JPH05282879A

JPH05282879A - メモリのデータ書き込み装置

Info

Publication number: JPH05282879A
Application number: JP7798392A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Konishi; 和夫小西; Shinpei Yoshioka; 心平吉岡; Koji Maruyama; 晃司丸山; Tomoyuki Maekawa; 智之前川; Toshiaki Sato; 聡明佐藤
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba AVE Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba AVE Co Ltd
Priority date: 1992-03-31
Filing date: 1992-03-31
Publication date: 1993-10-29

Abstract

(57)【要約】【目的】この発明は、種々の要因による書き込み時間の
ばらつきを考慮した最適なデータ書き込みを行なうこと
でデータ書き込みスピードを効果的に向上させ、しかも
過剰書き込みのような不都合が生じることを極力防止し
得るメモリのデータ書き込み装置を提供することを目的
としている。【構成】半導体メモリの第１の記憶領域に対してのデー
タ書き込みに要したベリファイ回数に対応する書き込み
時間を、該半導体メモリの第２の記憶領域に対してのデ
ータ書き込み時の初回のデータ書き込み時間とする第１
の制御手段と、半導体メモリのチップが変わった状態，
所定情報量のデータの書き込みが終了した状態及びベリ
ファイ回数が許容値を越えた状態のいずれかの条件で、
ベリファイ回数を初期値に戻すようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えばＥＥＰＲＯＭ
（エレクトリカリィ・イレーサブル・アンド・プログラ
マブル・リード・オンリー・メモリ）等のように、デー
タ書き込み時に書き込みベリファイを必要とする半導体
メモリにデータを書き込むためのデータ書き込み装置の
改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、ＥＥＰＲＯＭは、現在、
磁気ディスクに代わるデータ記録媒体として注目を浴び
ているもので、データ保持のためのバックアップ電池が
不要であるとともに、チップ自体のコストを安くするこ
とができる等、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・ア
クセス・メモリ）やＤ（ダイナミック）ＲＡＭの持たな
い特有な利点を有することから、特にメモリカード用と
して使用するための開発が盛んに行なわれている。

【０００３】そして、このメモリカードは、例えば撮影
した被写体の光学像を固体撮像素子を用いて電気的な画
像信号に変換し、この画像信号をデジタル画像データに
変換して半導体メモリに記録する電子スチルカメラ等に
使用して好適するもので、ＥＥＰＲＯＭをカード状のケ
ースに内蔵してなるメモリカードを、カメラ本体に着脱
自在となるように構成することによって、通常のカメラ
におけるフィルムと等価な取り扱いができるようにした
ものである。

【０００４】ここで、ＥＥＰＲＯＭは、複数の連続する
バイト（例えば５１２バイト等）でなるページを指定す
ることにより、ページ単位で一括してデータの書き込み
及び読み出しを行なうページモードを有しており、１ペ
ージ分の大量のデータを一斉に書き込み及び読み出しす
ることで、データの書き込みスピード及び読み出しスピ
ードを向上させることができるという利点を有する反
面、データの書き込み時に書き込みベリファイを必要と
するという問題を有している。

【０００５】すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、データ書き込
みを行なう場合、通常１回の書き込み動作では完全な書
き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰＲＯＭに対し
て、１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰＲＯＭの書
き込み内容を読み出し、正確に書き込まれているか否か
をチェックする必要があり、これが書き込みベリファイ
である。

【０００６】具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込むべき
１ページ分のデータをバッファメモリに記録しておき、
バッファメモリからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書
き込んだ後、ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、
バッファメモリの内容と比較して一致しているか否かを
判別している。そして、書き込みベリファイの結果、不
一致（エラー）と判定された場合には、再度バッファメ
モリの内容をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すよ
うにしている。このため、書き込みベリファイの回数が
多くなるほど、再書き込みの回数が多くなるので、デー
タ書き込みに時間を要しデータ書き込みスピードの劣化
を招くことになる。

【０００７】図７は、ＥＥＰＲＯＭにページ単位でデー
タ書き込みを行なう場合の、従来のデータ書き込み処理
動作を示すフローチャートである。ここで、データ書き
込み処理動作は、図示しないＣＰＵ（中央演算処理装
置）によって制御されるとすれば、まず、開始（ステッ
プＳ１）されると、ＣＰＵは、ステップＳ２で、ベリフ
ァイ回数Ｎを１に設定するとともに、ページ番号を０に
設定して、そのＥＥＰＲＯＭの１ページ目から書き込み
を開始するように制御する。

【０００８】そして、ＣＰＵは、ステップＳ３で、ペー
ジ内アドレスを０に設定する。すなわち、前述したよう
に１ページが５１２バイトで構成されるとすると、その
１バイト目のアドレスを設定する。その後、ＣＰＵは、
ステップＳ４で、データ書き込みを行なうための書き込
み命令をＥＥＰＲＯＭに設定し、ステップＳ５で、１ペ
ージ分のアドレス及びデータをＥＥＰＲＯＭに転送し、
データの書き込みを実行させる。

