JPH0574178A - 不揮発性icメモリ - Google Patents
不揮発性icメモリInfo
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- JPH0574178A JPH0574178A JP25960591A JP25960591A JPH0574178A JP H0574178 A JPH0574178 A JP H0574178A JP 25960591 A JP25960591 A JP 25960591A JP 25960591 A JP25960591 A JP 25960591A JP H0574178 A JPH0574178 A JP H0574178A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
- G11C16/105—Circuits or methods for updating contents of nonvolatile memory, especially with 'security' features to ensure reliable replacement, i.e. preventing that old data is lost before new data is reliably written
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/005—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor comprising combined but independently operative RAM-ROM, RAM-PROM, RAM-EPROM cells
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
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- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
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- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
Abstract
(57)【要約】
【目的】本来ブロック単位でしか消去更新ができない不
揮発性ICメモリを改良し、ワード単位で更新可能で、
あたかもRAMの如く使用できる大容量の不揮発性IC
メモリを実現する。 【構成】PROM領域1の他に、ブロック相当のRAM
領域2を設け、アドレスAに対応するブロックをRAM
領域2へ一旦読出し、これの該当個所をデータDで更新
した後、PROM領域1の対応するブロックへ書き戻す
ことで、ワード単位での書き換えを可能とする。
揮発性ICメモリを改良し、ワード単位で更新可能で、
あたかもRAMの如く使用できる大容量の不揮発性IC
メモリを実現する。 【構成】PROM領域1の他に、ブロック相当のRAM
領域2を設け、アドレスAに対応するブロックをRAM
領域2へ一旦読出し、これの該当個所をデータDで更新
した後、PROM領域1の対応するブロックへ書き戻す
ことで、ワード単位での書き換えを可能とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、不揮発性ICメモリ
に関し、詳しくは、フラッシュメモリ等の大容量で書き
換え可能な不揮発性メモリでありながら、データの消去
がブロック単位でなければならないために、それを使用
する側への負担の大きいメモリICの改良に関する。
に関し、詳しくは、フラッシュメモリ等の大容量で書き
換え可能な不揮発性メモリでありながら、データの消去
がブロック単位でなければならないために、それを使用
する側への負担の大きいメモリICの改良に関する。
【0002】
【従来の技術】不揮発性メモリには、書き換え不可能な
マスクROMと、書き換え可能なPROMとがあり、そ
のPROMには、消去して書き換え得るEPROM、さ
らに、電気的に消去して書き換え得るEEPROMがあ
ることは周知である。このEEPROMの特徴として
は、比較的多数回(10〜100000程度)の書き換
えに耐えうること、オンボードでの書き換えが可能であ
ること等の長所があり、マイコンを中心とする回路等に
多用されている。
マスクROMと、書き換え可能なPROMとがあり、そ
のPROMには、消去して書き換え得るEPROM、さ
らに、電気的に消去して書き換え得るEEPROMがあ
ることは周知である。このEEPROMの特徴として
は、比較的多数回(10〜100000程度)の書き換
えに耐えうること、オンボードでの書き換えが可能であ
ること等の長所があり、マイコンを中心とする回路等に
多用されている。
【0003】しかし、従来から普及しているEEPRO
Mは、複数トランジスタ/セル型のものが主流であり、
マスクROMや紫外線消去EPROM等の1トランジス
