JP4742553B2 - 記憶装置 - Google Patents
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Description
図1において、1は全体としてカード型の半導体記憶装置を示し、この半導体記憶装置1は、例えばNAND型フラッシュメモリに相当するメモリ部2と、当該メモリ部2のデータ書き込み処理及びデータ読み出し処理を制御するコントローラ部3を有する。
またこの図2に示すMCU4は、例えば、情報処理装置からホストインターフェース部5を介して、メモリ部2にデータ消去処理を実行させるように命令する制御信号を受信すると、これに応じてタイミングジェネレータ部8を介してメモリ部2に対し、データ消去処理を実行するように命令するデータ消去制御信号を供給する。
以上の構成においてこの半導体記憶装置1においては、メモリ部2における消去処理済領域に対してデータ読み出し処理を実行したために、値が全て「1」でなる消去状態実データDdr及び消去状態パリティデータDdpを読み出した場合でも、この消去状態実データDdr及び消去状態パリティデータDdpを第3のデータ反転回路13により反転することによりその値を全て「0」にしてから誤り検出処理を実行するようにしたことにより、この誤り検出処理において誤りが検出されてしまうことを回避することができる。
なお上述の実施の形態においては、ECC部7における誤り検出・訂正処理方式としてBCH符号方式を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、リードソロモン符号方式等を適用するようにしても良い。
Claims (2)
- データと当該データの誤りを検出するための誤り検出データとを記憶する記憶手段と、上記記憶手段から読み出した上記データに対応する上記誤り検出データに基づいて当該読み出したデータに誤りがあるか否かを検出するための誤り検出処理を実行する誤り検出手段とを有する記憶装置であって、
上記記憶手段から読み出した上記データ及び当該データに対応する上記誤り検出データを反転した後上記誤り検出手段に上記誤り検出処理させる第1のデータ反転手段と、
上記誤り検出手段により上記誤り検出処理された後の上記データを反転した後出力する第2のデータ反転手段と
を具えることを特徴とする記憶装置。 - 上記記憶手段に記憶させるデータに対応する上記誤り検出データを生成する誤り検出データ生成手段を有し、
上記記憶手段に記憶させる上記データを反転した後上記誤り検出データ生成手段に当該データに対応する上記誤り検出データを生成させる第3のデータ反転手段と、
上記第3のデータ反転手段により反転された上記データと当該データに対応するように生成した上記誤り検出データとを反転した後上記記憶手段に記憶させる第4のデータ反転手段と
を具えることを特徴とする請求項1に記載の記憶装置。
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