RU2007149036A - Полупроводниковое запоминающее устройство - Google Patents
Полупроводниковое запоминающее устройство Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007149036A RU2007149036A RU2007149036/09A RU2007149036A RU2007149036A RU 2007149036 A RU2007149036 A RU 2007149036A RU 2007149036/09 A RU2007149036/09 A RU 2007149036/09A RU 2007149036 A RU2007149036 A RU 2007149036A RU 2007149036 A RU2007149036 A RU 2007149036A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- data
- recording
- value
- bit
- writing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F21/00—Security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
- G06F21/60—Protecting data
- G06F21/62—Protecting access to data via a platform, e.g. using keys or access control rules
- G06F21/6218—Protecting access to data via a platform, e.g. using keys or access control rules to a system of files or objects, e.g. local or distributed file system or database
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K23/00—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
- H03K23/40—Gating or clocking signals applied to all stages, i.e. synchronous counters
- H03K23/50—Gating or clocking signals applied to all stages, i.e. synchronous counters using bi-stable regenerative trigger circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Bioethics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Databases & Information Systems (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
1. Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее ! энергонезависимую матрицу памяти с последовательным доступом, которая имеет адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, которая запоминает данные, характеризующиеся возрастанием значения; ! модуль сохранения данных для записи, который сохраняет данные для записи, подлежащие записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы; ! модуль записи данных, который записывает сохраненные данные для записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы; ! модуль считывания, который считывает существующие данные, запомненные по адресу ячейки с ограничением записи в матрице памяти; ! модуль определения, который определяет, больше или равно либо нет значение сохраненных данных для записи значения считанных существующих данных; и ! блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных, выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи матрицы памяти с использованием модуля записи. ! 2. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1, в котором, ! когда значение данных для записи меньше значения существующих данных, блок управления не выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи. ! 3. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1, в котором, ! когда отсчет адресов ячеек с ограничением записи составит n раз (где n - натуральное число) заранее установленной адресной единицы, ! модуль определения определяет, больше или ра
Claims (30)
1. Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее
энергонезависимую матрицу памяти с последовательным доступом, которая имеет адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, которая запоминает данные, характеризующиеся возрастанием значения;
модуль сохранения данных для записи, который сохраняет данные для записи, подлежащие записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы;
модуль записи данных, который записывает сохраненные данные для записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы;
модуль считывания, который считывает существующие данные, запомненные по адресу ячейки с ограничением записи в матрице памяти;
модуль определения, который определяет, больше или равно либо нет значение сохраненных данных для записи значения считанных существующих данных; и
блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных, выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи матрицы памяти с использованием модуля записи.
2. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1, в котором,
когда значение данных для записи меньше значения существующих данных, блок управления не выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи.
3. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1, в котором,
когда отсчет адресов ячеек с ограничением записи составит n раз (где n - натуральное число) заранее установленной адресной единицы,
модуль определения определяет, больше или равно либо нет значение данных для записи значения существующих данных для каждой заранее установленной адресной единицы, и
для всех адресов ячеек с ограничением записи, когда значение существующих данных больше или равно значению данных для записи, блок управления выполняет запись данных для записи с использованием модуля записи по всем адресам ячеек с ограничением записи матрицы памяти.
4. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.3, в котором
для любого из адресов ячеек с ограничением записи, когда значение данных для записи меньше значения существующих данных, блок управления не выполняет запись данных для записи по всем адресам ячеек с ограничением записи.
5. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1, в котором
модуль определения считывает для каждого 1 адреса данные для записи из модуля сохранения данных для записи каждый раз, когда модуль считывания считывает существующие данные для каждого 1 адреса, и определяет, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных.
6. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1, в котором
модуль определения использует существующие данные заранее установленной адресной единицы, считанные для каждого 1 адреса модулем считывания, и данные для записи заранее установленной адресной единицы, сохраненные в модуле сохранения данных для записи, и определяет, является ли или нет значение данных для записи равным или большим значения считанных существующих данных.
7. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1 или 6, в котором
данные запоминают в порядке от самого старшего разряда в адресе ячейки с ограничением записи в матрице памяти, и при этом
модуль записи данных выполняет запись данных в матрицу памяти в порядке от самого старшего разряда.
8. Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее
энергонезависимую матрицу памяти с последовательным доступом, которая имеет адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, где хранятся данные, характеризующиеся уменьшением значения;
модуль сохранения данных для записи, который сохраняет данные для записи, подлежащие записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы;
модуль записи данных, который записывает сохраненные данные для записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы;
модуль считывания, который считывает существующие данные, запомненные по адресу ячейки с ограничением записи в матрице памяти;
модуль определения, который определяет, является ли или нет значение сохраненных данных для записи равным или меньшим значения считанных существующих данных; и
блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных, выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи матрицы памяти с использованием модуля записи.
9. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.8, в котором,
когда значение данных для записи больше значения существующих данных, блок управления не выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи.
10. Полупроводниковое запоминающее устройство, которое запоминает данные, характеризующиеся как перезаписываемые данные с возрастанием значения, причем устройство содержит
энергонезависимую матрицу памяти, которая имеет последовательный доступ и для которой имеется 8 простейших элементов данных, запоминающих один разряд данных на 1 строку, и которая имеет строку с ограничением записи, которая запоминает перезаписываемые данные;
модуль приема данных, который принимает данные для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в строку с ограничением записи матрицы памяти;
модуль сохранения данных для записи, который сохраняет 8 разрядов принятых данных для записи;
модуль записи данных, который записывает 8 сохраненных разрядов данных для записи в 8-разрядных единицах в строку с ограничением записи;
модуль считывания, который считывает существующие данные, сохраненные в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в матрице памяти;
модуль определения, который определяет для каждой 8-разрядной единицы данных для записи, является ли или нет значение данных для записи равным или большим значения считанных существующих данных; и
блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи с использованием модуля записи.
11. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.10, в котором,
когда значение данных для записи меньше значения существующих данных для любых данных для записи в виде 8-разрядных единиц, блок управления не выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи.
12. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.10, в котором
модуль определения считывает данные для записи из модуля сохранения данных для записи для каждого 1 разряда каждый раз, когда модуль считывания считывает существующие данные для каждого 1 разряда, и определяет является ли или нет значение данных для записи равным или большим значения считанных существующих данных.
13. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.10, в котором
модуль определения использует существующие данные в виде единиц, кратных 8 разрядам, считанных для каждого 1 разряда модулем считывания, и данные для записи в виде единиц, кратных 8 разрядам, сохраненных в модуле сохранения данных для записи, и определяет, является ли или нет значение данных для записи равным или большим значения считанных существующих данных.
14. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.10 или 13, в котором
данные запоминаются последовательно от самого старшего разряда в простейшем элементе данных строки с ограничением записи, и
модуль записи данных выполняет запись данных в матрицу памяти последовательно с самого старшего разряда.
15. Полупроводниковое запоминающее устройство, которое запоминает данные, характеризующиеся как перезаписываемые данные убыванием значения, причем устройство содержит
энергонезависимую матрицу памяти, которая имеет последовательный доступ и для которой имеется 8 простейших элементов данных, где запоминают один разряд данных на 1 строку, и которая имеет строку с ограничением записи, которая запоминает перезаписываемые данные;
модуль приема данных, который принимает данные для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в строку с ограничением записи матрицы памяти;
модуль сохранения данных для записи, который сохраняет 8 разрядов принятых данных для записи;
модуль записи данных, который записывает 8 сохраненных разрядов данных для записи в 8-разрядных единицах в строку с ограничением записи;
модуль считывания, который считывает существующие данные, запомненные в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в матрице памяти;
модуль определения, который определяет для каждой 8-разрядной единицы данных для записи, является ли или нет значение данных для записи равным или меньшим значения считанных существующих данных; и
блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи с использованием модуля записи.
16. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.15, в котором,
когда значение данных для записи больше значения существующих данных для любых данных для записи в виде 8-разрядных единиц, блок управления не выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи.
17. Способ управления записью данных в полупроводниковое запоминающее устройство, которое содержит энергонезависимую матрицу памяти, имеющую адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, которая запоминает данные, характеризующиеся возрастанием значения, и для которой данные записывают в матрицу памяти в заранее установленных адресных единицах, причем способ содержит этапы, на которых
считывают существующие данные, запомненные по адресу ячейки с ограничением записи в матрице памяти;
определяют то, является или нет значение данных для записи, записанных по адресу ячейки с ограничением записи, равным или большим значения считанных существующих данных; и
записывают данные для записи по адресу ячейки с ограничением записи в заранее установленных адресных единицах, когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных.