【０００９】ここで、ＥＥＰＲＯＭは、トランジスタの
ゲートに２０Ｖ以上の高電圧を印加し、チャネル内の電
子を移動させてトンネル現象を起こさせることにより、
メモリセルへのデータの書き込みを行なっている。この
ため、ＣＰＵは、データの書き込みを実行させてから、
ステップＳ６で、トンネル現象が起こるのを待つため
に、予め設定された基準単位時間である４０μｓ（プロ
グラム時間）をベリファイ回数Ｎ倍した電圧印加時間待
った後、ステップＳ７で、ベリファイ動作に移るための
命令をＥＥＰＲＯＭに設定する。

【００１０】すると、ＣＰＵは、ステップＳ８で、ＥＥ
ＰＲＯＭから書き込んだデータを読み出し、ステップＳ
９で、読み出したデータが書き込んだデータに一致して
いるか否かを判別するベリファイを実行する。そして、
ベリファイの結果、一致していると判定されれば（Ｏ
Ｋ）、ＣＰＵは、ステップＳ１０で、ページ内アドレス
が５１１か否か、つまり１ページの最終バイトか否かを
判別し、最終バイトでなければ（ＮＯ）、ステップＳ１
１で、ページ内アドレスを＋１してステップＳ８の処理
に戻される。

【００１１】また、最終バイトであれば（ＹＥＳ）、Ｃ
ＰＵは、ステップＳ１２で、最終ページであるか否かを
判別し、最終ページでなければ（ＮＯ）、ステップＳ１
３で、ページ番号を＋１してステップＳ３の処理に戻さ
れる。さらに、最終ページであれば、ＣＰＵは、ステッ
プＳ１４で、リセット命令をＥＥＰＲＯＭに設定し、こ
こに、ＥＥＰＲＯＭに対するページ単位でのデータ書き
込み動作が終了（ステップＳ１５）される。

【００１２】一方、ステップＳ９で一致していないと判
定されると（ＮＧ）、ＣＰＵは、ステップＳ１６で、ベ
リファイ回数Ｎが１００を越えたか否かを判別し、１０
０以下であれば（ＮＯ）、ステップＳ１７で、ベリファ
イ回数Ｎを＋１し、ステップＳ１８で、ページ内アドレ
スを０に設定し、ステップＳ１９で、書き込み命令をＥ
ＥＰＲＯＭに設定し、ステップＳ２０で、１ページ分の
アドレス及びデータをＥＥＰＲＯＭに転送し、再度、デ
ータの書き込みを実行させた後、ステップＳ２１で、４
０μｓの電圧印加時間待った後、ステップＳ７の処理に
戻される。

【００１３】また、ステップＳ１６で、１００を越えた
（ＹＥＳ）と判定されると、ＣＰＵは、ステップＳ２２
で、リセット命令をＥＥＰＲＯＭに設定しそのページ領
域を不良と判定して終了（ステップＳ２３）される。

【００１４】ところで、ＥＥＰＲＯＭのそれぞれのメモ
リセルに対するデータ書き込み時間は、チャネル内の電
子の移動速度つまりトンネル現象が起こるまでの電圧印
加時間によって左右される。すなわち、短時間の電圧印
加でトンネル現象が発生するメモリセルは、ベリファイ
回数が少なくて済み、長時間電圧印加しないとトンネル
現象が発生しないメモリセルは、必然的にベリファイ回
数が多くなりデータ書き込みスピードが遅くなる。

【００１５】そして、各メモリセルがデータの書き込み
に必要とするベリファイ回数は、同一チップ内でも大幅
なばらつきがあり、このために、ページ単位でのデータ
書き込みに際しても、ページ毎にベリファイ回数にばら
つきが生じ、ベリファイ回数が少なく短時間でデータ書
き込みが終了するページと、ベリファイ回数が多く長時
間を要しなければデータが書き込めないページとが存在
することになる。例えば図８に点線で示すように、各ペ
ージ毎にベリファイ回数が大きく異なることになる。

【００１６】このため、上記のようにベリファイ回数に
大幅なばらつきのある各ページにデータを書き込んでい
く場合、各ページ毎にそれぞれベリファイを１回から始
めて書き込み終了するまでの動作を繰り返すのでは、前
述したように、ベリファイ回数が多くなりデータ書き込
みスピードの劣化を招くことになる。

【００１７】そこで、図７に示した従来の書き込み処理
動作では、ページ番号ｎ（ｎ＝２，３，……）のページ
に対してデータ書き込みを行なう場合、その前のページ
つまりページ番号ｎ−１のページへのデータ書き込みに
要したベリファイ回数Ｎを、ステップＳ６で４０μｓに
乗算しその時間を、ｎページへの書き込みの初回の電圧
印加時間とするようにしている。

【００１８】例えば図８で３ページ目へのデータ書き込
みは、同図に実線で示すように、その前の２ページ目へ
のデータ書き込みに要したベリファイ回数３０を４０μ
ｓに乗算した１２００μｓを、３ページ目への書き込み
の初回の電圧印加時間として与えて第１回目のベリファ
イ動作を行ない、その後、ステップＳ１７〜Ｓ２１の処
理によりベリファイ回数を２，３，……と順次増やすこ
とにより、３１回目のベリファイでデータ書き込みが終
了したことを示している。そして、このような書き込み
動作によれば、ベリファイ回数を削減し短時間で正確な
データ書き込みを行なうことができる。