タ/セル型のものに比べ、容量の面で見劣りしていた。
これに対し、メモリの大容量化は時代の趨勢であり、こ
の短所を解決するものとして、近年、1トランジスタ/
セル型のEEPROMの代表としていわゆる一括消去が
できるフラッシュメモリの開発が積極的に行われ、現
在、実用の域に至っている。
Mは、複数トランジスタ/セル型のものが主流であり、
マスクROMや紫外線消去EPROM等の1トランジス
タ/セル型のものに比べ、容量の面で見劣りしていた。
これに対し、メモリの大容量化は時代の趨勢であり、こ
の短所を解決するものとして、近年、1トランジスタ/
セル型のEEPROMの代表としていわゆる一括消去が
できるフラッシュメモリの開発が積極的に行われ、現
在、実用の域に至っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、複数トラン
ジスタ/セル型から1トランジスタ/セル型にしたこと
で、容量の問題をクリアできるという効果は得られた
が、その裏返しとして、複数トランジスタ/セル型の構
成に当然に付随する特徴を失うこととなった。具体的に
は、選択トランジスタを持たないため、個別のセルを特
定してそのセルのデータのみを消去することが、実用的
には出来ない。つまり、再書込み等のためにデータを消
去する場合には、IC内の全メモリセル又はそれが幾つ
かに分割されたブロック毎に、消去が行われなければな
らない。
ジスタ/セル型から1トランジスタ/セル型にしたこと
で、容量の問題をクリアできるという効果は得られた
が、その裏返しとして、複数トランジスタ/セル型の構
成に当然に付随する特徴を失うこととなった。具体的に
は、選択トランジスタを持たないため、個別のセルを特
定してそのセルのデータのみを消去することが、実用的
には出来ない。つまり、再書込み等のためにデータを消
去する場合には、IC内の全メモリセル又はそれが幾つ
かに分割されたブロック毎に、消去が行われなければな
らない。
【0005】そのため、この種の不揮発性ICメモリの
データの書き換えにあっては、ビット又はワード(通常
4あるいは8ビット)単位では行えず、少なくともブロ
ック(通常数千ビット以上)単位で行わなければならな
い。このことは、不揮発性ICメモリを使用する側への
新たな制約条件を付加することであり、使用する側の選
択の幅を狭めてしまうので、結果としてフラッシュメモ
リの普及の妨げとなり、好ましくない。この発明は、こ
のような従来技術の問題点を解決するものであって、オ
ンボードで多数回書き換え得る大容量のEEPROMの
持つ書き換え時の制約条件を克服し、あたかも従来のR
AMの如き使用が可能な不揮発性ICメモリを実現する
ことを目的とする。
データの書き換えにあっては、ビット又はワード(通常
4あるいは8ビット)単位では行えず、少なくともブロ
ック(通常数千ビット以上)単位で行わなければならな
い。このことは、不揮発性ICメモリを使用する側への
新たな制約条件を付加することであり、使用する側の選
択の幅を狭めてしまうので、結果としてフラッシュメモ
リの普及の妨げとなり、好ましくない。この発明は、こ
のような従来技術の問題点を解決するものであって、オ
ンボードで多数回書き換え得る大容量のEEPROMの
持つ書き換え時の制約条件を克服し、あたかも従来のR
AMの如き使用が可能な不揮発性ICメモリを実現する
ことを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
のこの発明の不揮発性ICメモリの構成は、ブロック単
位でデータの消去ができる再書込み可能なPROM領域
と、前記PROM領域内のブロックの容量以上の容量の
RAMと、ブロックアドレスを受けて前記PROM領域
内で前記ブロックアドレスに対応するブロックを選択す
るブロックアドレスデコーダと、ローカルアドレスを受
けて前記選択されたブロック内及び前記RAM内で前記
ブロックアドレスに対応する該当個所を選択するローカ
ルアドレスデコーダと、外部からのアドレスを受けてそ
れをラッチし保持するアドレスラッチと、外部からのデ
ータを受けてそれをラッチし保持するデータラッチと、
アドレスコントロール手段とリードコントロール手段と
ライトコントロール手段とを有するコントローラとを備
え、前記リードコントロール手段は、前記アドレスコン
トロール手段を制御して前記アドレスラッチの保持値に
基づいて前記PROM領域内の該当個所を選択し、それ
を読出し、前記ライトコントロール手段は、前記リード
コントロール手段を制御して前記PROM領域内で前記
アドレスラッチの保持値に対応するブロックのデータを
読み出し、そのデータを前記RAMに記憶し、前記RA
Mの該当個所を前記データラッチの保持値で更新し、前
記アドレスコントロール手段を制御して前記アドレスラ
ッチの保持値に基づいて前記の読出しブロックに前記R
AMのデータを再書込みするものである。
のこの発明の不揮発性ICメモリの構成は、ブロック単
位でデータの消去ができる再書込み可能なPROM領域
と、前記PROM領域内のブロックの容量以上の容量の
RAMと、ブロックアドレスを受けて前記PROM領域