18. Способ управления записью данных в полупроводниковое запоминающее устройство, которое содержит энергонезависимую матрицу памяти, имеющую адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, где запоминаются данные, характеризующиеся убыванием значения, и для которой данные записывают в матрицу памяти в заранее установленных адресных единицах, причем способ содержит этапы, на которых
считывают существующие данные, запомненные по адресу ячейки с ограничением записи в матрице памяти;
определяют, является или нет значение данных для записи, записанных по адресу ячейки с ограничением записи, равным или меньшим значения считанных существующих данных; и
записывают данные для записи по адресу ячейки с ограничением записи в заранее установленных адресных единицах, когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных.
19. Способ управления записью данных в полупроводниковое запоминающее устройство, которое содержит энергонезависимую матрицу памяти, имеющую строку с ограничением записи для запоминания перезаписываемых данных, характеризующихся возрастанием значения, причем матрица имеет последовательный доступ и 8 простейших элементов данных, где запоминают 1 разряд данных на 1 строку, и где данные записывают в матрицу памяти в 8-разрядных единицах, причем способ содержит этапы, на которых
принимают данные для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в матрицу памяти;
сохраняют 8 разрядов принятых данных для записи;
считывают существующие данные, запомненные в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в матрице памяти;
определяют, является или нет значение данных для записи больше или равным значения считанных существующих данных для каждых данных для записи в виде 8-разрядных единиц, и
когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, то записывают данные для записи во все простейшие элементы данных строки с ограничением записи.
20. Способ управления записью данных в полупроводниковое запоминающее устройство, которое содержит энергонезависимую матрицу памяти, имеющую строку с ограничением записи для запоминания перезаписываемых данных, характеризующихся убыванием значения, причем матрица имеет последовательный доступ и 8 простейших элементов данных, в которых запоминается 1 разряд данных на 1 строку, причем способ содержит этапы, на которых
принимают данные для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в матрицу памяти;
сохраняют 8 разрядов принятых данных для записи;
считывают существующие данные, запомненные в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в матрице памяти;
определяют, является ли или нет значение данных для записи меньшим или равным значения считанных существующих данных для каждых данных для записи в виде 8-разрядных единиц; и
когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, то записывают данные для записи во все простейшие элементы данных строки с ограничением записи.
21. Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее
энергонезависимую матрицу памяти; и
контроллер считывания/записи, который управляет записью данных в матрицу памяти и считыванием данных из матрицы памяти; где
контроллер считывания/записи при приеме запроса на запись данных в матрицу памяти сравнивает значение многоразрядных данных для записи, которые были введены, со значением многоразрядных запомненных данных, запомненных в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи,
если для значения каждого разряда запомненных данных имеется разряд, для которого определено, что он удовлетворяет конкретному соотношению по величине, записывает данные для записи для разряда, который был определен таким образом, после чего проверяет, соответствуют ли запомненные данные, которые были запомнены в области памяти, куда была выполнена запись, данным для записи для того разряда, который был определен, и если соответствует, то записывает данные для записи для разряда, который идет после разряда, который был определен, а если не соответствуют, запрещает запись данных для записи для всех разрядов, идущих после разряда, который был определен.
22. Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее
энергонезависимую матрицу памяти; и
контроллер считывания/записи, который управляет записью данных в матрицу памяти и считыванием данных из матрицы памяти; где
контроллер считывания/записи при приеме запроса на запись данных в матрицу памяти сравнивает значение многоразрядных данных для записи, которые были введены, со значением многоразрядных запомненных данных, запомненных в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи, причем указанное сравнение выполняется по разрядам, начиная с наибольшего разряда из многоразрядных данных для записи, и если для значения каждого разряда запомненных данных имеется разряд, для которого определено, что он удовлетворяет конкретному соотношению по величине, контроллер записывает сразу все данные для записи для n разрядов (где n - целое число, равное 2m, и где m - положительное целое число), начиная с разряда, который был определен указанным образом, после чего проверяет, соответствуют ли запомненные данные, которые были запомнены в области памяти, куда была выполнена запись, данным для записи для тех разрядов, которые были определены, и если соответствует, то записывает в n-разрядных единицах для данных для записи из разрядов, начиная от n разрядов после тех разрядов, которые были определены, а если не соответствуют, запрещает запись данных для записи из разрядов, начиная от n разрядов после тех разрядов, которые были определены указанным образом.
