 2009-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2007149036A (ru) | Полупроводниковое запоминающее устройство | |
| TW476960B (en) | Read/write buffers for complete hiding of the refresh of a semiconductor memory and method of operating same | |
| RU2008106758A (ru) | Устройство полупроводниковой памяти | |
| JP2009537935A5 (ru) | ||
| US20080034153A1 (en) | Flash Module with Plane-Interleaved Sequential Writes to Restricted-Write Flash Chips | |
| EP1550952A3 (en) | Address mapping method and mapping information managing method for flash memory, and flash memory using the same | |
| KR20170005900A (ko) | 플래시 메모리 제어기 | |
| CN108628543B (zh) | 垃圾回收方法以及使用该方法的装置 | |
| CN101479806A (zh) | 用于使用后台擦除改善存储性能的方法及设备 | |
| JP2021517692A (ja) | キャッシュ及び複数の独立したアレイを有するメモリのためのインタフェース | |
| JP2007035120A5 (ru) | ||
| CN106990909A (zh) | 盘装置、存储装置及控制方法 | |
| CN106816168B (zh) | 半导体存储器件 | |
| JP7053585B2 (ja) | 不揮発性メモリのリフレッシュサイクルを制御する装置および方法 | |
| US20100223434A1 (en) | Dummy Write Operations | |
| US20040268075A1 (en) | Sensing word groups in a memory | |
| CN113454720B (zh) | 存储设备及其控制方法 | |
| JPH0736759A (ja) | 半導体ファイルシステム | |
| US20060233005A1 (en) | Device in a memory circuit for definition of waiting times | |
| KR20200024356A (ko) | 다이 어드레싱 | |
| CN110825658B (zh) | 闪存控制器及方法 | |
| CN108536475B (zh) | 完整编程命令处理方法与装置 | |
| US10353589B2 (en) | Data storage device and data management method for data storage device | |
| SU1751811A1 (ru) | Устройство дл записи информации в оперативную пам ть | |
| CN118113224A (zh) | 一种准确性高的闪存数据处理装置及其处理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20091012 |