内で前記ブロックアドレスに対応するブロックを選択す
るブロックアドレスデコーダと、ローカルアドレスを受
けて前記選択されたブロック内及び前記RAM内で前記
ブロックアドレスに対応する該当個所を選択するローカ
ルアドレスデコーダと、外部からのアドレスを受けてそ
れをラッチし保持するアドレスラッチと、外部からのデ
ータを受けてそれをラッチし保持するデータラッチと、
アドレスコントロール手段とリードコントロール手段と
ライトコントロール手段とを有するコントローラとを備
え、前記リードコントロール手段は、前記アドレスコン
トロール手段を制御して前記アドレスラッチの保持値に
基づいて前記PROM領域内の該当個所を選択し、それ
を読出し、前記ライトコントロール手段は、前記リード
コントロール手段を制御して前記PROM領域内で前記
アドレスラッチの保持値に対応するブロックのデータを
読み出し、そのデータを前記RAMに記憶し、前記RA
Mの該当個所を前記データラッチの保持値で更新し、前
記アドレスコントロール手段を制御して前記アドレスラ
ッチの保持値に基づいて前記の読出しブロックに前記R
AMのデータを再書込みするものである。
【0007】また、この発明の不揮発性ICメモリの構
成は、ブロック単位でデータの消去ができる再書込み可
能なPROM領域と、前記PROM領域内のブロックの
容量以上の容量のRAMと、ブロックアドレスを受けて
前記PROM領域内で前記ブロックアドレスに対応する
ブロックを選択するブロックアドレスデコーダと、ロー
カルアドレスを受けて前記選択されたブロック内及び前
記RAM内で前記ローカルアドレスに対応する該当個所
を選択するローカルアドレスデコーダと、外部からのア
ドレスを受けてそれをラッチし保持するアドレスラッチ
と、前記アドレスラッチの保持値からのブロックアドレ
ス相当分を受けてそれをラッチし保持するブロックアド
レスラッチと、外部からのデータを受けてそれをラッチ
し保持するデータラッチと、アドレスコントロール手段
とリードコントロール手段とライトコントロール手段と
を有するコントローラとを備え、前記リードコントロー
ル手段は、前記アドレスコントロール手段を制御して前
記ブロックアドレスラッチと前記アドレスラッチの保持
値に基づいて前記PROM領域内の該当個所を選択し、
それを読出し、前記ライトコントロール手段は、前記リ
ードコントロール手段を制御して前記PROM領域内で
前記ブロックアドレスラッチの保持値に対応するブロッ
クのデータを読み出し、そのデータを前記RAMに記憶
し、前記RAMの該当個所を前記データラッチの保持値
で更新し、さらに前記の読出しブロック内への外部から
の書込みデータが有ればそれに応じて前記更新を行い、
前記アドレスコントロール手段を制御して前記ブロック
アドレスラッチと前記アドレスラッチの保持値に基づい
て前記の読出しブロックに前記RAMのデータを再書込
みするものである。
成は、ブロック単位でデータの消去ができる再書込み可
能なPROM領域と、前記PROM領域内のブロックの
容量以上の容量のRAMと、ブロックアドレスを受けて
前記PROM領域内で前記ブロックアドレスに対応する
ブロックを選択するブロックアドレスデコーダと、ロー
カルアドレスを受けて前記選択されたブロック内及び前
記RAM内で前記ローカルアドレスに対応する該当個所
を選択するローカルアドレスデコーダと、外部からのア
ドレスを受けてそれをラッチし保持するアドレスラッチ
と、前記アドレスラッチの保持値からのブロックアドレ
ス相当分を受けてそれをラッチし保持するブロックアド
レスラッチと、外部からのデータを受けてそれをラッチ
し保持するデータラッチと、アドレスコントロール手段
とリードコントロール手段とライトコントロール手段と
を有するコントローラとを備え、前記リードコントロー
ル手段は、前記アドレスコントロール手段を制御して前
記ブロックアドレスラッチと前記アドレスラッチの保持
値に基づいて前記PROM領域内の該当個所を選択し、
それを読出し、前記ライトコントロール手段は、前記リ
ードコントロール手段を制御して前記PROM領域内で
前記ブロックアドレスラッチの保持値に対応するブロッ
クのデータを読み出し、そのデータを前記RAMに記憶
し、前記RAMの該当個所を前記データラッチの保持値
で更新し、さらに前記の読出しブロック内への外部から
の書込みデータが有ればそれに応じて前記更新を行い、
前記アドレスコントロール手段を制御して前記ブロック
アドレスラッチと前記アドレスラッチの保持値に基づい
て前記の読出しブロックに前記RAMのデータを再書込
みするものである。
【0008】
【作用】このような構成の不揮発性ICメモリにあって
は、IC内の書き換え対象のPROM領域部が、データ
の書き換えをブロック単位でしかできないので、ワード
単位での書き換えが直接には行えないことは従来通りで
ある。しかし一方では、アドレスラッチとデータラッチ
とを設けたことにより、外部とのアドレスやデータのや
り取りは、あたかも従来のRAM如く行える。そして、
外部からアドレスとデータを受けた後は、コントローラ
