JPH11203892A - 半導体不揮発性記憶装置 - Google Patents
半導体不揮発性記憶装置Info
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- JPH11203892A JPH11203892A JP159898A JP159898A JPH11203892A JP H11203892 A JPH11203892 A JP H11203892A JP 159898 A JP159898 A JP 159898A JP 159898 A JP159898 A JP 159898A JP H11203892 A JPH11203892 A JP H11203892A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誤り訂正回路を使用した半導体不揮発性記憶
装置であって、パリィティエンコーダ部で処理できるビ
ット数を増やすことなく信頼性の向上を図り得る半導体
不揮発性記憶装置を提供する。 【解決手段】 電気的に読み出しと書き込みが可能な記
憶手段(8)と、前記記憶手段からデータを読み出し
て、読み出したデータの誤りの検出とその訂正を行う誤
り訂正手段(1),(2),(3)と、前記誤り訂正手
段により検出された誤りに係る不良ビットが、0または
1のいずれに誤ったかを識別する誤り識別手段(13)
と、誤り識別手段(13)の識別結果に応じて、前記不
良ビットに正しい値を上書きあるいは前記不良ビットを
含む複数のビットの値を消去した後に正しい値を書き込
むかを選択的に行う書き込み制御手段(14)を備えた
ものである。
装置であって、パリィティエンコーダ部で処理できるビ
ット数を増やすことなく信頼性の向上を図り得る半導体
不揮発性記憶装置を提供する。 【解決手段】 電気的に読み出しと書き込みが可能な記
憶手段(8)と、前記記憶手段からデータを読み出し
て、読み出したデータの誤りの検出とその訂正を行う誤
り訂正手段(1),(2),(3)と、前記誤り訂正手
段により検出された誤りに係る不良ビットが、0または
1のいずれに誤ったかを識別する誤り識別手段(13)
と、誤り識別手段(13)の識別結果に応じて、前記不
良ビットに正しい値を上書きあるいは前記不良ビットを
含む複数のビットの値を消去した後に正しい値を書き込
むかを選択的に行う書き込み制御手段(14)を備えた
ものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は誤り訂正回路を含む
半導体不揮発性記憶装置に関する。
半導体不揮発性記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】以下図面を参照しながら従来の半導体不
揮発性記憶装置について説明する。図2は従来の半導体
不揮発性記憶装置の構成を示すブロック図であり、図に
おいて、あるデータをフラッシュメモリで構成されるメ
モリ部8に入力する場合、まずデータはデータバス5を
介してパリィティエンコーダ部1に入力される。データ
を受け取ったパリィティエンコーダ部1は入力されたデ
ータをもとにしてデータの誤りを検出するための信号
(以下パリィティデータという)を生成し、このパリィ
ティデータはパリィティバス6を介してメモリ部8のパ
リィティ領域へ、データは内部データバス7を介してメ
モリ部8のデータ領域へそれぞれ同じアドレスで対にな
った状態で格納される。
揮発性記憶装置について説明する。図2は従来の半導体
不揮発性記憶装置の構成を示すブロック図であり、図に
おいて、あるデータをフラッシュメモリで構成されるメ
モリ部8に入力する場合、まずデータはデータバス5を
介してパリィティエンコーダ部1に入力される。データ
を受け取ったパリィティエンコーダ部1は入力されたデ
ータをもとにしてデータの誤りを検出するための信号
(以下パリィティデータという)を生成し、このパリィ
ティデータはパリィティバス6を介してメモリ部8のパ
リィティ領域へ、データは内部データバス7を介してメ
モリ部8のデータ領域へそれぞれ同じアドレスで対にな
った状態で格納される。
【0003】データをメモリ部8からデータバス5に出
力する場合、出力しようとするデータと対になっている
パリィティデータはパリィティバス6を介してコンペア
部2に入力される。出力されるデータは内部データバス
7を介してパリィティエンコーダ部1に入力される。パ
リィティエンコーダ部1は入力されたデータをもとにパ
リィティデータを生成し、生成されたパリィティデータ
はバス9を介してコンペア部2に入力される。パリィテ
