JPH05314754A - メモリカード装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、外部環境による書き込み時間のば
らつきを考慮した最適なデータ書き込みを行なうことで
データ書き込みスピードを効果的に向上させ、しかも過
剰書き込みのような不都合が生じることを極力防止し得
るメモリカード装置を提供することを目的としている。 【構成】半導体メモリに対してデータ書き込み動作を予
め設定された単位時間実行した後、書き込んだデータを
読み出して元のデータと比較するベリファイを行ない、
不一致である場合再度データの書き込みを繰り返すこと
によりデータ書き込みを行なう半導体メモリを内蔵した
メモリカード装置において、メモリカード装置内に半導
体メモリに対するデータ書き込み時間を変動させる外部
環境要因を測定するセンサを設置し、該センサの出力に
基づいて半導体メモリへのデータ書き込みに要する定数
を制御するように構成している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えばＥＥＰＲＯＭ
（エレクトリカリィ・イレーサブル・アンド・プログラ
マブル・リード・オンリー・メモリ）等のように、デー
タ書き込み速度が周囲温度やメモリセルへの印加電圧レ
ベル等の外部環境によって変動する半導体メモリを内蔵
したメモリカード装置の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、ＥＥＰＲＯＭは、現在、
磁気ディスクに代わるデータ記録媒体として注目を浴び
ているもので、データ保持のためのバックアップ電池が
不要であるとともに、チップ自体のコストを安くするこ
とができる等、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・ア
クセス・メモリ）やＤ（ダイナミック）ＲＡＭの持たな
い特有な利点を有することから、特にメモリカード用と
して使用するための開発が盛んに行なわれている。

【０００３】そして、このメモリカードは、例えば撮影
した被写体の光学像を固体撮像素子を用いて電気的な画
像信号に変換し、この画像信号をデジタル画像データに
変換して半導体メモリに記録する電子スチルカメラ等に
使用して好適するもので、ＥＥＰＲＯＭをカード状のケ
ースに内蔵してなるメモリカードを、カメラ本体に着脱
自在となるように構成することによって、通常のカメラ
におけるフィルムと等価な取り扱いができるようにした
ものである。

【０００４】ここで、ＥＥＰＲＯＭは、複数の連続する
バイト（例えば５１２バイト等）でなるページを指定す
ることにより、ページ単位で一括してデータの書き込み
及び読み出しを行なうページモードを有しており、１ペ
ージ分の大量のデータを一斉に書き込み及び読み出しす
ることで、データの書き込みスピード及び読み出しスピ
ードを向上させることができるという利点を有する反
面、データの書き込み時に書き込みベリファイを必要と
するという問題を有している。

【０００５】すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、データ書き込
みを行なう場合、通常１回の書き込み動作では完全な書
き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰＲＯＭに対し
て、１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰＲＯＭの書
き込み内容を読み出し、正確に書き込まれているか否か
をチェックする必要があり、これが書き込みベリファイ
である。

【０００６】具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込むべき
１ページ分のデータをバッファメモリに記録しておき、
バッファメモリからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書
き込んだ後、ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、
バッファメモリの内容と比較して一致しているか否かを
判別している。そして、書き込みベリファイの結果、不
一致（エラー）と判定された場合には、再度バッファメ
モリの内容をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すよ
うにしている。このため、書き込みベリファイの回数が
多くなるほど、再書き込みの回数が多くなるので、デー
タ書き込みに時間を要しデータ書き込みスピードの劣化
を招くことになる。

【０００７】図４は、電子スチルカメラ用として開発さ
れた従来のメモリカードの構成を示している。すなわ
ち、図中符号１１はメモリカード本体で、その一端部に
設置されたコネクタ１２を介して、図示しない電子スチ
ルカメラ本体に接続されるようになされている。このコ
ネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側から、メモリ
カード本体１１に書き込むべきデータや、その書き込み
場所を示すアドレスデータ等が供給される。