が、該当アドレスに対応するブロックのデータをRAM
へ読出し、このRAM上で該当個所を更新し、その後、
RAMのデータを該当ブロックへ書き戻す。
は、IC内の書き換え対象のPROM領域部が、データ
の書き換えをブロック単位でしかできないので、ワード
単位での書き換えが直接には行えないことは従来通りで
ある。しかし一方では、アドレスラッチとデータラッチ
とを設けたことにより、外部とのアドレスやデータのや
り取りは、あたかも従来のRAM如く行える。そして、
外部からアドレスとデータを受けた後は、コントローラ
が、該当アドレスに対応するブロックのデータをRAM
へ読出し、このRAM上で該当個所を更新し、その後、
RAMのデータを該当ブロックへ書き戻す。
【0009】そうすると、RAM上で更新された該当個
所以外は従前のデータを保持するから、その結果とし
て、PROM領域内の対応する該当個所のみが書き換え
られたことと等価となる。よって、外部からビット又は
ワード単位での書き換えができるので、この不揮発性I
Cメモリは、使用に際して、単にサイクルタイムが長い
ということを除き、不揮発性RAMの如く扱い得る。
所以外は従前のデータを保持するから、その結果とし
て、PROM領域内の対応する該当個所のみが書き換え
られたことと等価となる。よって、外部からビット又は
ワード単位での書き換えができるので、この不揮発性I
Cメモリは、使用に際して、単にサイクルタイムが長い
ということを除き、不揮発性RAMの如く扱い得る。
【0010】また、アドレスラッチとデータラッチに加
えブロックアドレスラッチをも設けた構成の不揮発性I
Cメモリにあっては、IC内の書き換え対象のPROM
領域部がブロック単位でのデータ更新しかできないこと
はやはり従来通りであるが、やはり一方では、アドレス
ラッチとデータラッチとを設けたことにより、外部との
アドレスやデータのやり取りは、あたかも従来のRAM
如く行える。そして、外部からアドレスとデータを受け
た後は、コントローラが、該当アドレスに対応するブロ
ックのデータをRAMへ読出し、このRAM上で該当個
所を更新する。ここで、ブロックアドレスラッチが該当
するブロックのブロックアドレスを保持するので、外部
から次のアドレスとデータを受けることができ、それが
同一ブロック内の更新であれば引き続きRAM上で高速
に処理できる。
えブロックアドレスラッチをも設けた構成の不揮発性I
Cメモリにあっては、IC内の書き換え対象のPROM
領域部がブロック単位でのデータ更新しかできないこと
はやはり従来通りであるが、やはり一方では、アドレス
ラッチとデータラッチとを設けたことにより、外部との
アドレスやデータのやり取りは、あたかも従来のRAM
如く行える。そして、外部からアドレスとデータを受け
た後は、コントローラが、該当アドレスに対応するブロ
ックのデータをRAMへ読出し、このRAM上で該当個
所を更新する。ここで、ブロックアドレスラッチが該当
するブロックのブロックアドレスを保持するので、外部
から次のアドレスとデータを受けることができ、それが
同一ブロック内の更新であれば引き続きRAM上で高速
に処理できる。
【0011】その後、RAMのデータを該当ブロックへ
書き戻す。そうすると、RAM上で更新された該当個所
以外は従前のデータを保持するから、その結果として、
PROM領域内の対応する該当個所のみが書き換えられ
たことと等価となる。よって、外部からビット又はワー
ド単位での書き換えができ、しかも、同一ブロック内で
あればそれが高速にできるので、ほとんどの場合サイク
ルタイムが気になることもなく、この不揮発性ICメモ
リは、使用に際して、あたかも不揮発性RAMの如く扱
い得る。
書き戻す。そうすると、RAM上で更新された該当個所
以外は従前のデータを保持するから、その結果として、
PROM領域内の対応する該当個所のみが書き換えられ
たことと等価となる。よって、外部からビット又はワー
ド単位での書き換えができ、しかも、同一ブロック内で
あればそれが高速にできるので、ほとんどの場合サイク
ルタイムが気になることもなく、この不揮発性ICメモ
リは、使用に際して、あたかも不揮発性RAMの如く扱
い得る。
【0012】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して詳細に説明する。図1は、この発明の不揮発性I
Cメモリの構成を示すブロック図である。この不揮発性
ICメモリ10は、PROM領域1、RAM領域2、ロ
ーカルアドレスデコーダ3、ブロックアドレスデコーダ
4、コントローラ5、リードコントロール6、イレース
コントロール7、アドレスコントール8、アドレスラッ
チ8a、ライトコントロール9を備えるものである。
照して詳細に説明する。図1は、この発明の不揮発性I
Cメモリの構成を示すブロック図である。この不揮発性
ICメモリ10は、PROM領域1、RAM領域2、ロ
ーカルアドレスデコーダ3、ブロックアドレスデコーダ
4、コントローラ5、リードコントロール6、イレース
コントロール7、アドレスコントール8、アドレスラッ
チ8a、ライトコントロール9を備えるものである。