ィバス6を介して入力されたパリィティデータとバス9
を介して入力されたパリィティデータはコンペア部2に
よって比較され、データの良否判定が行われる。ここ
で、メモリ部8に格納されていたデータ内のあるビット
の値が何らかの影響で不良ビットに変化していたら、パ
リィティバス6を介して入力されたパリィティデータと
バス9を介して入力されたパリィティデータは異なった
数値を持つことになり、エラー情報として比較結果情報
に反映される。エラー情報を含んだ比較結果情報はバス
10を介してパリィティデコーダ部3に入力される。パ
リィティデコーダ部3は入力された比較結果情報のエラ
ー情報をもとにメモリ部8より出力されたデータの何ビ
ット目が不良ビットかを検知し、不良ビット情報として
出力する。出力された不良ビット情報はバス11を介し
てリペア部4に入力される。リペア部4はメモリ部8よ
り出力され内部データバス7を介して入力されたデータ
を保持しており、ここで不良ビット情報の示したデータ
内の不良ビット箇所の値を反転する。不良ビット箇所の
値を反転することで、正しい値に置き換えられたデータ
はデータバス5に出力される。
力する場合、出力しようとするデータと対になっている
パリィティデータはパリィティバス6を介してコンペア
部2に入力される。出力されるデータは内部データバス
7を介してパリィティエンコーダ部1に入力される。パ
リィティエンコーダ部1は入力されたデータをもとにパ
リィティデータを生成し、生成されたパリィティデータ
はバス9を介してコンペア部2に入力される。パリィテ
ィバス6を介して入力されたパリィティデータとバス9
を介して入力されたパリィティデータはコンペア部2に
よって比較され、データの良否判定が行われる。ここ
で、メモリ部8に格納されていたデータ内のあるビット
の値が何らかの影響で不良ビットに変化していたら、パ
リィティバス6を介して入力されたパリィティデータと
バス9を介して入力されたパリィティデータは異なった
数値を持つことになり、エラー情報として比較結果情報
に反映される。エラー情報を含んだ比較結果情報はバス
10を介してパリィティデコーダ部3に入力される。パ
リィティデコーダ部3は入力された比較結果情報のエラ
ー情報をもとにメモリ部8より出力されたデータの何ビ
ット目が不良ビットかを検知し、不良ビット情報として
出力する。出力された不良ビット情報はバス11を介し
てリペア部4に入力される。リペア部4はメモリ部8よ
り出力され内部データバス7を介して入力されたデータ
を保持しており、ここで不良ビット情報の示したデータ
内の不良ビット箇所の値を反転する。不良ビット箇所の
値を反転することで、正しい値に置き換えられたデータ
はデータバス5に出力される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な構成では、パリィティエンコーダ部で処理できるビッ
ト数に応じて不良ビット数の検知、修正ができるが、ビ
ットの誤り発生率は時間と共に増大し、パリィティエン
コーダ部で処理できるビット数内に限られた不良ビット
数を超える不良ビットが発生したところで、半導体不揮
発性記憶装置の寿命が決まってしまい、また、このパリ
ィティエンコーダ部で処理できるビット数を増やすと寿
命を延ばすことはできるが、回路規模が大幅に増えるば
かりで、時間経過によりビット誤り発生率が増大すると
いう本質は同じであるという問題点を有していた。
な構成では、パリィティエンコーダ部で処理できるビッ
ト数に応じて不良ビット数の検知、修正ができるが、ビ
ットの誤り発生率は時間と共に増大し、パリィティエン
コーダ部で処理できるビット数内に限られた不良ビット
数を超える不良ビットが発生したところで、半導体不揮
発性記憶装置の寿命が決まってしまい、また、このパリ
ィティエンコーダ部で処理できるビット数を増やすと寿
命を延ばすことはできるが、回路規模が大幅に増えるば
かりで、時間経過によりビット誤り発生率が増大すると
いう本質は同じであるという問題点を有していた。
【0005】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
のであり、誤り訂正回路を使用した半導体不揮発性記憶
装置であって、パリィティエンコーダ部で処理できるビ
ット数を増やすことなく信頼性の向上を図り得る半導体
不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。
のであり、誤り訂正回路を使用した半導体不揮発性記憶
装置であって、パリィティエンコーダ部で処理できるビ
ット数を増やすことなく信頼性の向上を図り得る半導体