【０００８】そして、このコネクタ１２に供給されたデ
ータは、バスライン１３を介してメモリコントロール回
路１４に取り込まれる。このメモリコントロール回路１
４は、バスライン１５を介して接続されたマイクロコン
ピュータ１６によって制御されるもので、データの高速
書き込み及び高速読み出しが可能な図示しないバッファ
メモリを内蔵しており、取り込んだデータを一旦バッフ
ァメモリに記録する。その後、メモリコントロール回路
１４は、バッファメモリに記録したデータを、バスライ
ン１７を介してＥＥＰＲＯＭ１８の書き込みサイクルに
対応したタイミングで出力し、ＥＥＰＲＯＭ１８に記録
する。

【０００９】この場合、メモリコントロール回路１４
は、ＥＥＰＲＯＭ１８に例えばページ単位でデータが書
き込まれる毎に、ＥＥＰＲＯＭ１８から書き込んだペー
ジ単位のデータを読み出し、バッファメモリに記録され
ているデータと一致しているか否かを判別する書き込み
ベリファイを実行する。そして、メモリコントロール回
路１４は、ＥＥＰＲＯＭ１８から読み出したデータと、
バッファメモリに記録されたデータとが一致していない
場合、再度、バッファメモリからＥＥＰＲＯＭ１８にデ
ータを転送して書き込みを行なわせ、この動作が所定回
数繰り返される間に、ＥＥＰＲＯＭ１８から読み出した
データとバッファメモリに記録されたデータとが完全に
一致したとき、データの書き込みが完了される。

【００１０】次に、ＥＥＰＲＯＭ１８から、データをメ
モリカード本体１１の外部に読み出す場合には、電子ス
チルカメラ本体側からコネクタ１２を介して読み出すべ
きデータを指定するアドレスがメモリコントロール回路
１４に供給される。すると、メモリコントロール回路１
４は、入力されたアドレスに基づいてＥＥＰＲＯＭ１８
からデータを読み出し、一旦バッファメモリに記録す
る。その後、メモリコントロール回路１４は、バッファ
メモリに記録したデータを読み出しコネクタ１２を介し
て外部に導出し、ここにデータの読み出しが行なわれ
る。

【００１１】ここで、図５は、ＥＥＰＲＯＭ１８にペー
ジ単位でデータ書き込みを行なう場合の、従来のデータ
書き込み処理動作の詳細なフローチャートを示してい
る。まず、開始（ステップＳ１）されると、マイクロコ
ンピュータ１６によって制御されるメモリコントロール
回路１４は、ステップＳ２で、ベリファイ回数Ｎを１に
設定するとともに、ページ番号を０に設定して、そのＥ
ＥＰＲＯＭ１８の１ページ目から書き込みを開始するよ
うに制御する。

【００１２】そして、メモリコントロール回路１４は、
ステップＳ３で、ページ内アドレスを０に設定する。す
なわち、前述したように１ページが５１２バイトで構成
されるとすると、その１バイト目のアドレスを設定す
る。その後、メモリコントロール回路１４は、ステップ
Ｓ４で、データ書き込みを行なうための書き込み命令を
ＥＥＰＲＯＭ１８に設定し、ステップＳ５で、１ページ
分のアドレス及びデータをＥＥＰＲＯＭ１８に転送し、
データの書き込みを実行させる。

【００１３】ここで、ＥＥＰＲＯＭ１８は、トランジス
タのゲートに２０Ｖ以上の高電圧を印加し、チャネル内
の電子を移動させてトンネル現象を起こさせることによ
り、メモリセルへのデータの書き込みを行なっている。
このため、メモリコントロール回路１４は、データの書
き込みを実行させてから、ステップＳ６で、トンネル現
象が起こるのを待つために、予め設定された基準単位時
間である４０μｓ（プログラム時間）をベリファイ回数
Ｎ倍した電圧印加時間待った後、ステップＳ７で、ベリ
ファイ動作に移るための命令をＥＥＰＲＯＭ１８に設定
する。