【0013】PROM領域1には、具体例として、ブロ
ック単位でデータの消去ができてその後そこに再書込み
ができる大容量のメモリセルが、配置されている。RA
M領域2には、PROM領域1内の最大のブロックの容
量以上の容量のRAMが、各ブロック内のローカルアド
レスに対応する形で、配置されている。ブロックアドレ
スデコーダ4は、ブロックアドレスBAを受けて、PR
OM領域1内の対応するブロックを選択する。
ック単位でデータの消去ができてその後そこに再書込み
ができる大容量のメモリセルが、配置されている。RA
M領域2には、PROM領域1内の最大のブロックの容
量以上の容量のRAMが、各ブロック内のローカルアド
レスに対応する形で、配置されている。ブロックアドレ
スデコーダ4は、ブロックアドレスBAを受けて、PR
OM領域1内の対応するブロックを選択する。
【0014】ローカルアドレスデコーダ3は、ローカル
アドレスLAを受けて、ブロックアドレスデコーダ4の
選択したブロック内及びRAM領域2内であって、ロー
カルアドレスLAに対応する該当個所を選択する。アド
レスラッチ8aは、IC10の複数の端子を介して外部
からのアドレスAを受け、そのアドレスAをライトイネ
ーブルWEのタイミングに従ってラッチし、その値を保
持する。データラッチ9aは、IC10の端子を介して
外部からのデータDをを受け、そのデータDをライトイ
ネーブルWEのタイミングに従ってラッチし、その値を
保持する。
アドレスLAを受けて、ブロックアドレスデコーダ4の
選択したブロック内及びRAM領域2内であって、ロー
カルアドレスLAに対応する該当個所を選択する。アド
レスラッチ8aは、IC10の複数の端子を介して外部
からのアドレスAを受け、そのアドレスAをライトイネ
ーブルWEのタイミングに従ってラッチし、その値を保
持する。データラッチ9aは、IC10の端子を介して
外部からのデータDをを受け、そのデータDをライトイ
ネーブルWEのタイミングに従ってラッチし、その値を
保持する。
【0015】コントローラ5は、IC10の端子を介し
て、チップイネーブルCEとライトイネーブルWEを受
け、出力信号RBにレディ又はビジーを出力して、外部
とのやり取りをRAMの如く行うためのタイミングを図
る。コントローラ5は、さらに、リードコントロール
6、イレースコントロール7、アドレスコントロール
8、ライトコントロール9を有して、PROM領域1内
であってアドレスラッチ8aの保持するアドレスAに対
する該当個所を、データラッチ9aの保持するデータD
により更新するが、この手順を図2のフローチャートを
参照しながら、詳しく説明する。
て、チップイネーブルCEとライトイネーブルWEを受
け、出力信号RBにレディ又はビジーを出力して、外部
とのやり取りをRAMの如く行うためのタイミングを図
る。コントローラ5は、さらに、リードコントロール
6、イレースコントロール7、アドレスコントロール
8、ライトコントロール9を有して、PROM領域1内
であってアドレスラッチ8aの保持するアドレスAに対
する該当個所を、データラッチ9aの保持するデータD
により更新するが、この手順を図2のフローチャートを
参照しながら、詳しく説明する。
【0016】先ず、電源が投入されるとコントローラ5
は作動を開始する(ステップ101)が、この状態では
コントローラ5は未だ処理すべきことがないので、出力
信号RBをレディにして待ち状態であることを示し(ス
テップ102)、チップイネーブルCEを監視すること
で外部からのアクセスを待つ(ステップ103)。そし
て、チップイネーブルCEを受けると、書き換えの場合
には、さらにライトイネーブルWEが送られてくるの
で、そのライトイネーブルWEの始端でアドレスAをア
ドレスラッチ8aがラッチし、その終端でデータDをデ
ータラッチ9aがラッチすることで、外部から書き換え
の情報を受け取る。一方、この情報の処理が終了するま
で、次の情報が送られて来ないように、出力信号RBを
ビジーにしておく(ステップ104)。
は作動を開始する(ステップ101)が、この状態では
コントローラ5は未だ処理すべきことがないので、出力
信号RBをレディにして待ち状態であることを示し(ス
テップ102)、チップイネーブルCEを監視すること
で外部からのアクセスを待つ(ステップ103)。そし
て、チップイネーブルCEを受けると、書き換えの場合
には、さらにライトイネーブルWEが送られてくるの
で、そのライトイネーブルWEの始端でアドレスAをア
ドレスラッチ8aがラッチし、その終端でデータDをデ
ータラッチ9aがラッチすることで、外部から書き換え
の情報を受け取る。一方、この情報の処理が終了するま
で、次の情報が送られて来ないように、出力信号RBを
ビジーにしておく(ステップ104)。
【0017】次に、リードコントロール6が起動され、
PROM領域1内のブロックで、アドレスAに対応する
ブロックのデータを読み出して、RAM領域2へ複写
し、以後の消去と再書込みに備える(ステップ10
5)。準備ができたところで、イレースコントロール7
が起動されて、前記の該当ブロックのデータを消去する