23. Способ управления записью в полупроводниковом устройстве, имеющем энергонезависимую матрицу памяти, причем способ содержит этапы, на которых
принимают запрос на запись данных в матрицу памяти;
сравнивают значения многоразрядных данных для записи со значением запомненных многоразрядных данных, где многоразрядные данные для записи являются данными, подлежащими вводу, и где значение запомненных многоразрядных данных запоминают в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи; и
реализуют запись многоразрядных данных для записи, которые удовлетворяют конкретному соотношению по величине со значением запомненных данных, и запрещают запись тех многоразрядных данных для записи, которые не удовлетворяют соотношению по величине.
24. Способ управления записью в полупроводниковом устройстве, имеющем энергонезависимую матрицу памяти, причем способ содержит этапы, на которых
принимают запрос на запись данных в матрицу памяти;
сравнивают значения многоразрядных данных для записи со значением запомненных многоразрядных данных по разрядам от самого старшего разряда многоразрядных данных для записи, где многоразрядные данные для записи являются данными, подлежащими вводу, и где значение запомненных многоразрядных данных запоминают в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи; и
если для значения каждого разряда запомненных данных имеется разряд, для которого определено, что он удовлетворяет конкретному соотношению по величине, то записывают данные для записи для разряда (разрядов), следующего за тем разрядом, для которого это было определено, а если было определено, что ни один разряд не удовлетворяет конкретному соотношению по величине, то запрещают запись данных для записи для разряда (разрядов), следующего за разрядом, для которого это было определено вышеуказанное.
25. Машиночитаемый носитель, хранящий компьютерную программу, которая управляет записью в полупроводниковом запоминающем устройстве, имеющем энергонезависимую матрицу памяти, причем компьютерная программа реализуется на компьютере и осуществляет
функцию приема запроса на запись данных в матрицу памяти;
функцию сравнения значения многоразрядных данных для записи со значением запомненных многоразрядных данных, в которой многоразрядные данные для записи являются данными, подлежащими вводу, и при этом значение запомненных многоразрядных данных запоминают в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи; и
функцию реализации записи многоразрядных данных для записи, которые удовлетворяют конкретному соотношению по величине, со значением запомненных данных, и функцию запрещения записи тех многоразрядных данных для записи, которые не удовлетворяют соотношению по величине.
26. Машиночитаемый носитель, хранящий компьютерную программу, которая управляет записью в полупроводниковом запоминающем устройстве, имеющем энергонезависимую матрицу памяти, причем компьютерная программа реализуется на компьютере и осуществляет
функцию приема запроса на запись данных в матрицу памяти;
функцию сравнения значения многоразрядных данных для записи со значением запомненных многоразрядных данных по разрядам от самого старшего разряда многоразрядных данных для записи, при этом многоразрядные данные для записи являются данными, подлежащими вводу, и при этом значения запомненных многоразрядных данных запоминают в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи; и
если для значения каждого разряда запомненных данных имеется разряд, для которого определено, что он удовлетворяет конкретному соотношению по величине, то функцию записи данных для записи для разряда (разрядов), следующего за тем разрядом, для которого это было определено, а если определено, что ни один разряд не удовлетворяет конкретному соотношению по величине, то функцию запрещения записи данных для записи разряда (разрядов), следующего за разрядом, для которого было определено вышеуказанное.
27. Контейнер для записывающего материала для печати для хранения записывающего материала для печати, который является съемным и может монтироваться на печатающем устройстве, причем контейнер содержит
контейнерную часть для хранения записывающего материала для печати; и
полупроводниковое запоминающее устройство, по любому из пп.1-16, 21 или 22 для запоминания информации, относящейся к количеству записывающего материала для печати.
28. Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее
энергонезависимую матрицу памяти для запоминания данных о количестве потребленного материала, которые представляют собой данные, относящиеся к количествам потребленных материалов и которые характеризуются увеличением своего значения;
модуль записи данных, который записывает новые данные о количестве потребленного материала, которые должны запоминаться в матрице памяти;
модуль считывания, который считывает из матицы памяти данные о количестве потребленного материала, которые уже были запомнены, и
блок управления, который выполняет запись новых данных о количестве потребленного материала через модуль записи данных, когда новые данные о количестве потребленного материала больше или равны существующим данным о количестве потребленного материала, и не записывает новые данные о количестве потребленного материала с использованием модуля записи данных, когда значение новых данных о количестве потребленного материала меньше значения существующих данных о количестве потребленного материала.
29. Контейнер для записывающего материала для печати для хранения записывающего материала для печати, который является съемным и монтируется на печатающем устройстве, причем контейнер содержит
контейнерную часть для хранения записывающего материала для печати; и
полупроводниковое запоминающее устройство по п.28 для запоминания информации, относящейся к количеству записывающего материала для печати.
30. Печатающая система, содержащая печатающее устройство и контейнер для записывающего материала для печати по п.27 или 29, который является съемным и смонтированным на печатающем устройстве, в которой
печатающее устройство включает в себя хост-компьютер, где хост-компьютер подсоединен к полупроводниковому запоминающему устройству датчика записывающего материала для печати через шину сигнала данных, шину тактового сигнала, шину сигнала сброса, положительную шину источника питания и отрицательную шину источника питания, и посылает данные о количестве записывающего материала для печати, потребленного в печатающем устройстве, в полупроводниковое запоминающее устройство; и
полупроводниковое запоминающее устройство, прикрепленное к датчику записывающего материала для печати, запоминает в матрице памяти данные о количестве, касающиеся записывающего материала для печати, которые были получены.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005-157181 | 2005-05-30 | ||
| JP2005157181 | 2005-05-30 | ||
| JP2005-182808 | 2005-06-23 | ||
| JP2005182808 | 2005-06-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007149036A true RU2007149036A (ru) | 2009-07-20 |
| RU2391722C2 RU2391722C2 (ru) | 2010-06-10 |
Family
ID=37481706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007149036/09A RU2391722C2 (ru) | 2005-05-30 | 2006-05-26 | Полупроводниковое запоминающее устройство |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7522470B2 (ru) |
| EP (1) | EP1898424A4 (ru) |
| JP (1) | JP5024042B2 (ru) |
| KR (1) | KR20080022135A (ru) |
| CN (1) | CN101189682B (ru) |
| AU (1) | AU2006253347B2 (ru) |
| BR (1) | BRPI0609896A2 (ru) |
| CA (1) | CA2610061A1 (ru) |
| MX (1) | MX2007014846A (ru) |
| RU (1) | RU2391722C2 (ru) |
| TW (1) | TW200713283A (ru) |
| WO (1) | WO2006129779A1 (ru) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006203564A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Nara Institute Of Science & Technology | マイクロプロセッサ、ノード端末、コンピュータシステム及びプログラム実行証明方法 |
| CN101189681B (zh) * | 2005-05-30 | 2010-10-13 | 精工爱普生株式会社 | 在顺序写入当中进行校验处理的非易失性的存储器 |
| CA2610061A1 (en) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor memory device |
| JP4802722B2 (ja) * | 2006-01-17 | 2011-10-26 | セイコーエプソン株式会社 | シーケンシャルアクセスメモリ |
| US7486104B2 (en) * | 2006-06-02 | 2009-02-03 | Rambus Inc. | Integrated circuit with graduated on-die termination |
| JP2009099202A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
| JP5141606B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 印刷装置 |