【００１９】しかしながら、上記のようなＥＥＰＲＯＭ
に対する従来のデータ書き込み処理動作では、前ページ
の書き込みに要したベリファイ回数に対応した電圧印加
時間を、次のページのデータ書き込み時の初回の電圧印
加時間として設定するので、例えば図８で４ページ目へ
のデータ書き込みは、本来ベリファイ回数が４０回で済
むところを６０回分に相当する時間電圧印加した、いわ
ゆる過剰書き込みとなる。

【００２０】この場合、ＥＥＰＲＯＭへのデータ書き込
みは、前述したように電子の移動によるトンネル現象を
利用しているので、電圧印加時間が必要以上に長くなる
と、電子の移動が極端になりメモリセルのしきい値が変
化し読み出しができなくなる現象が発生する。このた
め、極端な過剰書き込みは、避ける必要があるにもかか
わらず、上述した従来の書き込み処理動作では、過剰書
き込みを防止することはできないことになる。

【００２１】また、ＥＥＰＲＯＭに対してデータを書き
込む場合のベリファイ回数、つまり書き込みが終了する
までに要する時間は、同一チップ内で例えばページ毎に
ばらつきがあるだけでなく、チップ毎にもばらつきがあ
り、さらには、温度変化や印加電圧のレベルによっても
ばらつきがある。このため、従来より、上記のように種
々の要因によってばらつくデータ書き込み時間に最適に
対応して、書き込みスピードを遅くすることのない効率
的なベリファイ動作を行ない、しかも過剰書き込みを極
力防止し得る書き込み手段の開発が強く要望されてい
る。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
データ書き込み処理動作では、ページ毎やチップ毎さら
には温度変化や印加電圧レベル等によってばらつく書き
込み時間を考慮した最適なデータ書き込みを行なうこと
ができず、データ書き込みスピードの向上を充分に図り
得ないとともに、過剰書き込みのような不所望な事態を
も招くという問題を有している。

【００２３】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、種々の要因による書き込み時間のばらつ
きを考慮した最適なデータ書き込みを行なうことでデー
タ書き込みスピードを効果的に向上させ、しかも過剰書
き込みのような不都合が生じることを極力防止し得る極
めて良好なメモリのデータ書き込み装置を提供すること
を目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリの
データ書き込み装置は、半導体メモリに対してデータ書
き込み動作を予め設定された単位時間実行した後、書き
込んだデータを読み出して元のデータと比較するベリフ
ァイを行ない、不一致である場合再度データの書き込み
を繰り返すことによりデータ書き込みを行なう記録手段
と、この記録手段による半導体メモリの第１の記憶領域
に対してのデータ書き込みに要したベリファイ回数に対
応する書き込み時間を、該半導体メモリの第２の記憶領
域に対してのデータ書き込み時の初回のデータ書き込み
時間とする第１の制御手段と、半導体メモリのチップが
変わった状態，所定情報量のデータの書き込みが終了し
た状態及びベリファイ回数が許容値を越えた状態のいず
れかの条件で、ベリファイ回数を初期値に戻す第２の制
御手段とを備えるようにしたものである。

【００２５】また、この発明に係るメモリのデータ書き
込み装置は、半導体メモリに対してデータ書き込み動作
を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデー
タを読み出して元のデータと比較するベリファイを行な
い、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返す
ことによりデータ書き込みを行なう記録手段と、この記
録手段による半導体メモリの第１の記憶領域に対しての
データ書き込みに要したベリファイ回数に対応する書き
込み時間よりも短い時間を、該半導体メモリの第２の記
憶領域に対してのデータ書き込み時の初回のデータ書き
込み時間とする制御手段とを備えるようにしたものであ
る。

【００２６】さらに、この発明に係るメモリのデータ書
き込み装置は、半導体メモリに対してデータ書き込み動
作を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデ
ータを読み出して元のデータと比較するベリファイを行
ない、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返
すことによりデータ書き込みを行なう記録手段と、この
記録手段による半導体メモリの複数の記憶領域に対して
のデータ書き込みにそれぞれ要した各ベリファイ回数の
平均値に対応する書き込み時間を、該半導体メモリの次
の記憶領域に対してのデータ書き込み時の初回のデータ
書き込み時間とする制御手段とを備えるようにしたもの
である。

【００２７】また、この発明に係るメモリのデータ書き
込み装置は、半導体メモリに対してデータ書き込み動作
を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデー
タを読み出して元のデータと比較するベリファイを行な
い、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返す
ことによりデータ書き込みを行なう記録手段と、この記
録手段による半導体メモリの所定の記憶領域に対しての
データ書き込みに要したベリファイ回数が、予め設定さ
れた許容値を越えた状態で該記憶領域を不良と判断する
判別手段と、この判別手段に設定される許容値を周囲温
度及び半導体メモリにデータ書き込むために印加する電
圧レベルのいずれかに基づいて可変する制御手段とを備
えるようにしたものである。

【００２８】さらに、この発明に係るメモリのデータ書
き込み装置は、半導体メモリに対してデータ書き込み動
作を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデ
ータを読み出して元のデータと比較するベリファイを行
ない、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返
すことによりデータ書き込みを行なう記録手段と、この
記録手段による半導体メモリの所定の記憶領域に対して
のデータ書き込みに要したベリファイ回数が多くなるに
連れて、データ書き込み動作に要する単位時間を所定倍
する制御手段とを備えるようにしたものである。