(ステップ106)。このとき処理効率を上げるため
に、できるだけ平行に、ライトコントロール9が働い
て、RAM領域2内でのアドレスAへの該当個所の内容
を、データDで更新する(ステップ107)。
PROM領域1内のブロックで、アドレスAに対応する
ブロックのデータを読み出して、RAM領域2へ複写
し、以後の消去と再書込みに備える(ステップ10
5)。準備ができたところで、イレースコントロール7
が起動されて、前記の該当ブロックのデータを消去する
(ステップ106)。このとき処理効率を上げるため
に、できるだけ平行に、ライトコントロール9が働い
て、RAM領域2内でのアドレスAへの該当個所の内容
を、データDで更新する(ステップ107)。
【0018】その後、ライトコントロール9が働いて、
RAM領域2のデータで、前記の該当ブロックのデータ
を更新する(ステップ108)。以上の処理により、P
ROM領域1内でのアドレスAへの該当個所の内容のみ
が、データDで更新されたので、次の情報を受けるため
にステップ102から繰り返す。このように、不揮発性
ICメモリ10の内部では、複雑な動作を行っている
が、外部からは、従来のRAMにおける標準の信号C
E,WE,RBを用いて、アドレスAとデータDを送り
付けるだけで、ワード単位の書き換えができるので、あ
たかもRAM如く取り扱うことができる。
RAM領域2のデータで、前記の該当ブロックのデータ
を更新する(ステップ108)。以上の処理により、P
ROM領域1内でのアドレスAへの該当個所の内容のみ
が、データDで更新されたので、次の情報を受けるため
にステップ102から繰り返す。このように、不揮発性
ICメモリ10の内部では、複雑な動作を行っている
が、外部からは、従来のRAMにおける標準の信号C
E,WE,RBを用いて、アドレスAとデータDを送り
付けるだけで、ワード単位の書き換えができるので、あ
たかもRAM如く取り扱うことができる。
【0019】また、上述の実施例の構成に加えて、アド
レスラッチ8aからブロックアドレスBAに相当する部
分を受けてこれをラッチし保持するブロックアドレスラ
ッチ8bをも有する構成の他の実施例の動作を、図3の
フローチャートを参照しながら、詳しく説明する。ここ
で、電源の投入(ステップ101)から、該当ブロック
のデータのRAM領域2への複写(ステップ105、但
し、図3ではステップ205の後半のみ)までは、既に
詳述したので、ここではその説明を割愛する。ただし、
この実施例では、(ステップ205の前半において、)
アドレスラッチ8aが保持するアドレスAを、ブロック
アドレスラッチ8bにも保持させている。
レスラッチ8aからブロックアドレスBAに相当する部
分を受けてこれをラッチし保持するブロックアドレスラ
ッチ8bをも有する構成の他の実施例の動作を、図3の
フローチャートを参照しながら、詳しく説明する。ここ
で、電源の投入(ステップ101)から、該当ブロック
のデータのRAM領域2への複写(ステップ105、但
し、図3ではステップ205の後半のみ)までは、既に
詳述したので、ここではその説明を割愛する。ただし、
この実施例では、(ステップ205の前半において、)
アドレスラッチ8aが保持するアドレスAを、ブロック
アドレスラッチ8bにも保持させている。
【0020】そして、準備ができたところで、イレース
コントロール7が働いて、前記の該当ブロックのデータ
を消去する(ステップ106)とともに、ライトコント
ロール9が働いて、RAM領域2内でのアドレスAへの
該当個所の内容を、データDで更新する(ステップ10
7)。さらに、引き続きチップイネーブルCEを受けて
いる場合には(ステップ217)、外部からの他の書き
換え情報があるので、コントローラ5は、出力信号RB
をレディにして外部へ次の情報を要求し、次のライトイ
ネーブルWEの始端及び終端で次のアドレス及びデータ
をアドレスラッチ8a及びデータラッチ9aにラッチさ
せる(ステップ227)。
コントロール7が働いて、前記の該当ブロックのデータ
を消去する(ステップ106)とともに、ライトコント
ロール9が働いて、RAM領域2内でのアドレスAへの
該当個所の内容を、データDで更新する(ステップ10
7)。さらに、引き続きチップイネーブルCEを受けて
いる場合には(ステップ217)、外部からの他の書き
換え情報があるので、コントローラ5は、出力信号RB
をレディにして外部へ次の情報を要求し、次のライトイ
ネーブルWEの始端及び終端で次のアドレス及びデータ
をアドレスラッチ8a及びデータラッチ9aにラッチさ
せる(ステップ227)。
【0021】このとき、ブロックアドレスラッチ8bに
は前のアドレスAが待避されているので、アドレスラッ
チ8aの保持する次のアドレスと前のアドレスAとの比
較が可能であり、これらのブロックアドレス部分を比較
することで、同一ブロックに対する更新かどうかが区別
できる(ステップ237)。同一ブロックを対象とする
場合には、既に、RAM領域2上に準備ができているの
で、(ステップ107から繰り返すことで、)高速にデ
ータ更新を繰り返し行う。
は前のアドレスAが待避されているので、アドレスラッ