| JP2010086415A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Panasonic Corp | メモリインターフェース |
| KR101033464B1 (ko) * | 2008-12-22 | 2011-05-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 집적 회로 |
| JP5577615B2 (ja) * | 2009-04-01 | 2014-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液体消費システム、液体消費装置、液体供給ユニット、および、液体供給ユニットに収容された液体の残量を管理する方法 |
| JP5471167B2 (ja) * | 2009-08-26 | 2014-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 記憶装置、及び、ホスト回路に対し電気的に接続可能な記憶装置を含むシステム |
| CN101524926B (zh) * | 2009-04-17 | 2011-03-30 | 青岛海信智能商用设备有限公司 | 基于可编程逻辑的打印机松耦合控制方式 |
| US8582382B2 (en) * | 2010-03-23 | 2013-11-12 | Mosaid Technologies Incorporated | Memory system having a plurality of serially connected devices |
| JP5678516B2 (ja) | 2010-08-23 | 2015-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 記憶装置、回路基板、液体容器及びシステム |
| JP6031848B2 (ja) | 2012-06-25 | 2016-11-24 | セイコーエプソン株式会社 | 液体消費装置、プログラム及び印刷装置 |
| US9299409B2 (en) * | 2013-09-11 | 2016-03-29 | Tadashi Miyakawa | Semiconductor storage device |
| CA2965856C (en) * | 2014-10-31 | 2020-08-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Encryption of fluid cartridges for use with imaging devices |
| CN104410396A (zh) * | 2014-12-09 | 2015-03-11 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 半导体器件校正系统及校正方法 |
| US10622065B2 (en) * | 2018-09-12 | 2020-04-14 | Micron Technology, Inc. | Dedicated commands for memory operations |
| US11456033B2 (en) | 2018-09-12 | 2022-09-27 | Micron Technology, Inc. | Dedicated commands for memory operations |
| CN116206649B (zh) * | 2022-01-18 | 2024-03-15 | 北京超弦存储器研究院 | 动态存储器及其读写方法、存储装置 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4792926A (en) * | 1985-12-09 | 1988-12-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High speed memory system for use with a control bus bearing contiguous segmentially intermixed data read and data write request signals |
| JPH0779000B2 (ja) | 1989-09-06 | 1995-08-23 | 沖電気工業株式会社 | 計数装置 |
| CA2052243C (en) | 1990-09-27 | 1999-06-01 | Junji Shimoda | Ink jet recording apparatus and ink cartridge usable therewith |
| JPH05282879A (ja) | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | メモリのデータ書き込み装置 |
| JPH0764868A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Melco:Kk | 記憶更新装置 |
| JPH1063530A (ja) * | 1996-08-22 | 1998-03-06 | Toshiba Corp | 冗長型システム |
| JP3664218B2 (ja) | 1998-05-25 | 2005-06-22 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット記録装置、及びインクカートリッジ |
| JP3671743B2 (ja) | 1998-05-25 | 2005-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット記録装置 |
| MY125797A (en) | 1998-05-25 | 2006-08-30 | Seiko Epson Corp | Ink cartridge, ink-jet printing apparatus, and refilling device |
| JP4497689B2 (ja) | 1999-10-01 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 印刷装置、交換ユニット、及び、メモリユニット |
| EP1658976B1 (en) | 1999-10-04 | 2007-03-21 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording apparatus, semiconductor device, and recording head apparatus |
| JP2001189083A (ja) | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Denso Corp | 電子制御装置 |
| US6836853B1 (en) | 1999-12-31 | 2004-12-28 | Intel Corporation | Non-volatile memory based monotonic counter |
| JP2001339291A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Pfu Ltd | データカウント処理装置 |
| KR100474421B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2005-03-14 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 기억 장치 및 그 테스트 방법과 테스트 회로 |
| WO2002040275A1 (fr) | 2000-11-20 | 2002-05-23 | Seiko Epson Corporation | Identification de conteneur pour materiel d'impression d'enregistrement |
| US6349056B1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-02-19 | Sandisk Corporation | Method and structure for efficient data verification operation for non-volatile memories |
| JP4123739B2 (ja) | 2001-06-19 | 2008-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 印刷記録材容器の識別システムおよび識別方法 |
| DE10201553A1 (de) | 2001-09-10 | 2003-03-27 | Philips Corp Intellectual Pty | Anordnung zum Speichern eines Zählerstandes |