【００２９】また、この発明に係るメモリのデータ書き
込み装置は、半導体メモリに対してデータ書き込み動作
を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデー
タを読み出して元のデータと比較するベリファイを行な
い、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返す
ことによりデータ書き込みを行なう記録手段と、この記
録手段による半導体メモリの第１の記憶領域に対しての
データ書き込みに要したベリファイ回数に基づいて、該
半導体メモリの第２の記憶領域に対してのデータ書き込
み動作に要する単位時間を可変する制御手段とを備える
ようにしたものである。

【００３０】

【作用】上記のような構成によれば、まず、半導体メモ
リのチップが変わった状態，所定情報量のデータの書き
込みが終了した状態及びベリファイ回数が許容値を越え
た状態のいずれかの条件で、ベリファイ回数を初期値に
戻すようにしたので、ページ毎やチップ毎さらには温度
変化や印加電圧レベル等によってばらつく書き込み時間
に略対応する適当なデータ書き込みを行なえるととも
に、過剰書き込みが生じることも極力防止することがで
き、ひいてはデータ書き込みスピードを効果的に向上さ
せることができる。

【００３１】また、半導体メモリの第１の記憶領域に対
してのデータ書き込みに要したベリファイ回数に対応す
る書き込み時間よりも短い時間を、該半導体メモリの第
２の記憶領域に対してのデータ書き込み時の初回のデー
タ書き込み時間とするようにしたので、種々の要因によ
ってばらつく書き込み時間に略対応する適当なデータ書
き込みを行なえるとともに、特に、過剰書き込みが生じ
ることを極めて少なくすることができる。

【００３２】さらに、半導体メモリの複数の記憶領域に
対してのデータ書き込みにそれぞれ要した各ベリファイ
回数の平均値に対応する書き込み時間を、該半導体メモ
リの次の記憶領域に対してのデータ書き込み時の初回の
データ書き込み時間とするようにしたので、ページ毎や
チップ毎さらには温度変化や印加電圧レベル等によって
ばらつく書き込み時間に略対応する適当なデータ書き込
みを行なえるとともに、過剰書き込みが生じることも極
力防止することができ、ひいてはデータ書き込みスピー
ドを効果的に向上させることができる。

【００３３】また、記憶領域の良不良を判断するために
データ書き込みに要したベリファイ回数と比較する許容
値を、周囲温度及び半導体メモリにデータ書き込むため
に印加する電圧レベルのいずれかに基づいて可変するよ
うにしたので、例えばデータが書き込みにくい条件のと
きには許容値を倍に設定することで書き込みができる記
憶領域を増やすことができ、半導体メモリの寿命を飛躍
的に延ばすことができる。

【００３４】さらに、半導体メモリの所定の記憶領域に
対してのデータ書き込みに要したベリファイ回数が多く
なるに連れて、データ書き込み動作に要する単位時間を
所定倍するようにしたので、長い書き込み時間を必要と
する記憶領域に対しても、ベリファイ回数は多くならず
に済むので、データの書き込み時間を大幅に短縮しデー
タ書き込みスピードを向上させることができる。

【００３５】また、半導体メモリの第１の記憶領域に対
してのデータ書き込みに要したベリファイ回数に基づい
て、該半導体メモリの第２の記憶領域に対してのデータ
書き込み動作に要する単位時間を可変するようにしたの
で、ページ毎やチップ毎さらには温度変化や印加電圧レ
ベル等によってばらつく書き込み時間に、きめ細かに対
応した最適なデータ書き込みを行なうことができ、デー
タ書き込みスピードの向上を充分に図ることができる。

【００３６】

【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラのメモリ
カードに適用した場合の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１において、符号１１はメモリカ
ード本体であり、その一端部に設置されたコネクタ１２
を介して、図示しない電子スチルカメラ本体に接続され
るようになされている。このコネクタ１２には、電子ス
チルカメラ本体側から、メモリカード本体１１に書き込
むべきデジタルデータＤＡと、その書き込み場所を示す
アドレスデータＡＤとが供給される。これらデジタルデ
ータＤＡ及びアドレスデータＡＤは、バスラインＤ０〜
Ｄ７を介してＣＰＵを内蔵するデータ入出力制御回路１
３に供給されている。

【００３７】また、電子スチルカメラ本体からは、コネ
クタ１２に対して、メモリカード本体１１を選択したと
きＨ（ハイ）レベルとなるカードイネーブル信号ＣＥ
と、バスラインＤ０〜Ｄ７に供給されたデータがアドレ
スデータＡＤのときＬ（ロー）レベルとなり、デジタル
データＤＡのときＨレベルとなるアドレス／データ切替
信号Ａ／Ｄと、ＥＥＰＲＯＭに対するデータ書き込み要
求のときＬレベルとなり、データ読み出し要求のときＨ
レベルとなるリード／ライト切替信号Ｒ／Ｗと、アドレ
スデータＡＤに同期したバスクロックＢＣＫとが供給さ
れるようになっている。