チ8aの保持する次のアドレスと前のアドレスAとの比
較が可能であり、これらのブロックアドレス部分を比較
することで、同一ブロックに対する更新かどうかが区別
できる(ステップ237)。同一ブロックを対象とする
場合には、既に、RAM領域2上に準備ができているの
で、(ステップ107から繰り返すことで、)高速にデ
ータ更新を繰り返し行う。
【0022】異なるブロックを対象とする場合には、次
の情報が送られて来ないように、出力信号RBをビジー
にしておく(ステップ247)。その後、ライトコント
ロール9が働いて、RAM領域2のデータで、前記の該
当ブロックの全データを再書込みにより更新する(ステ
ップ108)。以上の処理により、PROM領域1内で
の該当個所の内容のみが更新されたのであるが、次の情
報を既に受け取っているかどうかに応じて、受け取って
いる場合はそれの処理を継続するためにステップ205
から繰り返し、受け取っていない場合には次の情報を受
けるためにステップ102から繰り返す。このように、
ブロックアドレスラッチをも有する構成の不揮発性IC
メモリでは、近接したアドレスに対する書き換えは、通
常のRAMと同等の速度で処理される。
の情報が送られて来ないように、出力信号RBをビジー
にしておく(ステップ247)。その後、ライトコント
ロール9が働いて、RAM領域2のデータで、前記の該
当ブロックの全データを再書込みにより更新する(ステ
ップ108)。以上の処理により、PROM領域1内で
の該当個所の内容のみが更新されたのであるが、次の情
報を既に受け取っているかどうかに応じて、受け取って
いる場合はそれの処理を継続するためにステップ205
から繰り返し、受け取っていない場合には次の情報を受
けるためにステップ102から繰り返す。このように、
ブロックアドレスラッチをも有する構成の不揮発性IC
メモリでは、近接したアドレスに対する書き換えは、通
常のRAMと同等の速度で処理される。
【0023】なお、データの単なる読出しに関しては、
構成、処理手順ともに、従来例と同様であるので、その
説明は、割愛する。ところで、実施例では、イレースコ
ントロール手段を設けているが、そのわけは、“0”及
び“1”のいづれか一方の値しか書き込めないため予め
一括消去によりブロック内の全データを“0”及び
“1”のいづれか他方の値に揃えてから書込みを行うタ
イプのメモリが普及しているので、これを具体例として
採用したためである。したがって、ブロック単位で上書
き処理のできるタイプのメモリの場合には、イレースコ
ントロール手段は無くてもよい。また、この実施例では
各ブロックのサイズが等しい場合を具体例として説明し
ているが、ブロックのサイズが異なる場合には、RAM
の容量が、最大のブロックの容量以上であればよい。
構成、処理手順ともに、従来例と同様であるので、その
説明は、割愛する。ところで、実施例では、イレースコ
ントロール手段を設けているが、そのわけは、“0”及
び“1”のいづれか一方の値しか書き込めないため予め
一括消去によりブロック内の全データを“0”及び
“1”のいづれか他方の値に揃えてから書込みを行うタ
イプのメモリが普及しているので、これを具体例として
採用したためである。したがって、ブロック単位で上書
き処理のできるタイプのメモリの場合には、イレースコ
ントロール手段は無くてもよい。また、この実施例では
各ブロックのサイズが等しい場合を具体例として説明し
ているが、ブロックのサイズが異なる場合には、RAM
の容量が、最大のブロックの容量以上であればよい。
【0024】
【発明の効果】以上の説明から理解できるように、この
発明の不揮発性ICメモリにあっては、内部のPROM
部分の持つ制約条件が外部仕様に与える影響を、ブロッ
ク相当の容量のRAMを介して再書込みを行うことによ
り、ICの内部で吸収することができる。したがって、
RAMを使用するが如く容易に使用できてオンボードで
多数回書き換え得る大容量の不揮発性ICメモリを実現
することができるという効果がある。
発明の不揮発性ICメモリにあっては、内部のPROM
部分の持つ制約条件が外部仕様に与える影響を、ブロッ
ク相当の容量のRAMを介して再書込みを行うことによ
り、ICの内部で吸収することができる。したがって、
RAMを使用するが如く容易に使用できてオンボードで
多数回書き換え得る大容量の不揮発性ICメモリを実現
することができるという効果がある。
【図1】この発明の不揮発性ICメモリの構成を示すブ
ロック図。
ロック図。
【図2】この発明の一実施例の不揮発性ICメモリにお
ける処理手順を示す。
ける処理手順を示す。
【図3】この発明の他の実施例の不揮発性ICメモリに
おける処理手順を示す。
おける処理手順を示す。
1…PROM領域、 2…RAM領域、 3…ローカルアドレスデコーダ、 4…ブロックアドレスデコーダ、 5…コントローラ、 6…リードコントロール、 7…イレースコントロール、 8…アドレスコントール、 8a…アドレスラッチ、 8b…ブロックアドレスラッチ、 9…ライトコントロール、 10…不揮発性ICメモリ、 101…電源投入、 102…処理、 103…判断、 104,105,106,107,108…処理、 205,227,247…処理、 208,217,237…判断。