【００１４】すると、メモリコントロール回路１４は、
ステップＳ８で、ＥＥＰＲＯＭ１８から書き込んだデー
タを読み出し、ステップＳ９で、読み出したデータが書
き込んだデータに一致しているか否かを判別するベリフ
ァイを実行する。そして、ベリファイの結果、一致して
いると判定されれば（ＯＫ）、メモリコントロール回路
１４は、ステップＳ１０で、ページ内アドレスが５１１
か否か、つまり１ページの最終バイトか否かを判別し、
最終バイトでなければ（ＮＯ）、ステップＳ１１で、ペ
ージ内アドレスを＋１してステップＳ８の処理に戻され
る。

【００１５】また、最終バイトであれば（ＹＥＳ）、メ
モリコントロール回路１４は、ステップＳ１２で、最終
ページであるか否かを判別し、最終ページでなければ
（ＮＯ）、ステップＳ１３で、ページ番号を＋１してス
テップＳ３の処理に戻される。さらに、最終ページであ
れば（ＹＥＳ）、メモリコントロール回路１４は、ステ
ップＳ１４で、リセット命令をＥＥＰＲＯＭ１８に設定
し、ここに、ＥＥＰＲＯＭ１８に対するページ単位での
データ書き込み動作が終了（ステップＳ１５）される。

【００１６】一方、ステップＳ９で一致していないと判
定されると（ＮＧ）、メモリコントロール回路１４は、
ステップＳ１６で、ベリファイ回数Ｎが１００を越えた
か否かを判別し、１００以下であれば（ＮＯ）、ステッ
プＳ１７で、ベリファイ回数Ｎを＋１し、ステップＳ１
８で、ページ内アドレスを０に設定し、ステップＳ１９
で、書き込み命令をＥＥＰＲＯＭ１８に設定し、ステッ
プＳ２０で、１ページ分のアドレス及びデータをＥＥＰ
ＲＯＭ１８に転送し、再度、データの書き込みを実行さ
せた後、ステップＳ２１で、４０μｓの電圧印加時間待
った後、ステップＳ７の処理に戻される。

【００１７】また、ステップＳ１６で、１００を越えた
（ＹＥＳ）と判定されると、メモリコントロール回路１
４は、ステップＳ２２で、リセット命令をＥＥＰＲＯＭ
１８に設定しそのページ領域を不良と判定して終了（ス
テップＳ２３）される。

【００１８】ところで、ＥＥＰＲＯＭ１８のそれぞれの
メモリセルに対するデータ書き込み時間は、チャネル内
の電子の移動速度つまりトンネル現象が起こるまでの電
圧印加時間によって左右される。すなわち、短時間の電
圧印加でトンネル現象が発生するメモリセルは、ベリフ
ァイ回数が少なくて済み、長時間電圧印加しないとトン
ネル現象が発生しないメモリセルは、必然的にベリファ
イ回数が多くなりデータ書き込みスピードが遅くなる。

【００１９】そして、各メモリセルがデータの書き込み
に必要とするベリファイ回数は、同一チップ内でも大幅
なばらつきがあり、このために、ページ単位でのデータ
書き込みに際しても、ページ毎にベリファイ回数にばら
つきが生じ、ベリファイ回数が少なく短時間でデータ書
き込みが終了するページと、ベリファイ回数が多く長時
間を要しなければデータが書き込めないページとが存在
することになる。例えば図６に点線で示すように、各ペ
ージ毎にベリファイ回数が大きく異なることになる。

【００２０】このため、上記のようにベリファイ回数に
大幅なばらつきのある各ページにデータを書き込んでい
く場合、各ページ毎にそれぞれベリファイを１回から始
めて書き込み終了するまでの動作を繰り返すのでは、前
述したように、ベリファイ回数が多くなりデータ書き込
みスピードの劣化を招くことになる。

【００２１】そこで、図５に示した従来の書き込み処理
動作では、ページ番号ｎ（ｎ＝２，３，……）のページ
に対してデータ書き込みを行なう場合、その前のページ
つまりページ番号ｎ−１のページへのデータ書き込みに
要したベリファイ回数Ｎを、ステップＳ６で４０μｓに
乗算しその時間を、ｎページへの書き込みの初回の電圧
印加時間とするようにしている。