【００３８】これらカードイネーブル信号ＣＥ，アドレ
ス／データ切替信号Ａ／Ｄ，リード／ライト切替信号Ｒ
／Ｗ及びバスクロックＢＣＫも、データ入出力制御回路
１３に供給されている。また、電子スチルカメラ本体か
らは、コネクタ１２を介してＥＥＰＲＯＭに対するデー
タのイレースを要求する命令も、データ入出力制御回路
１３に供給されるようになっている。そして、このデー
タ入出力制御回路１３からは、電子スチルカメラ本体か
らのデジタルデータＤＡの入力許可時にＨレベルとな
り、入力拒否時にＬレベルとなるレディ／ビジィ切替信
号ＲＤＹ／ＢＳＹが発生されるようになっている。

【００３９】ここで、概略的な動作について説明する
と、上記コネクタ１２に供給されたデジタルデータＤＡ
は、データ入出力制御回路１３の制御により、一旦バッ
ファメモリ１４に取り込まれ記録される。このときのバ
ッファメモリ１４のデジタルデータＤＡの取り込みタイ
ミングは、アドレス発生回路１５から出力されるアドレ
スデータによってコントロールされる。また、このアド
レス発生回路１５は、セレクタ１６によって選択された
クロックＣＫをカウントして、バッファメモリ１４への
アドレスデータを生成している。このセレクタ１６に
は、上記バスクロックＢＣＫとデータ入出力制御回路１
３から出力されるクロックＹＣＫとが供給されるように
なっている。

【００４０】そして、バッファメモリ１４へのデジタル
データＤＡの取り込み時には、セレクタ１６が、データ
入出力制御回路１３から出力されるセレクト信号ＳＥＬ
によってバスクロックＢＣＫを選択し、クロックＣＫと
してアドレス発生回路１５に導出している。このため、
電子スチルカメラ本体からコネクタ１２に送出されたデ
ジタルデータＤＡは、バスクロックＢＣＫに基づいて生
成されるアドレスデータにしたがって、バッファメモリ
１４に書き込まれることになる。

【００４１】その後、データ入出力制御回路１３は、バ
ッファメモリ１４に対するデジタルデータＤＡの書き込
みが終了すると、セレクト信号ＳＥＬを制御して、自己
の生成するクロックＹＣＫが、アドレス発生回路１５に
導出されるようにセレクタ１６を切り替える。このた
め、クロックＹＣＫに基づいてアドレス発生回路１５で
生成されるアドレスデータによって、バッファメモリ１
４からデジタルデータＤＡが読み出される。

【００４２】このとき、データ入出力制御回路１３は、
複数のチップでなるＥＥＰＲＯＭ１７に対してチップイ
ネーブル信号ＣＥＮ及びライトイネーブル信号ＷＥを出
力するとともに、アドレスデータＡＤを出力し、バッフ
ァメモリ１４から読み出されたデジタルデータＤＡを、
ＥＥＰＲＯＭ１７に例えば５１２バイトのページ単位で
書き込むように制御する。そして、ＥＥＰＲＯＭ１７に
デジタルデータＤＡが書き込まれた状態で、データ入出
力制御回路１３は、ＥＥＰＲＯＭ１７に対して、アウト
イネーブルデータＯＥ及び先にデータの書き込みを指定
したアドレスデータＡＤを出力して、ＥＥＲＰＯＭ１７
から書き込んだデジタルデータＤＡを読み出させ、バッ
ファメモリ１４に記録されたデジタルデータＤＡと一致
しているか否かを判別する、書き込みベリファイを実行
する。

【００４３】そして、ＥＥＲＰＯＭ１７から読み出した
デジタルデータＤＡと、バッファメモリ１４に記録され
たデジタルデータＤＡとが一致していないと、データ入
出力制御回路１３は、再度、バッファメモリ１４からＥ
ＥＰＲＯＭ１７にデジタルデータＤＡを転送して書き込
みを行ない、この動作が、ＥＥＲＰＯＭ１７から読み出
したデジタルデータＤＡと、バッファメモリ１４に記録
されたデジタルデータＤＡとが完全に一致するまで繰り
返され、ここにデジタルデータＤＡのＥＥＰＲＯＭ１７
への書き込みが行なわれる。

【００４４】また、電子スチルカメラ本体からＥＥＰＲ
ＯＭ１７に記録されたデータをイレース（消去）する命
令が発生されると、データ入出力制御回路１３は、その
消去命令に基づいて消去回路１８を駆動する。この消去
回路１８は、データ入出力制御回路１３の制御に基づい
て、ＥＥＰＲＯＭ１７のアドレスライン及びデータライ
ンに消去用の信号を出力することにより、ＥＥＰＲＯＭ
１７を電気的にチップイレースまたはページイレースす
る。なお、この消去回路１８は、ＥＥＰＲＯＭ１７内に
組み込まれているものもある。この場合には、データ入
出力制御回路１３からＥＥＰＲＯＭ７に消去命令を発生
することにより、この命令をＥＥＰＲＯＭ１７内の消去
回路が受けて消去動作が行なわれる。

【００４５】次に、ＥＥＰＲＯＭ１７から、デジタルデ
ータＤＡをメモリカード本体１１の外部に読み出す動作
について説明する。まず、電子スチルカメラ本体側から
コネクタ１２を介して読み出し要求と読み出すべきデー
タの記録されたアドレスとが指定される。すると、デー
タ入出力制御回路１３は、ＥＥＰＲＯＭ１７に対してチ
ップイネーブル信号ＣＥＮ，アウトイネーブルデータＯ
Ｅ及びアドレスデータＡＤを出力し、ＥＥＰＲＯＭ１７
からページ単位でデジタルデータＤＡを読み出すととも
に、自己の生成するクロックＹＣＫがアドレス発生回路
１５に導出されるようにセレクタ１６を切り替え、バッ
ファメモリ１４に書き込ませる。