不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体不揮発性
記憶装置は電気的に読み出しと書き込みが可能な記憶手
段と、前記記憶手段からデータを読み出して、読み出し
たデータの誤りの検出とその訂正を行う誤り訂正手段
と、前記誤り訂正手段により検出された誤りに係る不良
ビットが、0または1のいずれに誤ったかを識別する誤
り識別手段と、前記誤り識別手段の識別結果に応じて前
記不良ビットに正しい値を上書きあるいは前記不良ビッ
トを含む複数のビットの値を消去した後に正しい値を書
き込むかを選択的に行う書き込み制御手段を備えたもの
である。
記憶装置は電気的に読み出しと書き込みが可能な記憶手
段と、前記記憶手段からデータを読み出して、読み出し
たデータの誤りの検出とその訂正を行う誤り訂正手段
と、前記誤り訂正手段により検出された誤りに係る不良
ビットが、0または1のいずれに誤ったかを識別する誤
り識別手段と、前記誤り識別手段の識別結果に応じて前
記不良ビットに正しい値を上書きあるいは前記不良ビッ
トを含む複数のビットの値を消去した後に正しい値を書
き込むかを選択的に行う書き込み制御手段を備えたもの
である。
【0007】この発明によれば、パリィティエンコーダ
部で処理できるビット数を増やすことなく誤り訂正の信
頼性向上を図ることが可能となり、誤り訂正回路を含む
半導体不揮発性記憶装置としての信頼性が向上する。
部で処理できるビット数を増やすことなく誤り訂正の信
頼性向上を図ることが可能となり、誤り訂正回路を含む
半導体不揮発性記憶装置としての信頼性が向上する。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。なお、前記従来の
ものと同一部分については同一符号を用いるものとす
る。図1は本発明の半導体不揮発性記憶装置の一実施の
形態における構成を示すブロック図であリ、図中、1は
パリィティを生成するパリィティエンコーダ部、2はパ
リィティエンコーダ部1で生成されたパリィティと後述
のパリィティバス6からのパリィティを比較しエラー情
報を出力するコンペア部、3はコンペア部2より出力さ
れたエラー情報をもとに不良ビット情報を出力するパリ
ィティデコーダ部、4はパリィティデコーダ部3より出
力された不良ビット情報をもとにデータの修正を行うリ
ペア部、5はデータバス、6はパリィティバス、7は内
部データバス、8はデータとパリィティを格納するメモ
リ部、12はリペア部4で修正されたデータを一時格納
するデータレジスタ、13は不良状態を判定する不良状
態検出部、14は不良状態検出部13で判定された結果
により救済する手段を決定する救済処理部、20はメモ
リ部8の値を一時格納する冗長ブロック領域である。
いて、図面を参照しながら説明する。なお、前記従来の
ものと同一部分については同一符号を用いるものとす
る。図1は本発明の半導体不揮発性記憶装置の一実施の
形態における構成を示すブロック図であリ、図中、1は
パリィティを生成するパリィティエンコーダ部、2はパ
リィティエンコーダ部1で生成されたパリィティと後述
のパリィティバス6からのパリィティを比較しエラー情
報を出力するコンペア部、3はコンペア部2より出力さ
れたエラー情報をもとに不良ビット情報を出力するパリ
ィティデコーダ部、4はパリィティデコーダ部3より出
力された不良ビット情報をもとにデータの修正を行うリ
ペア部、5はデータバス、6はパリィティバス、7は内
部データバス、8はデータとパリィティを格納するメモ
リ部、12はリペア部4で修正されたデータを一時格納
するデータレジスタ、13は不良状態を判定する不良状
態検出部、14は不良状態検出部13で判定された結果
により救済する手段を決定する救済処理部、20はメモ
リ部8の値を一時格納する冗長ブロック領域である。
【0009】以下、その動作について説明する。まず、
あるデータをフラッシュメモリで構成されるメモリ部8
に入力する場合、そのデータはデータバス5を介してパ
リィティエンコーダ部1に入力され、データを受け取っ
たパリィティエンコーダ部1は入力されたデータをもと
にしてデータの誤りを検出するための信号(以下パリィ
ティデータという)を生成する。パリィティエンコーダ
部1で生成されたパリィティデータはパリィティバス6
を介してメモリ部8のパリィティ領域へ、データは内部
データバス7を介してメモリ部8のデータ領域へそれぞ
れ同じアドレスで対になった状態で格納される。なお、
図面が複雑となるため、このバス配線は図面上省略して
あり、また、後述のバス配線についても明らかなものは
省略してある。