Claims (2)
- 【請求項1】ブロック単位でデータの消去ができる再書
込み可能なPROM領域を有する不揮発性ICメモリに
おいて、 前記PROM領域内のブロックの容量以上の容量のRA
Mと、ブロックアドレスを受けて前記PROM領域内の
対応するブロックを選択するブロックアドレスデコーダ
と、ローカルアドレスを受けて前記選択されたブロック
内及び前記RAM内の対応する該当個所を選択するロー
カルアドレスデコーダと、外部からのアドレスを受けて
ラッチするアドレスラッチと、外部からのデータを受け
てラッチするデータラッチと、アドレスコントロール手
段とリードコントロール手段とライトコントロール手段
とを有するコントローラとを備え、 前記リードコントロール手段は、前記アドレスコントロ
ール手段を制御して前記アドレスラッチの保持値に基づ
いて前記PROM領域内の該当個所を選択し、それを読
出し、 前記ライトコントロール手段は、前記リードコントロー
ル手段を制御して前記PROM領域内で前記アドレスラ
ッチの保持値に対応するブロックのデータを読み出し、
そのデータを前記RAMに記憶し、前記RAMの該当個
所を前記データラッチの保持値で更新し、前記アドレス
コントロール手段を制御して前記アドレスラッチの保持
値に基づいて前記の読出しブロックに前記RAMのデー
タを再書込みすることを特徴とする不揮発性ICメモ
リ。 - 【請求項2】ブロック単位でデータの消去ができる再書
込み可能なPROM領域を有する不揮発性ICメモリに
おいて、 前記PROM領域内のブロックの容量以上の容量のRA
Mと、ブロックアドレスを受けて前記PROM領域内の
対応するブロックを選択するブロックアドレスデコーダ
と、ローカルアドレスを受けて前記選択されたブロック
内及び前記RAM内の対応する該当個所を選択するロー
カルアドレスデコーダと、外部からのアドレスを受けて
ラッチするアドレスラッチと、前記アドレスラッチの保
持値からのブロックアドレス相当分を受けてラッチする
ブロックアドレスラッチと、外部からのデータを受けて
ラッチするデータラッチと、アドレスコントロール手段
とリードコントロール手段とライトコントロール手段と
を有するコントローラとを備え、 前記リードコントロール手段は、前記アドレスコントロ
ール手段を制御して前記ブロックアドレスラッチと前記
アドレスラッチの保持値に基づいて前記PROM領域内
の該当個所を選択し、それを読出し、 前記ライトコントロール手段は、前記リードコントロー
ル手段を制御して前記PROM領域内で前記ブロックア
ドレスラッチの保持値に対応するブロックのデータを読
み出し、そのデータを前記RAMに記憶し、前記RAM
の該当個所を前記データラッチの保持値で更新し、さら
に前記の読出しブロック内への外部からの書込みデータ
が有ればそれに応じて前記更新を行い、前記アドレスコ
ントロール手段を制御して前記ブロックアドレスラッチ
と前記アドレスラッチの保持値に基づいて前記の読出し
ブロックに前記RAMのデータを再書込みすることを特
徴とする不揮発性ICメモリ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25960591A JP3229345B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 不揮発性icメモリ |
US07/943,559 US5305276A (en) | 1991-09-11 | 1992-09-11 | Non-volatile IC memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25960591A JP3229345B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 不揮発性icメモリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0574178A true JPH0574178A (ja) | 1993-03-26 |
JP3229345B2 JP3229345B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=17336415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25960591A Expired - Fee Related JP3229345B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 不揮発性icメモリ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5305276A (ja) |
JP (1) | JP3229345B2 (ja) |
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