【００４６】その後、データ入出力制御回路１３は、コ
ネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体側から供給さ
れるバスクロックＢＣＫが、アドレス発生回路１５に導
出されるようにセレクタ１６を切り替え、バスクロック
ＢＣＫに基づいてアドレス発生回路１５で発生されるア
ドレスデータで、バッファメモリ１４からデータを読み
出し、コネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体に導
出させ、ここにデジタルデータＤＡの読み出しが行なわ
れる。

【００４７】ここで、図２は、ＥＥＰＲＯＭ１７にペー
ジ単位でデータ書き込みを行なう場合のデータ書き込み
処理動作を示すフローチャートである。図２において、
図７と同一処理ステップには同一符号を付して示してい
る。すなわち、ステップＳ１０で最終バイトであると判
定された場合（ＹＥＳ）、ＣＰＵは、ステップＳ２４
で、ＥＥＰＲＯＭ１７のチップの変わり目であるか否か
を判別する。そして、チップの変わり目である場合（Ｙ
ＥＳ）、ＣＰＵは、ステップＳ１２の処理に移行し、ス
テップＳ１４の後、ステップＳ２５で、ベリファイ回数
Ｎを１にクリアして終了（ステップＳ１５）される。

【００４８】また、チップの変わり目でない場合（Ｎ
Ｏ）、ＣＰＵは、ステップＳ２６で、最終ページである
か否かを判別し、最終ページでなければ（ＮＯ）、ステ
ップＳ２７で、ページ番号を＋１してステップＳ３の処
理に戻される。さらに、最終ページであれば（ＹＥ
Ｓ）、ＣＰＵは、ステップＳ２８で、リセット命令をＥ
ＥＰＲＯＭに設定し、ステップＳ２９で、ベリファイ回
数Ｎを１にクリアして終了（ステップＳ３０）される。
さらに、ステップＳ１３で次にデータを書き込むべきペ
ージのページ番号が＋１された後、ＣＰＵは、ステップ
Ｓ３１で、ベリファイ回数Ｎを１にクリアしてステップ
Ｓ３の処理に戻される。また、ステップＳ１６でベリフ
ァイ回数Ｎが１００を越えたと判定された状態で（ＹＥ
Ｓ）、ＣＰＵは、ステップＳ２２の後、ステップＳ３２
で、ベリファイ回数Ｎを１にクリアして終了（ステップ
Ｓ２３）される。

【００４９】すなわち、ＥＥＰＲＯＭ１７のチップの変
わり目を判断した状態と、１ページのデータ書き込みが
終了して次にデータを書き込むべきページのページ番号
が更新された状態と、各チップの最終ページのデータ書
き込みが終了した状態と、ベリファイ回数Ｎが許容値
（１００）を越えた状態との、いずれかの状態になった
とき、ベリファイ回数Ｎを１にクリアするようにしてい
る。このように、ベリファイ回数Ｎをデータ書き込み動
作に伴う所定の物理量に基づいて１にクリアすることに
より、ページ毎やチップ毎さらには温度変化や印加電圧
レベル等によってばらつく書き込み時間に略対応する適
当なデータ書き込みを行なえるとともに、過剰書き込み
が生じることも極力防止することができ、ひいてはデー
タ書き込みスピードを効果的に向上させることができ
る。

【００５０】なお、ベリファイ回数Ｎを１にクリアする
タイミングは、上述した各状態だけでなく、例えば電子
スチルカメラの場合には１画面分のデジタルデータを書
き込んだ後クリアするようにしてもよい。

【００５１】次に、図３は、この発明の第２の実施例を
示している。すなわち、図３に点線で示すように各ペー
ジ毎にベリファイ回数が大きく異なっているとすると、
ページ番号ｎ（ｎ＝２，３，……）のページに対してデ
ータ書き込みを行なう場合、その前のページつまりペー
ジ番号ｎ−１のページへのデータ書き込みに要したベリ
ファイ回数Ｎの１／２を４０μｓに乗算し、その時間を
ｎページ目への書き込みの初回の電圧印加時間とするよ
うにしている。

【００５２】例えば図３で３ページ目へのデータ書き込
みは、同図に□印で示すように、その前の２ページ目へ
のデータ書き込みに要したベリファイ回数３０の１／２
の１５を４０μｓに乗算した６００μｓを、３ページ目
への書き込みの初回の電圧印加時間として与えて第１回
目のベリファイ動作を行ない、その後、ステップＳ１７
〜Ｓ２１の処理によりベリファイ回数を２，３，……と
順次増やすことにより、４６回目のベリファイでデータ
書き込みが終了したことを示している。そして、この実
施例のような書き込み動作によれば、種々の要因によっ
てばらつく書き込み時間に略対応する適当なデータ書き
込みを行なえるとともに、特に、過剰書き込みが生じる
ことが極めて少なくなるという利点がある。