あるデータをフラッシュメモリで構成されるメモリ部8
に入力する場合、そのデータはデータバス5を介してパ
リィティエンコーダ部1に入力され、データを受け取っ
たパリィティエンコーダ部1は入力されたデータをもと
にしてデータの誤りを検出するための信号(以下パリィ
ティデータという)を生成する。パリィティエンコーダ
部1で生成されたパリィティデータはパリィティバス6
を介してメモリ部8のパリィティ領域へ、データは内部
データバス7を介してメモリ部8のデータ領域へそれぞ
れ同じアドレスで対になった状態で格納される。なお、
図面が複雑となるため、このバス配線は図面上省略して
あり、また、後述のバス配線についても明らかなものは
省略してある。
【0010】データをメモリ部8からデータバス5に出
力する場合、出力しようとするデータと対になっている
パリィティデータはパリィティバス6を介してコンペア
部2に入力され、出力されるデータは内部データバス7
を介してパリィティエンコーダ部1に入力される。パリ
ィティエンコーダ部1は入力されたデータをもとにパリ
ィティデータを生成し、生成されたパリィティデータは
バス9を介してコンペア部2に入力される。パリィティ
バス6を介して入力されたパリィティデータとバス9を
介して入力されたパリィティデータはコンペア部2によ
ってを比較され、データの良否判定が行われる。ここ
で、メモリ部8に格納されていたデータ内のあるビット
の値が何らかの影響で不良ビットに変化していたら、パ
リィティバス6を介して入力されたパリィティデータと
バス9を介して入力されたパリィティデータは異なった
数値を持つことになり、エラー情報として比較結果情報
に反映される。エラー情報を含んだ比較結果情報はバス
10を介してパリィティデコーダ部3に入力され、パリ
ィティデコーダ部3は入力された比較結果情報のエラー
情報をもとにメモリ部8より出力されたデータの何ビッ
ト目が不良ビットかを検知し、不良ビット情報として出
力する。出力された不良ビット情報はバス11を介して
リペア部4に入力され、リペア部4はメモリ部8より出
力されて内部データバス7を介して入力されたデータを
保持し、不良ビット情報の示したデータ内の不良ビット
箇所の値を反転する。不良ビット箇所の値を反転するこ
とで、正しい値に書き換えられたデータはデータバス5
に出力される。また、この時リペア部4で生成され、正
しい値に書き換えられたデータはバス15を介してデー
タレジスタ12に入力されてその値に保持される。不良
状態検出部13はパリィティデコーダ部3から出力され
バス17を介して入力された不良ビット情報をもとにバ
ス16から入力したデータレジスタ12の値の不良ビッ
トの値が0か1かを確認することで、浮遊ゲートに保持
された電荷が抜けることで発生した不良ビットか、電荷
が保持されていない浮遊ゲートに電荷が注入されて発生
した不良ビットかを識別する。識別結果情報はバス18
を介して救済処理部14に入力される。識別結果情報に
より、不良ビットの不良状態が、浮遊ゲートに保持され
た電荷が抜けることで発生した不良ビットの場合、救済
処理部14はデータレジスタ12の値をそのまま内部デ
ータバス7を介してメモリ部8に直接書き込む。書き込
みは電荷を注入されることで実現される。識別結果情報
により不良ビットの不良状態が電荷が保持されていない
浮遊ゲートに電荷が注入され発生した不良ビットの場合
は以下のように動作する。
力する場合、出力しようとするデータと対になっている
パリィティデータはパリィティバス6を介してコンペア
部2に入力され、出力されるデータは内部データバス7
を介してパリィティエンコーダ部1に入力される。パリ
ィティエンコーダ部1は入力されたデータをもとにパリ
ィティデータを生成し、生成されたパリィティデータは
バス9を介してコンペア部2に入力される。パリィティ
バス6を介して入力されたパリィティデータとバス9を
介して入力されたパリィティデータはコンペア部2によ
ってを比較され、データの良否判定が行われる。ここ
で、メモリ部8に格納されていたデータ内のあるビット
の値が何らかの影響で不良ビットに変化していたら、パ
リィティバス6を介して入力されたパリィティデータと
バス9を介して入力されたパリィティデータは異なった
数値を持つことになり、エラー情報として比較結果情報
に反映される。エラー情報を含んだ比較結果情報はバス
10を介してパリィティデコーダ部3に入力され、パリ
ィティデコーダ部3は入力された比較結果情報のエラー
情報をもとにメモリ部8より出力されたデータの何ビッ
ト目が不良ビットかを検知し、不良ビット情報として出
力する。出力された不良ビット情報はバス11を介して