【００２２】例えば図６で３ページ目へのデータ書き込
みは、同図に実線で示すように、その前の２ページ目へ
のデータ書き込みに要したベリファイ回数３０を４０μ
ｓに乗算した１２００μｓを、３ページ目への書き込み
の初回の電圧印加時間として与えて第１回目のベリファ
イ動作を行ない、その後、ステップＳ１７〜Ｓ２１の処
理によりベリファイ回数を２，３，……と順次増やすこ
とにより、３１回目のベリファイでデータ書き込みが終
了したことを示している。そして、このような書き込み
動作によれば、ベリファイ回数を削減し短時間で正確な
データ書き込みを行なうことができる。

【００２３】ところで、上記のようなＥＥＰＲＯＭ１８
に対する従来のデータ書き込み処理動作では、前ページ
の書き込みに要したベリファイ回数に対応した電圧印加
時間を、次のページのデータ書き込み時の初回の電圧印
加時間として設定するので、例えば図６で４ページ目へ
のデータ書き込みは、本来ベリファイ回数が４０回で済
むところを６０回分に相当する時間電圧印加することに
なるため、いわゆる過剰書き込みとなる。

【００２４】この場合、ＥＥＰＲＯＭ１８へのデータ書
き込みは、前述したように電子の移動によるトンネル現
象を利用しているので、電圧印加時間が必要以上に長く
なると、電子の移動が極端になりメモリセルのしきい値
が変化し読み出しができなくなる現象が発生する。この
ため、極端な過剰書き込みは、避ける必要があるにもか
かわらず、上述した従来の書き込み処理動作では、過剰
書き込みを防止することはできないことになる。

【００２５】また、ＥＥＰＲＯＭ１８に対してデータを
書き込む場合のベリファイ回数、つまり書き込みが終了
するまでに要する時間は、周囲温度の変化や電池使用の
場合メモリセルへの印加電圧レベルが変動する等、外部
環境によって大きなばらつきが生じる。例えばＥＥＰＲ
ＯＭ１８では、図７から明らかなように、外部温度が低
下したり印加電圧レベルが低くなるにつれて電圧印加時
間を長く必要とし、ベリファイ回数が増えるようにな
る。

【００２６】しかしながら、上述した従来のデータ書き
込み処理動作では、外部環境の変化によるベリファイ回
数の変動に何ら適応処置が施されておらず、外部環境に
よってばらつくデータ書き込み時間に最適に対応した、
効率的なデータ書き込みが行なわれていないという問題
が生じている。すなわち、図５に示した従来のデータ書
き込み処理動作では、データを書き込むときに動作範囲
内のある値に設定されたベリファイ回数の上限により書
き込みを実行し、ベリファイ回数が規定値を越えた場合
に一律に書き込み不良と判断するため、外部温度が低い
と常温では書き込めるはずのデータが書き込めなくな
り、外部温度が高いと常温でも書き込み不良となる領域
に対してベリファイが余計に行なわれるため、無駄なア
クセス時間を要するといった不都合が発生する。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、半導体
メモリとしてＥＥＰＲＯＭを用いた従来のメモリカード
では、周囲温度の変化や印加電圧レベルの変動等の外部
環境によってばらつく書き込み時間を考慮した最適なデ
ータ書き込みを行なうことができず、データ書き込みス
ピードの向上を充分に図り得ないとともに、過剰書き込
みのような不所望な事態をも招くという問題を有してい
る。

【００２８】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、外部環境による書き込み時間のばらつき
を考慮した最適なデータ書き込みを行なうことでデータ
書き込みスピードを効果的に向上させ、しかも過剰書き
込みのような不都合が生じることを極力防止し得る極め
て良好なメモリカード装置を提供することを目的とす
る。