| JP2004242891A (ja) | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Heiwa Corp | データ記憶装置 |
| US7188219B2 (en) * | 2004-01-30 | 2007-03-06 | Micron Technology, Inc. | Buffer control system and method for a memory system having outstanding read and write request buffers |
| CA2610061A1 (en) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor memory device |
-
2006
- 2006-05-26 CA CA002610061A patent/CA2610061A1/en not_active Abandoned
- 2006-05-26 EP EP06747095A patent/EP1898424A4/en not_active Withdrawn
- 2006-05-26 AU AU2006253347A patent/AU2006253347B2/en not_active Ceased
- 2006-05-26 JP JP2007519076A patent/JP5024042B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-26 US US11/420,535 patent/US7522470B2/en active Active
- 2006-05-26 BR BRPI0609896-7A patent/BRPI0609896A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2006-05-26 WO PCT/JP2006/311050 patent/WO2006129779A1/ja active Application Filing
- 2006-05-26 CN CN2006800193258A patent/CN101189682B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-26 RU RU2007149036/09A patent/RU2391722C2/ru active
- 2006-05-26 KR KR1020077030717A patent/KR20080022135A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-05-26 MX MX2007014846A patent/MX2007014846A/es not_active Application Discontinuation
- 2006-05-30 TW TW095119093A patent/TW200713283A/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-03-11 US US12/402,151 patent/US7791979B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2006253347A1 (en) | 2006-12-07 |
| CN101189682A (zh) | 2008-05-28 |
| MX2007014846A (es) | 2008-02-21 |
| US20080144382A1 (en) | 2008-06-19 |
| US7791979B2 (en) | 2010-09-07 |
| JPWO2006129779A1 (ja) | 2009-01-08 |
| TW200713283A (en) | 2007-04-01 |
| US7522470B2 (en) | 2009-04-21 |
| JP5024042B2 (ja) | 2012-09-12 |
| CA2610061A1 (en) | 2006-12-07 |
| CN101189682B (zh) | 2010-10-13 |
| BRPI0609896A2 (pt) | 2010-05-11 |
| EP1898424A1 (en) | 2008-03-12 |
| TWI305357B (ru) | 2009-01-11 |
| RU2391722C2 (ru) | 2010-06-10 |
| KR20080022135A (ko) | 2008-03-10 |
| EP1898424A4 (en) | 2008-12-10 |
| AU2006253347B2 (en) | 2009-09-10 |
| WO2006129779A1 (ja) | 2006-12-07 |
| US20090225609A1 (en) | 2009-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2007149036A (ru) | Полупроводниковое запоминающее устройство | |
| US8037232B2 (en) | Data protection method for power failure and controller using the same | |
| US8300465B2 (en) | Semiconductor and flash memory systems | |
| KR100871027B1 (ko) | 데이터 기록 장치 및 플래시 메모리에 대한 데이터 기입방법 | |
| JP4511576B2 (ja) | メモリシステム | |
| TWI476780B (zh) | 具有揮發性及非揮發性記憶體之混合固態記憶體系統 | |
| TWI395223B (zh) | 用於系統管理之多位準單元選擇的多程式 | |
| US7974139B2 (en) | Non-volatile memory generating different read voltages | |
| US20110202709A1 (en) | Optimizing storage of common patterns in flash memory | |
| KR20090082784A (ko) | Ｎｖｒａｍ 셀을 채용한 플래쉬 메모리 장치 | |
| JPH0574178A (ja) | 不揮発性ｉｃメモリ | |
| RU2004131638A (ru) | Способы сохранения данных в энергонезависимых запоминающих устройствах | |
| US11621029B2 (en) | Memory devices with selective page-based refresh | |
| US20160328183A1 (en) | Methods for accessing data in a circular block mode and apparatuses using the same | |
| JP2009503745A5 (ru) | ||
| US7525864B2 (en) | Memory data inversion architecture for minimizing power consumption | |
| US20090210612A1 (en) | Memory controller, nonvolatile memory device, and nonvolatile memory system | |
| CN106155567B (zh) | 存储器装置及其操作方法 | |
| RU2008106758A (ru) | Устройство полупроводниковой памяти | |
| US20090182932A1 (en) | Method for managing flash memory blocks and controller using the same | |
| TW202242888A (zh) | 記憶體、讀取設置突發操作的執行方法及記憶體操作方法 | |
| EP3783614B1 (en) | Nonvolatile memory device including a fast read page and a storage device including the same | |
| TWI690936B (zh) | 固態硬碟裝置與相關的固態硬碟控制電路 | |
| KR100283908B1 (ko) | 데이터 크기 조절 회로 | |
| KR960029981A (ko) | 소량 데이타 저장을 사용한 플래시 메모리 대용량 기억 구조 |