リペア部4に入力され、リペア部4はメモリ部8より出
力されて内部データバス7を介して入力されたデータを
保持し、不良ビット情報の示したデータ内の不良ビット
箇所の値を反転する。不良ビット箇所の値を反転するこ
とで、正しい値に書き換えられたデータはデータバス5
に出力される。また、この時リペア部4で生成され、正
しい値に書き換えられたデータはバス15を介してデー
タレジスタ12に入力されてその値に保持される。不良
状態検出部13はパリィティデコーダ部3から出力され
バス17を介して入力された不良ビット情報をもとにバ
ス16から入力したデータレジスタ12の値の不良ビッ
トの値が0か1かを確認することで、浮遊ゲートに保持
された電荷が抜けることで発生した不良ビットか、電荷
が保持されていない浮遊ゲートに電荷が注入されて発生
した不良ビットかを識別する。識別結果情報はバス18
を介して救済処理部14に入力される。識別結果情報に
より、不良ビットの不良状態が、浮遊ゲートに保持され
た電荷が抜けることで発生した不良ビットの場合、救済
処理部14はデータレジスタ12の値をそのまま内部デ
ータバス7を介してメモリ部8に直接書き込む。書き込
みは電荷を注入されることで実現される。識別結果情報
により不良ビットの不良状態が電荷が保持されていない
浮遊ゲートに電荷が注入され発生した不良ビットの場合
は以下のように動作する。
【0011】半導体不揮発性記憶装置のメモリ部は、メ
モリ領域を消去する領域ごとに消去ブロックとして小領
域に区分けされているので、救済処理部14はまず、メ
モリ部8の不良ビットを含む消去ブロック内に記憶され
たデータ群を一旦、内部データバス7を介し、冗長ブロ
ック領域20に退避させ、消去ブロックのブロック消去
を行う。次に冗長ブロック領域20に退避されたデータ
をブロック消去を行った消去ブロックに復帰させる。こ
の時、不良ビットが検知された不良ビットを含むデータ
箇所においてはデータレジスタ12のデータを差し替え
て書き込む。このように、電荷が保持されていないはず
の浮遊ゲートに電荷が注入され発生した不良ビットは、
そのビットを含む領域の全ビットの電荷を消去してから
然る可きデータとなる電荷を再注入する。
モリ領域を消去する領域ごとに消去ブロックとして小領
域に区分けされているので、救済処理部14はまず、メ
モリ部8の不良ビットを含む消去ブロック内に記憶され
たデータ群を一旦、内部データバス7を介し、冗長ブロ
ック領域20に退避させ、消去ブロックのブロック消去
を行う。次に冗長ブロック領域20に退避されたデータ
をブロック消去を行った消去ブロックに復帰させる。こ
の時、不良ビットが検知された不良ビットを含むデータ
箇所においてはデータレジスタ12のデータを差し替え
て書き込む。このように、電荷が保持されていないはず
の浮遊ゲートに電荷が注入され発生した不良ビットは、
そのビットを含む領域の全ビットの電荷を消去してから
然る可きデータとなる電荷を再注入する。
【0012】以上のように本実施の形態によれば、半導
体不揮発性記憶装置内のメモリ部内に起こった不良ビッ
トをリフレッシュすることができ、パリィティエンコー
ダ部で処理できるビット数を増やし回路面積を大幅に増
やすことなく、大幅に半導体不揮発性記憶装置の寿命を
延ばし、信頼性を向上させることが可能となる。
体不揮発性記憶装置内のメモリ部内に起こった不良ビッ
トをリフレッシュすることができ、パリィティエンコー
ダ部で処理できるビット数を増やし回路面積を大幅に増
やすことなく、大幅に半導体不揮発性記憶装置の寿命を
延ばし、信頼性を向上させることが可能となる。
【0013】なお、上記の誤り訂正及びリフレッシュは
メモリ部8の読み出しとは無関係に定期的に行うように
しても良く、その場合、読み出しアドレスを巡回させれ
ば半導体不揮発性記憶装置の均一な信頼性向上が可能に
なる。
メモリ部8の読み出しとは無関係に定期的に行うように
しても良く、その場合、読み出しアドレスを巡回させれ
ば半導体不揮発性記憶装置の均一な信頼性向上が可能に
なる。
【0014】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、誤り訂正
手段で処理できるビット数を増やしたり、回路面積を大
幅に増やすことなく大幅に半導体不揮発性記憶装置の寿
命を延ばし、その信頼性を向上させることが可能になる
という有利な効果が得られる。
手段で処理できるビット数を増やしたり、回路面積を大
幅に増やすことなく大幅に半導体不揮発性記憶装置の寿
命を延ばし、その信頼性を向上させることが可能になる
という有利な効果が得られる。