【００５３】次に、図４は、この発明の第３の実施例を
示している。すなわち、図４に点線で示すように各ペー
ジ毎にベリファイ回数が大きく異なっており、ページ番
号ｎ（ｎ＝６，７，……）のページに対してデータ書き
込みを行なう場合、その前のページ番号ｎ−１からｎ−
５までの５つのページへのデータ書き込みに要したベリ
ファイ回数Ｎの平均値に定数０．７を乗算し、その時間
をｎページ目への書き込みの初回の電圧印加時間とする
ようにしている。

【００５４】例えば図４で６ページ目へのデータ書き込
みは、同図に□印で示すように、そ１〜５ページへのデ
ータ書き込みに要したベリファイ回数２０，３０，６
０，４０，１５の平均値に定数０．７を乗算して得られ
る２３回に、４０μｓを乗算した９２０μｓを、６ペー
ジ目への書き込みの初回の電圧印加時間として与えて第
１回目のベリファイ動作を行ない、その後、ステップＳ
１７〜Ｓ２１の処理によりベリファイ回数を２，３，…
…と順次増やすことにより、１２回目のベリファイでデ
ータ書き込みが終了したことを示している。

【００５５】この場合、定数は、過剰書き込みを避ける
意味で１よりも小さく設定するのが望ましいが、その具
体的な値はベリファイ回数のばらつきの状態や使用環境
等を考慮して適宜設定すればよい。また、過剰書き込み
を避けるためには、ベリファイ回数の平均値に定数を乗
算するだけでなく、平均値から定数を減算するようにし
てもよい。

【００５６】そして、この第３の実施例によっても、ペ
ージ毎やチップ毎さらには温度変化や印加電圧レベル等
によってばらつく書き込み時間に略対応する適当なデー
タ書き込みを行なえるとともに、過剰書き込みが生じる
ことも極力防止することができ、ひいてはデータ書き込
みスピードを効果的に向上させることができる。

【００５７】次に、図５は、この発明の第４の実施例を
示している。これは、電圧センサ１９によりメモリセル
への印加電圧を検知するとともに、温度センサ２０によ
りＥＥＰＲＯＭ１７の周囲温度を検知する。そして、各
センサ１９，２０の検知出力を温度電圧制御回路２１で
総合的に判定し、その判定結果に基づいて書き込み制御
回路２２で、先のステップＳ１６において判定基準とな
る許容値を変化させるようにしたものである。

【００５８】すなわち、従来では、同一ページに対して
ベリファイ回数が１００を越えたとき、そのページ領域
が不良であると一律に判断している。しかしながら、Ｅ
ＥＰＲＯＭ１７は、昇圧回路等を用いているため、周囲
温度や印加電圧に対しても書き込み時間にばらつきが生
じ、例えば周囲温度が高くなると書き込みがしやすくな
ることが知られている。

【００５９】このため、常に同じ条件で書き込みが行な
えるとは限らないので、周囲温度や印加電圧を検知し、
その検知結果によって不良であると判断するための許容
値を臨機応変に変化させ、例えばデータが書き込みにく
い条件のときには許容値を倍の２００程度に設定するこ
とで書き込みができるページ数を増やすことができ、Ｅ
ＥＰＲＯＭ１７自体の寿命を飛躍的に延ばすことができ
る。

【００６０】次に、図６は、この発明の第５の実施例を
示している。すなわち、前述したように、ＥＥＰＲＯＭ
１７に対するデータの書き込み時間は、ベリファイ回数
を減らすことで大幅に短縮することができる。また、Ｅ
ＥＰＲＯＭ１７のベリファイ回数のばらつきは、例えば
あるページだけ突発的に他のページに比してベリファイ
回数の多いものが現れる、つまりベリファイ回数の多い
ものは極端に多くなるという特性を持つのが通常であ
る。

【００６１】そこで、図６に示すように、ベリファイ回
数Ｎが１〜９回までは１回のデータ書き込み動作に要す
る電圧印加時間を４０μｓつまり増分１とし、ベリファ
イ回数Ｎが１０〜１９回までは１回のデータ書き込み動
作に要する電圧印加時間を４０μｓ×２つまり増分２と
し、ベリファイ回数Ｎが２０〜２９回までは１回のデー
タ書き込み動作に要する電圧印加時間を４０μｓ×４つ
まり増分４とし、ベリファイ回数Ｎが３０〜３９回まで
は１回のデータ書き込み動作に要する電圧印加時間を４
０μｓ×８つまり増分８とするように、ベリファイ回数
が多くなるにしたがって、電圧印加時間の増分を指数関
数的に増やすようにしている。

【００６２】このようにすれば、長い電圧印加時間を必
要とするページに対しても、ベリファイ回数は多くなら
ずに済むので、データの書き込み時間を大幅に短縮しデ
ータ書き込みスピードを向上させることができる。

【００６３】ここで、以上の説明では、ＥＥＰＲＯＭ１
７に対するデータ書き込みのための電圧印加時間は、４
０μｓを基準単位時間としてこの基準単位時間４０μｓ
を複数倍にしたりまたは繰り返して電圧印加時間の調整
を図るようにしたが、これに限らず、例えば前のページ
のデータ書き込みに要した電圧印加時間に基づいて、次
のページのデータ書き込みに要する基準単位時間を６０
μｓ，８０μｓのように変化させるようにすれば、ペー
ジ毎やチップ毎さらには温度変化や印加電圧レベル等に
よってばらつく書き込み時間に、よりきめ細かに対応し
た最適なデータ書き込みを行なうことができ、データ書
き込みスピードの向上を充分に図ることができる。