【００２９】

【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、半導体メモリに対してデータ書き込み動作
を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデー
タを読み出して元のデータと比較するベリファイを行な
い、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返す
ことによりデータ書き込みを行なう半導体メモリを内蔵
したものを対象としている。そして、メモリカード装置
内に半導体メモリに対するデータ書き込み時間を変動さ
せる外部環境要因を測定するセンサを設置し、該センサ
の出力に基づいて半導体メモリへのデータ書き込みに要
する定数を制御するように構成したものである。

【００３０】

【作用】上記のような構成によれば、メモリカード装置
内に半導体メモリに対するデータ書き込み時間を変動さ
せる外部環境要因を測定するセンサを設置し、該センサ
の出力に基づいて半導体メモリへのデータ書き込みに要
する定数を制御するようにしたので、過剰書き込みのよ
うな不都合が生じることなく、外部環境による書き込み
時間のばらつきを考慮した最適なデータ書き込みを行な
うことができ、ひいてはデータ書き込みスピードを効果
的に向上させることができる。

【００３１】

【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して詳細に説明する。図１において、図４と同一部分
には同一符号を付して示している。すなわち、メモリカ
ード本体１１内には、周囲温度を検知する温度センサ１
９が設置され、その温度検知出力がマイクロコンピュー
タ１６に取り込まれるようになっている。マイクロコン
ピュータ１６では、温度センサ１９から得られる周囲温
度情報に基づいて、ベリファイ回数の上限を示す規定値
や、１回のデータ書き込みに要する基準単位時間及び消
去時間等の各種定数を選択設定して、メモリコントロー
ル回路１４に送出する。そして、メモリコントロール回
路１４は、マイクロコンピュータ１６で選択設定された
各種定数に基づいてＥＥＰＲＯＭ１８へのデータの書き
込み動作を制御する。

【００３２】すなわち、マイクロコンピュータ１６は、
動作範囲内において、外部温度が低い場合には、ベリフ
ァイ回数の上限を示す規定値を大きく、基準単位時間を
長く設定し、外部温度が高い場合には、ベリファイ回数
の上限を示す規定値を小さく、基準単位時間を短く設定
して、メモリコントロール回路１４がこの設定に対応し
たデータの書き込み動作を行なうことにより、周囲温度
の変化による書き込み不良の誤判断や、無駄なアクセス
時間の発生を防止し、周囲温度による書き込み時間のば
らつきに追随した最適なデータ書き込みを行なうことが
でき、ひいてはデータ書き込みスピードを効果的に向上
させることができる。

【００３３】また、図２は、この発明の第２の実施例を
示している。すなわち、メモリカード本体１１内には、
ＥＥＰＲＯＭ１８のメモリセルへの印加電圧レベルを検
知する電圧センサ２０が設置され、その電圧検知出力が
マイクロコンピュータ１６に取り込まれるようになって
いる。マイクロコンピュータ１６では、電圧センサ２０
から得られる電圧レベルに基づいて、ベリファイ回数の
上限を示す規定値や、１回のデータ書き込みに要する基
準単位時間及び消去時間等の各種定数を選択設定して、
メモリコントロール回路１４に送出する。そして、メモ
リコントロール回路１４は、マイクロコンピュータ１６
で選択設定された各種定数に基づいてＥＥＰＲＯＭ１８
へのデータの書き込み動作を制御する。

【００３４】すなわち、マイクロコンピュータ１６は、
動作範囲内において、電圧レベルが高い場合には、ベリ
ファイ回数の上限を示す規定値を小さくし、電圧レベル
が低い場合には、ベリファイ回数の上限を示す規定値を
大きく設定して、メモリコントロール回路１４がこの設
定に対応したデータの書き込み動作を行なうことによ
り、ＥＥＰＲＯＭ１８のメモリセルへの印加電圧レベル
の変動による書き込み時間のばらつきに追随した最適な
データ書き込みを行なうことができ、データ書き込みス
ピードを効果的に向上させることができる。