【図1】本発明の半導体不揮発性記憶装置の一実施の形
態における構成を示すブロツク図
態における構成を示すブロツク図
【図2】従来の半導体不揮発性記憶装置の構成を示すブ
ロツク図
ロツク図
1 パリィティエンコーダ部 2 コンペア部 3 パリィティデコーダ部 4 リペア部 5 データバス 6 パリィティバス 7 内部データバス 8 メモリ部 9,10,11,17,18,19 バス 12 データレジスタ 13 不良状態検出部 14 救済処理部 20 冗長ブロック領域
Claims (6)
- 【請求項1】 電気的に読み出しと書き込みが可能な記
憶手段と、前記記憶手段からデータを読み出して、読み
出したデータの誤りの検出とその訂正を行う誤り訂正手
段と、前記誤り訂正手段により検出された誤りに係る不
良ビットが、0または1のいずれに誤ったかを識別する
誤り識別手段と、前記誤り識別手段の識別結果に応じて
前記不良ビットに正しい値を上書きあるいは前記不良ビ
ットを含む複数のビットの値を消去した後に正しい値を
書き込むかを選択的に行う書き込み制御手段を備えたこ
とを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。 - 【請求項2】 記憶手段は、浮遊ゲートに保持された電
荷によりデータの保持を行い、誤り識別手段は、前記不
良ビットが本来電荷を保持すべき浮遊ゲートに電荷が保
持されていない第1の状態か、本来電荷を保持すべきで
ない浮遊ゲートに電荷が保持されている第2の状態かを
識別し、書き込み制御手段は、前記誤り識別手段により
前記不良ビットが前記第1の状態であることが識別され
ると、前記不良ビットの浮遊ゲートに電荷を注入して加
え、前記誤り識別手段により前記不良ビットが前記第2
の状態であることが識別されると、前記不良ビットを含
む前記複数のビットの浮遊ゲートから電荷を消滅させた
後、このビットの内、本来電荷を保持すべきビットにの
み電荷を注入して加えるようにしたことを特徴とする請
求項1記載の半導体不揮発性記憶装置。 - 【請求項3】 書き込み制御手段は、浮遊ゲートの電荷
の消滅および注入を所与のブロックをひとかたまりとし
て行い、消滅させる前に、前記所与のブロック内に記憶
されたデータ群を一旦所定の記憶領域に退避させ、前記
所定の記憶領域から復帰したデータ群を用いて前記した
電荷の注入を行うことを特徴とする請求項2記載の半導
体不揮発性記憶装置。 - 【請求項4】 誤り訂正手段は、読み出したデータに予
め付加されたパリィティを用いて前記データの誤りの検
出と前記誤りの訂正を行うことを特徴とする請求項1な
いし請求項3のいずれか一つに記載の半導体不揮発性記
憶装置。 - 【請求項5】 誤り訂正手段によるデータの読み出しと
誤りの検出および訂正は定期的に行なわれ、誤りが検出
された場合に前記書き込み制御手段による不良ビットの
補正が定常的に行なわれることを特徴とする請求項1な
いし請求項4のいずれか一つに記載の半導体不揮発性記
憶装置。 - 【請求項6】 誤り訂正手段は、前記記憶手段の特定領
域に付与されたアドレスを巡回することにより前記記憶
手段を定期的に読み出すことを特徴とする請求項5記載
の半導体不揮発性記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP159898A JPH11203892A (ja) | 1998-01-07 | 1998-01-07 | 半導体不揮発性記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP159898A JPH11203892A (ja) | 1998-01-07 | 1998-01-07 | 半導体不揮発性記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11203892A true JPH11203892A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11505946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP159898A Pending JPH11203892A (ja) | 1998-01-07 | 1998-01-07 | 半導体不揮発性記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11203892A (ja) |
Cited By (3)
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