【００６４】なお、この発明は上記各実施例に限定され
るものではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で種
々変形して実施することができる。

【００６５】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
種々の要因による書き込み時間のばらつきを考慮した最
適なデータ書き込みを行なうことでデータ書き込みスピ
ードを効果的に向上させ、しかも過剰書き込みのような
不都合が生じることを極力防止し得る極めて良好なメモ
リのデータ書き込み装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を説明するために示すブロ
ック構成図。

【図２】同実施例の動作を説明するために示すフローチ
ャート。

【図３】この発明の第２の実施例を説明するために示す
図。

【図４】この発明の第３の実施例を説明するために示す
図。

【図５】この発明の第４の実施例を説明するために示す
ブロック構成図。

【図６】この発明の第５の実施例を説明するために示す
図。

【図７】従来のデータ書き込み処理動作を説明するため
に示すフローチャート。

【図８】同従来動作の問題点を説明するために示す図。

【符号の説明】１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…デー
タ入出力制御回路、１４…バッファメモリ、１５…アド
レス発生回路、１６…セレクタ、１７…ＥＥＰＲＯＭ、
１８…消去回路、１９…電圧センサ、２０…温度セン
サ、２１…温度電圧制御回路、２２…書き込み制御回
路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者丸山晃司神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者前川智之神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者佐藤聡明東京都港区新橋３丁目３番９号東芝エー・ブイ・イー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体メモリに対してデータ書き込み動
作を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデ
ータを読み出して元のデータと比較するベリファイを行
ない、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返
すことによりデータ書き込みを行なう記録手段と、この
記録手段による前記半導体メモリの第１の記憶領域に対
してのデータ書き込みに要したベリファイ回数に対応す
る書き込み時間を、該半導体メモリの第２の記憶領域に
対してのデータ書き込み時の初回のデータ書き込み時間
とする第１の制御手段と、前記半導体メモリのチップが
変わった状態，所定情報量のデータの書き込みが終了し
た状態及びベリファイ回数が許容値を越えた状態のいず
れかの条件で、前記ベリファイ回数を初期値に戻す第２
の制御手段とを具備してなることを特徴とするメモリの
データ書き込み装置。
【請求項２】半導体メモリに対してデータ書き込み動
作を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデ
ータを読み出して元のデータと比較するベリファイを行
ない、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返
すことによりデータ書き込みを行なう記録手段と、この
記録手段による前記半導体メモリの第１の記憶領域に対
してのデータ書き込みに要したベリファイ回数に対応す
る書き込み時間よりも短い時間を、該半導体メモリの第
２の記憶領域に対してのデータ書き込み時の初回のデー
タ書き込み時間とする制御手段とを具備してなることを
特徴とするメモリのデータ書き込み装置。
【請求項３】半導体メモリに対してデータ書き込み動
作を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデ
ータを読み出して元のデータと比較するベリファイを行
ない、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返
すことによりデータ書き込みを行なう記録手段と、この
記録手段による前記半導体メモリの複数の記憶領域に対
してのデータ書き込みにそれぞれ要した各ベリファイ回
数の平均値に対応する書き込み時間を、該半導体メモリ
の次の記憶領域に対してのデータ書き込み時の初回のデ
ータ書き込み時間とする制御手段とを具備してなること
を特徴とするメモリのデータ書き込み装置。
【請求項４】半導体メモリに対してデータ書き込み動
作を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデ
ータを読み出して元のデータと比較するベリファイを行
ない、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返
すことによりデータ書き込みを行なう記録手段と、この
記録手段による前記半導体メモリの所定の記憶領域に対
してのデータ書き込みに要したベリファイ回数が、予め
設定された許容値を越えた状態で該記憶領域を不良と判
断する判別手段と、この判別手段に設定される許容値を
周囲温度及び前記半導体メモリにデータ書き込むために
印加する電圧レベルのいずれかに基づいて可変する制御
手段とを具備してなることを特徴とするメモリのデータ
書き込み装置。
【請求項５】半導体メモリに対してデータ書き込み動
作を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデ
ータを読み出して元のデータと比較するベリファイを行
ない、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返
すことによりデータ書き込みを行なう記録手段と、この
記録手段による前記半導体メモリの所定の記憶領域に対
してのデータ書き込みに要したベリファイ回数が多くな
るに連れて、データ書き込み動作に要する前記単位時間
を所定倍する制御手段とを具備してなることを特徴とす
るメモリのデータ書き込み装置。
【請求項６】半導体メモリに対してデータ書き込み動
作を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデ
ータを読み出して元のデータと比較するベリファイを行
ない、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返
すことによりデータ書き込みを行なう記録手段と、この
記録手段による前記半導体メモリの第１の記憶領域に対
してのデータ書き込みに要したベリファイ回数に基づい
て、該半導体メモリの第２の記憶領域に対してのデータ
書き込み動作に要する前記単位時間を可変する制御手段
とを具備してなることを特徴とするメモリのデータ書き
込み装置。