【００３５】さらに、図３は、この発明の第３の実施例
を示している。まず、この第３の実施例で前提となるメ
モリカードについて簡単に説明する。すなわち、このメ
モリカードは、ＥＥＰＲＯＭ１８内に、データを記録す
る領域とは別個に、例えばデータ記録領域の各ページ毎
のデータの書き込みに要したベリファイ回数が、各ペー
ジ毎にそれぞれ対応するように記録されるベリファイ回
数記録領域が設けられている。このベリファイ回数記録
領域に記録された各ページ毎のベリファイ回数は、例え
ばＥＥＰＲＯＭ１８の工場出荷時に行なわれるメモリフ
ァンクション試験のときに測定したベリファイ回数が記
録されている。

【００３６】そして、このＥＥＰＲＯＭ１８へのデータ
の記録時に、ベリファイ回数記録領域からデータを書き
込むべきページのベリファイ回数を読み出し、その読み
出したベリファイ回数に対応した電圧印加時間を、その
ページにデータを書き込む場合の初回の電圧印加時間と
して、結果的にベリファイ回数を削減しデータ書き込み
スピードを向上させるようにしている。

【００３７】このようなメモリカードの場合、ＥＥＰＲ
ＯＭ１８のベリファイ回数記録領域に記録されている各
ページのベリファイ回数は、工場出荷時に行なわれるメ
モリファンクション試験のときに測定した値、つまり常
温（２５℃）で標準電圧（５Ｖ）を印加した場合の値で
あるから、その値は、当然のことながら、実際の使用環
境下におけるベリファイ回数とは異なることになる。

【００３８】そこで、この第３の実施例では、メモリコ
ントロール回路１４内に温度センサ１９と電圧センサ２
０とを内蔵させ、各センサ１９，２０の検知出力に基づ
いて、ＥＥＰＲＯＭ１８のベリファイ回数記録領域から
読み出されたベリファイ回数を補正して、その補正され
たベリファイ回数に対応した電圧印加時間を、そのペー
ジにデータを書き込む場合の初回の電圧印加時間とする
ようにしている。なお、この発明は上記各実施例に限定
されるものではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲
で種々変形して実施することができる。

【００３９】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
外部環境による書き込み時間のばらつきを考慮した最適
なデータ書き込みを行なうことでデータ書き込みスピー
ドを効果的に向上させ、しかも過剰書き込みのような不
都合が生じることを極力防止し得る極めて良好なメモリ
カード装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すブロック構成図。

【図２】この発明の第２の実施例を示すブロック構成
図。

【図３】この発明の第３の実施例を示すブロック構成
図。

【図４】従来のメモリカードを示すブロック構成図。

【図５】従来のデータ書き込み処理動作を説明するため
に示すフローチャート。

【図６】同従来のデータ書き込み処理動作を具体的に説
明するために示す図。

【図７】外部環境によるベリファイ回数のばらつきを説
明するために示す図。

【符号の説明】

１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…バス
ライン、１４…メモリコントロール回路、１５…バスラ
イン、１６…マイクロコンピュータ、１７…バスライ
ン、１８…ＥＥＰＲＯＭ、１９…温度センサ、２０…電
圧センサ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小西 和夫 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 丸山 晃司 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 佐藤 聡明 東京都港区新橋３丁目３番９号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体メモリに対してデータ書き込み動
   作を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデ
   ータを読み出して元のデータと比較するベリファイを行
   ない、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返
   すことによりデータ書き込みを行なう半導体メモリを内
   蔵したメモリカード装置において、前記メモリカード装
   置内に前記半導体メモリに対するデータ書き込み時間を
   変動させる外部環境要因を測定するセンサを設置し、該
   センサの出力に基づいて前記半導体メモリへのデータ書
   き込みに要する定数を制御するように構成してなること
   を特徴とするメモリカード装置。
2. 【請求項２】 前記センサは、周囲温度を測定する温度
   センサであることを特徴とする請求項１記載のメモリカ
   ード装置。
3. 【請求項３】 前記センサは、前記半導体メモリにデー
   タを書き込むために印加する電圧レベルを測定する電圧
   センサであることを特徴とする請求項１記載のメモリカ
   ード装置。